專利名稱：可疊加掩膜只讀存儲器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體只讀存儲器(Read-only-Memory ROM),特別涉及 一種可疊加高密度掩膜只讀存儲器(Mask ROM, MROM)的結(jié)構(gòu)和制造方法。
背景技術(shù)：
掩膜讀存儲器是非揮發(fā)性(No-Volatile)存儲器的常見種類之一，廣 泛用于電子產(chǎn)品。目前業(yè)界常用的一種高密度掩膜只讀存儲器是用MOS (Metal-Oxide-Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管作為存儲單元，通 過制造過程中離子植入調(diào)節(jié)晶體管的閾值電壓(Threshold Voltage)來實(shí) 現(xiàn)編程或編碼。
圖l是一個(gè)現(xiàn)有技術(shù)中只讀存儲器典型例子的結(jié)構(gòu)和CMOS標(biāo)準(zhǔn)工藝完全 兼容的結(jié)構(gòu)，其中圖la為俯視圖，圖lb為沿圖la中a-a'的截面圖。字線 (Word Line, WL)15橫跨在位線(Bit Line, BL) 13之上，字線下方和位 線之間的區(qū)域(例如16)為存儲信息晶體管的溝道，通過是否將離子植入這 一區(qū)域來決定閾值電壓變化，從而來存儲二進(jìn)制數(shù)據(jù)"0"或"1"。主要工藝 步驟為在p型單晶硅襯底11上用常規(guī)光刻膠曝光顯影方法對存儲區(qū)域進(jìn)行 選擇性離子植入P型雜質(zhì)形成P阱12;在12區(qū)域內(nèi)選擇性離子植入高濃度n 型雜質(zhì)形成位線13 (也稱為N+埋層)；熱氧化形成柵氧化層14，其中13上 方較厚的14是因?yàn)楦邼舛萵+摻雜區(qū)熱氧化速率較大所引起；沉積多晶硅并 選擇性蝕刻形成字線15;在16區(qū)域植入p型雜質(zhì)，稱為編碼植入(coding implantation);然后沉積隔離介質(zhì)和金屬化互連及引出。同標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝 相比較，需要3層額外的掩膜版來形成存儲整列區(qū)的P阱12，位線13和編 碼區(qū)16。其中儲存器用的P阱一般4艮難和CM0S的P阱共用，是因?yàn)?0"或 'T，儲存晶體管特性優(yōu)化要求。
上述技術(shù)的一個(gè)最大缺點(diǎn)是只能制作在硅片表面，單位面積上的存儲器
數(shù)目有限。
如圖2所示，美國專利US 5， 828， 113提出雙柵非晶硅MOS晶體管陣列 結(jié)構(gòu)的MR0M,圖2a為俯視圖，從圖2a的a-a，的截面圖來看，即圖2b，結(jié) 構(gòu)同圖l所示的技術(shù)相似，其中02為電介質(zhì)，03摻雜為非晶硅，04為位線， 是在03上離子植入重?fù)诫s，05為柵介質(zhì)，06為字線，材料為金屬。但電介 質(zhì)02下面增加另一材料為金屬的字線01，從圖2a的b-b，的截面圖來看， 即圖2c,增加了字線在底部的非晶硅MOS晶體管陣列。該技術(shù)的編碼也是通 過離子植入改變閾值電壓實(shí)現(xiàn)。但非晶硅MOS晶體管的缺點(diǎn)是閾值電壓不穩(wěn) 定，會(huì)引起誤讀。另外，用作位線和字線的摻雜非晶硅存在較大的寄生電阻。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供的一種可疊加掩膜只讀存儲器及其制造方法，形成多層存儲 陣列，可增加芯片上的存儲密度，同時(shí)可以回避現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，用于位線 和字線的摻雜非晶硅表面上增加了硅化物工藝以P條低寄生電阻，編碼是通過 蝕刻非晶硅MOS晶體管溝道來實(shí)現(xiàn)，回避了誤讀的缺點(diǎn)。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種可疊加掩膜只讀存儲器，為層狀 結(jié)構(gòu)，從下至上依次包含；
位于最底層的淺溝槽隔離區(qū)的隔離介質(zhì)層；
若干多晶硅(或非晶硅)硅化物存儲字線的陣列，設(shè)置在所述的淺溝槽隔 離區(qū)的隔離介質(zhì)層上；
用于存儲晶體管的柵介質(zhì)層，設(shè)置在所述的存儲字線的陣列上； 設(shè)置在所述柵介質(zhì)層上，從下至上依次排列的若干存儲陣列； 所述的存儲陣列包含
若干與所述的存儲字線陣列垂直設(shè)置的摻雜離子位線陣列，設(shè)置在所述 的柵介質(zhì)層上；
若干硅化物陣列層，對應(yīng)設(shè)置在所述的位線陣列上；
若干設(shè)置在相鄰兩條位線之間的摻雜非晶硅層，該摻雜非晶硅層與字線、 相鄰兩條位線共同構(gòu)成一個(gè)儲存信息的MOS晶體管，該摻雜非晶硅層沉積時(shí)
調(diào)節(jié)濃度獲得合適的閾值電壓，使上述晶體管有合適的工作電流和較低的漏電流，這一個(gè)晶體管祐:認(rèn)為存儲了一個(gè)信息，例如"0";
若干設(shè)置在相鄰兩條位線之間的電介質(zhì)層，該電介質(zhì)層與字線、相鄰兩
條位線無法形成可導(dǎo)通的晶體管，讀出電流為零，認(rèn)為儲存了 "1"信息；
用于存儲晶體管的柵介質(zhì)層，設(shè)置在所述的位線陣列、摻雜非晶硅層和 電介質(zhì)層之上。
很顯然以上結(jié)構(gòu)可以重復(fù)疊加，實(shí)現(xiàn)高密度掩膜只讀存儲器。為了減少 工序和降低成本，可采用下列疊加方式。
將第 一層存儲陣列的位線作為第二層存儲陣列的字線，將第 一層存儲陣 列保護(hù)介質(zhì)作為第二層存儲陣列的柵介質(zhì)，重復(fù)構(gòu)成第二層存儲陣列的溝道 區(qū)，位線，和上端保護(hù)層。依次類推，第二層存儲陣列的位線可作為第三層 存儲陣列的字線，和第二層存儲陣列的上端保護(hù)層可作為第三層存儲陣列的 柵介質(zhì)等等，可獲得多層存儲陣列。
本發(fā)明還提供了上述可疊加掩膜只讀存儲器的制造方法，包含以下步驟
步驟l、柵蝕刻后，在淺溝槽隔離區(qū)(STI, shallow trench isolation) 的隔離介質(zhì)上形成多晶硅(或非晶硅)硅化物的存儲陣列字線WL;
步驟2、沉積用于存儲晶體管的柵介質(zhì)；
步驟3、沉積摻雜的非晶硅；
步驟4、沉積隔離介質(zhì)；
步驟5、沉積光刻膠、曝光和顯影；
步驟6、蝕刻掉光刻膠未遮擋部分的隔離介質(zhì)；
步驟7、實(shí)施離子植入，形成位線區(qū)域；
步驟8、去光刻膠和清洗；
步驟9、激活植入的離子；
步驟IO、在位線BL上形成-圭化物；
步驟ll、沉積光刻膠、曝光和顯影，暴露出需要編碼的區(qū)域；
步驟12、蝕刻編碼區(qū)的隔離介質(zhì)和其下的非晶硅；
步驟13、去光刻膠和清洗；
步驟14、沉積電介質(zhì)，填充上一部蝕刻的區(qū)域；
步驟15、對電介質(zhì)進(jìn)行回蝕刻，并少量蝕刻一部分非晶硅，使其高度低
于硅化物，以減小摻雜非晶硅和位線之間的PN結(jié)漏電流；
步驟16、沉積和第一層存儲晶體管柵介質(zhì)一樣的材料作為第一層存儲陣 列的保護(hù)層；
重復(fù)步驟3~15，可獲得多層存儲陣列。
其中步驟11 ~ 14的目的是編碼，是通過蝕刻字線上方和二條位線之間的 非晶硅，使這條字線和相鄰兩條位線無法形成可導(dǎo)通的晶體管實(shí)現(xiàn)的。
制造NM0S型晶體管時(shí)，步驟3中摻雜的非晶硅摻雜硼B(yǎng)或銦In,步驟7 中的位線采用N+型離子植入，摻雜砷As+或磷P+;
制造PM0S型晶體管時(shí)，步驟3中摻雜的非晶硅摻雜砷As+或磷P+,步驟 7中的位線采用P+型離子植入，摻雜硼B(yǎng)或銦In;
步驟3中的非晶硅和步驟7中的位線材料，可以采用摻雜多晶硅替代， 或其它半導(dǎo)體例如鍺、SiGe、 GaAs、 InP等半導(dǎo)體材料摻雜后替代；
步驟1和步驟10中的硅化物可以是鈥、鈷或鎳的硅化物；
步驟2和步驟16中存儲晶體管的柵介質(zhì)材料可以為Si02、 SiN、或二者 復(fù)合層、或SiON、 Hf02、 TaA、 Zr02等，可采用快速熱氧化、光增強(qiáng)快速熱 氧化、等離子增強(qiáng)化學(xué)沉積法(PECVD)、原子層化學(xué)氣相沉積法(ALCVD)、或 低壓化學(xué)沉積法(LPCVD)等形成；
步驟3中用于溝道的摻雜非晶硅或多晶硅，可采用低壓化學(xué)沉積法 (LPCVD)或等離子增強(qiáng)化學(xué)沉積法(PECVD)形成；
步驟4中的隔離介質(zhì)可用Si02、 SiON或SiN材料；
步驟14中的編碼后的填充電介質(zhì)，除Si02以外，也可用SiON或SiN材 料，可采用等離子增強(qiáng)化學(xué)沉積法(PECVD)、原子層化學(xué)氣相沉積法(ALCVD)、 或高密度等離子化學(xué)沉積法(HPDCVD)形成。
本發(fā)明提供的一種可疊加掩膜只讀存儲器及其制造方法，形成多層存儲 陣列，可增加芯片上的存儲密度，同時(shí)可以回避現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，用于位線
和字線的摻雜非晶硅增加了硅化物工藝以降低寄生電阻，編碼是通過蝕刻非 晶硅MOS晶體管溝道來實(shí)現(xiàn)，回避了誤讀的缺點(diǎn)。
圖la是背景技術(shù)中高密度掩膜只讀存儲器結(jié)構(gòu)的俯視圖； 圖lb是圖la的a-a'截面圖2a是背景技術(shù)中美國專利US 5,828，113提出雙柵非晶硅MOS晶體管 陣列結(jié)構(gòu)的俯一見圖2b是圖2a的a-a'截面圖； 圖2c是圖2a的b-b'截面圖3a是本發(fā)明提供的可疊加掩膜只讀存儲器結(jié)構(gòu)的俯視圖； 圖3b是圖3a的a-a'截面圖； 圖3c是圖3a的b-b，截面圖4a 圖4f是本發(fā)明提供的可疊加掩膜只讀存儲器制造方法的分布流 程對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下根據(jù)圖3a~圖4c,具體說明本發(fā)明的較佳實(shí)施方式 如圖3a 圖3c所示，本發(fā)明提供了一種可疊加掩膜只讀存儲器，為層 狀結(jié)構(gòu)，從下至上依次包含；
位于最底層的淺溝槽隔離區(qū)的隔離介質(zhì)層01;
若干多晶硅(或非晶硅)硅化物存儲字線的陣列02，設(shè)置在所述的淺溝槽 隔離區(qū)的隔離介質(zhì)層01上；
用于存儲晶體管的柵介質(zhì)層03,設(shè)置在所述的存儲字線的陣列02上； 設(shè)置在所述柵介質(zhì)層上03，從下至上依次排列的若干存儲陣列； 所述的存儲陣列包含
若干與所述的存儲字線陣列02垂直設(shè)置的摻雜離子位線陣列06,設(shè)置 在所述的柵介質(zhì)層03上；
若干硅化物陣列層07,對應(yīng)設(shè)置在所述的位線陣列06上； 若干設(shè)置在相鄰兩條位線06a， 06b之間的摻雜非晶硅層04，該摻雜非晶 硅層04與字線02、相鄰兩條位線06a, 06b共同構(gòu)成一個(gè)儲存信息的MOS晶 體管，該摻雜非晶硅層沉積時(shí)調(diào)節(jié)濃度獲得合適的閾值電壓，使上述晶體管 有合適的工作電流和較低的漏電流，這一個(gè)晶體管被認(rèn)為存儲了 一個(gè)信息，例如"0";
若干設(shè)置在相鄰兩條位線06b，06c之間的電介質(zhì)層09，該電介質(zhì)層09 與下面的字線02、相鄰兩條位線06b, 06c無法形成可導(dǎo)通的晶體管，讀出電 流為零，認(rèn)為儲存了 "1"信息；
用于第一層存儲陣列保護(hù)介質(zhì)10,設(shè)置在所述的位線陣列06和07、摻 雜非晶硅層04和電介質(zhì)層09之上。
圖3c所示，將第一層存儲陣列的位線06和07作為第二層存儲陣列的字 線，將第一層存儲陣列保護(hù)介質(zhì)IO作為第二層存儲陣列的柵介質(zhì)，重復(fù)構(gòu)成 第二層存儲陣列的溝道區(qū)11,位線12和13，和上端保護(hù)層14。依次類推， 第二層存儲陣列的位線12和13可作為第三層存儲陣列的字線，和第二層存 儲陣列的上端保護(hù)層14可作為第三層存儲陣列的柵介質(zhì)，等等，可獲得多層 存儲陣列。
本發(fā)明還提供了上述可疊加掩膜只讀存儲器的制造方法，以NMOS非晶硅 晶體管作為例子，包含以下步驟
步驟1、如圖4a所示，柵蝕刻后，在淺溝槽隔離區(qū)Ol(STI, shallow trench isolation)的隔離介質(zhì)Si02上形成多晶硅(或非晶硅)硅化物的存儲陣列字線 WL 02;
步驟2、沉積用于存儲晶體管的柵介質(zhì)03，例如Si02;
步驟3、沉積摻雜硼B(yǎng)或銦In的非晶硅04，雜質(zhì)濃度在1E16 5E17之 間，具體同柵介質(zhì)厚度相關(guān)，應(yīng)當(dāng)使最后做好的存儲晶體管閾值電壓合適， 一般是具有較低的漏電流和較大的工作電流；
步驟4、沉積隔離介質(zhì)05，例如Si(V，
步驟5、如圖4b所示，用傳統(tǒng)光刻工藝方法，沉積光刻膠、曝光和顯影；
步驟6、用反應(yīng)離子蝕刻法(RIE)蝕刻掉光刻膠未遮擋部分的隔離介質(zhì)
Si02;
步驟7、實(shí)施N+型離子植入，例如砷As+或磷P+，形成位線區(qū)域06a, 06b,
06c;
步驟8、去光刻膠和清洗；
步驟9、用快速熱處理退火(RTP)激活植入的N+型離子；
步驟IO、如圖4c所示，用傳統(tǒng)方法在位線BL上形成硅化物07;
步驟ll、如圖4d所示，用傳統(tǒng)光刻工藝方法，沉積光刻膠、曝光和顯 影，暴露出需要編碼的區(qū)域08;
步驟12、用RIE法蝕刻編碼區(qū)08的隔離介質(zhì)SiO205和其下的非晶石圭04;
步驟13、去光刻膠和清洗；
步驟14、如圖4e所示，沉積電介質(zhì)09，例如Si02, i真充上一步蝕刻的 區(qū)域；
步驟15、如圖4f所示，對Si02介質(zhì)09進(jìn)行RIE回蝕刻，并少量蝕刻一 部分非晶硅04，使其高度低于硅化物，以減小P型摻雜非晶硅04和位線06 之間的PN結(jié)漏電流；
步驟16、沉積和第一層存儲晶體管柵介質(zhì)03 —樣的材料作為第一層存 儲陣列的保護(hù)層10;
重復(fù)步驟3~15,可獲得多層存儲陣列。
其中步驟11 ~ 14的目的是編碼，是通過蝕刻字線02上方和二條位線之 間的非晶硅并填充介質(zhì)09,使這條字線02和相鄰兩條位線06b和06c無法 形成可導(dǎo)通的晶體管實(shí)現(xiàn)的。等效認(rèn)為是把非晶硅晶體管溝道區(qū)的非晶硅蝕 刻掉實(shí)現(xiàn)編程的。它的讀出電流一直保持為零，而位線06a和06b以及字線 02形成的非晶硅晶體管可以通過調(diào)節(jié)溝道區(qū)非晶硅04的摻雜濃度和柵介質(zhì) 03厚度獲得合適的讀出電流。同前面所述的二種現(xiàn)有技術(shù)相比，編程和未編 程讀出時(shí)很容易區(qū)分，不存在誤讀的缺點(diǎn)。
本發(fā)明提供的一種可疊加掩膜只讀存儲器及其制造方法，形成多層存儲 陣列，可增加芯片上的存儲密度，同時(shí)可以回避現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，用于位線 和字線的摻雜非晶硅增加了硅化物工藝以降低寄生電阻，編碼是通過蝕刻非 晶硅MOS晶體管溝道來實(shí)現(xiàn)，回避了誤讀的缺點(diǎn)。
權(quán)利要求
1.一種可疊加掩膜只讀存儲器，其特征在于，為層狀結(jié)構(gòu)，從下至上依次包含；位于最底層的淺溝槽隔離區(qū)的隔離介質(zhì)層；若干多晶硅或非晶硅硅化物存儲字線的陣列，設(shè)置在所述的淺溝槽隔離區(qū)的隔離介質(zhì)層上；用于存儲晶體管的柵介質(zhì)層，設(shè)置在所述的存儲字線的陣列上；設(shè)置在所述柵介質(zhì)層上，從下至上依次排列的若干存儲陣列。
2. 如權(quán)利要求1所述的可疊加掩膜只讀存儲器，其特征在于，所述的存儲陣 列包含若干與所述的存儲字線陣列垂直設(shè)置的摻雜離子位線陣列，設(shè)置在所 述的柵介質(zhì)層上；若千硅化物陣列層，對應(yīng)"&置在所述的位線陣列上；若千設(shè)置在相鄰兩條位線之間的摻雜非晶硅層，該摻雜非晶硅層與未 經(jīng)過編碼區(qū)的字線、相鄰兩條位線共同構(gòu)成一個(gè)可導(dǎo)通的M0S晶體管；若干設(shè)置在相鄰兩條位線之間的電介質(zhì)層，該電介質(zhì)層與經(jīng)過編碼區(qū) 的字線、相鄰兩條位線無法形成可導(dǎo)通的晶體管；用于存儲晶體管的柵介質(zhì)層，設(shè)置在所述的位線陣列、摻雜非晶硅層 和電介質(zhì)層之上。
3. 如權(quán)利要求2所述的可疊加掩膜只讀存儲器，其特征在于，將第一層存儲 陣列的位線作為第二層存儲陣列的字線，將第一層存儲陣列保護(hù)介質(zhì)作為 第二層存儲陣列的柵介質(zhì)，重復(fù)構(gòu)成第二層存儲陣列的溝道區(qū)，位線和上 端保護(hù)層，第二層存儲陣列的位線可作為第三層存儲陣列的字線，第二層 存儲陣列的上端保護(hù)層可作為第三層存儲陣列的4冊介質(zhì)，以此類推，可獲 得多層存儲陣列。
4. 一種可疊加掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征在于，包含以下步驟步驟l、柵蝕刻后，在淺溝槽隔離區(qū)的隔離介質(zhì)上形成多晶硅或非晶 硅的硅化物存儲陣列字線WL;步驟2、沉積用于存儲晶體管的柵介質(zhì)；步驟3、沉積摻雜的非晶硅；步驟4、沉積隔離介質(zhì)；步驟5、沉積光刻膠、曝光和顯影；步驟6、蝕刻掉光刻膠未遮擋部分的隔離介質(zhì)；步驟7、實(shí)施離子植入，形成位線區(qū)域；步驟8、去光刻膠和清洗；步驟9、激活植入的離子；步驟IO、在位線BL上形成/圭化物；步驟ll、沉積光刻膠、曝光和顯影，暴露出需要編碼的區(qū)域；步驟12、蝕刻編碼區(qū)的隔離介質(zhì)和其下的非晶硅；步驟13、去光刻膠和清洗；步驟14、沉積電介質(zhì)，填充上一部蝕刻的區(qū)域；步驟15、對電介質(zhì)進(jìn)行回蝕刻，并少量蝕刻一部分非晶硅，使其高 度低于硅化物，以減小摻雜非晶硅和位線之間的PN結(jié)漏電流；步驟16、沉積和第一層存儲晶體管柵介質(zhì)一樣的材料作為第一層存 儲陣列的保護(hù)層；重復(fù)步驟3~15,獲得多層存儲陣列。
5. 如權(quán)利要求4所述的可疊加掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征在于，制造NM0S型晶體管時(shí)，步驟3中摻雜的非晶硅摻雜硼B(yǎng)或銦In，步 驟7中的位線采用N+型離子植入，摻雜砷As+或磷P+;制造PM0S型晶體管時(shí)，步驟3中摻雜的非晶硅摻雜砷As+或磷P+， 步驟7中的位線采用P+型離子植入，摻雜硼B(yǎng)或銦In。 -
6. 如權(quán)利要求4所述的可疊加掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征在于，所 述步驟3中的非晶硅和步驟7中的位線材料，采用摻雜非晶硅，或者摻雜 多晶硅，或其它鍺、SiGe、 GaAs、 InP半導(dǎo)體材料摻雜后替代；所述步驟 3中用于溝道的摻雜非晶硅或多晶硅，采用低壓化學(xué)沉積法或等離子增強(qiáng) 化學(xué)沉積法形成。
7. 如權(quán)利要求4所述的可疊加掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征在于，所 述步驟1和步驟10中的硅化物是鈥、鈷或鎳的硅化物。
8. 如權(quán)利要求4所述的可疊加掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征在于，所 述步驟2和步驟16中存儲晶體管的柵介質(zhì)材料為Si02、 SiN、或二者復(fù)合 層、或SiON、 Hf02、 Ta205、 Zr02,采用快速熱氧化，或者光增強(qiáng)快速熱氧 化、或者等離子增強(qiáng)化學(xué)沉積法、或者原子層化學(xué)氣相沉積法、或者低壓 化學(xué)沉積法形成。
9. 如權(quán)利要求4所述的可疊加掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征在于，所 述步驟4中的隔離介質(zhì)采用Si02、 SiON或SiN材^"。
10. 如權(quán)利要求4所述的可疊加掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征在于，所 述步驟14中的編碼后的填充電介質(zhì)，采用Si02,或者SiON或SiN材料，采用等離子增強(qiáng)化學(xué)沉積法、或者原子層化學(xué)氣相沉積法、或高密度等離 子化學(xué)沉積法形成。
全文摘要
一種可疊加掩膜只讀存儲器及其制造方法，該存儲器是由可疊加非晶硅晶體管陣列構(gòu)成。先形成非晶硅硅化物作為存儲晶體管的字線，沉積用作存儲晶體管的柵介質(zhì)后，沉積用作存儲晶體管溝道的摻雜非晶硅，垂直于字線通過離子植入選擇性重?fù)诫s此非晶硅并形成硅化物構(gòu)成低電阻位線。將第一層存儲陣列的位線用作第二層存儲陣列的字線，形成第二層存儲陣列。字線和其上方兩條位線以及位線之間的摻雜非晶硅構(gòu)成存儲晶體管，選擇字線和位線加工作電壓可讀出電流。編碼是通過蝕刻存儲晶體管的非晶硅溝道來實(shí)現(xiàn)，編碼后無法形成可導(dǎo)通的晶體管，即沒有讀出電流。此結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是可以重復(fù)疊加，能制出密度高位線電阻低的掩膜只讀存儲器，還具有減少誤讀的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H01L27/112GK101197374SQ20071017293
公開日2008年6月11日 申請日期2007年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月25日
發(fā)明者王慶東, 高文玉 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司