專(zhuān)利名稱(chēng)：一種制備用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種制備用于離子注入的 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法，該方法可以有效解決離子注入作為首步工藝時(shí)，無(wú) 法為后道工序提供光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的問(wèn)題，同時(shí)，無(wú)須增加新的光刻掩 膜版，操作簡(jiǎn)單易行。
背景技術(shù)：
光刻是微電子工藝中的關(guān)鍵步驟，每一層圖形都必須經(jīng)過(guò)光刻， 而對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是光刻套準(zhǔn)所必需的，沒(méi)有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記光刻就毫無(wú)標(biāo)準(zhǔn)。因
而，集成電路的每一層圖形都會(huì)有一個(gè)相應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，以保證圖層 之間的套準(zhǔn)。
如圖1所示，圖l是對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形的示意圖，其中，圖la為十字 形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形，圖lb為方塊對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形。十字形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形保 證圖形的上下、左右不偏離，方塊對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形保證上下不顛倒。
離子注入工藝的圖形層也需要對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。 一般工藝過(guò)程中，離子 注入之前有蒸發(fā)金屬形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，因此離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記套刻 之前的金屬對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記就可以了，而離子注入之后的工藝套刻注入之前 的金屬對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記也可以了。
但是對(duì)于特殊的工藝過(guò)程，例如離子注入是整個(gè)工藝過(guò)程的第一 步時(shí)，離子注入必須要給下一步工藝留下對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。由于離子注入后 半導(dǎo)體材料的顏色不會(huì)有肉眼能夠觀察到的變化，所以此時(shí)(即當(dāng)離 子注入作為整個(gè)工藝過(guò)程第一步時(shí))，離子注入無(wú)法給下一步工藝留下 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種制備用于離子注入的 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法，以解決離子注入工藝作為第一步工藝時(shí)，無(wú)法給下 一步工藝留下對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的問(wèn)題。
(二) 技術(shù)方案
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種制備用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 記的方法，該方法包括在進(jìn)行離子注入之前進(jìn)行刻蝕，在待注入?yún)^(qū) 形成用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
上述方案中，所述刻蝕的圖形與離子注入的圖形相同。 上述方案中，所述刻蝕采用的光刻掩膜版與離子注入采用的光刻 掩膜版相同。
上述方案中，所述刻蝕包括在進(jìn)行離子注入之前，先勻光刻膠 并前烘，然后采用離子注入的光刻掩膜版光刻，顯影，在待注入?yún)^(qū)露 出待離子注入的圖形。
上述方案中，所述在光刻顯影，露出待離子注入的圖形時(shí)，其他 部分被光刻膠保護(hù)著。
上述方案中，對(duì)于半導(dǎo)體材料硅，所述刻蝕采用SF6干法刻蝕，
功率30W，流量為60sccm，刻蝕時(shí)間3分鐘，刻蝕深度為0.6pm。 上述方案中，該方法針對(duì)離子注入作為整個(gè)工藝過(guò)程第一步的情況。
(三) 有益效果 從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明具有以下有益效果 本發(fā)明提供的這種制備用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法，可以有
效解決離子注入過(guò)程不能為下一步工藝提供對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形的問(wèn)題，而 且無(wú)須另外制備光刻掩膜版，簡(jiǎn)單易行，實(shí)現(xiàn)成本低。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明
圖1是對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形的示意圖；其中，圖la為十字形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形，圖lb為方塊對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形；
圖2是本發(fā)明提供的制備用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法流程圖。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具 體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
本發(fā)明提供的這種制備用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法，采用離 子注入的光刻掩膜版光刻，在待注入?yún)^(qū)先用刻蝕法刻去一定深度的半 導(dǎo)體材料，形成用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，使肉眼可以觀察到明顯的 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形。
如圖2所示，圖2是本發(fā)明提供的制備用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記
的方法流程圖，該方法包括
步驟201:采用離子注入的光刻掩膜版光刻，在待注入?yún)^(qū)先用刻蝕 法刻去一定深度的半導(dǎo)體材料；
步驟202:形成用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，使肉眼可以觀察到明顯
的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形。
所述刻蝕的圖形與離子注入的圖形相同，所述刻蝕釆用的光刻掩 膜版與離子注入采用的光刻掩膜版相同。
在整個(gè)工藝流程中，離子注入是第一步，但為了增加對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記， 保證離子注入后序步驟有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，在離子注入之前增加一步刻蝕， 形成離子注入這一步的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記?？涛g的圖形與離子注入完全相同，
所用的光刻掩膜版也完全相同。具體過(guò)程如下
在離子注入之前，先勻光刻膠，前烘，用離子注入的光刻掩膜版 光刻，然后顯影，在待注入?yún)^(qū)露出待離子注入的圖形，其他部分被光
刻膠保護(hù)著。對(duì)于最常用的半導(dǎo)體材料硅，用SF6干法刻蝕硅，功率 30W，流量為60sccm，刻蝕時(shí)間3分鐘，刻蝕深度為0.6(im，該深度 的圖形肉眼看起來(lái)已經(jīng)很明顯，足夠做對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記了。接著做離子注入， 然后去膠，后面的工序不變。
以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果 進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體
5實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)， 所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍 之內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種制備用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法，其特征在于，該方法包括在進(jìn)行離子注入之前進(jìn)行刻蝕，在待注入?yún)^(qū)形成用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法， 其特征在于，所述刻蝕的圖形與離子注入的圖形相同。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法， 其特征在于，所述刻蝕采用的光刻掩膜版與離子注入采用的光刻掩膜 版相同。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1、 2或3所述的制備用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 的方法，其特征在于，所述刻蝕包括在進(jìn)行離子注入之前，先勻光刻膠并前烘，然后采用離子注入的 光刻掩膜版光刻，顯影，在待注入?yún)^(qū)露出待離子注入的圖形。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法， 其特征在于，所述在光刻顯影，露出待離子注入的圖形時(shí)，其他部分 被光刻膠保護(hù)著。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法， 其特征在于，對(duì)于半導(dǎo)體材料硅，所述刻蝕采用SF6干法刻蝕，功率 30W，流量為60sccm，刻蝕時(shí)間3分鐘，刻蝕深度為0.6pm。
7、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法， 其特征在于，該方法針對(duì)離子注入作為整個(gè)工藝過(guò)程第一步的情況。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種制備用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法，該方法包括在進(jìn)行離子注入之前進(jìn)行刻蝕，在待注入?yún)^(qū)形成用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。所述刻蝕的圖形與離子注入的圖形相同。所述刻蝕采用的光刻掩膜版與離子注入采用的光刻掩膜版相同。利用本發(fā)明，解決了離子注入過(guò)程不能為下一步工藝提供對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形的問(wèn)題，而且無(wú)需另外制備光刻掩膜版，簡(jiǎn)單易行，實(shí)現(xiàn)成本低。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101452819SQ20071017877
公開(kāi)日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2007年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月5日
發(fā)明者吳茹菲, 尹軍艦, 張海英 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所