專利名稱：監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的結(jié)構(gòu)以及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及監(jiān)控存儲(chǔ)陣列質(zhì)量的方法，具體的說，涉及一種監(jiān)控存儲(chǔ)陣 列的單元間距的結(jié)構(gòu)以及方法。
背景技術(shù)：
靜態(tài)隨才;Wl"儲(chǔ)器(Static Random Access Memory, SRAM)存儲(chǔ)陣列在現(xiàn) 代超大M^莫集成電路芯片中應(yīng)用非常廣泛，存儲(chǔ)陣列質(zhì)量的好差對(duì)集成電路 芯片具有決定性的影響，因此必須設(shè)計(jì)很多測(cè)試結(jié)構(gòu)來監(jiān)控存儲(chǔ)陣列是否存 在問題。在SRAM存儲(chǔ)陣列的各項(xiàng)參數(shù)中存儲(chǔ)陣列間距是一個(gè)非常重要的參數(shù) 指標(biāo)，存儲(chǔ)陣列間距越小意味著在相同面積下存儲(chǔ)容量可以越大，所以確定 一個(gè)合理的間距值是相當(dāng)重要的，設(shè)計(jì)一種監(jiān)控SRAM存儲(chǔ)陣列的單元間距 的方法以及結(jié)構(gòu)也成為業(yè)界的一個(gè)研究熱點(diǎn)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的是提供一種監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的結(jié)構(gòu)以及方 法，其可以有效地監(jiān)控SRAM存儲(chǔ)陣列的單元監(jiān)控是否符合要求。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的結(jié)構(gòu)，用 于監(jiān)控靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)陣列中任意兩個(gè)相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器之間的間距 值是否符合要求,所述相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器分別連出構(gòu)成第 一以及第二端子， 橫跨過所述相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的多晶硅連出構(gòu)成第三端子，P型阱區(qū)連出 構(gòu)成第四端子，由所述第一至第四端子形成一寄生的場(chǎng)氧晶體管，其中，所 述寄生的場(chǎng)氧晶體管的溝道長(zhǎng)度為待監(jiān)控的間距值，所述相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ) 器、橫跨過所述相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的多晶硅、以及P型阱區(qū)均通過接觸孔 由金屬線連出。 本發(fā)明還提供一種監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的方法，用于監(jiān)控靜態(tài)隨機(jī) 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)陣列中任意兩個(gè)相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器之間的間距值是否符合要 求，其中，所述相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器分別連出構(gòu)成第一以及第二端子，橫跨 過所述相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的多晶硅連出構(gòu)成第三端子，P型阱區(qū)連出構(gòu)成 第四端子，由所述第一至第四端子形成一寄生的場(chǎng)氧晶體管，所述方法首先 提供所述靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器常態(tài)工作條件，接著測(cè)量所述寄生的場(chǎng)氧晶體管的 參數(shù)，最后根據(jù)所述寄生的場(chǎng)氧晶體管的參數(shù)判斷待監(jiān)控的間距值是否符合 要求，其中，所測(cè)量的所述寄生場(chǎng)氧晶體管的參數(shù)至少包括漏電流、閾值電 壓以及穿通電流。本發(fā)明所述的監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的結(jié)構(gòu)通過引出端子形成寄生的 場(chǎng)氧晶體管，通過測(cè)量寄生的場(chǎng)氧晶體管的參數(shù)，從而判斷待測(cè)間距值是否 符合要求，是一種簡(jiǎn)單而有效的設(shè)計(jì)方案。


通過以下對(duì)本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例結(jié)合其附圖的描述，可以進(jìn)一步理解其發(fā)明的目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點(diǎn)。其中，附圖為圖1為本發(fā)明的監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的結(jié)構(gòu)的一個(gè)較佳實(shí)施例的示 意圖。
具體實(shí)施方式
以下根據(jù)結(jié)合附圖，具體說明本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施方式。 圖1為本發(fā)明的監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的結(jié)構(gòu)的一個(gè)較佳實(shí)施例的示 意圖。如圖所示，本發(fā)明的監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的結(jié)構(gòu)l用于監(jiān)控靜態(tài) 隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)存儲(chǔ)陣列中任意兩個(gè)SRAM單元10之間的間距值d 是否符合要求。需要說明的是，為了清楚地顯示本發(fā)明的監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單 元間距的結(jié)構(gòu)，在圖1中僅畫出兩個(gè)相鄰的SRAM單元10，但本領(lǐng)域的技 術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知曉將本發(fā)明監(jiān)控結(jié)構(gòu)可以用于多于兩個(gè)SRAM單元組成的存 儲(chǔ)陣列，僅需在任意相鄰的SRAM單元之間建立本發(fā)明所述的監(jiān)控結(jié)構(gòu)或者 應(yīng)用本發(fā)明所述的監(jiān)控方法即可。
所述相鄰SRAM單元10分別通過接觸孔20由金屬線30連出構(gòu)成第一 以及第二端子，橫跨過所述相鄰SRAM單元10的多晶硅40通過接觸孔20 由金屬線30連出構(gòu)成第三端子，P型阱區(qū)連出構(gòu)成第四端子，由所述第一至 第四端子形成一寄生的場(chǎng)氧晶體管，其中，所述寄生的場(chǎng)氧晶體管T的溝道 長(zhǎng)度d即為待監(jiān)控的間距值。在實(shí)際.設(shè)計(jì)測(cè)試時(shí)，首先，提供SRAM常態(tài)工作條件。更詳細(xì)地說，相 鄰SRAM單元在正常工作時(shí)必定是一邊處于高電位， 一邊處于低電位，因此 在監(jiān)控SRAM存儲(chǔ)陣列中的單元間距值時(shí)應(yīng)當(dāng)提供相應(yīng)的條件，以保證監(jiān)控 的準(zhǔn)確。接著，測(cè)量所述寄生的場(chǎng)氧晶體管的參數(shù)。更詳細(xì)地說，這些參數(shù)至少 包括漏電流、閾值電壓以及穿通電流等。最后，根據(jù)所述寄生的場(chǎng)氧晶體管的參數(shù)判斷待監(jiān)控的間距值是否符合 要求。更詳細(xì)地說，可以通過諸如漏電流、闊值電壓以及穿通電流等參數(shù)計(jì) 算出寄生的場(chǎng)氧晶體管的溝道長(zhǎng)度d，即待監(jiān)控的間距值，進(jìn)而判斷該間距 值d是否符合要求。綜上所述，本發(fā)明提供了一種監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的結(jié)構(gòu)以及方法， 其通過測(cè)量寄生的場(chǎng)氧晶體管的參數(shù)，從而判斷待測(cè)間距值是否符合要求， 是一種簡(jiǎn)單而有效的設(shè)計(jì)方案。需要特別說明的是，本發(fā)明的監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的結(jié)構(gòu)以及方法 不局限于上述實(shí)施例中所限定步驟執(zhí)行順序，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā) 明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行 修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明 的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1、一種監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的結(jié)構(gòu)，用于監(jiān)控靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)陣列中任意兩個(gè)相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器之間的間距值是否符合要求，其特征在于，所述相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器分別連出構(gòu)成第一以及第二端子，橫跨過所述相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的多晶硅連出構(gòu)成第三端子，P型阱區(qū)連出構(gòu)成第四端子，由所述第一至第四端子形成一寄生的場(chǎng)氧晶體管，其中，所述寄生的場(chǎng)氧晶體管的溝道長(zhǎng)度為待監(jiān)控的間距值。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述相鄰靜態(tài)P遺機(jī)存儲(chǔ)器、橫跨過所述相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的多晶硅、以及 P型阱區(qū)均通過接觸孔由金屬線連出。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的結(jié)構(gòu)，其特征在于， 通過測(cè)量所述寄生的場(chǎng)氧晶體管的參數(shù),判斷待監(jiān)控的間距值是否符合要求。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所測(cè)量的所述寄生的場(chǎng)氧晶體管的參數(shù)至少包括漏電流、閾值電壓以及穿通 電流。
5、 一種監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的方法，用于監(jiān)控靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ) 陣列中任意兩個(gè)相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器之間的間距值是否符合要求，其中，所 述相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器分別連出構(gòu)成第一以及第二端子，橫跨過所述相鄰靜 態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的多晶硅連出構(gòu)成第三端子，P型阱區(qū)連出構(gòu)成第四端子，由 所述第一至第四端子形成一寄生的場(chǎng)氧晶體管，所述方法首先提供所述靜態(tài) 隨機(jī)存儲(chǔ)器常態(tài)工作條件，接著測(cè)量所述寄生的場(chǎng)氧晶體管的參數(shù)，最后根 據(jù)所述寄生的場(chǎng)氧晶體管的參數(shù)判斷待監(jiān)控的間距值是否符合要求。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的方法，其特征在于， 所述相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器、橫跨過所述相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的多晶硅、以及 P型阱區(qū)均通過接觸孔由金屬線連出。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的方法，其特征在于， 所測(cè)量的所述寄生的場(chǎng)氧晶體管的參數(shù)至少包括漏電流、閾值電壓以及穿通 電流。
全文摘要
本發(fā)明提供一種監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的結(jié)構(gòu)以及方法，用于監(jiān)控靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)陣列中任意兩個(gè)相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器之間的間距值是否符合要求，其中，所述相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器分別連出構(gòu)成第一以及第二端子，橫跨過所述相鄰靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的多晶硅連出構(gòu)成第三端子，P型阱區(qū)連出構(gòu)成第四端子，由所述第一至第四端子形成一寄生的場(chǎng)氧晶體管，首先，提供所述靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器常態(tài)工作條件，接著，測(cè)量所述寄生的場(chǎng)氧晶體管的參數(shù)，最后，根據(jù)所述寄生的場(chǎng)氧晶體管的參數(shù)判斷待監(jiān)控的間距值是否符合要求。通過本發(fā)明的監(jiān)控存儲(chǔ)陣列的單元間距的結(jié)構(gòu)以及方法，可以有效地監(jiān)控SRAM存儲(chǔ)陣列的單元監(jiān)控是否符合要求，且具有簡(jiǎn)單易實(shí)現(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L23/544GK101211895SQ20071017280
公開日2008年7月2日 申請(qǐng)日期2007年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月21日
發(fā)明者劍 胡, 坡 黎 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司