專利名稱：控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于蝕刻方面的技術(shù)，且特別是有關(guān)于一種控制孔徑不同開 口的相對孔徑偏差比的方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路的集成度要求愈來愈高，電路圖案的尺寸也愈來愈小。在 集成電路工藝中，縮小圖案尺寸的方法大多利用高解析度的光刻工藝。但是， 高解析度光刻工藝有光學上的限制，故其技術(shù)甚為困難、成本十分昂貴。尤 其是對開口圖案的工藝而言，其僅與光刻工藝相關(guān)的顯影后檢查關(guān)鍵尺寸
(ADICD)特別難以控制。因此， 一般會以調(diào)整蝕刻配方的方式得到應工藝所 要求的蝕刻后檢查關(guān)鍵尺寸(AEICD)，此即實際形成在目標材料層中的開口
的孔徑。
然而，以此方式同時形成尺寸不同開口的孔徑時，仍會有各別開口的顯 影后-蝕刻后孔徑差難以適當控制的問題。在此所謂"顯影后-蝕刻后孔徑差" 的定義為顯影后檢查關(guān)鍵尺寸與蝕刻后檢查關(guān)鍵尺寸兩者之間的差值。例 如，在同時形成與源/漏極接觸的方形接觸窗(square contact)以及與棚-極和源/ 漏極接觸的共享接觸窗(share contact)的工藝中，如縮小方形接觸窗開口的孔 徑，則孔徑較大的共享接觸窗開口的孔徑會被縮小更多。當共享接觸窗開口 的孔徑縮小過多時，稍后形成的共享接觸窗即會有過高的電阻，而使操作速 度大為降低；甚至可能未與目標的柵極或源/漏極區(qū)接觸，而造成斷路。相反 地，如方形、共享接觸窗開口的孔徑縮小幅度不足，則會產(chǎn)生誤接其他元件 等問題。因此，這兩種接觸窗開口的孔徑縮小幅度皆須作適當?shù)目刂啤?br> 同樣地，在其他類型的開口工藝中，需同時形成孔徑不同的多種開口時， 各種開口的顯影后-蝕刻后孔徑差的變異幅度亦須同時作適當?shù)目刂?，以?合工藝所能容許的范圍
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種控制孔徑不同開口的相對孔徑 1"扁差比的方法。
本發(fā)明提出 一種控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法?？讖讲煌?開口的工藝是先于目標材料層上依序形成蝕刻抵擋層、含硅材料層與光阻層 的三層膜結(jié)構(gòu)，并將光阻層圖案化。其中，圖案化光阻層具有孔徑不同的第 一開口圖案與第二開口圖案。然后，依序進行蝕刻含硅材料層、蝕刻抵擋層 與目標材料層的步驟，以于對應第一、第二開口圖案的目標材料層中分別形 成第一開口與第二開口。第一開口的孔徑(即第 一開口的蝕刻后檢查關(guān)鍵尺 寸)與第一開口圖案的孔徑(即第一開口的顯影后檢查關(guān)^l定尺寸)的差異為第
一孔徑差，該第二開口的孔徑(即第二開口的蝕刻后^r查關(guān)^T建尺寸)與該第二
開口圖案的孔徑(即第二開口的顯影后檢查關(guān)鍵尺寸)的差異為第二孔徑差， 而第二孔徑差與第一孔徑差之間的比值稱為相對孔徑偏差比,而且，上述的
第 一開口圖案的孔徑大于上述的第二開口圖案的孔徑。本方法的特征在于 以圖案化光阻層為掩^H進行第一蝕刻步驟，將圖案化光阻層的圖案轉(zhuǎn)移至 含硅材料層上，形成圖案化含硅材料層，并于圖案化光阻層及圖案化含硅材 料層的側(cè)壁產(chǎn)生高分子膜。然后，以圖案化光阻層、圖案化含硅材料層及其 側(cè)壁的高分子膜為掩模，進行第二蝕刻步驟，以至少移除曝露出的蝕刻抵擋 層，而形成圖案化蝕刻抵擋層。之后，以圖案化蝕刻抵擋層為蝕刻掩模，移 除部分目標材料層，于目標材料層中形成第一、第二開口，且通過調(diào)整第一 蝕刻步驟的蝕刻參數(shù)A/或第二蝕刻步驟的蝕刻參數(shù)，以得到預設(shè)的相對孔徑 偏差.比。
依照本發(fā)明的實施例所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方 法，上述的第二蝕刻步驟為進行過度蝕刻步驟，以于圖案化蝕刻抵擋層中形 成第二開口的擴口開口圖案。上述的第二蝕刻步驟中通入含氟的烴類化合物 作為蝕刻氣體，而此含氟的烴類化合物為CHxFy，其中x-l、 2、 3; y=l、 2、 3。
依照本發(fā)明的實施例所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方 法，上述的第二蝕刻步驟為進行適量蝕刻步驟，以于圖案化蝕刻抵擋層中形 成實質(zhì)上垂直的開口圖案。在一實施例中，第二蝕刻步驟的蝕刻氣體為CO、 02和CF4。
依照本發(fā)明的實施例所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方
5法，上述的第二蝕刻步驟例如是先進行蝕刻不足步驟，移除曝露出的部分蝕 刻抵擋層。其中，第二蝕刻步驟的蝕刻氣體為CO、 02和CF4。然后，再進 行第三蝕刻步驟，其為過度蝕刻步驟，移除殘留的蝕刻抵擋層及其下方的部 分目標材料層。上述過度蝕刻步驟為非等向性蝕刻步驟，過度蝕刻步驟所使 用的蝕刻氣體為含氟氣體。
依照本發(fā)明的實施例所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方 法，上述調(diào)整第 一蝕刻步驟的蝕刻參數(shù)例如是蝕刻氣體的流量。
依照本發(fā)明的實施例所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方 法，上述的調(diào)整第二蝕刻步驟的蝕刻參數(shù)例如是蝕刻時間。
依照本發(fā)明的實施例所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方 法，上述的第一開口為共享接觸窗開口，且第二開口為方形接觸窗開口。
依照本發(fā)明的實施例所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方
法，上述的蝕刻抵擋層例如是I-line光阻。
依照本發(fā)明的實施例所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方 法，上述的含硅材料層為硬掩模底部抗反射層。
依照本發(fā)明的實施例所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方 法，上述的圖案化光阻層為193納米光阻。
依照本發(fā)明的實施例所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方 法，其中該目標材料層包括介電層。
本發(fā)明的方法是利用調(diào)整蝕刻含硅材料層的步驟與蝕刻蝕刻抵擋層的 步驟的蝕刻參數(shù)，以控制孔徑不同開口之間的相對孔徑偏差比在工藝所允許 的范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明可使得后續(xù)所形成的接觸窗不會發(fā)生誤接、與元件 接觸面積過小或未與元件接觸等問題，而可大大提升工藝的可靠度。另一方 面，本發(fā)明的方法為通過調(diào)整蝕刻工藝的蝕刻參^t的方式控制相對孔徑偏差 比，而不需修改光掩模，因此可節(jié)省工藝成本。
為讓本發(fā)明之上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較 佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。


圖1A至圖1H為依照本發(fā)明實施例所繪示的接觸窗開口工藝的流程剖 面圖，此接觸窗開口工藝內(nèi)含本發(fā)明的相對孔徑偏差比控制方法。主要元件符號說明
100:基底
101:隔離結(jié)構(gòu)
102:金屬氧化物半導體晶體管
104:柵極結(jié)構(gòu)
106:間隙壁
108:源/漏極區(qū)
109:接觸窗蝕刻中止層
110:介電層
112:蝕刻抵擋層
113:圖案化蝕刻抵擋層
114:含硅材料層
115:圖案化含硅材料層
116:圖案化光阻層
120:共享接觸窗開口圖案
122:方形接觸窗開口圖案
124、126、 132、 134:開口圖案
128、130:蝕刻步驟
136:共享接觸窗開口
138:方形接觸窗開口
具體實施例方式
以下，將以接觸窗開口工藝為例進一步說明本發(fā)明，但此例并非用以限
定本發(fā)明的范圍。圖1A至圖1H為依照本發(fā)明實施例所繪示的接觸窗開口 工藝的流程剖面圖，此接觸窗開口工藝內(nèi)含本發(fā)明的相對孔徑偏差比控制方法。
請參照圖1A，首先提供基底100,基底100上例如已形成有多個金屬氧 化物半導體(MOS)晶體管102,其通過淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)之類的隔離結(jié)構(gòu)101 與其他元件隔離。晶體管102的柵極結(jié)構(gòu)104位于基底100上，間隙壁106 位于柵極結(jié)構(gòu)104側(cè)壁，且源/漏極區(qū)108位于柵極結(jié)構(gòu)104兩側(cè)的基底100 中。在某些實施例中，更可于柵極結(jié)構(gòu)104與源/漏極區(qū)108上形成金屬硅化物(未繪示)，如硅化鎳、硅化鴒或硅化鈷等，以降低電阻。由于晶體管102
中各構(gòu)件的材質(zhì)與形成方法為本領(lǐng)域的人員所熟知，故不再贅述。
之后，請參照圖1B,在基底100上形成介電層110,以覆蓋晶體管102 與隔離結(jié)構(gòu)101。此介電層110例如是摻雜硅玻璃、二氧化硅、低介電常數(shù) 材料等，或者是由無摻雜玻璃(USG)層與磷硅玻璃(PSG)層所組成。介電層 110的形成方法例如是化學氣相沉積法或旋轉(zhuǎn)涂布法。在本實施例中，介電 層110即是作為預形成接觸窗開口的目標材料層。 '
在某些實施例中，更可在介電層110形成之前，于基底100上形成接觸 窗蝕刻中止層(contact etching stopper layer, CESL) 109 ，其材質(zhì)可例如為氮化 硅，形成方法則可例如為化學氣相沉積法。此時，上述的目標材料層即是指 介電層IIO與接觸窗蝕刻中止層109。
接著，在介電層IIO上形成用以作為后續(xù)蝕刻接觸窗開口的步驟的蝕刻 掩模。目前，在65nm或45nm以下的先進工藝中，需將光阻的厚度進一步 減少或薄化，以降低黃光工藝的光學限制所衍生的膜厚均勻性不佳的問題。 但是，光阻的薄膜化卻會使得耐蝕刻性較差，因此通常會使用多層的膜層來 代替習知的單層光阻作為蝕刻掩模。
請繼續(xù)參照圖1C,在介電層IIO上形成一蝕刻抵擋層112。蝕刻抵擋層 112例如是novolac型酚醛樹脂(novolac resin)或者類似I-line ^阻等材料，其 厚度約為1500埃至3000埃，較佳則為1800埃左右。若以蝕刻抵擋層112 是I-line光阻為例，其形成方式是先利用一般光阻涂布程序，而涂布在介電 層110上，然后再加以烘烤固化，即可形成之。
接著，在蝕刻抵擋層112上形成一層含硅材料層114。含硅材料層114 ,H口是石更4奄才莫底丟[^元反射(Silicon國containing Hard-mask Bottom anti-reflection coating, SHB)層，其成分為含硅的有機高分子聚合物(organosilicon polymer) 或聚;圭物(polysilane),至少具有一發(fā)色基團(chrom叩hore group)以及一交聯(lián): 基團(crosslinkable group)。此外，含硅材料層114的成分中亦可以含有交聯(lián) 劑(crosslinking agent)，以使得在照光后可產(chǎn)生交聯(lián)反應。而且，含硅材料層 114具有可通過調(diào)整硅含量而獲得不同耐蝕刻能力的特性。承上述，含硅材 料層114具有的硅含量約介于5 wt。/。至30 wt%,較佳則介于15 wt。/。至25 wt% 之間，而其厚度則介于150埃至1100埃之間，較佳為800埃左右。
然后，請參照圖1D，于含硅材料層114上形成一層圖案化光阻層116。圖案化光阻層116例如是ArF光阻或者193納米光阻。圖案化光阻層116的 厚度僅需要600埃至2200埃之間，較佳約為1500埃左右。其中，圖案化光 阻層116具有較大的共享接觸窗(share contact)開口圖案120以及較小的方形 接觸窗(squarecontact)開口圖案122。共享接觸窗開口圖案120位于同一金屬 氧化物半導體晶體管102的部分柵極結(jié)構(gòu)104和部分源/漏極區(qū)108的上方， 方形接觸窗開口圖案122則位于另一金屬氧化物半導體晶體管102的部分源 /漏極區(qū)108上方。此處共享/方形接觸窗開口圖案120/122的孔徑即為共享/ 方形接觸窗開口的顯影后檢查關(guān)鍵尺寸(ADICD)。 .
隨后，請參照圖1E，利用圖案化光阻層116作為蝕刻掩才莫，進行一蝕 刻步驟128,將共享/方形接觸窗開口圖案120/122經(jīng)由蝕刻而轉(zhuǎn)移至下方的 含硅材料層114中，以形成圖案化含硅材料層115。在上述的蝕刻步驟128 中，利用通入含氟的烴類化合物(CHxFy，其中x:l、 2、 3; y=l、 2、 3。) 作為蝕刻用氣體，例如三氟曱烷(CHF3)、 一氟曱烷(CHsF)、 二氟曱烷(CH2F2) 或其混合氣體，可使得蝕刻含硅材料層114時，亦同時會產(chǎn)生高分子膜的沉 積作用。如此一來，可以在圖案化含硅材料層115中蝕刻出分別對應共享/ 方形接觸窗開口圖案120/122的具有漸縮傾斜(tapered)側(cè)壁的開口圖案 124/126。而且，由于共享接觸窗開口圖案120的孔徑大于方形接觸窗開口圖 案122的孔徑，因此開口圖案124與共享接觸窗開口圖案120的側(cè)壁堆積的 高分子膜會較開口圖案126與方形接觸窗開口圖案122的側(cè)壁堆積的高分子 膜多。亦即是，開口圖案124與共享接觸窗開口圖案120的孔徑差大于開口 圖案126與方形4^觸窗開口圖案122的孔徑差。
承上述，蝕刻步驟128所用的蝕刻配方可令開口圖案124/126的孔徑小 于共享/方形接觸窗開口圖案120/122的孔徑。同時，通過適度調(diào)整蝕刻步驟 128的蝕刻參數(shù)，例如蝕刻用氣體的流量，可控制共享/方形接觸窗開口圖案 120/122的孔徑縮小幅度。
接下來，可利用圖案化光阻層116、圖案化含硅材料層115及其側(cè)壁的 高分子膜為掩模，進行一蝕刻蝕刻抵擋層112的步驟，以至少移除由開口圖 案124/126所曝露出的蝕刻抵擋層112，而形成一圖案化蝕刻抵擋層。
因為，蝕刻速率會受到開口圖案的孔徑大小不同的影響，孔徑相對較大 的開口圖案會使得蝕刻速率亦相對較快。如圖1F所示，當蝕刻開口圖案124 底部的蝕刻抵擋層112至曝露出介電層110時，開口圖案126底部所暴露出的蝕刻抵擋層112則尚未完全被移除。當然，此時圖案化光阻層116亦會有
部分被消耗(未繪示于圖式中)。所以，如圖1G所示，需通過蝕刻蝕刻抵擋 層112的步驟130進行一過度蝕刻(over-etching)步驟，4吏開口圖案126底部 的蝕刻抵擋層112被蝕刻至曝露出介電層110,而開口圖案124底部的蝕刻 抵擋層112則會產(chǎn)生擴口的現(xiàn)象，以分別于圖案化蝕刻抵擋層113中形成對 應開口圖案124/126的開口圖案132/134,且亦會同時移除掉圖案化光阻層 116。另外，通過適度調(diào)整蝕刻步驟130的蝕刻參lt，例如蝕刻時間，可控 制開口圖案132/134的孔徑大小。
繼之，請參照圖1H，于開口圖案132/134形成之后，接著以CF4/02等 氣體對蝕刻抵擋層113進行作蝕刻圖案化時，同時移除圖案化含硅材料層 115。然后，以圖案化蝕刻抵擋層113為掩^f莫，進行蝕刻步驟，以于介電層 110與接觸窗蝕刻中止層109中形成暴露出一個金屬氧化物半導體晶體管 102的部分柵極結(jié)構(gòu)104和部分源/漏極區(qū)108的共享接觸窗開口 136,以及 暴露出另一金屬氧化物半導體晶體管102的部分源/漏極區(qū)108的方形接觸窗 開口 138。
上述，開口圖案136/138的孔徑則為共享/方形接觸窗開口圖案120/122 的蝕刻后檢查關(guān)鍵尺寸(AEI CD),亦即是約略等于后續(xù)預形成的接觸窗開口 的孔徑。如此所得的共享/方形接觸窗開口圖案120/122的孔徑與開口圖案 136/138的孔徑的差值，則形成第一/二孔徑差，其中第二孔徑差與第一孔徑 差的比值即前述的相對孔徑偏差比。
在上述工藝中，兩種接觸窗開口之間的相對孔徑偏差比是由蝕刻含硅材 料層114的步驟128與蝕刻蝕刻抵擋層112的步驟130的蝕刻參數(shù)來控制。 例如，在蝕刻步驟128中，可通過調(diào)整含氟之烴類化合物的氣體流量控制產(chǎn) 生的高分子膜的厚度，而間接控制開口圖案124/126的孔徑大小；在蝕刻步 驟130中，可通過調(diào)整蝕刻時間，即調(diào)整蝕刻量，控制開口圖案132/134的 孔徑大小。因此，利用適當?shù)剡x用蝕刻步驟128與蝕刻步驟130的蝕刻參數(shù) 可控制相對孔徑偏差比在一工藝所允許的范圍，以避免后續(xù)所形成的接觸窗 不會發(fā)生誤接、與元件接觸面積過小或未與元件接觸等問題，而可大大提升 工藝的可靠度。
而且，利用上述調(diào)整兩蝕刻步驟的蝕刻參數(shù)，以沉積與蝕刻的負載效應 (loading effect)偏差互補，來控制不同開口的相對孔徑偏差比的方法，可使得工藝中所使用的光掩模不需因此而做修正，如此可節(jié)省工藝成本。
此外，于形成共享接觸窗開口 136與方形接觸窗開口 138后，可繼續(xù)進 行后續(xù)的工藝，以形成共享接觸窗與方形接觸窗(未繪示)。例如，接下來可 移除圖案化蝕刻抵擋層113，再于接觸窗開口 136、 138中填入導體材料，并 移除多余的導體材料，直至介電層110表面暴露出為止。
在一實施例中，亦可調(diào)整蝕刻參數(shù)，使蝕刻蝕刻抵擋層112的步驟130 為一適量蝕刻(just-etching)步驟，以同時蝕刻蝕刻抵擋層112至曝露出介電 層110,而于圖案化蝕刻^M當層113中形成實質(zhì)上垂直的開口圖案(未繪示)。 上述，蝕刻步驟130的步驟所使用的蝕刻氣體例如是CF4、 CO、 02。當然， 在此情況下，亦可視工藝需求來調(diào)整蝕刻含硅材料層114的步驟128的蝕刻 參數(shù)，使相對孔徑偏差比在工藝所允許的范圍內(nèi)。
另外，在其他實施例中，還可調(diào)整蝕刻參數(shù)，使蝕刻蝕刻抵擋層112的 步驟130為，先實行一蝕刻不足(under-etching)步驟，僅移除開口圖案124/126 底部所暴露出的部分蝕刻抵擋層112,而于開口圖案124/126底部殘留一些 的蝕刻抵擋層112。其中，蝕刻不足步驟的步驟所使用的蝕刻氣體例如是CF4、 CO、 02。然后，再實行一低選擇比的過度蝕刻步驟，以完全蝕刻開口圖案 124/126底部所殘留的蝕刻抵擋層112,以及其下方的部分介電層。上述的低 選擇比的過度蝕刻步驟可使蝕刻過程為一非等向性蝕刻，其所使用的蝕刻氣 體例如是含氟氣體，例如是CF4。同樣地，在此情況下，還可視工藝需求來 調(diào)整蝕刻含硅材料層114的步驟128的蝕刻參數(shù)，^f吏相對孔徑偏差比在工藝 所允許的范圍內(nèi)。
綜上所述，本發(fā)明的方法可控制孔徑不同開口之間的相對孔徑偏差比在 工藝所允許的范圍內(nèi)，以使得后續(xù)所形成的接觸窗不會發(fā)生誤接、與元件接 觸面積過小或未與元件接觸等問題，而可大大提升工藝的可靠度。另一方面， 本發(fā)明的方法不需修改光掩模，即可達到控制孔徑不同開口之間的相對孔徑 偏差比相對孔徑偏差比的目的，因此可節(jié)省工藝成本。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 熟習此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾， 因此本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求所界定者為準。
ii
權(quán)利要求
1. 一種控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其中孔徑不同開口的工藝如下于目標材料層上依序形成蝕刻抵擋層、含硅材料層與圖案化光阻層，該圖案化光阻層具有孔徑不同的第一開口圖案與第二開口圖案；以及依序進行蝕刻該含硅材料層、該蝕刻抵擋層與該目標材料層的步驟，以于對應該第一、該第二開口圖案的該目標材料層中分別形成第一開口與第二開口，其中該第一開口的孔徑與該第一開口圖案的孔徑的差異為第一孔徑差，該第二開口的孔徑與該第二開口圖案的孔徑的差異為第二孔徑差，而第二孔徑差與第一孔徑差之間的比值稱為相對孔徑偏差比，其中該第一開口圖案的孔徑大于該第二開口圖案的孔徑，該方法包括以該圖案化光阻層為掩模，進行第一蝕刻步驟，將該圖案化光阻層的圖案轉(zhuǎn)移至該含硅材料層上，形成圖案化含硅材料層，并于該圖案化光阻層及該圖案化含硅材料層的側(cè)壁產(chǎn)生高分子膜；以該圖案化光阻層、該圖案化含硅材料層及其側(cè)壁的該高分子膜為掩模，進行第二蝕刻步驟，以至少移除曝露出的該蝕刻抵擋層，而形成圖案化蝕刻抵擋層；以該圖案化蝕刻抵擋層為蝕刻掩模，移除部分該目標材料層，于該目標材料層中形成該第一、該第二開口；以及方法中通過調(diào)整該第一蝕刻步驟的蝕刻參數(shù)及/或該第二蝕刻步驟的蝕刻參數(shù)，以得到預設(shè)的相對孔徑偏差比。
2. 如權(quán)利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其 中該第二蝕刻步驟為進行過度蝕刻步驟，以于該圖案化蝕刻抵擋層中形成第 二開口的擴口開口圖案。
3. 如權(quán)利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其 中該第二蝕刻步驟為進行適量蝕刻步驟，以于該圖案化蝕刻抵擋層中形成實 質(zhì)上垂直的開口圖案。
4. 如權(quán)利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其 中該第二蝕刻步驟為蝕刻不足步驟，移除曝露出的部分該蝕刻抵擋層；以及進行第三蝕刻步驟，其為過度蝕刻步驟，移除殘留的該蝕刻抵擋層及其 下方的部分該目標材津十層。
5. 如權(quán)利要求4所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其 中該第三蝕刻步驟為非等向性蝕刻步驟。
6. 如權(quán)利要求4所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其 中該第三蝕刻步驟所使用的蝕刻氣體為含氟氣體。
7. 如權(quán)利要求2所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其 中該第二蝕刻步驟中通入含氟的烴類化合物作為蝕刻氣體，該含氟的烴類化 合物為CHxFy,其中x-l、 2、 3; y=l、 2、 3。
8. 如權(quán)利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其 中調(diào)整該第 一蝕刻步驟的蝕刻參數(shù)包括蝕刻氣體的流量。
9. 如權(quán)利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其 中調(diào)整該第二蝕刻步驟的蝕刻參數(shù)包括蝕刻時間。
10. 如權(quán)利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其 中該第一開口為共享接觸窗開口，且該第二開口為方形接觸窗開口。
11. 如權(quán)利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其 中該蝕刻^J氐擋層包括I-line光阻。
12. 如權(quán)利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其 中該含硅材料層為硬掩模底部抗反射層。
13. 如權(quán)利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其 中該圖案化光阻層為193納米光阻。
14. 如權(quán)利要求1所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其 中該目標材料層包括介電層。
15. 如權(quán)利要求3所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其 中該第二蝕刻步驟的蝕刻氣體為CO、 02和CF4。
16. 如權(quán)利要求4所述的控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法，其 中該第二蝕刻步驟的蝕刻氣體為CO、 02和CF4。
全文摘要
一種控制孔徑不同開口的相對孔徑偏差比的方法。本方法為，以圖案化光阻層為掩模，進行第一蝕刻步驟，以形成圖案化含硅材料層，并于圖案化光阻層及圖案化含硅材料層的側(cè)壁產(chǎn)生高分子膜。然后，以圖案化光阻層、圖案化含硅材料層及其側(cè)壁的高分子膜為掩模，進行第二蝕刻步驟，以至少移除曝露出的蝕刻抵擋層，而形成圖案化。之后，以圖案化蝕刻抵擋層為蝕刻掩模，移除部分目標材料層，于目標材料層中形成第一、第二開口，且通過調(diào)整第一蝕刻步驟的蝕刻參數(shù)及/或第二蝕刻步驟的蝕刻參數(shù)，以得到預設(shè)的相對孔徑偏差比。
文檔編號H01L21/311GK101431045SQ20071016668
公開日2009年5月13日 申請日期2007年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月5日
發(fā)明者馮郅文, 葉俊廷, 周珮玉, 姚志成, 廖俊雄, 張峰溢, 林盈志 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司