專利名稱：芯片承載帶及芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芯片承載帶；特定而言，本發(fā)明是一種可應(yīng)用于芯片封裝的 芯片承載帶。
背景技術(shù)：
目前已知的芯片承載帶主要可運用于半導(dǎo)體元件(例如芯片)的TCP (tape carrier package)或COF (chip on film)封裝。 一般常用的芯片承載帶主要由 一可撓性基材(例如聚酰亞胺(Polyimide， PI)基材)及一金屬傳導(dǎo)層(例如銅層) 所組合而成。目前于使用芯片承載帶的過程中，經(jīng)常可發(fā)現(xiàn)芯片承載帶產(chǎn)生翹曲現(xiàn) 象。此一現(xiàn)象主要肇因于芯片承載帶自身由不同材質(zhì)的復(fù)合結(jié)構(gòu)，不但屬軟性材質(zhì)， 且各層間的不同材質(zhì)存在不同的熱膨脹系數(shù)，于封裝制程中，因溫度的變化，產(chǎn)生 不同程度的膨脹收縮。
例如，參考圖l， 一現(xiàn)有具有聚酰亞胺基材11及銅層13的芯片承載帶1，由 高溫環(huán)境進(jìn)入低溫環(huán)境之后，因聚酰亞胺基材11及銅層13分別具有不同的熱膨脹 系數(shù)(銅層13的熱收縮程度大于聚酰亞胺基材11)，導(dǎo)致聚酰亞胺基材11及銅 層13的變形不一致。此一變形可能使芯片承載帶1產(chǎn)生非均勻變形，并將于聚酰 亞胺基材11及銅層13間產(chǎn)生剪應(yīng)力，而引起如圖1所示的翹曲現(xiàn)象。
此一翹曲現(xiàn)象將造成許多缺點。例如，于自動化裝設(shè)芯片于芯片承載帶上的 制程中，若芯片承載帶具有翹曲現(xiàn)象使其不平整，將引起裝設(shè)芯片時定位不準(zhǔn)確， 導(dǎo)致芯片無法正確地裝設(shè)于芯片承載帶上，甚至損壞芯片或自動化設(shè)備?；蛘?，已 裝設(shè)有芯片的芯片承載帶若具有翹曲，則不利于該芯片承載帶后續(xù)的應(yīng)用，例如已 裝設(shè)有芯片的芯片承載帶，于其外引腳與外部元件接合時，將因為翹曲現(xiàn)象而產(chǎn)生 對位困難、空焊或接合不完全等問題，進(jìn)而影響整體元件的可靠度。可靠度不足的 瑕疵品，將不被市場所接受。
由上述說明可知，于先前技術(shù)中，芯片承載帶經(jīng)常產(chǎn)生翹曲，此將導(dǎo)致芯片 承載帶不平整，進(jìn)而影響芯片承載帶的應(yīng)用。有鑒于此，提供一平整無翹曲的芯片承載帶，乃為此一業(yè)界所殷切期盼者。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的在于提供一種芯片承載帶，包含 一可撓性基材，具有一 第一表面，設(shè)有一第一凹陷結(jié)構(gòu)；及一第二表面，與該第一表面相對；以及一圖案 化傳導(dǎo)層，設(shè)置于該第二表面上。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包含 一可撓性基材，具有: 一第一表面，設(shè)有一第一凹陷結(jié)構(gòu)；及一第二表面，與該第一表面相對； 一圖案化 傳導(dǎo)層，設(shè)置于該第二表面上；以及一芯片，設(shè)置于該第二表面上，并與該圖案化 傳導(dǎo)層呈電性連接。
于芯片承載帶中設(shè)置凹陷結(jié)構(gòu)，將使芯片承載帶于該處因局部變?nèi)?，變形無 法連續(xù)，使可撓性基材整體累積變形量減少，或經(jīng)由局部凹洞釋放內(nèi)應(yīng)力，以有效 解決翹曲的現(xiàn)象。為讓本發(fā)明的上述目的、技術(shù)特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文 以較佳實施例配合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。


圖1現(xiàn)有具有翹曲現(xiàn)象的芯片承載帶的剖面示意圖2A本發(fā)明芯片承載帶的上視示意圖2B圖2A中AA'剖面線處的剖面示意圖2C第一凹陷結(jié)構(gòu)的上視示意圖； 圖3A本發(fā)明另一芯片承載帶的上視示意圖；以及
圖3B圖3A中BB'剖面線處的剖面示意圖。
主要元件符號說明
1、 2、 3芯片承載帶
ll聚酰亞胺基材
13銅層
21、 31 可撓性基材 211、 311第一表面 213、 313第二表面 23、 33 圖案化傳導(dǎo)層231、 331芯片接合部 233、 333外接腳部 235、 335導(dǎo)線部 25、 35 防焊層 27、 37 第一凹陷結(jié)構(gòu) 29芯片
41第二凹陷結(jié)構(gòu)
具體實施例方式
同時參考圖2A及2B，其中圖2A為本發(fā)明芯片承載帶2的上視示意圖，而圖 2B為圖2A中AA'剖面線處的剖面圖。本發(fā)明的芯片承載帶2包含一可撓性基材 21、 一圖案化傳導(dǎo)層23、以及一防焊層25?？蓳闲曰?1為一高分子基材，通常 為聚酰亞胺(Polyimide， PI)基材。可撓性基材21具有一第一表面211及與該第一 表面211相對的一第二表面213。其中，第一表面211上設(shè)有一第一凹陷結(jié)構(gòu)27。 當(dāng)芯片承載帶2由高溫環(huán)境進(jìn)入低溫環(huán)境之后(例如，烘烤后)，因可撓性基材 21及圖案化傳導(dǎo)層23分別具有不同的熱膨脹系數(shù)(例如金屬銅的熱收縮程度大于 聚酰亞胺)，將導(dǎo)致可撓性基材21及圖案化傳導(dǎo)層23的變形不均并使芯片承載帶 2產(chǎn)生非均勻變形。該非均勻變形將于可撓性基材21及圖案化傳導(dǎo)層23間產(chǎn)生剪 應(yīng)力，使芯片承載帶2產(chǎn)生翹曲現(xiàn)象。而該第一凹陷結(jié)構(gòu)27可使可撓性基材21 局部變?nèi)酰冃螣o法連續(xù)，使可撓性基材21整體累積變形量減少，可避免翹曲現(xiàn) 象的產(chǎn)生，以保持芯片承載帶2的平整。
圖2C所示為具有第一凹陷結(jié)構(gòu)27的芯片承載帶2第一表面211的上視示意 圖。第一凹陷結(jié)構(gòu)27的輪廓可依據(jù)避免產(chǎn)生翹曲現(xiàn)象的需求而決定。例如，若芯 片承載帶2產(chǎn)生縱向的翹曲現(xiàn)象，則可于芯片承載帶2第一表面211的橫向上，設(shè) 有包含至少一長條狀凹槽的第一凹陷結(jié)構(gòu)27，如圖2C。第一凹陷結(jié)構(gòu)27亦可包含 至少一凹洞或包含多個基本上平行設(shè)置的長條狀凹槽，甚至可藉由組合前述的各輪 廓或其他輪廓，使第一凹陷結(jié)構(gòu)27構(gòu)成一預(yù)設(shè)的圖案化輪廓。
圖案化傳導(dǎo)層23則設(shè)置于該第二表面213上。圖案化傳導(dǎo)層23常為一導(dǎo)電 金屬層，例如銅層。圖案化傳導(dǎo)層23主要使外部元件(圖未繪出)及芯片29之間 可相互傳遞信號。詳言之，圖案化傳導(dǎo)層23包含芯片接合部231、外接腳部233 以及導(dǎo)線部235。芯片接合部231用于與芯片29相接合，以使芯片29與圖案化傳導(dǎo)層23之間呈電性連接。外接腳部233用于與外部元件相接合，以使外部元件與 圖案化傳導(dǎo)層23之間呈電性連接。導(dǎo)線部235則包含多個條導(dǎo)線，其使外部元件 與芯片29間，得以經(jīng)由圖案化傳導(dǎo)層23的導(dǎo)線部235呈電性連接，并藉以傳遞信 號。
芯片29與圖案化傳導(dǎo)層23的芯片接合部231間的接合通常利用熱壓共晶接 合方式使其相接合。為保護(hù)圖案化傳導(dǎo)層23，尤其保護(hù)其導(dǎo)線部235，不遭受破壞 或污染，同時亦防止芯片29設(shè)置于不正確的地方，通常于部分圖案化傳導(dǎo)層23 上設(shè)置一防焊層(solder mask) 25。通常，除了圖案化傳導(dǎo)層23中欲與芯片29 電性連接的芯片接合部231及預(yù)留與外部元件接觸的外接腳部233夕卜，防焊層25 基本上至少覆蓋部分圖案化傳導(dǎo)層23的導(dǎo)線部235。
圖3A為本發(fā)明另一芯片承載帶3的上視示意圖，而圖3B揭示圖3A中BB'剖 面線處的剖面圖。類似圖2B的芯片承載帶2，圖3A的芯片承載帶3包含有一可撓 性基材31、 一圖案化傳導(dǎo)層33、以及一防焊層35。圖案化傳導(dǎo)層33包含芯片接 合部33K外接腳部333以及導(dǎo)線部335。 一芯片(圖未繪出)與圖案化傳導(dǎo)層33 呈電性連接?？蓳闲曰?1具有一第一表面311及與其相對的一第二表面313。 第一表面311上亦設(shè)有一第一凹陷結(jié)構(gòu)37。然而，為了更有效達(dá)成防止翹曲的目 的，可于芯片承載帶3的第二表面313上避開該導(dǎo)線部335 (即未設(shè)置導(dǎo)線部335 處)設(shè)置一第二凹陷結(jié)構(gòu)41。第二凹陷結(jié)構(gòu)41的輪廓亦可如前述圖2C的芯片承 載帶2的第一凹陷結(jié)構(gòu)27的輪廓，依需求包含至少一凹洞、至少一長條狀凹槽、 或包含多個基本上平行設(shè)置的長條狀凹槽。
綜上所述，本發(fā)明藉由于芯片承載帶的表面上形成凹陷結(jié)構(gòu)的手段，可有效 應(yīng)用于芯片承載帶，以達(dá)到上述的功效，實具產(chǎn)業(yè)利用價值。需說明者，本發(fā)明的 實施態(tài)樣中，均不限于圖式所示的內(nèi)容，尤其熟習(xí)相關(guān)技術(shù)一般技藝的人士參酌在 此揭露的技術(shù)內(nèi)容，當(dāng)能思及各式不同的實施樣態(tài)。例如，第一凹陷結(jié)構(gòu)的長條狀 凹槽基本上不限于圖式所示的筆直長條狀，亦可為曲線長條狀。以上的各實施態(tài)樣 及附圖中，與本發(fā)明無直接相關(guān)的元件已省略而未繪示，例如通常芯片承載帶的兩 相對側(cè)邊均設(shè)有多個傳動孔(sprocket holes),以便使芯片承載帶得以移動。
上述實施例僅為例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，以及闡釋本發(fā)明的技術(shù) 特征，而非用于限制本發(fā)明的保護(hù)范疇。任何熟悉本技術(shù)者的人士均可在不違背本 發(fā)明的技術(shù)原理及精神的情況下，可輕易完成的改變或均等性的安排均屬于本發(fā)明 所主張的范圍。因此，本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍應(yīng)如前述的權(quán)利要求書所列。
權(quán)利要求
1. 一種芯片承載帶，包含一可撓性基材，具有一第一表面，設(shè)有一第一凹陷結(jié)構(gòu)；及一第二表面，與該第一表面相對；以及一圖案化傳導(dǎo)層，設(shè)置于該第二表面上。
2. 如權(quán)利要求1的芯片承載帶，其中圖案化傳導(dǎo)層包含一芯片接合部、 一外 接腳部以及一導(dǎo)線部。
3. 如權(quán)利要求2的芯片承載帶，更包含一第二凹陷結(jié)構(gòu)，其設(shè)于部分該第二 表面上，且避開該導(dǎo)線部。
4. 如權(quán)利要求1的芯片承載帶，其中該第一凹陷結(jié)構(gòu)包含至少一長條狀凹槽。
5. 如權(quán)利要求1的芯片承載帶，其中該第一凹陷結(jié)構(gòu)包含多個基本上平行設(shè)置的長條狀凹槽。
6. 如權(quán)利要求3的芯片承載帶，其中該第二凹陷結(jié)構(gòu)包含至少一長條狀凹槽。
7. 如權(quán)利要求3的芯片承載帶，其中該第二凹陷結(jié)構(gòu)包含多個基本上平行設(shè) 置的長條狀凹槽。
8. 如權(quán)利要求1的芯片承載帶，其中該第一凹陷結(jié)構(gòu)構(gòu)成一預(yù)設(shè)的圖案化輪廓。
9. 一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包含-一可撓性基材，具有一第一表面，設(shè)有一第一凹陷結(jié)構(gòu)；及一第二表面，與該第一表面相對； 一圖案化傳導(dǎo)層，設(shè)置于該第二表面上；以及一芯片，設(shè)置于該第二表面上，并與該圖案化傳導(dǎo)層呈電性連接。
10. 如權(quán)利要求9的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該圖案化傳導(dǎo)層包含一芯片接合部、 一外接腳部以及一導(dǎo)線部。
11. 如權(quán)利要求10的芯片封裝結(jié)構(gòu)，更包含一第二凹陷結(jié)構(gòu)，其設(shè)于部分該 第二表面上，且避開該導(dǎo)線部。
全文摘要
一種芯片承載帶，包含一可撓性基材，具有一第一表面，設(shè)有一第一凹陷結(jié)構(gòu)；及一第二表面，與該第一表面相對；以及一圖案化傳導(dǎo)層，設(shè)置于該第二表面上。
文檔編號H01L23/48GK101425498SQ20071018499
公開日2009年5月6日 申請日期2007年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月30日
發(fā)明者劉宏信, 沈弘哲 申請人:南茂科技股份有限公司;百慕達(dá)南茂科技股份有限公司