專利名稱：一種檢測(cè)通孔阻擋層是否穿透的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于芯片制造領(lǐng)域，涉及珪片檢測(cè)工藝，尤其涉及一種檢測(cè)通孔 阻擋層是否穿透的方法。
背景技術(shù)：
刻蝕工藝的最后 一 步是進(jìn)行刻蝕纟企查以確?？涛g質(zhì)量。這種檢查通常是 在有圖形的硅片上刻蝕和去膠全部完成以后進(jìn)行的，傳統(tǒng)的方法是用白光或 紫外光手動(dòng)顯微鏡來(lái)檢查缺陷，如檢查污點(diǎn)和大的顆粒沾污。手動(dòng)顯纟效鏡已 大量被自動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)所取代，特別是對(duì)有深亞微米圖形的關(guān)鍵層的檢查。先 進(jìn)的測(cè)量?jī)x器能夠自動(dòng)檢測(cè)帶圖形骨片的圖形缺陷和變形。
其中，很重要的檢查之一是對(duì)通孔(VIA)阻擋層(st叩layer)的檢查， 檢測(cè)其是否被穿透，以確保硅片的質(zhì)量。若通孔的阻擋層沒有足夠的厚度保 護(hù)其底部的金屬層，金屬層將很容易被破壞。
現(xiàn)有的對(duì)阻擋層的檢測(cè)方法通常是用F舊-TEM (聚焦離子束-透射電子 顯微鏡)檢測(cè)；檢測(cè)時(shí)，需要把硅片對(duì)通孔做橫向切割，使檢測(cè)過(guò)程過(guò)于繁 瑣。且這種方法只對(duì)小部分硅片做檢測(cè)， 一方面破壞了一部分硅片，另一方 面才企測(cè)的正確性不夠精確
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種簡(jiǎn)便易行、用于檢測(cè)通孔阻擋層是否穿透的方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種檢測(cè)通孔阻擋層是否穿透的方法，
該方法使用關(guān)4定尺寸掃描電子顯微鏡^r測(cè)通孔阻擋層是否穿透，其包括所 述電子顯孩i鏡掃描所述通孔上方的步驟，該步驟透過(guò)通孔得到通孔底部的頂 視圖；量測(cè)通孔關(guān)鍵尺寸的步驟，該步驟通過(guò)上述頂視圖量測(cè)通孔的關(guān)鍵尺 寸；判斷通孔阻擋層是否穿透的步驟，該步驟判斷通孔的阻擋層是否穿透。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述電子顯微鏡掃描通孔上方的步驟前還 包括使硅片的表面帶電荷的步驟。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述使硅片的表面帶電荷的步驟中使用 600-1000V的電壓，持續(xù)3-8秒。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述使硅片的表面帶電荷的步驟中使用 800V的電壓，持續(xù)5秒。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，判斷通孔阻擋層是否穿透的步驟為通孔的 關(guān)鍵尺寸定一個(gè)目標(biāo)值，當(dāng)量測(cè)得到的通孔關(guān)鍵尺寸超出上述目標(biāo)值時(shí)，判 斷為通孔阻擋層^^皮穿透。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述電子顯微鏡掃描通孔上方的步驟中得 到若干個(gè)通孔頂一見圖的照片。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述通孔為l^立通孔。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明揭示的用于檢測(cè)通孔阻擋層是否穿透的方法， 用關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡檢測(cè)通孔的關(guān)鍵尺寸，無(wú)需切割硅片，在簡(jiǎn)化檢 測(cè)步驟的同時(shí)縮短了;f全測(cè)時(shí)間；同時(shí)可以對(duì)每一個(gè)^5圭片^企測(cè)，^提高判斷的正確率。


圖1本發(fā)明檢測(cè)通孔阻擋層是否穿透方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做具體介紹。 實(shí)施例一
請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明介紹了一種檢測(cè)通孔阻擋層是否穿透的方法，所述 通孔為孤立通孔，該方法使用關(guān)4定尺寸掃描電子顯纟效鏡檢測(cè)通孔阻擋層是否
穿透，其包括
(1 )使硅片的表面帶電荷的步驟。該步驟中使用800V的電壓，持續(xù)5 秒。當(dāng)然，也可以使用600-1 OOOV的電壓，持續(xù)3-8秒。
(2) 所述電子顯孩t鏡掃描所述通孔上方的步驟，該步驟透過(guò)通孔得到 通孔底部的頂視圖；該步驟中得到若干個(gè)通孔頂視圖的照片，通過(guò)增加照片 數(shù)量提高判斷的精確度。
(3) 量測(cè)通孔關(guān)鍵尺寸的步驟，該步驟通過(guò)上述頂視圖量測(cè)通孔的關(guān) 鍵尺寸。
(4) 判斷通孔阻擋層是否穿透的步驟，該步驟判斷通孔的阻擋層是否 穿透。該步驟為通孔的關(guān)鍵尺寸定一個(gè)目標(biāo)值，當(dāng)量測(cè)得到的通孔關(guān)鍵尺寸 超出上述目標(biāo)值時(shí)，判斷為通孔阻擋層被穿透。
本發(fā)明通過(guò)用關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡檢測(cè)通孔的關(guān)鍵尺寸，無(wú)需切割硅片，在簡(jiǎn)化檢測(cè)步驟的同時(shí)縮短了檢測(cè)時(shí)間；同時(shí)可以對(duì)每一個(gè)硅片檢觀'J, 提高判斷的正確率。
以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明而非限制本發(fā)明的技術(shù)方案。不脫離本發(fā)明精神 和范圍的任何修改或局部替換，均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1、一種檢測(cè)通孔阻擋層是否穿透的方法，其特征在于，該方法使用關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡檢測(cè)通孔阻擋層是否穿透，其包括所述電子顯微鏡掃描所述通孔上方的步驟，該步驟透過(guò)通孔得到通孔底部的頂視圖；量測(cè)通孔關(guān)鍵尺寸的步驟，該步驟通過(guò)上述頂視圖量測(cè)通孔的關(guān)鍵尺寸；判斷通孔阻擋層是否穿透的步驟，該步驟判斷通孔的阻擋層是否穿透。
2、 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電子顯微鏡掃描通孔上 方的步驟前還包括使硅片的表面帶電荷的步驟。
3、 如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述使硅片的表面帶電荷的 步驟中使用600-1000V的電壓，持續(xù)3-8秒。
4、 如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述使硅片的表面帶電荷的 步驟中使用800V的電壓，持續(xù)5秒。
5、 如權(quán)利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，判斷通孔阻擋層是 否穿透的步驟為通孔的關(guān)鍵尺寸定一個(gè)目標(biāo)值，當(dāng)量測(cè)得到的通孔關(guān) 鍵尺寸超出上述目標(biāo)值時(shí)，判斷為通孔阻擋層被穿透。
6、 如權(quán)利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述電子顯微鏡掃 描通孔上方的步驟中得到若干個(gè)通孔頂3見圖的照片。
7、 如權(quán)利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述通孔為孤立通 孑L。
全文摘要
本發(fā)明提供一種檢測(cè)通孔阻擋層是否穿透的方法，該方法使用關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡檢測(cè)通孔阻擋層是否穿透，其包括所述電子顯微鏡掃描所述通孔上方的步驟，該步驟透過(guò)通孔得到通孔底部的頂視圖；量測(cè)通孔關(guān)鍵尺寸的步驟，該步驟通過(guò)上述頂視圖量測(cè)通孔的關(guān)鍵尺寸；判斷通孔阻擋層是否穿透的步驟，該步驟判斷通孔的阻擋層是否穿透。本發(fā)明用關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡檢測(cè)通孔的關(guān)鍵尺寸，無(wú)需切割硅片，在簡(jiǎn)化檢測(cè)步驟的同時(shí)縮短了檢測(cè)時(shí)間；同時(shí)可以對(duì)每一個(gè)硅片檢測(cè)，提高判斷的正確率。
文檔編號(hào)H01L21/66GK101459097SQ20071017203
公開日2009年6月17日 申請(qǐng)日期2007年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月11日
發(fā)明者鳴 周, 武 孫, 沈滿華, 趙林林 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司