專(zhuān)利名稱：疊層電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及大幅度降低等效串聯(lián)電感(ESL)的疊層電容器，特別是 涉及作為去耦電容器器等所使用的疊層電容器。
背景技術(shù)：
近年，在供給LSI等的集成電路用的電源中，由于越來(lái)越向低電 壓化發(fā)展，負(fù)荷電流在不斷增大。因而，對(duì)于負(fù)荷電流的急劇變化，將電源電壓的變動(dòng)控制在容許 值內(nèi)變得非常困難。因此，如圖2所示，就在電源102上連接被稱 為去耦電容器器的例如雙端子結(jié)構(gòu)的層疊陶資電容器器100。而且， 在負(fù)荷電流瞬態(tài)變動(dòng)時(shí)，從該層疊陶瓷電容器器100向CPU等的 LSI104供給電流，做到抑制電源電壓的變動(dòng)。但是，伴隨今天的CPU的工作頻率的更加高頻化，負(fù)荷電流的變 動(dòng)變得更高速且更大，圖2所示的層疊陶瓷電容器器100自身具有 的等效串聯(lián)電感(ESL)已對(duì)電源電壓的變動(dòng)帶來(lái)了大的影響。也就是說(shuō)，在現(xiàn)在的層疊陶瓷電容器器100中，由于ESL高，伴 隨負(fù)荷電流i的變動(dòng)，與上述一樣，電源電壓V的變動(dòng)很容易增大。這是由于負(fù)荷電流瞬態(tài)的電壓變動(dòng)由下式1近似表示，ESL的高 低關(guān)系到電源電壓的變動(dòng)的大小。而且，從該式1也可以說(shuō)ESL的 降低關(guān)聯(lián)到將電源電壓穩(wěn)定化。dV=ESL di/dt…式1式中，dV是瞬態(tài)的電壓變動(dòng)(V), di是電流變動(dòng)量(A), dt是變動(dòng) 時(shí)間(秒)。
作為謀求ESL降低的疊層電容器，已知的有特開(kāi)2003-51423號(hào) 公報(bào)所示的疊層電容器。依據(jù)該疊層電容器，可以謀求寄生電感的 降低，從而可降低ESL。但是，人們要求ESL的進(jìn)一步降低。作為使ESL進(jìn)一步降低的疊層電容器，已知的有多端子疊層電容 器。在該多端子疊層電容器中，由于增多外部端子電極，可以實(shí)現(xiàn) 在一個(gè)內(nèi)部導(dǎo)體層中方向不同的電流的流動(dòng)。其結(jié)果，可以再降低 ESL。但是，在多端子電容器中，必需準(zhǔn)備多個(gè)內(nèi)部導(dǎo)體層的圖形，外 部端子電極的數(shù)目增多，存在著所謂其制造成本增高的課題。在曰本專(zhuān)利實(shí)開(kāi)平5-66951號(hào)公報(bào)中，提出了具有內(nèi)層部的導(dǎo)體 層、在層疊方向上嵌入內(nèi)層部的保護(hù)導(dǎo)體層2種圖形的導(dǎo)體層的電 容器。但是，在實(shí)開(kāi)平5-66951號(hào)公報(bào)中.，保護(hù)導(dǎo)體層是用來(lái)提高電 容耐濕性的，另外，由于端子電極只在電介質(zhì)基體2個(gè)端面上形成， 達(dá)不到降低ESL的效果。本發(fā)明是鑒于這樣的現(xiàn)狀而完成的，其目的是提供一種不設(shè)置多 端子電極而能以低的制造成本大幅度降低ESL的電容器。發(fā)明內(nèi)容為了達(dá)到上述目的，按照本發(fā)明的疊層電容器，具有 電介質(zhì)基體，由多個(gè)電介質(zhì)層層疊而形成，略呈長(zhǎng)方體形狀； 內(nèi)層部，在上述電介質(zhì)基體中，經(jīng)過(guò)上述電介質(zhì)層在層疊方向上使第1內(nèi)層用導(dǎo)體層和第2外層用導(dǎo)體層重疊，交互層疊，形成電容器的內(nèi)部電極電路；外層部，在上述電介質(zhì)基體中，在上述第1內(nèi)層用導(dǎo)體層和上述第2內(nèi)層用導(dǎo)體層的層疊方向上，經(jīng)過(guò)上述電介質(zhì)層與上述內(nèi)層部的兩個(gè)端面中至少任何一個(gè)相鄰，進(jìn)行層疊，使得在第1外層用導(dǎo)體層和第2外層用導(dǎo)體層在層疊方向上不重疊；第l端子電極，在上述電介質(zhì)基體側(cè)面上，至少在與上述電介質(zhì) 層層疊方向平行的第1側(cè)面上形成，與上迷第1內(nèi)層用導(dǎo)體層以及上述第1外層用導(dǎo)體層連接；第2端子電極，在上迷電介質(zhì)基體的側(cè)面上，至少在與上述第1 側(cè)面相對(duì)的第2側(cè)面上形成，與上述第2內(nèi)層用導(dǎo)體層以及上述第2 外層用導(dǎo)體層連接，上述第1端子電極，跨越在上述第1側(cè)面和與上述第1側(cè)面相鄰 的、平行于上述電介質(zhì)層的上述層疊方向的第3和第4側(cè)面上而形 成，上述第2端子電極，跨越在上述第2側(cè)面和與該第2側(cè)面相鄰的、 平行于上述第3和第4側(cè)面上而形成。上述第1內(nèi)層用導(dǎo)體層最好具有跨越在上述電介質(zhì)基體的上述第 1側(cè)面以及上述第3和第4側(cè)面上而引出的、連接到上述第1端子電 極的第1引出部；上述第2內(nèi)層用導(dǎo)體層具有，跨越在上述電介質(zhì)基體的上述笫2 側(cè)面以及上述第3和第4側(cè)面上而引出的、連接到上述第2端子電 極的第2引出部。最好這樣，上述第1外層用導(dǎo)體層具有跨越在上述第1側(cè)面和 上述第3和第4側(cè)面上而引出的、連接到上述第1端子電極的第3 引出部，上述第2外層用導(dǎo)體層具有，跨越在上述第2側(cè)面和上述 第3和第4側(cè)面上而引出的、連接到上述第2端子電極的第4引出 部。在本發(fā)明的疊層電容器中，在外層部，隔著電介質(zhì)層在層疊方向 上，使第1外層用導(dǎo)體層和笫2外層用導(dǎo)體層層疊，但不重疊。因 而，當(dāng)?shù)?端子電極的電位高于第2端子電極高時(shí)，從第1端子電 極向第1外層用導(dǎo)體層進(jìn)行電流分流，同時(shí)電流從第2外層用導(dǎo)體 層流向第2端子電極。另一方面，笫2端子電極的電位高于笫1端 子電極時(shí)，從第2端子電極向第2外層用導(dǎo)體層進(jìn)行電流分流，同 時(shí)電流從第1外層用導(dǎo)體層流向第1端子電極。這樣，無(wú)論在哪一
種的情況下，電流都從端子電，及流向?qū)w層而分流，可以降低疊層電容器整體的ESL。就是說(shuō)，第1外層用導(dǎo)體層和第2外層用導(dǎo)體 層，起并聯(lián)的多個(gè)電感分量的作用，可以減輕疊層電容器整體的ESL。 另外，在本發(fā)明的疊層電容器中，第1端子電極跨越第1、笫3 和第4側(cè)面的3個(gè)側(cè)面而形成，第2端子電極跨越第2、第3和第4 側(cè)面而形成。這樣，通過(guò)在分別跨越在電介質(zhì)基體的3個(gè)側(cè)面而形成的各個(gè)端子電極上連接各外層用導(dǎo)體層，各端子電極和各外層用 導(dǎo)體層之間流過(guò)電流的流路截面面積增大。結(jié)果是，可以降低疊層電容器整體的ESL。就是說(shuō)，用本發(fā)明的疊層電容器，可望大幅降低疊層電容器的 ESL，適用于作去耦電容器等，抑制電源電壓的振動(dòng)。若設(shè)在上述第3和第4側(cè)面上，在與上述電介質(zhì)層的上述層疊 方向垂直的方向上的上述第3引出部的寬度為W3,在上述第3和第4側(cè)面上，在與上述電介質(zhì)層的上述層疊方向垂 直的方向上的上述第4引出部的寬度為W4,在上述第3和第4側(cè)面上，在與上述電介質(zhì)層的上述層疊方向垂 直的方向上的上述第1端子電極的寬度為L(zhǎng)3，在上述第3和第4側(cè)面上，在與上述電介質(zhì)層的上述層疊方向的 垂直的方向上的上述第2端子電^f及的寬度為L(zhǎng)4，則最好 W3<L3,且W4〈L4。通過(guò)設(shè)置W3<L3且W4<L4,可以防止第1和第2外層用導(dǎo)體 層露出于第3和第4側(cè)面。若設(shè)與上述電介質(zhì)層的上述層疊方向垂直的方向上的上述笫3和 第4側(cè)面的寬度設(shè)為W0，則最好0.15《W3層《0.45 ，且0.15《W4/W0 < 0.45 。若W3/W0及W4/W0過(guò)小，則從各端子電極向各外層用導(dǎo)體層 分流的電流變小，無(wú)法充分降低電容器的ESL。另外，若W3/W0及 W4/W0過(guò)大，則有各外層用導(dǎo)體層露出于電介質(zhì)基體12的第3或第 4側(cè)面，或者相向的第1和第2外層用導(dǎo)體層有相互接觸之虞。因此， 通過(guò)將W3/W0及W4/W0設(shè)置在上述范圍內(nèi)，可以防止這些不適當(dāng) 的情況發(fā)生，可以降低電容器的ESL。上述外層部最好含有多個(gè)上述第1外層用導(dǎo)體層或上述第2外層 用導(dǎo)體層。通過(guò)增加各外層用導(dǎo)體層的總數(shù)，可增大將電流從各端子電極向 外層用導(dǎo)體層分流的效果。結(jié)果是，可以增大降低電容器的ESL的 效果。在上述第1內(nèi)層用導(dǎo)體層中，最好在沿著上述第1側(cè)面的位置上， 形成不與上述第1端子電極連"f妾的第1間隙圖形。在上述第2內(nèi)層 用導(dǎo)體層中，最好在沿著上述第2側(cè)面的位置上，形成不與上述第2 端子電極連接的第2間隙圖形。在本發(fā)明的疊層電容器中，對(duì)于第1內(nèi)層用導(dǎo)體層的第1引出部 形成第1間隙圖形。因此，第1引出部具有，在電介質(zhì)基體中第1 縱向側(cè)面和橫向側(cè)面交叉處的兩個(gè)角部，從第1內(nèi)層用導(dǎo)體層的本 體部分引出的一對(duì)分岔引出圖形。因此，在各第1內(nèi)層用導(dǎo)體層中， 從各分盆引出圖形的角部，分別形成向?qū)蔷€的角部的電流流動(dòng)， 這些流動(dòng)在笫1內(nèi)層用導(dǎo)體層的本體部分在同一面內(nèi)交叉。結(jié)果是，在電流交叉處，產(chǎn)生磁場(chǎng)相互抵消的作用，與此同時(shí)疊 層電容器本身具有的寄生電感可以減小，產(chǎn)生降低等效串聯(lián)電感的效果。另外，在各電介質(zhì)基體內(nèi)配置多個(gè)具有第1間隙圖形的第1內(nèi)層 用導(dǎo)體層和第2內(nèi)層用導(dǎo)體層兩種導(dǎo)體層，借此不僅可以提高靜電 電容，而且進(jìn)一步增大磁場(chǎng)相互抵消作用，較大幅度地減小電感， 進(jìn)一步降低ESL。在上述第1外層用導(dǎo)體層中，也可在沿著上述第1側(cè)面的位置上， 形成不與上述第1端子電極連4妾的第1外層用間隙圖形。另外，在 上述第2外層用導(dǎo)體層中，也可在沿著上述第2側(cè)面的位置上，形
成不與上述第2端子電極連接的第2外層用間隙圖形。在與上述電介質(zhì)層的上述層疊方向垂直的方向上的上述第1和第2側(cè)面的寬度，大于在與上述電介質(zhì)層的上述層疊方向垂直的方向上 的上述第3和第4側(cè)面的寬度。就是說(shuō)，在本發(fā)明中，第1端子電極和第2端子電極在縱向(第 1、 2側(cè)面)形成。就是說(shuō)，笫1端子電極和第2端子電極在橫向(第1 和第2側(cè)面相對(duì)的方向)相互面對(duì)。結(jié)果是，端子間距離(第1端子 電極和第2端子電極的距離)變短，電容器中電流的流路縮短，在這 點(diǎn)上也可望降低ESL。另外，由于沿著電介質(zhì)基體的縱向的各側(cè)面 形成第1端子電極和第2端子電極，即使在第1引出部上形成第1 間隙圖形，也可充分確保各引出部和各端子電極的連接長(zhǎng)度。另外，在本發(fā)明中，第1內(nèi)層用導(dǎo)體層和第2內(nèi)層用導(dǎo)體層只是 相對(duì)的概念，也可以將第1內(nèi)層用導(dǎo)體層和第2內(nèi)層用導(dǎo)體層反過(guò) 來(lái)。另外，在r第l…J及r第2…J方面，也是一樣。對(duì)于第1外 層用導(dǎo)體層和第2外層用導(dǎo)體層也如此。


圖1是本發(fā)明笫1實(shí)施方式的疊層電容器的透視圖； 圖2是圖1所示的層疊電容器的概略剖視圖； 圖3A和圖3B分別為圖2所示的第1內(nèi)層用導(dǎo)體層和笫2內(nèi)層 用電容導(dǎo)體層的平面圖；圖4是圖2所示的第1外層用導(dǎo)體層和第2外層用導(dǎo)體層的平面圖；圖5是在本發(fā)明第1實(shí)施方式的疊層電容器中，表示內(nèi)層部的第 1和第2內(nèi)層用導(dǎo)體層，以及外層部的第1和第2外層用導(dǎo)體層分別 具有的功能的電路圖；圖6A和圖6B分別是在本發(fā)明第2實(shí)施方式的疊層電容器中的 第1內(nèi)層用導(dǎo)體層和第2內(nèi)層用導(dǎo)體層的平面圖； 圖7A-圖7D分別為本發(fā)明第3實(shí)施方式的疊層電容器中的第 1 ~第4內(nèi)層用導(dǎo)體層的平面圖；圖8是本發(fā)明第4實(shí)施方式的疊層電容器中的第1和第2外層用 導(dǎo)體層的平面圖；圖9A和圖9B分別為本發(fā)明第5實(shí)施方式的疊層電容器中的第 1和第2內(nèi)層用導(dǎo)體層的平面圖，圖9C和圖9D是本發(fā)明第5實(shí)施 方式的疊層電容器中的第1和第2外層用導(dǎo)體層的平面圖；圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施例和比較例的阻抗特性的曲線圖。
具體實(shí)施方式
第1實(shí)施方式現(xiàn)說(shuō)明本發(fā)明第1實(shí)施方式的疊層陶瓷電容器(以下簡(jiǎn)稱疊層電 容器)IO的整體結(jié)構(gòu)。如圖1所示，疊層電容器10具有通過(guò)將多個(gè) 作為電介質(zhì)層的陶瓷生片層疊的疊層體，加以燒成而得到的長(zhǎng)方體 形狀的作為燒結(jié)體的電介質(zhì)基體12。電介質(zhì)基體12具有第1側(cè)面12A和與其相對(duì)的第2側(cè)面12B。 另外，電介質(zhì)基體12具有，與第1側(cè)面12A和第2側(cè)面12B相鄰， 平行于電介質(zhì)層的層疊方向Z且彼此相對(duì)的第3側(cè)面12C和第4側(cè) 面12D。本實(shí)施方式中，最好如圖1所示，在垂直于電介質(zhì)層的層疊方向 Z的方向(X方向)上的笫1側(cè)面12A和第2側(cè)面12B的寬度L0，大 于與電介質(zhì)層的層疊方向Z垂直的方向(Y方向)上的第3側(cè)面12C 和第4側(cè)面12D的寬度W0。以下，在本實(shí)施方式的說(shuō)明中，第1側(cè)面12A記為笫1縱向側(cè) 面12A，第2側(cè)面12B記為第2縱向側(cè)面12B，第3側(cè)面12C記為 第3橫向側(cè)面12C,第4側(cè)面12D記為第4橫向側(cè)面12D。在電介質(zhì)基體12的外面，跨越在第1縱向側(cè)面12A和兩個(gè)橫向 側(cè)面12C及12D上而形成第l端子電極31。另外，跨越在第2縱向 面12C及12D上而形成第2端子電極32。一對(duì)端子電極31和32相互絕緣，在基體12的相向的短邊側(cè)側(cè) 面12C以及12D上，沿著Y方向，相隔寬度W4。該寬度W4最好 是0.8-0.5mm。本實(shí)施方式的疊層電容器10形成為，在長(zhǎng)方體(六面體形)的電 介質(zhì)基體12的全都4個(gè)側(cè)面12A~ 12D上分別配置端子電極31、 32 的2端子構(gòu)造的疊層電容器。圖2是平行于橫向側(cè)面12C和12D剖切圖1所示的疊層電容器 10的剖視圖。如圖2所示，疊層電容器10的第1端子電極31和第 2端子電極32，分別經(jīng)過(guò)電路板側(cè)的電極端子13A和13B連接到電 路板15。疊層電容器10具有內(nèi)層部17和外層部19a及19b。外層部19a 及19b位于與內(nèi)層部17的兩個(gè)端面相鄰的位置。在內(nèi)層部17中，第1內(nèi)層用導(dǎo)體層21和第2內(nèi)層用導(dǎo)體層22 隔著電介質(zhì)層12a在層疊方向Z上相互重疊地進(jìn)行層疊，形成電容 器的內(nèi)部電極電路。在本實(shí)施方式中，以?shī)A在電介質(zhì)層12a之間的形 式，在電介質(zhì)基體12內(nèi)各3個(gè)第1和第2內(nèi)層用導(dǎo)體層21、 22交 互配置。另外，這些內(nèi)層用導(dǎo)體層21、 22的材料，不僅可以考慮采 用作為賤金屬材料的鎳、鎳合金、銅或者銅合金，也可以考慮以這 些金屬為主要成分的材料。在外層部19a及19b中，第1外層用導(dǎo)體層23和笫2外層用導(dǎo) 體層25，隔著電介質(zhì)層12a，在層疊方向Z上不重疊地進(jìn)行層疊。 另外，作為這些外層用導(dǎo)體層23、 25的材料，也可以采用與上述內(nèi) 層用導(dǎo)體層21、 22相同的材料。如圖2所示，外層部19a及19b最好分別具有多個(gè)第1外層用導(dǎo) 體層23和第2外層用導(dǎo)體層25 。第1內(nèi)層用導(dǎo)體層21和第l外層用導(dǎo)體層23連接到第l端子電 極31。另外，第2內(nèi)層用導(dǎo)體層22和第2外層用導(dǎo)體層25連接到
第2端子電極32。圖3A及圖3B,分別是從層疊方向Z觀察圖2所示的第1內(nèi)層 用導(dǎo)體層和笫2內(nèi)層用導(dǎo)體層22的平面圖。如圖3所示，第1內(nèi)層 用導(dǎo)體層21和第2內(nèi)層用導(dǎo)體層22,沿著電介質(zhì)基體12的縱向X 細(xì)長(zhǎng)地延伸。圖3A的第1內(nèi)層用導(dǎo)體層21，具有與電介質(zhì)層12a的外形配合 的形狀，從電介質(zhì)層12a的周邊部，以預(yù)定的絕緣間隙圖形43隔開(kāi) 的本體部分21a。該內(nèi)層用導(dǎo)體層本體部分21a是構(gòu)成電容一個(gè)電極 的部分。第1內(nèi)層用導(dǎo)體層21還有與該本體部分21a整體地在同一 平面上形成的、跨越在電介質(zhì)基體12彼此相鄰的三個(gè)側(cè)面(第1縱 向側(cè)面12A、第3橫向側(cè)面12C和第4橫向側(cè)面12D)上而引出的第 1引出部21L。在該第1引出部21L上，第1內(nèi)層用導(dǎo)體層21和第 1端子電極31被連接。圖3B的第2內(nèi)層用導(dǎo)體層22,具有與電介質(zhì)層12a的外形配合 的形狀，從電介質(zhì)層12a的周邊部以預(yù)定的絕緣間隙圖形44隔開(kāi)的 第2內(nèi)層用導(dǎo)體層本體部分22a。該第2外層用導(dǎo)體層的本體部分22a 是構(gòu)成電容的另一電極的部分。第2內(nèi)層用導(dǎo)體層22還有，與該第 2內(nèi)層用導(dǎo)體層本體部分22a整體地在同一平面上形成的、跨越在電 介質(zhì)基體12彼此相鄰的三個(gè)側(cè)面(第2縱向側(cè)面12B、第3橫向側(cè) 面12C和第4橫向側(cè)面12D)上而引出的第2引出部221。在該第2 引出部221上，笫2內(nèi)層用導(dǎo)體層22和第2端子電極32被連接。圖4是從層疊方向Z觀察圖2的第1外層用導(dǎo)體層23和第2外 層用導(dǎo)體層25的平面圖。如圖4所示，第1外層用導(dǎo)體層23和笫2 外層用導(dǎo)體層25沿著電介質(zhì)基體12的縱向X細(xì)長(zhǎng)地延伸。另外， 在本實(shí)施方式中，如圖4所示，第1外層用導(dǎo)體層23和第2外層用 導(dǎo)體層25,夾著絕緣間隙圖形45在垂直于層疊方向Z的同一平面上 配置。因而，在同一平面上配置的第1外層用導(dǎo)體層23和第2外層 用導(dǎo)體層不通電。
另外，第1外層用導(dǎo)體層23和第2外層用導(dǎo)體層25，只要在層 疊方向Z上不相互重疊，也可以不一定處于同一平面上。第l外層用導(dǎo)體層23具有在與第1外層用導(dǎo)體層23同一平面上 整體地形成的、跨越在電介質(zhì)基體12彼此相鄰的三個(gè)側(cè)面(笫1縱 向側(cè)面12A、第3橫向側(cè)面12C和第4橫向側(cè)面12D)上而引出的第 3引出部23L。在第3引出部23L上，第1外層用導(dǎo)體層23和第1 端子電極31被連接。第2外層用導(dǎo)體層25具有與第2外層用導(dǎo)體層25在同一平面上 整體地形成的、跨越在電介質(zhì)基體12彼此相鄰的三個(gè)側(cè)面(第2縱 向側(cè)面12B、第3沖黃向側(cè)面12C和第4橫向側(cè)面12D)上而引出的第 4引出部25L。在第4引出部25L上，第2外層用導(dǎo)體層25和第2 端子電極32^L連接。最好這樣，如圖4所示，若設(shè)橫向Y中第3引出部23L的寬度、 第4引出部25L的寬度、第1端子電極31的寬度和第2端子電極32 的寬度分別為W3， W4、 L3及L4，則W3〈L3且W4<L4。通過(guò)設(shè)為W3<L3且W4<L4,可防止第1外層用導(dǎo)體層23和第 2外層用導(dǎo)體層25露出于第3橫向側(cè)面12C和第4橫向側(cè)面12D。最好這樣，若設(shè)在橫向Y上第3橫向側(cè)面12C和第4橫向側(cè)面 12D的寬度為W0，則0.15 <W3/W0《0.45，且0.15《W4〈W(K 0.45。 若W3/W0及W4/W0過(guò)小，則從各端子電極向各個(gè)外層用導(dǎo)體 層分流的電流變小，不能充分得到降低電容器的ESL的效果。另夕卜， 若W3/W0及W4/W0過(guò)大，則有各外層用導(dǎo)體層露出于電介質(zhì)基體 12的側(cè)面，或者相向的第1和第2外層用導(dǎo)體層23、 25相互接觸之 虞。因此，將W3/W0及W4/W0設(shè)置在上述范圍內(nèi)，即可防止這些 不適當(dāng)情況的出現(xiàn)，并降低疊層電容器10的ESL。接著，說(shuō)明本實(shí)施方式的疊層電容器10的作用。在疊層電容器10中，如圖2所示，在外層部19a、 19b中，隔著 電介質(zhì)層12a層疊，使第1外層用導(dǎo)體層23和第2外層用導(dǎo)體層25 分別在層疊方向Z上不相互重疊。另外，第1外層用導(dǎo)體層23和笫 2外層用導(dǎo)體層25之間不通電。因而，第1外層用導(dǎo)體層23和第2 外層用導(dǎo)體層25,在電容器中是不具有內(nèi)部電極功能(儲(chǔ)電功能)的 虛設(shè)電極。這里，例如，在第1端子電才及31的電位高于第2端子電極32時(shí)， 電流從第1端子電極31向第1外層用導(dǎo)體層23分流。同時(shí)，電流 從第2外層用導(dǎo)體層25流向第2端子電極32。另一方面，在第2端 子電極32的電位高于第1端子電極31時(shí)，電流從第2端子電極32 向第2外層用導(dǎo)體層25分流。同時(shí)，電流從第1外層用導(dǎo)體層23 流向第1端子電才及31。在本實(shí)施方式的疊層電容器10中，無(wú)論在上述任何一種情況下， 電流都從端子電極向作為虛設(shè)電極的各個(gè)外層用導(dǎo)體層分流，結(jié)果 是可以降低疊層電容器10整體的ESL。另外，在疊層電容器10中，第1端子電極31跨越在第1縱向側(cè) 面12A、第3對(duì)黃向側(cè)面12C和第4 ^f黃向側(cè)面12D的3側(cè)面上而形成。 同樣地，第2端子電極32跨越在第2縱向側(cè)面12B、第3橫向側(cè)面 12C和第4橫向側(cè)面12D的3個(gè)側(cè)面上而形成。這樣，通過(guò)使各個(gè) 外層用導(dǎo)體層連接在分別跨越在電介質(zhì)基體12的3個(gè)側(cè)面上而形成 的各個(gè)端子電極上，使各個(gè)端子電極和各外層用導(dǎo)體層之間流過(guò)電 流的流路截面面積變大。結(jié)果是，可以降低疊層電容器10整體的 ESL。圖5表示上述的內(nèi)層部17的第1和第2內(nèi)層用導(dǎo)體層21、 22及 外層部19b的第1和第2外層用導(dǎo)體層23、 25分別具有的功能的電 路圖。如圖5所示，圖2所示的內(nèi)層部17表示為具有圖5所示的電 容電路17a和電容電路17a自身的電感分量17b。另外，在圖2所示 的外層部19b中的3個(gè)第1外層用導(dǎo)體層23，表示為圖5所示的多 個(gè)(圖5中3個(gè))并聯(lián)的第1電感分量23a。同樣地，在外層部19b中 的第2外層用導(dǎo)體層25表示為圖5所示的多個(gè)(圖5中3個(gè))并聯(lián)的
第2電感分量25a。3個(gè)并聯(lián)的第1電感分量23a連接到第1端子電極31。因而，3 個(gè)第1電感分量23a所具有的電感，可以看作是第1端子電極31所 具有的電感。同樣地，3個(gè)并聯(lián)的第2電感分量25a連接到第2端子 電極32。因而，第2電感分量23a所具有的電感，可以看作是第2 端子電極32所具有的電感。通過(guò)使多個(gè)第1電感分量23a與第l端 子電極31并聯(lián)，可以減小第1端子電極整體的電感。同樣地，通過(guò) 使多個(gè)第2電感分量25a與第2端子電極32并聯(lián)，可以減小第2端 子電極整體的電感。這樣，通過(guò)減小第1和第2端子電極31、 32所 具有的端子電極整體的電感19c，可以降低疊層電容器10整體的 ESL。另外，在圖2所示的2個(gè)外層部19a、 19b中，夾著內(nèi)層部17而 位于電路板15相反一側(cè)的外層部19a中，沒(méi)有電流流動(dòng)。因而，由 于外層部19a對(duì)降低ESL沒(méi)有貢獻(xiàn)，不是必需的。在本實(shí)施方式中，在外層部19a、 19b中，第l外層用導(dǎo)體層23 和笫2外層用導(dǎo)體層25隔著電介質(zhì)層12a層疊，在層疊方向Z上不 重疊。因而，電流從第1端子電極向第1外層用導(dǎo)體層23分流， 電流從第2外層用導(dǎo)體層流入第2端子電極32?；蛘撸娏鲝牡? 端子電極向第2外層用導(dǎo)體層25分流，電流從第1外層用導(dǎo)體層23 流入第1端子電極31。這樣，通過(guò)電流從端子電極向各個(gè)外層用導(dǎo) 體層分流，可以降低疊層電容器10整體的ESL。在本實(shí)施方式中，第1端子電極31跨越在第1縱向側(cè)面12A、 第3橫向側(cè)面12C和第4橫向側(cè)面12D的3個(gè)側(cè)面上而形成，第2 端子電極32跨越在第2縱向側(cè)面12B、第3橫向側(cè)面12C和第4橫 向側(cè)面12D上而形成。這樣，通過(guò)將各外層用導(dǎo)體層連接到分別跨 越在電介質(zhì)基體12的3個(gè)側(cè)面上而形成的各個(gè)端子電極上，使各端 子電極和各外層用導(dǎo)體層之間流過(guò)電流的流路截面面積變大。結(jié)果 是，可以降低疊層電容器10整體的ESL。
這樣，采用本實(shí)施方式的疊層電容器10，可適用于去耦電容器，可望大幅度地降低疊層電容器10的ESL，抑制電源電壓的振動(dòng)。 第2實(shí)施方式接著，說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。另外，下面第1實(shí)施方式和 第2實(shí)施方式共通之處說(shuō)明從略，只說(shuō)明兩實(shí)施方式的差異。如圖6A所示，在本實(shí)施方式中，在第1內(nèi)層用導(dǎo)體層21的第1 引出部中，在沿著第1縱向側(cè)面12A的中央位置上，形成不與第1 端子電極31連接的第1間隙圖形41。因此，第l引出部具有引出到 從第1內(nèi)層用導(dǎo)體層21的本體部分21a向電介質(zhì)基體12中第1縱向 側(cè)面12A和沖黃向側(cè)面12C、 12D交叉而成的兩個(gè)角部的一對(duì)分岔引 出圖形21b。若設(shè)電介質(zhì)基體12的橫向Y的寬度為W0,則第1引出部的分 盆引出圖形21b中橫向Y的寬度Wl確定為使W1/W0之比在0.15 ~ 0.45的范圍內(nèi)，最好在0.25 —0.35的范圍內(nèi)。另外，若設(shè)電介質(zhì)基體12的縱向X的寬度為L(zhǎng)O，則第1間隙 圖形41的縱向的寬度Ll確定為使L1/L0之比在0.2-0.5的范圍內(nèi)， 最好在0.3-0.4的范圍內(nèi)。在本實(shí)施方式中，第1間隙圖形41在電介質(zhì)基體12中第1縱向 側(cè)面12A的縱向X的中央位置上形成。絕緣間隙圖形43連續(xù)跨越在 基體12中的第2縱向側(cè)面12B和橫向側(cè)面12C、 12D上而形成，該 間隙圖形43的縱向的兩端部，與笫1引出部的分岔引出圖形21b相 接觸。在本實(shí)施方式中，第1內(nèi)層用導(dǎo)體層21的平面圖形，是對(duì)通 過(guò)電介質(zhì)基體12縱向X的中間位置的中心線成線對(duì)稱的圖形。第1間隙圖形41的間隙寬度W2與絕緣間隙43的間隙寬度W5 大致相等，最好為100-200 ium左右。若這些電極寬度W2、 W5過(guò) 小，則各端子電極31或32有絕緣性不充分之虞，若過(guò)大，則本體 部分21a面積狹窄，有作為電容器的能力下降之虞。如圖6B所示，在本實(shí)施方式中，在第2內(nèi)層用導(dǎo)體層22的第2
引出部中，在沿著第2縱向側(cè)面12B的中央位置，形成不與第2端 子電極32連接的第2間隙圖形42。因此，第2引出部變得具有從第 2內(nèi)層用導(dǎo)體層22的本體部分22a引出到電介質(zhì)基體12中第2縱向 側(cè)面12B和橫向側(cè)面12C, 12D交叉而成的兩個(gè)角部的一對(duì)分盆引 出圖形22b。在此實(shí)施方式中，第2內(nèi)層用導(dǎo)體層22a的圖形形狀，是將第1 內(nèi)層用導(dǎo)體層21a在XY平面上旋轉(zhuǎn)180度的圖形，具有同樣的尺寸 關(guān)系(LO, Ll， Wl， WO, W2, W5)。從上述尺寸關(guān)系可知，2種分別在第1和第2內(nèi)層用導(dǎo)體層21 及22形成的分岔引出圖形21b及22b，是在電介質(zhì)層12a的層疊方 向Z上投影時(shí)相互不重疊的位置關(guān)系。而各個(gè)本體部分21a、 22a在 電介質(zhì)層12a的層疊方向Z上投影時(shí)相互重疊，隔著電介質(zhì)層12a 而構(gòu)成電容。接著，說(shuō)明本實(shí)施方式的疊層電容器10的作用。 本實(shí)施方式的疊層電容器10中，在層疊多個(gè)電介質(zhì)層而形成長(zhǎng) 方體形狀的電介質(zhì)基體12內(nèi)，夾在各電介質(zhì)層之間而形成的二種內(nèi) 部導(dǎo)體層21、 22交互配置。逸二種內(nèi)部導(dǎo)體層21、 22具有以在電 介質(zhì)層的層疊方向上投影而相互不重疊的位置關(guān)系、分別跨越在電 介質(zhì)基體12的三個(gè)側(cè)面上而引出的結(jié)構(gòu)。另外，兩個(gè)端子電極31、 32分別跨越在電介質(zhì)基體12的三個(gè)側(cè)面上而配置在電介質(zhì)基體12 的外側(cè)，這兩種內(nèi)部導(dǎo)體層21、 22中任何一方上分別連接這兩個(gè)端 子電極31、 32。而且，在本實(shí)施方式的疊層電容器10中，對(duì)第1內(nèi)層用導(dǎo)體層 21的第1引出部形成第1間隙圖形41。因此，笫1引出部具有，從 第1內(nèi)層用導(dǎo)體層21的本體部分21a引出到電介質(zhì)基體12中的第1 縱向側(cè)面12A和4黃向側(cè)面12C、 12D交叉而成的兩個(gè)角部的一對(duì)分 岔引出圖形21b。因此，在各第1內(nèi)層用導(dǎo)體層21中，從各分岔引 出圖形21b的角部分別形成向只十角線的角部的電流流動(dòng)，這些流動(dòng)在第1內(nèi)層用導(dǎo)體層21的本體部分21a的同一面內(nèi)交叉。同樣地，在各第2內(nèi)層用導(dǎo)體層22中，從各分盆引出圖形22b 的角部分別形成向各自對(duì)角線的角部的電流流動(dòng)，這些電流流動(dòng)在 第2內(nèi)層用導(dǎo)體層22的本體部分22a在同一面內(nèi)交叉。結(jié)果是，電流交叉處的磁場(chǎng)產(chǎn)生相互抵消作用，與此同時(shí)，可以 減小疊層電容器IO自身的寄生電感，具有降低等效串聯(lián)電感的效果。另外，在本實(shí)施方式中，由于第1端子電極31和第2端子電極 32在橫向Y上彼此面對(duì)，端子間的距離變短，在這點(diǎn)上也可望降低 ESL。另外，由于分別沿著第1和第2縱向側(cè)面12A、 12B形成第1 端子電極31和第2端子電極32,即使形成了各引出部中的間隙圖形 41、 42,也可充分確保各引出部的分岔引出圖形21b、 22b和各端子 電極31、 32之間的連接長(zhǎng)度。還有，在本實(shí)施方式中，通過(guò)將兩個(gè)種類(lèi)的第1和第2內(nèi)部導(dǎo)體 層21、 22分別配置在電介質(zhì)基體12內(nèi)，不僅提高靜電容量，而且 進(jìn)一步增大對(duì)磁場(chǎng)的相互抵消的作用，較大幅度降低電感，進(jìn)一步 降低ESL。第3實(shí)施方式接著，根據(jù)圖7A-圖7Di兌明本發(fā)明的第3實(shí)施方式。另外， 下面對(duì)第1及2實(shí)施方式和笫3實(shí)施方式共通之處說(shuō)明從略，只說(shuō) 明上述實(shí)施方式與第3實(shí)施方式的差異。在本實(shí)施方式中，將第2實(shí)施方式中的第2內(nèi)部導(dǎo)體層22,用 圖7B及圖7D所示的笫2內(nèi)層用導(dǎo)體層322及圖7D所示的第2內(nèi) 部導(dǎo)體層323這兩個(gè)種類(lèi)的導(dǎo)體層替代，除此以外，具有和第1實(shí) 施方式一樣的疊層電容器結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，在圖7A所示的與第2實(shí)施方式相同的第1外 層用導(dǎo)體層21下面，隔著電介質(zhì)層12a層疊圖7B所示的第2內(nèi)層 用導(dǎo)體層322,在第2內(nèi)層用導(dǎo)體層322的下面，隔著電介質(zhì)層12a 層疊圖7C所示的與第2實(shí)施方式相同的第1內(nèi)層用導(dǎo)體層21。然后，
在第1內(nèi)層用導(dǎo)體層21的下面，隔著電介質(zhì)層12a層疊圖7D所示 的第2內(nèi)部導(dǎo)體層323。在它的下面，反復(fù)進(jìn)行上述圖7A~圖7D所 示的導(dǎo)體層21、 322、 21、 323的層疊。在本實(shí)施方式中， 一方的第2內(nèi)層用導(dǎo)體層322具有與第2實(shí)施 方式中的第2內(nèi)部導(dǎo)體層的本體部分22a對(duì)應(yīng)的內(nèi)部導(dǎo)體層本體部分 322，以及與分岔引出圖形22b對(duì)應(yīng)的單個(gè)引出圖形322b。單個(gè)引出 圖形322b,只與位于笫2縱向側(cè)面12B和第4 ^f黃向側(cè)面12D交叉而 成的角部位置的笫2端子電極32連接。由于只形成單個(gè)引出圖形322b，在內(nèi)部導(dǎo)體層本體部分322a的 周?chē)?，形成在除引出圖形322b外的部分均連續(xù)的絕緣間隙圖形344。另一方面，第2內(nèi)部導(dǎo)體層323具有與第2實(shí)施方式中的第2內(nèi) 部導(dǎo)體層的本體部分22a對(duì)應(yīng)的內(nèi)部導(dǎo)體層本體部分323a，以及與 分盆引出圖形22b對(duì)應(yīng)的單個(gè)引出圖形323b。單個(gè)引出圖形323b 只與位于第2縱向側(cè)面12B和第3橫向側(cè)面12C交叉而成的角部位 置的第2端子電極32連接。由于只形成單個(gè)引出圖形323b，在內(nèi)部導(dǎo)體層本體部分323a的 周?chē)纬稍诔鰣D形323b外的部分均連續(xù)的絕緣間隙圖形345?？梢云诖緦?shí)施方式的疊層電容器中，在第1內(nèi)部導(dǎo)體層21上 流過(guò)與第2實(shí)施方式相同的交叉電流。另外，在兩個(gè)種類(lèi)的第2內(nèi) 層用導(dǎo)體層322及323中，實(shí)現(xiàn)通過(guò)各單個(gè)引出圖形322b或323b 的對(duì)角線上的電流流動(dòng)。在兩個(gè)種類(lèi)的第2內(nèi)層用導(dǎo)體層322和323 相互之間電流交叉流動(dòng)。因此，與第2實(shí)施方式比4吏，在第2內(nèi)層用導(dǎo)體層322或323的 各自的同一面內(nèi)，不形成交叉的電流，但是可以期待在第1內(nèi)部導(dǎo) 體層21流過(guò)與第2實(shí)施方式相同的交叉電流。結(jié)果是，與笫2實(shí)施 方式相比稍差 一 些，但是可以期待具有大致相同的作用與效果。第4實(shí)施方式接著，說(shuō)明本發(fā)明的第4實(shí)施方式。以下，上述實(shí)施方式和第4
實(shí)施方式共通之處說(shuō)明從略，只說(shuō)明第4實(shí)施方式與上述實(shí)施方式 的差異。在本實(shí)施方式中，如圖8所示，在第1外層用導(dǎo)體層23中，也 可沿著第1縱向側(cè)面12A的位置上，形成不與第1端子電極31連接 的第1外層用間隙圖形80。另外，在第2外層用導(dǎo)體層25中，也可 在沿著第2縱向側(cè)面12B的位置上，形成不與第2端子電極32連接 的第2外層用間隙圖形82。在形成第1外層用導(dǎo)體層23和第2外層用導(dǎo)體層25的工序中， 通常需要有這樣的工序?qū)⑵叫星覍?duì)稱地形成了多個(gè)第1外層用導(dǎo) 體層23和第2外層用導(dǎo)體層25的電極圖形的外層用電極片隔著生 片層疊后切斷。該疊層體切斷后，通過(guò)確認(rèn)是否在預(yù)定的位置配置 第1外層用間隙圖形80和第2外層用間隙圖形82，可以確認(rèn)各第1 外層用導(dǎo)體層23和第2外層用導(dǎo)體層25是否被正確地切出，并可 防止層疊偏移。在這樣的第4實(shí)施方式中，也可以收到與上述第1實(shí)施方式相同 的作用與效果。 第5實(shí)施方式接著，說(shuō)明本發(fā)明的第5實(shí)施方式。以下，第1-4實(shí)施方式和 第5實(shí)施方式共通之處的說(shuō)明從略，只說(shuō)明第5實(shí)施方式與上述實(shí) 施方式的差異。在本實(shí)施方式中，如圖9A-圖9D所示，X方向上的第1側(cè)面12A 和第2側(cè)面12B的寬度L0，小于Y方向上的第3側(cè)面12C和第4側(cè) 面12D的寬度W0。在這樣的情況下，也可以期待取得與第1實(shí)施方 式大致相同的作用與效果。再有，如圖9D所示，在笫1外層用導(dǎo)體層923中，可在沿著第 1側(cè)面12A的位置上，形成不與第1端子電極931連"l矣第1外層用 間隙圖形980。另外，在第2外層用導(dǎo)體層925中，可在沿著第2側(cè) 面12B的位置上，形成不與第2端子電極932連接第2外層用間隙 圖形982再有，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以作種 種改變。例如，在本發(fā)明的疊層電容器中，對(duì)內(nèi)層用導(dǎo)體層的疊層數(shù)沒(méi)有 特別限定，也可以設(shè)為數(shù)十或者數(shù)百。另外，在本發(fā)明中，第1間 隙圖形和第2間隙圖形不一定沿著縱向連續(xù)地形成，也可以斷續(xù)地 形成。在上述實(shí)施方式中，如圖2所示，電介質(zhì)基體12具有2個(gè)外層 部19a、 19b。該兩個(gè)外層部中，隔著內(nèi)層部17而與電路板15相對(duì) 的一側(cè)的外層部19a中沒(méi)有電流流動(dòng)。因而，由于外層部19a對(duì)于降 低ESL沒(méi)有貢獻(xiàn)，不是必需的。但是，通過(guò)電介質(zhì)基體12具有外層 部19a，使外層部19a和外層部19b處于夾著內(nèi)層部17而對(duì)稱的位 置。就是說(shuō)，電介質(zhì)基體12可以具有取得平衡的形狀。結(jié)果是，可 以防止電介質(zhì)基體12燒成時(shí)電介質(zhì)基體12變形。另外，電介質(zhì)基 體12通過(guò)具有外層部19a,即^f吏在使圖2的疊層電容器10相對(duì)于電 路板15上下反轉(zhuǎn)的情況下，也可起到疊層電容器10的作用。實(shí)施例接著，根據(jù)具體實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于這 些實(shí)施例。在該實(shí)施例中，使用阻抗分析器，從S參數(shù)換算為阻抗， 分別求出以下各電容器樣品的ESL。首先說(shuō)明各電容器樣品的內(nèi)容。用圖1所示的第1實(shí)施方式的雙 端子型疊層電容器作為樣品Exl 。另外，用除不具有外層部19a、 19b(第 1外層用導(dǎo)體層23、第2外層用導(dǎo)體層25)外，與樣品Exl同樣地制 造出來(lái)的電容器作為樣品Cexl，分別求出各樣品的ESL。然后，作為結(jié)果，測(cè)定各^F羊品的阻抗特性。其結(jié)果示于圖10。 經(jīng)確認(rèn)，如圖10的曲線圖所示，樣品Exl與樣品Cexl相比，阻抗 的最小值減小。另外，求出了 ESL時(shí)，樣品Exl的ESL為122pH， 樣品Cexl的ESL是140pH。就是說(shuō)確認(rèn)了，在本發(fā)明的實(shí)施方式的
樣品Exl中，ESL大幅度降低。再有，該ESL可以用公式2 7Tf廣l/V(ESL . C)求出，f。是固有共 振頻率，C是靜電電容。作為這里釆用的各試樣的尺寸，在圖4所示的尺寸中， L0=1.6mm, W0為0.8mm, Wl、 W3、 W4分別為0.25mm, W5為0.15 mm。內(nèi)層用導(dǎo)體層的疊層數(shù)合計(jì)為25層，靜電電容為0.1 ju F。
權(quán)利要求
1.一種疊層電容器，其特征在于，設(shè)有由多個(gè)電介質(zhì)層層疊而形成的大致呈長(zhǎng)方體形狀的電介質(zhì)基體；內(nèi)層部，在所述電介質(zhì)基體中，在層疊方向上使第1內(nèi)層用導(dǎo)體層和第2內(nèi)層用導(dǎo)體層相重復(fù)地隔著所述電介質(zhì)層交互層疊而成，形成電容器的內(nèi)部電極電路；外層部，在所述電介質(zhì)基體中，與所述第1內(nèi)層用導(dǎo)體層和所述第2內(nèi)層用導(dǎo)體層的層疊方向上的與所述內(nèi)層部的兩個(gè)端面中的至少一個(gè)相鄰，在層疊方向上使第1外層用導(dǎo)體層和第2外層用導(dǎo)體層隔著所述電介質(zhì)層不相重復(fù)地層疊而成；第1端子電極，在所述電介質(zhì)基體的側(cè)面，至少在平行于所述電介質(zhì)層的層疊方向的第1側(cè)面上形成，與所述第1內(nèi)層用導(dǎo)體層和所述第1外層用導(dǎo)體層連接；以及第2端子電極，在所述電介質(zhì)基體的側(cè)面，至少在與所述第1側(cè)面相反的第2側(cè)面上形成，與所述第2內(nèi)層用導(dǎo)體層和所述第2外層用導(dǎo)體層連接，所述第1端子電極，跨越在所述第1側(cè)面和與該第1側(cè)面相鄰且平行于所述電介質(zhì)層的所述層疊方向的第3和第4側(cè)面上而形成，所述第2端子電極，跨越在所述第2側(cè)面和與該第2側(cè)面相鄰且平行于所述電介質(zhì)層的所述層疊方向的所述第3和第4側(cè)面上而形成。
2. 權(quán)利要求l記載的疊層電容器，其特征在于，所述第1內(nèi)層用導(dǎo)體層具有第1引出部，該引出部跨越在所述電 介質(zhì)基體的所述第1側(cè)面和所述第3及第4側(cè)面上而引出，連接在 所述第1端子電極上；以及所述第2內(nèi)層用導(dǎo)體層具有第2引出部，該引出部跨越在所述電介質(zhì)基體的所述第2側(cè)面和所述第3及笫4側(cè)面上而引出的，連接 在所述第2端子電極上。
3. 權(quán)利要求1記載的疊層電容器，其特征在于，所述第1外層用導(dǎo)體層具有第3引出部，該引出部跨越在所述第 l側(cè)面和所述第3及第4側(cè)面上而引出，連接在所述第l端子電極上； 和所述第2外層用導(dǎo)體層具有笫4引出部，該引出部跨越在所述第 2側(cè)面和所述第3及第4側(cè)面上而引出，連接在所述第2端子電極上。
4. 權(quán)利要求3記載的疊層電容器，其特征在于，若設(shè)在所述第3和第4側(cè)面上，與所述電介質(zhì)層的所述層疊方 向垂直的方向上，所述第3引出部的寬度設(shè)為W3,在所述第3和笫4側(cè)面上，與所述電介質(zhì)層的所述層疊方向垂直 的方向上的所述第4引出部的寬度為W4，在所述第3和第4側(cè)面上，與所述電介質(zhì)層的所述層疊方向垂直 的方向上的所述第1端子電極的寬度為L(zhǎng)3，在所述第3和第4側(cè)面上，與所述電介質(zhì)層的所述層疊方向垂直 的方向上的所述第2端子電極的寬度為L(zhǎng)4，則有 W3〈L3，且W4〈L4。
5. 權(quán)利要求4記載的疊層電容器，其特征在于， 若設(shè)與所述電介質(zhì)層的所迷層疊方向垂直的方向上的所述第3和第4側(cè)面的寬度為W0，則有0.15《W3/W(K 0.45，且0.15《W4/W(K 0.45。
6. 權(quán)利要求1記載的疊層電容器，其特征在于，所述外層部具 有多個(gè)所述第1外層用導(dǎo)體層和所述第2外層用導(dǎo)體層。
7. 權(quán)利要求1記載的疊層電容器，其特征在于，在所述第1內(nèi) 層用導(dǎo)體層中，在沿著所述第1側(cè)面的位置上形成不與所迷第1端 子電極連接的第1間隙圖形。
8. 權(quán)利要求1記載的疊層電容器，其特征在于，在所述笫2內(nèi) 層用導(dǎo)體層中，在沿著所述第2側(cè)面的位置上，形成不與所述第2 端子電極連接的第2間隙圖形。
9. 權(quán)利要求1記載的疊層電容器，其特征在于，在所述第1外 層用導(dǎo)體層中，在沿著所述第1側(cè)面的位置上，形成不與所述第1 端子電極連接的第1外層用間隙圖形。
10. 權(quán)利要求1記載的疊層電容器，其特征在于，在所述第2外 層用導(dǎo)體層中，在沿著所述第2側(cè)面的位置上，形成不與所述第2 端子電極連接的第2外層用間隙圖形。
11. 權(quán)利要求1記載的疊層電容器，其特征在于，在與所述電介 質(zhì)層的所述層疊方向垂直的方向上的所述第1和第2側(cè)面的寬度， 大于在與所述電介質(zhì)層的所述層疊方向垂直的方向上的所述3和第4 側(cè)面的寬度。
全文摘要
疊層電容器(10)具有電介質(zhì)基體(12)，由多個(gè)電介質(zhì)層12a層疊而成；內(nèi)層部(17)，在電介質(zhì)基體中層疊方向上隔著電介質(zhì)層(12a)層疊第1內(nèi)層用導(dǎo)體層(21)和第2內(nèi)層用導(dǎo)體層(22)；外層部(19a，19b)，在電介質(zhì)基體中層疊方向上與內(nèi)層部(17)的兩個(gè)端面中至少任一個(gè)相鄰，在層疊方向上隔著電介質(zhì)層(12)層疊笫1外層用導(dǎo)體層(23)和笫2外層用導(dǎo)體層(25)；笫1端子電極(31)，至少在電介質(zhì)基體(12)側(cè)面中平行于層疊方向的第1側(cè)面上形成；第2端子電極(32)，至少在與第1側(cè)面相反的第2側(cè)面上形成。第1端子電極(31)跨越第1側(cè)面、與第1側(cè)面相鄰且平行于層疊方向的第3、4側(cè)面而形成，第2端子電極(32)跨越第2側(cè)面、與第2側(cè)面相鄰平行于層疊方向的第3、4側(cè)面而形成。
文檔編號(hào)H01G4/30GK101154503SQ20071018064
公開(kāi)日2008年4月2日 申請(qǐng)日期2007年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月29日
發(fā)明者富樫正明 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社