專利名稱：傾斜側(cè)壁的彈性凸塊及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種彈性凸塊結(jié)構(gòu)及其制造方法，目的在提升 金屬層的厚度均勻性，且避免顯影及蝕刻制程后，該金屬層尺 寸變小或局部變窄，以及改善彈性凸塊在構(gòu)裝時(shí)金屬層發(fā)生皺 折、斷裂等問題。
背景技術(shù)：
彈性凸塊是一制作于集成電路芯片的焊塾上的凸形結(jié)構(gòu)體，由彈 性的有機(jī)聚合物核心凸塊及包覆其外層的金屬膜所構(gòu)成，便于后續(xù)以
芯片與玻璃基板封裝(Chip on Glass, COG)或芯片與薄膜基板封裝(Chip onFilm，COF)等構(gòu)裝方式，將芯片的線路功能經(jīng)焊墊、彈性凸塊、構(gòu)裝 基板導(dǎo)線傳送至如平面顯示器等其所搭配的組件。
其中，該彈性座體于集成電路焊墊接合面的位置可有三種態(tài)樣 第一種態(tài)樣如圖1A所示，彈性座體21直接形成在集成電路的焊墊12上； 第二種態(tài)樣是彈性座體21形成在焊墊12外圍的護(hù)層11上，如圖1B所示； 第三種態(tài)樣是彈性座體21是同時(shí)形成在焊墊12與護(hù)層11之上，如圖1C 所示。
至于彈性凸塊所習(xí)用的彈性凸塊表面金屬膜制造流程基本上包括 如圖2至圖7所示的步驟；以第一種態(tài)樣為例，首先如圖2所示，將彈性 座體21形成在集成電路組件10的接合面相對(duì)于焊墊12上，其成型方式 如圖3A所示，于該集成電路組件10上涂布一感光材料層24，再于該集 成電路組件1 O上利用 一具有彈性座體二維投影圖形的光罩25,如圖3B 所示,進(jìn)行曝光、顯影制程，則可于集成電路組件10上形成彈性座體 21;再如圖4所示，于該集成電路組件10的接合面上方利用物理氣相沉 積技術(shù)形成至少一層連接于各彈性座體21與各焊墊12之間的金屬層 22,該金屬層22包含底層可導(dǎo)電黏著層221及表層金屬層222;接著如圖5所示，以顯影制程完成用以將各彈性座體21區(qū)域上的金屬層22覆蓋 的光阻圖案23;之后如圖6所示，利用蝕刻制程移除未覆蓋有光阻圖案 23的金屬層22，僅在各彈性座體21的區(qū)域保留延伸至相對(duì)應(yīng)焊墊12的 金屬層22;最后如圖7所示，將光阻圖案23去除，即可使各彈性座體21 區(qū)域的金屬層外露，而成為用以構(gòu)成集成電路組件10的電性導(dǎo)通的表 面金屬膜22'。
由于上揭習(xí)用制造流程中，該彈性座體21成型為立方體的結(jié)構(gòu)， 如圖3B所示，其具有一遠(yuǎn)離集成電路組件10的頂面211以及接近垂直的 四個(gè)側(cè)壁212，使得在進(jìn)行物理氣相沉積形成金屬層22時(shí)，該金屬層22 成型于該彈性座體的頂面211及側(cè)壁212厚度不一，如圖8A所示，其側(cè) 壁212金屬層22的厚度L2約為頂面211金屬層22厚度L1的60 70。/。，亦即 L2 = (0.6 0.7)Ll，使得該金屬層22厚度不均勻，而造成局部電阻值偏高。
再者，在進(jìn)行顯影、蝕刻形成表面金屬膜前，先于彈性座體21的 金屬層22上利用旋轉(zhuǎn)涂布方式覆蓋光阻而形成光阻圖案23,如圖5所 示，但由于該彈性座體21的側(cè)壁212接近垂直角度，故于旋轉(zhuǎn)涂布光阻 時(shí)，容易使光阻不易緊貼在該側(cè)壁212的金屬層22上，或者使該光阻圖 案23與金屬層22間容易產(chǎn)生縫隙，使得進(jìn)行蝕刻時(shí)，蝕刻液容易滲入 光阻圖案23與金屬層22的界面，令即使覆蓋有光阻圖案23的部分金屬 層22仍會(huì)被移除，進(jìn)而使得成型的表面金屬膜22，于側(cè)壁部份尺寸變小 甚至形成頸部形狀(necking),如圖8B所示。
此外，在彈性凸塊于構(gòu)裝壓合的過程中，彈性凸塊會(huì)受壓縮應(yīng)力 而變形，形成波浪結(jié)構(gòu)，如圖8C、 D所示，而于該波浪結(jié)構(gòu)的波谷位置 中的表面金屬膜22，會(huì)受到壓縮應(yīng)力而產(chǎn)生皺折變形A，而波峰位置中 的表面金屬膜22，會(huì)受到伸張應(yīng)力而產(chǎn)生裂隙B甚至斷裂，不論是皺折 變形A或裂隙B甚至斷裂均會(huì)對(duì)表面金屬膜的導(dǎo)電性質(zhì)有不良的影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的即在提供一種可獲得均勻的金屬層厚度及其成 型尺寸，并可改善彈性凸塊側(cè)壁表面金屬膜在構(gòu)裝后，發(fā)生皺折、斷裂等問題的傾斜側(cè)壁的彈性凸塊及其制造方法。
為達(dá)上揭目的，本發(fā)明的彈性凸塊設(shè)置于一具有焊墊的集成電路 組件上，該彈性凸塊具有一位于該集成電路組件上的彈性座體，以及 一位于該彈性座體上并與該焊墊電性連接的表面金屬膜，該彈性座體 具有 一遠(yuǎn)離該集成電路組件的頂面以及兩組相對(duì)的側(cè)壁，而其中 一組 被表面金屬膜覆蓋的側(cè)壁為傾斜側(cè)壁，而該傾斜側(cè)壁的傾斜方向由彈 性座體外側(cè)朝內(nèi)側(cè)傾斜。
具體而言，本發(fā)明具有下列功效
1 .本發(fā)明的彈性座體所具有的傾斜側(cè)面，有利于后續(xù)在彈性座體的 傾斜側(cè)壁上成型金屬層時(shí)，可確保該金屬層的厚度均勻性，改善側(cè)壁 部位金屬層電阻值偏高的問題。
2. 進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布光阻時(shí)，因該該彈性座體的側(cè)壁較為平緩而非垂直 的角度，光阻可均勻涂布于彈性座體的金屬層上，并有助于光阻緊貼 在該彈性凸塊的金屬層上，避免蝕刻制程中因蝕刻液滲入光阻與金屬 層界面，造成該彈性凸塊的金屬層尺寸變小或形成頸部形狀。
3. 可改善彈性凸塊于構(gòu)裝時(shí)，因彈性座體承受壓縮應(yīng)力而變形所導(dǎo) 致的金屬層皺折、斷裂等問題，進(jìn)而確保表面金屬膜的導(dǎo)電性質(zhì)。


圖1A、 B、 C為一般彈性座體于集成電路組件接合面的位置示意
圖2-圖7為彈性凸塊所習(xí)用的制造方法流程示意圖8A為習(xí)有彈性座體的頂面及側(cè)壁上金屬層厚度的結(jié)構(gòu)示意圖8B為習(xí)有彈性凸塊的結(jié)構(gòu)立體圖8C、 D為習(xí)有彈性凸塊于構(gòu)裝壓合變形的結(jié)構(gòu)示意圖9為本發(fā)明中傾斜側(cè)壁的彈性凸塊的結(jié)構(gòu)示意圖10為本發(fā)明中傾斜側(cè)壁的彈性凸塊制造方法第一實(shí)施例步驟流
程圖11 - 15為本發(fā)明中傾斜側(cè)壁的彈性凸塊制造方法第一實(shí)施例流圖16為本發(fā)明中傾斜側(cè)壁彈性凸塊的結(jié)構(gòu)立體圖； 圖17為本發(fā)明中傾斜側(cè)壁的彈性凸塊制造方法第二實(shí)施例步驟流 程圖18 - 20為本發(fā)明中傾斜側(cè)壁的彈性凸塊制造方法第一實(shí)施例流 程示意圖21為本發(fā)明中灰階光罩及其所形成彈性座體的結(jié)構(gòu)示意圖。圖號(hào)說明
集成電路組件IO
焊塾12
頂面211
金屬層22
導(dǎo)電黏著層221
光阻圖案23
光罩25
彈性座體31
側(cè)壁312
表面金屬膜32
底層黏著層321
集成電路組件4
感光材料層42
灰階光罩5
全透光部52
透光圖案54
護(hù)層ll
彈性座體21
側(cè)壁212
表面金屬膜22'
表層金屬層222
感光材料層24
彈性凸塊3
頂面311
傾殺+側(cè)壁313
金屬層32'
表層金屬層322
焊墊41
光阻圖案43
遮光部51
灰階部5具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的特點(diǎn)，可參閱本案圖式及實(shí)施例的詳細(xì)說明而獲得清楚 地了解。
本發(fā)明主要針對(duì)彈性凸塊當(dāng)中的彈性座體加以改良；其中，每一
8個(gè)彈性凸塊包括有一個(gè)彈性座體，以及連接于彈性座體表面與該彈性 座體所對(duì)應(yīng)輸入/輸出焊墊之間的彈性凸塊表面金屬膜，透過彈性凸塊 表面金屬膜構(gòu)成集成電路組件與外部電路的電性導(dǎo)通。
至于，本發(fā)明的彈性凸塊3設(shè)置于一具有焊墊41的集成電路組件4 上，如圖9所示，該彈性凸塊3具有一位于該集成電路組件4上的彈性座 體31,以及一位于該彈性座體31上并與該焊墊41電性連接的表面金屬 膜32，該彈性座體31具有一遠(yuǎn)離該集成電路組件4的頂面311以及兩組 相對(duì)的側(cè)壁312、 313，且該其中一組被表面金屬膜覆蓋的側(cè)壁為傾斜 側(cè)壁313，而該傾斜側(cè)壁313的傾斜方向由彈性座體31外側(cè)朝內(nèi)側(cè)傾斜， 以形成彈性座體頂面較窄而底面較寬的結(jié)構(gòu)體，而使該彈性座體31整 體的形狀為梯形。
在本實(shí)施例中，該彈性座體31的材質(zhì)為 一種電性絕緣并具有高彈 性的高分子有機(jī)物(organic polymer)，可以為感光型聚亞醯胺 (Photo-sensitive Polyimide )制成，但并不以此為限，除了現(xiàn)有適用于 制作彈性凸塊3的核心(core)的感光材料(photo-sensitive material)夕卜， 其它如非感光型的聚亞醯胺(polyimide)、苯環(huán)丁烯(benego cyclobutene)、 聚丙烯酸醋(polyacrylates)、橡膠(rubber),以及感光及非感光型硅膠 (silicone)等，也都適用于本發(fā)明中，至于其配設(shè)的位置可如前述的三種 態(tài)樣，本實(shí)施例以第一種態(tài)樣為例，以直接形成在悍墊12上，但不應(yīng) 以局限本發(fā)明。
而該表面金屬膜32由彈性座體頂面311披覆至該彈性座體31的二 個(gè)傾斜側(cè)壁313,并延伸至焊墊41，而該表面金屬膜32包含底層黏著層 321及表層金屬層322，該底層翁著層321鄰接且包覆于該彈性座體31 上；而該表層金屬層322則鍍?cè)O(shè)于該底層黏著層321之外。
如圖10所示，整體彈性凸塊制造方法的第一實(shí)施例，依序包括有 下列步驟
a、'制備一具有彈性座體二維投影圖形的灰階光罩5，如圖ll所示， 其中該灰階光罩5設(shè)有遮光部51、全透光部52以及灰階部53,該灰階部 53設(shè)于遮光部51的兩邊側(cè)，如圖所示的實(shí)施例中，該灰階部53設(shè)有復(fù)數(shù)透光圖案54 ，而各透光圖案54的透光率或面積由外側(cè)朝內(nèi)側(cè)遞減， 或各透光圖案5 4的密度由外側(cè)朝內(nèi)側(cè)遞減。
b、 提供一具有焊墊41的集成電路組件4，并于該集成電路組件4上 涂布 一 可作為彈性座體的正型感光材料層42 。
c、 以曝光、顯影制程于集成電路組件4上形成彈性座體31,如圖 12所示。
d、 利用物理氣相沉積技術(shù)于該彈性座體31上形成至少一與該焊墊 41電性連接的金屬層32',如圖13A所示，并使該金屬層32，得以連接焊 墊41以及彈性座體31,可非限定使用賊鍍技術(shù)或采用蒸鍍技術(shù)，先于 該彈性座體31上形成一與該焊墊41電性連接的底層黏著層321，再于該 底層黏著層321上形成一表層金屬層322，該底層翁著層321的材質(zhì)是鈦 鴒合金；該表層金屬層322的材質(zhì)則是金。當(dāng)然，該底層li著層321及 表層金屬層322的材質(zhì)并非以此為限，該底層黏著層321也可以是由鉻、 鈦、鴒、鋁、銅，或其等的組合的材料制成；該表層金屬層322則可以 是由金、銀，以及其等的組合的材料制成；且值得一提的是，該金屬 層32，成型覆蓋于彈性座體的頂面311以及傾斜側(cè)壁313，該傾斜側(cè)壁313 的傾斜方向由彈性座體31外側(cè)朝內(nèi)側(cè)傾斜，故當(dāng)沉積金屬層32，時(shí)，其 頂面311上金屬層32，的厚度L3與傾斜側(cè)壁313上金屬層32，的厚度L4較 為一致且均勻，如圖13B所示。
e、 移除部分該金屬層以界定出該彈性凸塊的該表面金屬膜，其更 包含有步驟(e-l)以顯影制程于該金屬層32，定義出該彈性凸塊31所在范 圍，亦即完成用以將彈性座體31區(qū)域上的金屬層32，覆蓋的光阻圖案43， 如圖14;以及步驟(e-2)以蝕刻制程移除非位于該彈性凸塊31所在范圍的 部分該金屬層32'，如圖15所示，亦即將未覆蓋有光阻圖案43的金屬層 32，移除；最后將光阻圖案43去除，即可使彈性座體31區(qū)域的金屬層外 露，而成為用以構(gòu)成集成電路組件4的電性導(dǎo)通的表面金屬膜32，如圖 9所示。
其中，該光阻圖案43利用旋轉(zhuǎn)涂布方式覆蓋于金屬層32，上，如圖 14所示，而該彈性座體的傾斜側(cè)壁313非為垂直角度，故有助于光阻圖案43可緊貼在該傾斜側(cè)壁313的金屬層32，上，以在后續(xù)蝕刻制程中可避 免因蝕刻液滲入光阻圖案43與金屬層32，的界面，而造成該金屬層32' 尺寸變小甚至斷裂的情況發(fā)生，以確保成型后表面金屬膜32的尺寸， 如圖16所示；而當(dāng)彈性凸塊于構(gòu)裝時(shí)，其彈性座體頂面在受到壓縮應(yīng) 力后，此傾斜側(cè)壁結(jié)構(gòu)可改變皺折變形形狀，以改善彈性座體承受壓 縮應(yīng)力而變形所導(dǎo)致的金屬層皺折、斷裂等問題。
如圖17所示，為本發(fā)明彈性凸塊制造方法的另一實(shí)施例，其步驟 a e與第一實(shí)施例相同，而步驟c與d之間更包含有步驟f,以及步驟e之 后更包含有步驟g，其中步驟f將可舉離式光阻劑涂布在集成電路組件4 的所有表面上，并且利用曝光、顯影技術(shù)，保留或移除集成電路組件 接合面特定位置的可舉離式光阻(如圖18所示，可舉離式光阻位于彈性 座體周邊)；其中，可舉離式光阻劑可視需要選擇使用"正光阻"或"負(fù) 光阻"，亦即利用類似雕刻中的陰刻或陽(yáng)刻技巧，配合光罩圖形的阻 擋，移除或保留與光罩圖形相對(duì)應(yīng)或互補(bǔ)的圖形，主要目的在于保留 集成電路組件接合面特定位置的可舉離式光阻，使集成電路組件的接 合面上相對(duì)于于彈性座體周邊形成用以將各彈性凸塊表面金屬膜區(qū)隔 (于圖18中尚未形成)的光阻圖案43,而該光阻圖案43是經(jīng)過涂布、曝光 及顯影制程參數(shù)的調(diào)整而呈倒梯形。
f、 利用物理氣相沉積技術(shù)在集成電路組件10的所有表面上形成至 少一層金屬層32，(如圖19所示)。
g、 最后利用光阻剝離劑將集成電路組件表面上的光阻圖案，連同 覆蓋在光阻圖案上的金屬層去除，如圖20所示，即可在彈性座體31表 面建構(gòu)有分別與所對(duì)應(yīng)的焊墊41相連接的表面金屬膜32。
而其中步驟a中所使用的灰階光罩5，可如圖I1所示的形式，亦可 以如圖21的形式，該灰階光罩5同樣設(shè)有遮光部51、全透光部52以及復(fù) 數(shù)灰階部53，該灰階部53設(shè)于遮光部51的兩邊側(cè)，且各灰階部53間設(shè) 有遮光部51,而該灰階部53同樣設(shè)有復(fù)數(shù)透光圖案54,而各透光圖案 54的透光率或面積由外側(cè)朝內(nèi)側(cè)減少，或各透光圖案54的密度由外側(cè) 朝內(nèi)側(cè)減少，藉由該實(shí)施例所形成彈性凸塊的傾斜側(cè)壁313則由復(fù)數(shù)個(gè)平面段314及傾斜段315所構(gòu)成多階斜面的形式。 本發(fā)明相較于習(xí)有具有下列優(yōu)點(diǎn)
1、 該彈性座體除了可藉由灰階光罩，形成傾斜的側(cè)壁，亦可在彈 性座體的長(zhǎng)度允許下(考慮彈性凸塊頂面的接觸面積)，同樣藉由不同設(shè) 計(jì)的灰階光罩，而形成多階斜面的彈性座體。
2、 本發(fā)明的彈性座體所具有的傾斜傾面，以利后續(xù)于彈性座體的 傾斜側(cè)壁上成型金屬層時(shí)，可確保該金屬層的厚度均勾性，改善側(cè)壁 部位金屬層電阻值偏高的問題。
3、 進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布光阻時(shí)，因該彈性座體的側(cè)壁較為平緩，光阻可 均勻涂布于彈性座體的金屬層上，并有助于光阻緊貼在該彈性凸塊的 金屬層上，避免蝕刻制程中因蝕刻液滲入光阻與金屬層界面，造成該 彈性凸塊的金屬層尺寸變小或形成頸部形狀而使局部變窄。
4、 可改善彈性凸塊于構(gòu)裝時(shí)，因彈性座體承受壓縮應(yīng)力而變形所導(dǎo) 致的金屬層皺折、斷裂等問題，進(jìn)而確保表面金屬膜的導(dǎo)電性質(zhì)。
本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)巳揭示如上，然而熟悉本項(xiàng)技術(shù)的 人士仍可能基于本發(fā)明的揭示而作各種不背離本案發(fā)明精神的替換及 修飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示者，而應(yīng)包括 各種不背離本發(fā)明的替換及修飾，并為以下的申請(qǐng)專利范圍所涵蓋。
權(quán)利要求
1、一種傾斜側(cè)壁的彈性凸塊，該彈性凸塊設(shè)置于一具有焊墊的集成電路組件上，該彈性凸塊具有一位于該集成電路組件上的彈性座體，以及一位于該彈性座體上并與該焊墊電性連接的表面金屬膜，該彈性座體具有一遠(yuǎn)離該集成電路組件的頂面以及兩組相對(duì)的側(cè)壁；其特征在于該其中一組被表面金屬膜覆蓋的側(cè)壁為傾斜側(cè)壁，而該傾斜側(cè)壁的傾斜方向由彈性座體外側(cè)朝內(nèi)側(cè)傾斜。
2、 如權(quán)利要求1所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊，其中該彈 性座體的形狀為梯形。
3、 如權(quán)利要求1所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊，其中該表 面金屬膜由彈性座體頂面披覆至該彈性座體的二個(gè)傾斜側(cè) 壁，并延伸至焊墊。
4、 如權(quán)利要求1所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊，其中該表 面金屬膜包含底層黏著層及表層金屬層。
5、 如權(quán)利要求4所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊，其中該底 層黏著層的材質(zhì)是選自于由下列所構(gòu)成之一群組，該群組包 含鉻、鈦、鎢、鋁、銅，以及其等的組合；其中該表層金屬 層的材質(zhì)是選自于由下列所構(gòu)成之一群組，該群組包含金、 銀，以及其等的組合。
6、 如權(quán)利要求1所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊，其中該彈 性座體的材質(zhì)為 一種電性絕緣并具有高彈性的高分子有機(jī) 物，其。
7、 如權(quán)利要求1所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊，其中該彈 性座體的材質(zhì)可以為聚亞醯胺、苯環(huán)丁烯、聚丙烯酸脂、橡 膠或硅膠。
8、 如權(quán)利要求1所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊，其中該傾 斜側(cè)壁由復(fù)數(shù)個(gè)平面段及傾斜段所構(gòu)成。
9、 一種傾斜側(cè)壁的彈性凸塊制造方法，依序包含有下列步驟a、 制備一具有彈性座體二維投影圖形的灰階光罩；b、 提供一具有焊墊的集成電路組件，并于該集成電路 組件上涂布一感光材料層；c、 以灰階光罩進(jìn)行曝光、顯影制程于集成電路組件上形 成具傾4斗側(cè)壁的彈性座體；以及d、 于該彈性座體上形成一與該焊墊電性連接的金屬層， 并使該金屬層得以連接焊墊以及彈性座體。
10、 如權(quán)利要求9所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊制造方法， 其中該步驟d是以物理氣相沉積制程的制程完成。
11、 如權(quán)利要求9所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊制造方法， 其中該步驟d包含下列步驟(d -1)于該彈性座體上形成 一 與該焊墊電性連接的底層黏著 層；及(d-2)于該底層黏著層上形成一表層金屬層。
12、 如權(quán)利要求9所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊制造方法， 其中該步驟d后更包含有下列步驟e、移除部分該金屬層以界定出該彈性凸塊的該表面金屬膜。
13、 如權(quán)利要求12所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊制造方法， 其中該步驟e包含下列步驟(e-l)以顯影制程于該金屬層定義出該彈性凸塊所在范圍；及 (e-2)以蝕刻制程移除非位于該彈性凸塊所在范圍的部分該 金屬層。
14、 如權(quán)利要求12所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊制造方法， 其中該步驟c與步驟d之間更包含下列步驟 f、 將可舉離式光阻劑利用涂布、曝光、顯影制程，于彈性座體周邊形成光阻圖案。
15、 如權(quán)利要求14所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊制造方法， 其中該光阻圖案是經(jīng)過涂布、曝光及顯影制程參數(shù)的調(diào)整而呈倒梯形。
16、 如權(quán)利要求14所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊制造方法， 其中該步驟e后更包含有下列步驟g、利用光阻剝離劑將光阻圖案連同覆蓋在光阻圖案上 的金屬層去除。
17、 如權(quán)利要求9所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊制造方法， 其中該灰階光罩設(shè)有遮光部、全透光部以及灰階部。
18、 如權(quán)利要求17所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊制造方法， 其中該灰階部i殳于遮光部的兩邊側(cè)。
19、 如權(quán)利要求17所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊制造方法， 其中該灰階光罩設(shè)有復(fù)數(shù)灰階部，各灰階部設(shè)于遮光部的兩 邊側(cè)，且各灰階部間設(shè)有遮光部。
20、 如權(quán)利要求17、 18或19所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊 制造方法，其中該灰階部設(shè)有復(fù)數(shù)透光圖案。
21、 如權(quán)利要求20所述傾斜側(cè)壁的彈性凸塊制造方法， 其中該彈性座體材質(zhì)為正型感光材料時(shí)，各透光圖案的透光 率或面積由外側(cè)朝內(nèi)側(cè)減少，或者，各透光圖案的密度由外 側(cè)朝內(nèi)側(cè)遞減。
全文摘要
本發(fā)明彈性凸塊設(shè)置于一具有焊墊的集成電路組件上，該彈性凸塊具有一位于該集成電路組件上的彈性座體，以及一位于該彈性座體上與該焊墊電性連接的表面金屬膜，彈性座體具有一遠(yuǎn)離該集成電路組件的頂面以及兩組相對(duì)的側(cè)壁，其中一組側(cè)壁為傾斜側(cè)壁，而該傾斜側(cè)壁的傾斜方向由彈性座體外側(cè)朝內(nèi)側(cè)傾斜，形成彈性座體頂面較窄而底面較寬的結(jié)構(gòu)體，以利后續(xù)于彈性座體的頂面及傾斜側(cè)壁上形成金屬層時(shí)，可改善該金屬層的厚度均勻性，有助于光阻緊貼在該彈性凸塊的金屬層上，避免蝕刻制程中因蝕刻液滲入光阻與金屬層界面，造成該彈性凸塊的金屬層尺寸變小或斷裂，可改善彈性凸塊于構(gòu)裝時(shí)，因彈性座體承受壓縮應(yīng)力而變形所導(dǎo)致的金屬層皺折、斷裂等問題。
文檔編號(hào)H01L23/48GK101425491SQ20071016522
公開日2009年5月6日 申請(qǐng)日期2007年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月31日
發(fā)明者鄭宇凱, 陸頌屏, 黃崑永 申請(qǐng)人:福葆電子股份有限公司