專利名稱：：制備稀土永磁體材料的方法制^"稀土7J0^^t料的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
的耐熱R-Fe-B永磁體，且更特別地涉及t漆面積(S/V)至少6mm—'的小型尺寸或減小厚度的高性肖辦土7^茲^#料的制備方法。背景狄由于優(yōu)異的磁l"生能，以Nd-Fe-B體系為ft4的R-Fe-B7JUt體的應(yīng)用范圍日益增加。對(duì)于內(nèi)置磁體的S2/f戈電^S更備，包^i十^fe^目關(guān)的設(shè)備、石tt驅(qū)動(dòng)器、CD播放機(jī)、DVD播放才;i^移動(dòng)電話，不斷^"求重量和尺寸減小、^的性能并且節(jié)能。在這種情況下，R-Fe-B磁體，尤其是高性能的R-Fe-B皿磁體必須滿足小型尺寸和減小的厚度的要求。實(shí)際上，對(duì)小型尺寸或減小厚度的磁體的不斷需求已經(jīng)為一種》昧面積(S/V)超過(guò)6mi^的磁體本體所證明。為了將小型尺寸或薄型的R-Fe-B:^磁體加工成實(shí)用的形狀以便可以將其裝^f茲洛中，小型且皿塊形式的燒結(jié)磁體必須經(jīng)過(guò)機(jī)加工?？梢岳猛馊星懈顧C(jī)、內(nèi)刃切割機(jī)、浮^tibf幾、無(wú)心磨床、精^^幾等等進(jìn)^ta口工。然而，；0^斤周知當(dāng)通過(guò)^^T上i^幾器對(duì)R-Fe-B艇磁^i^f^a口工時(shí)，磁性也伴隨磁體本體尺寸的變小而劣化。這大4既是因?yàn)闄C(jī)加:Mt壞了》茲體表面的產(chǎn)生高矯頑力所必需的晶界表面結(jié)構(gòu)。通ii^t接近R-Fe-B皿磁體表面的矯頑力進(jìn)行研究，發(fā)明A^現(xiàn)當(dāng)通過(guò)仔細(xì)控制才;a口工i^l使才;ap工引起的殘余應(yīng)變的影響最小化時(shí)，枳加工的表面上的受影響層的平均厚度近似等于由晶粒尺寸分布曲線相對(duì)于面積分?jǐn)?shù)所決定的平均晶粒尺寸。jtt^卜，發(fā)明人##一種磁體材料，其中^f茲體制備過(guò)程期間，晶粒尺寸被控制在5mm或更小以減^P茲性的劣化(JP-A2004-281492)。事實(shí)上，即4組S/V超過(guò)6mnf1的微小磁片的',中，磁性的劣化也可以被抑制到15%或更小。然而，才;Oa工^^的進(jìn)步使得能夠生產(chǎn)S/V超過(guò)30mf1的磁體本體，這引起磁性的劣^^過(guò)15%的問(wèn)題。發(fā)明人ii^現(xiàn)一種通過(guò)僅^^化晶界相、并使其^^U。工的表面上擴(kuò)散以恢復(fù)表面顆粒的磁1"生來(lái)修整被機(jī)加工至小尺寸的燒結(jié)磁體本體的方法(JP-A2004-281493)。但是，當(dāng)磁體本體的S/V超過(guò)30mf1時(shí)，通itit種方'^f務(wù)整的磁體本體仍然具有絲蝕性差的問(wèn)題。制備用于粘結(jié)磁體的R-Fe-B磁#^#末的方法包括氬化-歧化-解吸-復(fù)合(HDDR)工藝。該HDDR工藝包括在氫U中的熱處理，以便在作為i^目的R2Fe14B^^物上引發(fā)歧^^分解成肌、Fe和Fe2B,并降f^li分壓以解氫化來(lái)引發(fā)復(fù)^^成最初的R2F^B^^。當(dāng)通過(guò)HDDR工藝制^^w^末時(shí)，該粉末由尺寸大約200納米的晶津ll誠(chéng)，該尺寸比燒結(jié)磁體的晶粒尺寸小一個(gè)數(shù)量^Ul更多，并iUL尺寸為150孩沐(S/V=40)的磁^#末中，存在于磁體表面的磁性劣化的顆粒至多只占1^、%。這時(shí)沒有，膽到磁l"生的明顯劣化。通過(guò)控制HDDR工藝中的歧^^復(fù)合反應(yīng)，可以在^#最初的R2Fe14B晶粒的晶^l向的同時(shí)實(shí)現(xiàn)晶粒細(xì)化。這時(shí)可以制備所謂的各向異'1^#末。與由熔體淬火工藝制備的各向同性的粉^目比，各向異性的粉末具有非常高磁性的優(yōu)勢(shì)。然而，由此制備的粘結(jié)磁^^有大約17至25MGOe的最大能量乘積，該值僅為皿萬(wàn)茲體的最大能量^P、的一半或更少。對(duì)R-Fe-B磁體來(lái)說(shuō)，加入鏑或鋱作為部分R用以提高耐熱性^0^斤周知的。該添加還可以提高內(nèi)稟矯頑力。然而，該HDDR工藝并不適用于^-定量鏑和鋱的那些*，因?yàn)殓C和鋱會(huì)抑制在氫氣中的歧4t^應(yīng)。因jtb^目當(dāng)大的意^Ji認(rèn)為難以制備具有良好;t'f沐耐熱性、并iU茲性不會(huì)劣化的R-Fe-B超細(xì)磁體本體。
發(fā)明內(nèi)容>^發(fā)明的目的;|^€^-種用于制備R-Fe-B各向異性:^^^^#，式的稀土7la茲^t料的方法，其中曾因才;^口工而劣化的磁性得以'l^1。對(duì)于剛機(jī)加工的;^磁體本體，本發(fā)明入發(fā)現(xiàn)通過(guò)^^^^表面上布置包含R2的^^匕物、R3的氟4匕物或R4的^IU^的^^末，在氳U中xt^^^^^^i行熱處理，然后在解氫化^A中進(jìn)行熱處理，其因才;U口工而劣化的磁性'I^1，并且其^^頑力M高。對(duì)于剛;^口工的;^磁體本體，本發(fā)明人ii^現(xiàn)通過(guò)在氫^A中對(duì)該^^體本^Mi行歧^^:理，并熱處理以引;tl合^，將包含R2的氧化物、113的氟化物或R4的氟氧化物的粉末布置xit^體表面，并在真空或惰性氣體中對(duì)其進(jìn)行熱處理，其因才;^口工而劣化的磁性'l^1，并且其矯頑力提高。第一方面，本發(fā)明提#-種用于制#710^^#料的方法，包^t。下步驟提供-賦式為R1,(Fe卜yCOy),mB從的各向異性的麟磁體本體，其中R'是選自包括4^p釔的稀土元素中的至少一種元素，M是選自鋁、銅、鋅、銦、硅、磷、硫、鈦、釩、鉻、錳、鎳、鎵、鍺，鋯、鈮、鉬、鈀，銀、鎘、錫，銻、鉿、鉭、和鵠中的至少一種元素，x、y、z和a表示原子百分比iL^如下范圍內(nèi)10<x<15,(Ky".4,3<z<15，和(Ka"l,所頓體本體包含R、Fe"B條物作為i^目；對(duì)磁體本^i^fW口工使t匕表面積達(dá)到至少6mm—1;在機(jī)加工的磁體本體表面上布置粉末，該粉末包含R2的氧化物、113的氟化物以及114的氟氧化物中的至少一種，其中R2、R3和R4的^-個(gè)是選自包括^p釔的稀土元素中的至少一種元素，并且該粉末的平均顆粒尺寸小于或等于100孩沐；對(duì)表面上布置有粉末的磁體本餘含氬氣的氣氛中，于600到1100'C的溫度下進(jìn)行熱處理，以引發(fā)R、Fe"B4t^的歧^^I;并在具有斷氐的氫^^壓的^中于600到1100。C的溫度下繼續(xù)進(jìn)行熱處理，以引JLJ_R、Fe』^^的復(fù)合M,從而將仏Fe"B化絲相細(xì)分成等于或小于l孩沐的晶粒尺寸，以實(shí)現(xiàn)吸微理，從而引起粉末中R2、R3和R4中的至少一^f皮吸^'J磁體本體中。第二方面，本發(fā)明提^^種用于制4^o^^Mt料的方法，包^^下步驟提供組成式為R\(Fe卜yCOy)脅mB旦的各向異性的麟^^體本體，其中！^是選自包括^K乙的稀土元素中的至少一種元素，M是選自鋁、銅、鋅、銦、硅、磷、疏、鈦、釩、鉻、錳、鎳、鎵、鍺、鋯、鈮、鉬、鈀、銀、鎘、錫、銻、鉿、4a^鵠中的至少一種元素，x，y、z和a表示原子百分iUE如下范圍內(nèi)l(Kx"5，(Ky<0.4，3""5，和(Ka"l，所頓體本體包括IHB^^作為i^目；將該磁體本^^^U口工至t逸面積至少為6mm、在含氫氣的U中于600到nOO'C的溫度下對(duì)該磁體本^it行熱處理，以引發(fā)R、FewB4^^的歧化反應(yīng)；在具有斷^IL氣分壓的^A中，于600到1100。C的溫度下繼續(xù)進(jìn)行熱處理，以引發(fā)至仏Fe"B^^的復(fù)合^1，從而將R、Fe"B^^相細(xì)分成等于或小于1孩沐的晶凈認(rèn)寸；^f茲^^^^表面上布置l^末，該^^末包含R2的氧寸匕物、R3的氟化物以及R4的氟氧化物中的至少一種，其中R2、R3和R4的^-"個(gè)是選自包括4^a釔的稀土元素中的至少一種元素，并且該粉末的平均顆粒尺寸小于或等于100微米；4^空中或在惰性氣體中對(duì)表面上布置有粉末的磁體本體進(jìn)行熱處理，該熱處理溫度等于或低于在具有斷氐氫氣分壓的^A中的所述熱處理的溫度，以用于吸,理，從而使粉末中的R2、R3和R4中的至少一^f皮吸酬磁體本體中。所述第第二方面的tt實(shí)施方案包括下列(i)該粉末布置^l^茲體本體表面的量對(duì)應(yīng)于徊E^體本體表面等于或小于lmm的磁體本體周圍空間中的平均填充因子至少為10，，、%。(ii)在包含112的氧化物、113的氟化物和ir的氟氧化物中至少一種的粉末中，R2、113或114含有至少10原子%的鏑和/或鋱，并且R2、113或114中#錯(cuò)的總^!低于R1中^^鐠的總M。(iii)該粉末包含至少40重*%的113的氟化物和/或R4的氟氧^^，^*包合逸自112的氧化物和115的碳化物、氮化物、氧化物、氬氧^^;SJL化物中的至少一種，其中R5為選自包括^p釔的稀土元素中的至少一種元素。(iv)該粉末包含R3的氟化物和/或R4的氟氧化物，并且吸M理使粉末中包含的缺及酬磁體本體中。在進(jìn)一步M的實(shí)施方案中，依照第一方面制備7Ja茲^H"料的方法可以單獨(dú)包^^口下步M包^^口下步驟的組合。(v)在布置步驟之前，用選自堿、酸和有才/li^劑中的至少一種試劑對(duì)機(jī)加工的磁體本^^i^f洗滌的步驟。(vi)在布置步驟之前，對(duì)機(jī)加工的磁體本^:#^砂處理步驟以除去表面受影響層。(vii)在熱處理之后，用選自堿、酸和有才;ii^劑中的至少一種試劑對(duì)才;Uw工的磁體本糾械涂的步驟。(viii)在熱處g)it^^^^^^t+^o工的步驟。(ix)在熱處理^、在熱處g的堿、酸或有才;L^劑洗滌^、或者在熱處3^的才;U口工步驟^，)ft》茲^^^^i^ft^LC或:^覆的步驟。在進(jìn)一步他選的實(shí)施方案中，依照第二方面制備7Jc^^t料的方法可以單獨(dú)包紛。下步Wil包紛。下步驟的組合。(x)^M^^i處理之前，用選自堿、酸和有才;i^劑中的至少一種試劑對(duì)W口工的磁體本M械涂的步驟。(xi)^/ft^I處理之前，對(duì)才M口工的磁體本^i^ft^砂處理步驟以去!^表面受影響層。(xii)在吸概理^，用選自堿、酸和用N^劑中的至少一種試劑對(duì)機(jī)加工的^^體本^i^fr冼滌的步驟。(xiii)在吸狄理^，對(duì)磁體本艦粉;^口工的步驟。(xiv)在吸員理^，在吸jjijtt理后的堿、酸或有;fc/li^劑進(jìn)行洗滌的步驟^，或在吸40t^^的^ap工步驟^，對(duì)磁體本^i^ft^t或涂覆的步驟。發(fā)明益處依據(jù)本發(fā)明，獲得了對(duì)應(yīng)的S/V為至少6m^的小型尺寸或薄^7lc^體，該7:K^體^J見出優(yōu)異的磁I"生和耐熱性，因?yàn)樗鼈兊脑虿乓还ざ踊拇判缘玫诫S。唯一的附圖，即圖l是顯示實(shí)施例中的熱處m程的圖解。M實(shí)施方式本發(fā)明針對(duì)于由R-Fe-B皿^^^^本體制^t熱的稀土7la茲^^料的方法，該1a茲^Mt料具有小型尺寸或減小的厚度并JU儀面積S/V至少為6mnT1，以防ih^茲性因/f茲體;^4^表面的積加工而劣4匕。本發(fā)明從RLFe-B麟磁體本體開始，該麟磁體本體可以通過(guò)包括破碎、細(xì)磨、成型和,的標(biāo)準(zhǔn)工序從母^r得到。這里所采J]的R和R'選自包括4^K乙的稀土元素。R主要用于成品磁體本體，而R'則主要用于船會(huì)材料。該母^r含有R1、鐵(Fe)和硼(B)。R'是選自包括^p釔的稀土元素中的至少一種元素，特別是選自鈧、釔、鑭、鈰、鐠、釹、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、鐿和镥，^#^占優(yōu)。^i^，包括^p釔的稀土元素占總M的10到15原子％，更^^占總*的11.5到15原子%。理想地，R含有至少10原子%,特別;|^少50原子%的^鐠。^i^，硼(B)占總M的3到15原子%，更^%占總^的5到8原子%。該^r可以進(jìn)一步含有選自鋁、銅、鋅、銦、硅、磷、硫、鈦、釩、鉻、錳、鎳、鎵、鍺、鋯、鈮、鉬、鈀、銀、鎘、錫、銻、鉿、4s^鴒中的一種或多種元素，短為q到ii原子%，特別是0.1到4原子%。襯由鐵(Fe)和偶然雜質(zhì)如C、N和0城。Fe^f:絲為至少50原子%，特別是至少65原子%。允"i^l^4失，M為0到40原子%,更M為0到20原子%的4失#皮鈷(Co)#^。母*的制^!。下在真空或惰性氣體U中，^Jl氣U中熔^Jt屬或^r原料，并且將熔體澆注到扁平鄉(xiāng)或鉸接式鄉(xiāng)中或進(jìn)行帶坯連鑄?？赡艿腲^方iU^斤謂的雙M工藝，包括單獨(dú)制##近于構(gòu)^目關(guān)^^^目的R2FeMB化^^a^的^r^在;^溫度下充當(dāng)、;^目助劑的富R合金，破碎，然后稱重并將它們混合。值得注意的是，必要時(shí)對(duì)該近于^目《M的^i行均勻化處理以便增加R2Fe14B^^相的量，因?yàn)椴臹^it期間的^HP:i4;l和^的纟賦可能留下cx-Fe。均勻化處理是在真空或在氬氣U中，于700-1200'C溫度下持續(xù)至少1小時(shí)的熱處理。可以向充當(dāng)斜目助劑的富R^r應(yīng)用所謂的熔體淬火技#前述的鑄造技術(shù)。破碎步驟利用布朗磨才咸氫^#碎，JL^于連鑄帶坯(stripcast)形式的^r優(yōu)i^jl用氬^^碎。然后噴射磨利用加壓氮?dú)饧?xì)^*1#。細(xì)旨磁場(chǎng)中取向的同時(shí)在壓力造型才;Ui成型。將生壓坯置于燒結(jié)爐中，在真空或惰性氣體M中，通常于900-1250。C溫度下，M于1000-1100。C溫度下對(duì)其進(jìn)行燒結(jié)。以這種方式，獲得燒結(jié)磁體本體或燒結(jié)塊。這是一種組成式為R\(Fei-yCoy),taB見的各向異f生的皿磁體本體,其中R1為選自包括4^p釔的稀土元素中的至少一種元素，M是選自鋁、銅、鋅、銦、硅、磷、硫、鈥、釩、鉻、錳、鎳、鎵、鍺、鋯、鈮、鉬、鈀、銀、鎘、錫、銻、鉿、4S^鵠中的至少一種元素，x、y、z和a表示原子百分比JL^如下范圍內(nèi)l(Kx<15，(Ky<0.4，3《z<;i5,和(Ka《11。值得注意的是，該^^體本體包含R、Fe』^^作為主相。該皿磁體本M燒結(jié)塊然后被機(jī)加工成實(shí)用形狀。所述機(jī)加工可以通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)技^it行。為了最小化機(jī)加工引起的殘余應(yīng)變的影響，在不斷氐生產(chǎn)率的范圍內(nèi)優(yōu)選盡可能低地設(shè)置機(jī)加工速度。具體地說(shuō)，機(jī)加工速度是0.l-20mm/min，更^t^A0.5-10mm/min。被除去的材#*是<錄終;^塊具有至少6ran4的比表面積S/V(表面積mm7^P、mm3)，M8rafi的t逸面積。雖然上P艮并不特別限定并且可以適當(dāng)進(jìn)行選擇，^Sif常為至多45mm-、特別是至多40mf1。如果向4;Uw工工具提^^7joHp劑或如果才;ao工表面在^ap工期間暴S^高溫下，則機(jī)加工表面上可能形成氧化層，該氧化層可能阻礙H^^體本體表面上的吸》1^^#^文。在這種情況下，用堿、酸和有才;i^劑中至少一種洗、^H亥磁體本M進(jìn)行噴砂處理來(lái)去BH亥氧^^,使得磁體本體準(zhǔn)4^用于氫中的熱處理。M可^jl的適宜的堿包括焦磷酸鉀、焦磷酸鈉、檸#^鉀、檸^^鈉、乙酸鉀、乙酸鈉、草酸鉀、草酸鈉等；適宜的酸包括鹽酸、硝酸、硫酸、乙酸、檸^^和酒石酸等等；JJt宜的有才A^劑包括丙酮、曱醇、乙醇、異丙醇等等。在洗滌步驟中，可以以具有不會(huì)侵^i^茲體本體的合il^度的水溶^JM吏用所述絲酸。第一方面，在將皿磁體本^^幾加工至H^面積S/V為至少6mr之后，將一種粉末布置在經(jīng)ii^口工的磁體本體表面上。該粉末包含R2的氧化物、R3的氟化物和R4的氟氧化物中的至少一種，其中R2、R3和R4的^—個(gè)都是選自包括4^p釔的稀土元素中的至少一種元素，并且該粉末具有等于或小于100孩沐的平均顆并立尺寸。值得注意的是，R2、R3和R'的說(shuō)明性例子與W相同，而R2、W和R4可以與W相同或不同。在包含W的氧化物、W的象/tt^和V的氟氧化物中的至少一種的粉末中，出于本發(fā)明的目的，R3、R4和R5的^-個(gè)^^包含至少10原子°/。，更M至少20原子y。，甚至更M40到100原子。/n的鏑和/或鋱，并且R2、R3或R4中釹和鐠的總濃度低于R1中釹和鐠的總濃度。在包含R2的氧^^、R3的IUt^和R4的象^lL化物中的至少一種的粉末中，對(duì)于R的有效吸收，伏選該粉末包括至少40重*%的W的氟化物和/或R'的氟氧化物，^*包*自R2的IU^^以及R5的^^4匕物、t/ft^、氧4t^、H^化物和氬化物中的至少一種，其中R5是選自包括^H乙的稀土元素中的至少一種元素。i^E使用的R2的氧4緣、W的氟化物和114的氟氧4緣分別典型是112203,R3F3和R4()F。它們通常是指含有R2和氧的氧化物，含有R3和氟的氟化物，以及含有R4、氧和氟的氟氧化物，包括R2()n、R3Fn—RUFn,其中III和II是任意正數(shù)，并且，只要能實(shí)現(xiàn)發(fā)明的益處，R2、R3或R4可以被另外的金屬元素替換或穩(wěn)定。有待布置^^^^表面的I^末^^有R2的氧^^、R3的IU⑩和r的ILIUt^或它們的混合物，且可選包M自R2至R4的氫氧化物、碳^^和氮化物中的至少一種，或其^^或復(fù)^。進(jìn)一步地，該粉末可以含有硼、氮化硼、硅、碳等的細(xì)粉，或有;M^^如石^旨酸以^^，粒的擴(kuò)M化學(xué)/物理吸收。為^^發(fā)明"其^，該^!^^^包含R2的IU匕物、113的氟^^和R4的^IU⑩或它們的混^^，其比例基于粉末的總重量為至少40重*%,更to為至少60重:B，更M至少80重:fy。以;^甚至100重*%。才娥本發(fā)明，下述的處理4狄自R2、W和R4的一種或多種元^^皮吸^'J磁體本體中。因?yàn)楫?dāng)磁體表面周圍空間中的填充因子越高時(shí)越多量的R2、R3或R4被吸收，因j^真充因子應(yīng)M為至少10、％，更皿至少40斜戰(zhàn)，以>^面至等于或小于1毫^巨離的磁體周圍空間中的平均值計(jì)算。填充因子的上限通常等于或小于95p、%，特別地等于或小于90鄉(xiāng)，然而并不特別限制。一種布置或施用粉末的典型技術(shù)是，將包*自112的氧化物、R3的IU緣和R4的氟氧化物中的一種或多種的細(xì)^^在水中或有才A^劑中形成漿料，將磁體本^^A該漿料，在熱空M真空中千絲在環(huán)嫂空氣中干燥。可絲，可以通過(guò)噴涂等施用該粉末。任何這樣的技術(shù)的特征在于容易實(shí)#大量處理。M而言，漿料中的粉末^l為l-90重:ty。，更M為5-70重*%。當(dāng)粉末中的R2、R3或R4組^i皮吸^!J磁體中時(shí)，細(xì)粉的^^立尺寸^^響反應(yīng)性。較小的顆粒使MM的接觸面積更大。為^^發(fā)明ii^其絲，布置于磁體周圍的粉末的平均顆粒尺寸理想應(yīng)該小于或等于100微米，優(yōu)選小于或等于IO微米。顆粒尺寸的下限M大于或等于1納米，更^i^大于或等于10納米然而并不特別限制。需注意的是，平均顆粒尺寸是以通過(guò)^f汴射法進(jìn)行的顆粒尺寸分布測(cè)量的重均直徑Ds。來(lái)測(cè)定(累積重量為50%時(shí)的顆粒直徑，或中值直徑)。在包含R2的氧化物、113的氟化物和R4的氟氧化物或其濕^的粉末被布置^F茲體本體表面上之后，按照如下所述的^^Iii行HDDR處理。在含氫氣的U中，于600-1100'C溫度下對(duì)表面上布置有粉末的枳加:Ut體本^ii行熱處理以引發(fā)^目R、Fe"B^^的歧^^，^在具有I^f氐氫氣分壓的氣氛中，于600-IIOO'C溫度下進(jìn)行熱處理以引發(fā)至R^Fe』化合物的復(fù)合反應(yīng)，從而將R'2Fe"B化^相細(xì)分成小于或等于l微米的晶招叉寸，以進(jìn)#^及>|伙理，從而使粉末中包^！R2、113和R4中的至少一^H皮吸J]U'J磁體本體中。下面對(duì)這些處^ii行^詳細(xì)的描述。對(duì)于歧^^處理，通常將磁體本體放置到爐中，然后開始加熱。由室溫加熱到300'C時(shí)，氣氛^A真空或惰性氣體如氬氣。如^t匕溫度范圍內(nèi)^A包含氳，則t^子可育^^內(nèi)入R、Fe"B化^的的晶R間，由jtbf吏磁體本體^、膨脹并因jH^^。在^300'C至處理溫度的范圍內(nèi)(600-1100。C，tt700-1000°C),^i^t氬分壓小于或等于100kPa的大氣中繼續(xù)加熱，然而氫氣分壓M于磁體本體的《M和加熱速率。加熱速^i^為1-20°C/min。壓力的P艮^A4于以下原因。如絲IL^壓超過(guò)100kPa下進(jìn)行加熱，則徊口熱步驟中(在600-700。C,然而M于磁體組成)會(huì)^jtR、Fe』化合物的分解反應(yīng)，使得已分解的組織徊口熱過(guò)程中可能生長(zhǎng)^^且大的球形，這可能使得纟iU只無(wú)法通itl5i^在解氬^^:理期間復(fù)合成R^Fe』^^而變?yōu)楦飨虍愋浴Ｒ籢iiJiJ處理溫度，將氬分壓提高到100kPa或更高(然而取決于磁體組成)。在這些務(wù)fr下，磁體本體^^##10分鐘到10小時(shí)，更M20^!中到8小時(shí)，甚至更to30^4中至5小時(shí)，以引發(fā)R、Fe"B^^的歧化^。通過(guò)該歧^^1,R、Fe"B^^^i^^解成R1112、Fe和Fe3。^#時(shí)間的限^14于如下原因。如^t理時(shí)間少于10分鐘,歧m^應(yīng)可^iL法充^^行，而且除分解產(chǎn)物R化，oc-Fe和Fe2B"卜，還留下^A應(yīng)的R、Fe』化合物。如里抽.Ak田"li沐2bJJAAAflrl"幼r娃,W"5T6!inl"JT"5T,'故各AA條乂l/工rtJ^d"'lk店P(guān)fl^T^/f、；y>t<3^)"gwr人p人nvh.j"p^5waa'i工、fjcil4^引、j(ei^ijH'j平vii"Ui'iV77-ITJowjJ<l/SV/r、j4呆持時(shí)間不少于10^4中并且不多于10小時(shí)。更^^##時(shí)間為30^4中至5小時(shí)。優(yōu)#等溫處理期間逐步增加氬分壓。如果氫分壓驟然升高，會(huì)發(fā)生劇烈的AJI致^^解的組織變得不均勻。這可肯化隨后的解氬化處理過(guò)程中復(fù)合成R2'Fe"B時(shí)產(chǎn)生不均勻的晶粒尺寸，導(dǎo)致矯頑力或矩形比的下降。該氫分壓等于或大于如前所述的100kPa，優(yōu)選100-200kPa，更優(yōu)選150-200kPa。氫分壓逐步增加至最終值。在氫分壓徊口熱步驟期間保持為20kPa并增加至最,100kPa的實(shí)例中，才,口下M^線步提高氬分壓溫度時(shí)至1緣時(shí)間的最初30%的時(shí)間段內(nèi)，將氬分壓i^^在50kPa。歧"f^jl處理^;0^合^處理。處理溫度與歧4t^I處理的溫度相同。處理時(shí)間M10分鐘至10小時(shí)，更M20^4中至8小時(shí)，甚至更M30分鐘至5小時(shí)。復(fù)合^在具有斷^JL^^壓的U中進(jìn)行，她氬^^壓為lkPa至10，a，更MlOPa至l(TPa，然而精確的氫氣分壓M于^^且成。在復(fù)合a處理之后，可以以大約-1至-20。C/分鐘的速度將磁體本^H卩至室溫。在本發(fā)明的第二方面，一旦將各向異f生的麟磁體本^Wr。工至H^面積為至少6mf1,就對(duì)才;^口工的磁體本^ii行HDDR處理，其中在氫氣中對(duì)磁體本體進(jìn)行熱處理，然后進(jìn)^^iUliJt理，其中在將包含R2的氧化物、R3的氟化物和R4的氟氧化物或它們的混合物(其中R2、R3、R4選自包括^p釔的稀土元素)、并且具有等于或小于100孩沐的平均顆粒尺寸的粉末布置^^體本體表面時(shí)，對(duì)磁體本M行熱處理。HDDR處理如上所述。首先進(jìn)4亍J^R^處理，然后進(jìn)4亍復(fù)"^^處理。在赫的吸4狄理中，所用粉末的類型和量以;s^^^用技術(shù)如前所述。當(dāng)在真空或惰性氣體氣氛中(如氬或氦)、在等于或低于磁體本體的燒結(jié)溫度的溫度下下對(duì)表面上布置有粉末的磁體本^ii行熱處理一吸4伙理一時(shí)，熱處理溫度(吸,理溫度)應(yīng)該等于或低于其中氬被#^^具有斷氐氬壓力的^中的復(fù)合a處理的溫度，所it^末包含R2的氧^^、R3的氟^^7和R4的i^化物中的至少一種。吸^Ut理溫度的P艮制是由如下原因。如^高于解氫化熱處理溫度的溫度(表示為T。R,。C)下進(jìn)行處理，會(huì)出現(xiàn)下列問(wèn)題(1)晶粒長(zhǎng)大，從而無(wú)法提R(R2到R4)的擴(kuò)^t可育誠(chéng)itf茲體中的晶^nUtA^茲體晶粒內(nèi)部，導(dǎo)致剩磁的剮氐。因jtl^h理溫度應(yīng)該等于或低于TVC，且M等于或低于(T。f10)'C?？梢赃m當(dāng)選#^顯度的下限，to^少260。C，更^i^少310。C。吸》1伙理的時(shí)間是1^4中至10小時(shí)。在少于1^4中內(nèi)吸j1狄理不完全，而多于10小時(shí)會(huì)引^^磁體自身組織改變以及不可避免的組分氧^^蒸發(fā)等有害影響磁性的問(wèn)題。更優(yōu)選的處理時(shí)間是5分鐘至8小時(shí)，特別是10分鐘到6小時(shí)。通過(guò)吸^理，磁體表面上的粉末中含有的11^^茲體本體的晶，擴(kuò)#集中，使得R替換i^A^目R、Fe"B化合物晶粒的4面層，主要在果復(fù)小于或等于約l孩沐的區(qū)域中。當(dāng)粉末含有氟時(shí)，一^分氟與11""^被吸^，磁體中，^E^違了^M^末的R供^p磁體中晶界處R的擴(kuò)散。R的氧^^、R的lUt^和R的氟氧化物中包含的稀土元素是選自包括^K乙的稀土元素中的一種或多種元素。由于當(dāng)集中在亞表面層中時(shí)在提高磁晶各向異性方面最為有效的元素是鏑和鋱，因jW^包含^^末中的稀i^L素含有至少10原于/。的鏑和/或鋱，更^20原子%。進(jìn)一步^it鏑和/或鋱的比例是至少50原子yn，甚至是100原子％。由于吸J^理，晶粒已經(jīng)通過(guò)氬氣中的熱處理得到細(xì)分的R-Fe-B皿磁體的矯頑力得到了有效提高。在吸録理中，將磁體M在容器中并用粉^A，使磁體##分離，以防ib^^高溫下的吸員理^熔合在^。另夕卜，在熱處理^，粉末并不^^到磁體上。ii^許將大量磁體》ti:在容器中進(jìn)行處理，it4明本發(fā)明的制備方法在生產(chǎn)率方面M到了改良。如果需要，在吸^M:理之后，可以用水或有才;i^劑洗滌磁體本體以去除沉積v^f茲體^^^表面的^^末。應(yīng)注意，在第一實(shí)施方案中在##末布置^^體本體表面上之前，或者在第二實(shí)施方案中的歧化A^處理之前，可以用選自堿、酸和有4;ii^劑中的至少一種試劑對(duì)剛才;ao工成預(yù)定形狀的磁體本^i^亍冼滌，或ii^frt砂、處理以^更從磁體本體除去ii^面層。在第一實(shí)施方案中的熱處理之后，或在第二實(shí)施方案中的吸員理之后，可以用選自堿、酸和有才;ii^劑中的至少一種試劑洗滌才;a口工的磁體，或再次進(jìn)43幾加工。作為選擇，可以在吸j^理之后、在洗^^驟之后、或在第二次機(jī)加工步驟^進(jìn)行電鍍或糾涂覆。在洗滌步驟中^JU的堿、酸和有才Ai^劑如前所述?？梢酝╥^示準(zhǔn)4i^Ji行上述的洗滌、噴砂、才;Ur。工、4fea和涂覆步驟。本發(fā)明的'J、型尺寸或薄^fe^1c^^"有高的耐熱性能，并且不會(huì)^A磁性的劣化。實(shí)施例下面給出實(shí)施例和比較例用以進(jìn)一步解釋本發(fā)明，然而本發(fā)明并不局限于此。在實(shí)施例中，磁體表面周圍空間中粉末(例如氟化鏑)的填充因子是由粉末;^pv^磁體的尺寸變^^重量增加、以;sj^^t料的真密度計(jì)M到的。麟磁體本體的平均晶粒尺寸是通過(guò)如下方式確定的^^#塊切下一塊樣品，平行于取向方向?qū)悠繁砻孢M(jìn)行鏡面拋光，然后將樣品浸入室溫下的硝^/鹽^/甘油液體中3分鐘以進(jìn)行刻蝕，然后在光學(xué)顯微鏡下4甜聶該樣品的顯孩總、片，B進(jìn)行圖像分析。圖像分析包拾測(cè)量500到2500個(gè)晶粒的面機(jī)計(jì)算等效圓的直徑，將這些直;^t以面積分l^^標(biāo)的直方圖中繪出，然后計(jì)算平均值。4緣本發(fā)明的經(jīng)過(guò)HDDR處理的磁體本體的平均晶豐認(rèn)寸是通#掃描電子顯微鏡下，JIS^體的斷面并分析二次電子像來(lái)確定的。對(duì)于圖像分析使用截線法。實(shí)施例1和tb^例1通過(guò)如下方法制備薄板形妙利用^L^少為99重*%的釹、鐵、鈷和45^屬以及鐵硼，稱^l預(yù)定量的上述物質(zhì)，將它們?cè)跉錟中高頻熔融，然后將熔體澆注到銅單^P輥上(帶坯連4^支術(shù))。該合金由12.5原子%的釹、1.0原子%的4古、1.0原子°/的鋁、5.9原子。/。的硼和^i:的^^L^。將其4^名為合金A。通過(guò)所謂的氫^^^^MM^金A才;ap工成小于30目的扭除，所述氫^##^支術(shù)包括#^氬化，以;M^f腔室抽真空的同時(shí)加熱至500。c以部分解氬化。單獨(dú)地，如下制^^:利用純肚少為99重*%的釹、鏑、鐵、鈷、鋁和銅金屬以及鐵硼，稱取預(yù)定量的上述物質(zhì)，將它們?cè)跉鍤鈿夥罩懈哳l熔融，然后將熔體澆注在禱型中。該合金由20原子。/。的釹、10原子%的鏑、24原子%的鐵、1原子%的鋁、6原子%的硼、2原子%的銅和余量的鈷組成。將其命名為合金B(yǎng)。在氮U中用布朗磨;Nf^B破碎至小于30目的尺寸。隨后，以90重:f/。和10重l^的量稱^^合全A和B的粉末，并在氮?dú)獗Ｗo(hù)的V型濕合機(jī)中濕合30分鐘。在利用加壓氮?dú)獾膰娚淠ド?，將該?^粉末細(xì)分^t量基中值直徑為4微米的粉末。在氮U下在15kOe的磁場(chǎng)中對(duì)該細(xì)粉進(jìn)行取向，并在大約1p屯/cm2的壓力下成型。然后將該生壓^tA具有氬氣氣氛的燒結(jié)爐，在1060'C的溫度下在該燒結(jié)爐中燒結(jié)2小時(shí)，得到10咖x20mmx15mm厚的燒結(jié)塊。該燒結(jié)塊的平均晶粒尺寸為5.1微米。利用內(nèi)刃切割機(jī),在所有表面上將該艦塊才/l^口工成》b^面積S/V為22fflm—1的預(yù)^X寸的長(zhǎng)方體。用堿'I^^液、去離子水、酸和去離子7j^目繼洗滌剛才;Oa工的麟體，然后干燥。然后，將平均^!i尺寸為5孩沐的氟^l離以50%的重量^^數(shù)與乙醇^^，將磁體本^^^^其中1^4中并;^口超聲波。將磁體本#出并立即用熱空氣干燥。此時(shí)，！U彌粉末占據(jù)了多g^體表面平均距離為13孩沐的空間，且IU^^f茲體表面周圍空間中的填充因子為45P、°/。才M居圖1所示的規(guī)3呈，對(duì)粉^a蓋的;^磁體本^ii行HDDR處理(歧^^應(yīng)處理和復(fù)^^^I處理)，用乙醇i^f^^聲波洗'M干燥，制4f4^發(fā)明范圍內(nèi)的磁體本體。將其4^名為^^體本體M1，且平均晶粒尺寸為0.25孩沐。出于對(duì)比目的，對(duì)沒有粉^tA的,磁體本^ii行HDDR處理，制得磁體本體P1。測(cè)量磁體本體M1和P1的磁性，結(jié)果如表l所示。本發(fā)明的處理工序有助于^H貞力H。;提高400kAnf1。實(shí)施例2和比^^'J2利用與實(shí)施例1中相同的《賦和工序，制備10咖x20mmx15咖厚的麟塊。利用內(nèi)刃切割才幾，將,塊才;U口工成》b4面積S/V為24mm—!的預(yù)^X寸的長(zhǎng)方體。用堿瞎液、去離子水、酸和去離子7j^目繼洗滌剛才;Op工的艦體，然后干燥。然后，將平均^^立尺寸為1孩沐的氧化鏑、平均顆粒尺寸為5孩沐的氟化鏑和乙醇以25°/。、25%和50%的重量分?jǐn)?shù)混合，將磁體本^^A其中1分鐘并施加超聲波。將磁體本^^出并立即用熱空氣干燥。此時(shí)，氧4彌和氟4彌占據(jù)了3E^體表面平均距離為16孩沐的空間，并且填充因子為50pX才艮悟圖1所示的規(guī)^E，對(duì)粉^t^的皿磁體本^it行HDDR處理，用乙醇進(jìn)4諫聲波洗:M"f燥，制得本發(fā)明范圍內(nèi)的磁體本體。將其命名為磁體本體M2,且平均晶粒尺寸為0.23孩沐。出于對(duì)比目的，對(duì)沒有粉^a蓋的皿磁體本^ii行HDDR處理，制得磁體本體P2。測(cè)量磁體本體M2和P2的磁性，結(jié)果如表l所示，本發(fā)明的處理工序有助于將矯頑力H。;提高350kAm一1。實(shí)施例3和tbl^例3通過(guò)如下方式來(lái)制備薄板形M:利用^至少為99重*%的釹、鈷、鋁、鐵、和4i^r屬以及鐵硼，稱承預(yù)定量的上述物質(zhì)，將它們?cè)跉錟中高頻熔融,然后將熔體澆注到銅單^H卩Wi(帶坯i^^^MO。該^r由14.5原子%的釹、1.0原子%的鈷、0.5原子°/。的鋁、0.2原^%的銅、5.9原子%的硼和余量的4燭成。通it^斤謂的氫/fW^^MMf該^^加工成小于30目的扭盼，所述氳^^>^支術(shù)包括#^氬4沐^^腔室抽真空的同時(shí)加熱至500。C以部分解氬化。在^D加壓氮?dú)獾膰娚淠ド?，將凈Ji^分^t量基中值直徑為4微米的粉末。在15kOe的磁場(chǎng)下并在氮?dú)夥罩袑?duì)該細(xì)#^行取向并于大約1p屯/cm2的壓力下對(duì)其進(jìn)行成型。然后將生壓^tA具有氬U的燒結(jié)爐，在1060'C的溫度下在該燒結(jié)爐中燒結(jié)2小時(shí)，得到10咖x20咖x15咖厚的燒結(jié)塊。該燒結(jié)塊的平均晶粒尺寸為4.8孩沐。利用內(nèi)刃切割才賄麟塊才;U口工成tb4面積S/V為36mm4的預(yù);t^寸的長(zhǎng)方體。用堿性i^液、去離子水、酸和去離子7j^目繼洗滌剛積加工的燒結(jié)體，然后干燥。然后，將平均顆粒尺寸為5橫沐的IUm以50°/。的重量分?jǐn)?shù)與乙醇混合，將磁體本^^A其中1^^中并^口超聲波。將》茲體本#出并立即用熱空氣干燥。此時(shí)，氟^l戈占據(jù)了i^茲體表面平均距離為10孩沐的空間，并且填充因子為45棘%。根據(jù)圖1所示的規(guī)牙呈，對(duì)粉^t^的燒結(jié)磁體本^ii行HDDR處理，用乙醇進(jìn)行超聲波洗、絲干燥，制得本發(fā)明范圍內(nèi)的磁體本體。將其命名為磁體本體M3,且平均晶津iX寸為0.24孩沐。出于對(duì)比目的，對(duì)沒有粉^^的皿磁體本^Mi行HDDR處理，制得磁體本體P3。測(cè)量磁體本體M3和P3的磁I"生，結(jié)果如表l所示。本發(fā)明的處理方法有助于將矯頑力H。j提高700kAnf1。實(shí)施例4將實(shí)施例3中的磁體本體M3相繼用堿I";ii^液、去離子水、酸和去離子7Kiifr洗滌，并且干燥。將其命名為磁體本體M4。磁體本體M4的磁性如表1所示?？梢钥闯觯礄M在HDDR處理^進(jìn)^"冼、;^#驟，該^m體本體仍^E見出高的^m性。實(shí)施例5和6利用與實(shí)施例3中相同的^L^工序，制備10咖x20mmx1S咖厚的麟塊。利用外刃切割機(jī)，將総塊^口工成H^面積S/V為6mm—'的預(yù)狄寸的長(zhǎng)方體。用堿^i^液、去離子水、酸和去離子7j^目繼洗滌剛一工的)^體，然后干燥。然后，將平均^^立尺寸為5的氟^^以50%的重量分?jǐn)?shù)與乙醇混合，將磁體本^^A其中1》嘴并^口超聲波。將^^體本^C出并立即用熱空氣干燥。此時(shí)，！Um^末占據(jù)了iE^體表面平均距離為13孩沐的空間，并且填充因子為45K%。根提圖1所示的規(guī)^呈，對(duì)粉^^的皿磁體本^ii行HDDR處理，用乙醇進(jìn)行超聲波洗滌并干燥。利用內(nèi)刃切割機(jī)將燒結(jié)^fe/U加工成比表面積S/V為36mm—'的預(yù)^A寸的長(zhǎng)方體。所^^本發(fā)明范圍內(nèi)的f茲^^^體，被命名為磁體本體M5，平均晶粒尺寸為0.28孩沐。對(duì)該磁體本^ii行化學(xué)鍍銅/鎳，得到本發(fā)明范圍內(nèi)的磁體本體M6。測(cè)量磁體本體M5和M6的磁性，結(jié)果如表1所示。相對(duì)于在HDDR處理之前被機(jī)加工成比表面積S/V為36mnf1的超小形狀的磁體本體M3來(lái)說(shuō)，在HDDR處理^進(jìn)^^U口工^i一步艦的磁體本體^J見出相當(dāng)?shù)拇判?。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>實(shí)施例7和tbl^例4如同實(shí)施例l，制備10咖x20ranx15咖厚的麟塊，所it^塊的平均晶津iX寸為5.2孩沐。利用內(nèi)刃切割攤所有表面上將麟塊麵工成tb^面積S/V為22nra^的預(yù)狄寸的長(zhǎng)方體。用堿膝液、去離子水、酸和去離子7j^目繼洗滌剛機(jī)加工的皿體，然后干燥。才條圖1所示的規(guī)^呈，對(duì)皿磁體本^it行HDDR處理(歧^^處理和復(fù)合A^處理)。用乙醇對(duì)其進(jìn)^^聲波洗、^Hf燥，制得^^本體P4。然后，將平均^*^寸為5賴沐的氟化鏑以50%的重量分?jǐn)?shù)與乙醇混合，將磁體本^^A其中1^#并口超聲波。將磁體本體取出并立即用熱空氣干燥。此時(shí)，氟^^離粉末占據(jù)了iEE^體表面平均距離為15絲的空間，并且填充因子為451將^^有粉末的磁體本#氬氣^中于840'C下加熱1小時(shí)進(jìn)^^)伙理。用乙醇對(duì)其進(jìn)^^聲波洗;^H"燥，制得磁體本體，將其命名為^^體本體M7，平均晶粒尺寸為0.45孩沐。測(cè)量磁體本體M7和P4的磁I"生，結(jié)果如表2所示。本發(fā)明的處理工序有助于#^頑力IL提高350kAm—、實(shí)施例8和比較例5如同實(shí)施例l,制備10咖x20mmx15咖厚的麟塊。利用內(nèi)刃切割機(jī)，在所有表面上將該皿塊機(jī)加工成tb^面積S/V為24咖—1的預(yù)定尺寸的長(zhǎng)方體。用堿f錄液、去離子水、酸和去離子7M目繼洗滌剛才;^口工的麟體，然后干泉根據(jù)圖1所示的規(guī)^呈，對(duì)該燒結(jié)磁體本^i^行HDDR處理(歧i'^^處^復(fù)合^JI處理)，用乙醇對(duì)其進(jìn)行超聲波洗^H"燥，制得磁體本體P5。然后，將平均顆粒尺寸為1孩沐的氧化鏑、平均顆豐1^寸為5孩沐的氟化鏑和乙醇分別以25%、25%和50%的重量分?jǐn)?shù)混合，將磁體本^^^其中1壬4中并口超聲波。將磁體本棘出并立即用熱空氣干燥。此時(shí)，氧4彌和IU彌占據(jù)了3&7茲體表面平均距離為15孩沐的的空間，并且填充因子為50^P、。/。。將^A有粉末的磁體本體在氬氣氣氛中于840'C下加熱1小時(shí)進(jìn)"ft^及jj線理。用乙醇對(duì)其進(jìn)^^聲波洗:^p燥，制得磁體本體，將其命名為磁體本體M8，平均晶粒尺寸為0.52孩Mt。測(cè)量磁體本體M8和P5的磁性，結(jié)果如表2所示。本發(fā)明的處理工序有助于#^頑力H。:提高300kAm—1。實(shí)施例9和》b41例6依據(jù)圖1所示的規(guī)^呈，對(duì)實(shí)施例3中的,磁體本^ii行HDDR處理。然后用乙醇進(jìn)^^聲波洗:^HP燥，制得磁體本體P6。然后，辨均^^立尺寸為5孩沐的IUm^乙醇以50°/的重量分?jǐn)?shù)^給，將磁體本^l^A其中1^4中并^口超聲波。將磁體本^出并立即用熱空氣千燥。此時(shí)，氟^^^末占據(jù)了i^茲體表面平均距離為10孩沐的空間，并且填充因子為45^Pl將^^有粉末的磁體本^氬氣^A中于840'C下加熱1小時(shí)進(jìn)^^U伙理。用乙醇進(jìn)4械聲波洗、^PP燥，制得磁體本體，將其命名為磁體本體M9，平均晶豐i^寸為0.43耀米。測(cè)量磁體本體M9和P6的磁性，結(jié)果如表2所示。本發(fā)明的處理工序有助于將矯頑力H。,提高650kAnf1。實(shí)施例10用堿hfc^液、去離子水、酸和去離子7M目繼洗涂實(shí)施例9中的磁體本體M9，并且干燥。將得到的雖本發(fā)明范圍內(nèi)的磁體本體命名為Ml0。磁體本體M10的磁性如表2所示?？梢钥闯觯碸^熱處理^進(jìn)fr冼滌步驟時(shí)，該f茲體本體仍^J見出高^(guò)^性。實(shí)施例11和12利用與實(shí)施例9相同的《賦和工序，制備1Ommx2Ommx15咖厚的麟塊。利用外刃切割^^所有表面上將;^#塊機(jī)加工成比表面積S/V為6nmf1的預(yù)a寸的長(zhǎng)方體。用堿fii^液、去離子水、酸和去離子7j^目繼洗^H亥剛才;Oo工的艦體，然后干燥。才艮提圖1所示M^呈，對(duì)該皿》茲^L本^i^f亍HDDR處理，然后用乙醇進(jìn)械聲波洗^p燥，制得磁體本體。然后，將平均^^立尺寸為5橫沐的li/fm以50%的重量分?jǐn)?shù)與乙醇濕合，將磁體本^^A其中約l分鐘并口超聲波。將>^體本#出并立即用熱空氣干燥。此時(shí)，氟4m^末占據(jù)了ilE^^表面平均距離為10孩沐的空間，并且填充因子為45P、1將;t^有粉末的磁體本^fe氬氣^A中于840。C下加熱1小時(shí)進(jìn)^^li^t理。用乙醇進(jìn)4f^聲波洗:M"干燥，制得磁體本體。利用內(nèi)刃切割機(jī)，將麟塊^^工成》b^面積S/V為36mnf1的預(yù)狄寸的長(zhǎng)方體。得到本發(fā)明范圍內(nèi)的》茲體本體，將其命名為Mll,平均晶粒尺寸為0.47微表。對(duì)該磁體本^it行化學(xué)鍍銅/鎳，得到本發(fā)明范圍內(nèi)的磁體本體Ml2。測(cè)量磁體本體M11和M12的磁性，結(jié)果如表2所示。相對(duì)于在熱處理之前被機(jī)加工成tb4面積S/V為36mi^的超小形狀磁體本體M9，該在HDDR處理^進(jìn);ft^a口工并進(jìn)一步,的得到的^本體^JE見出相當(dāng)?shù)拇判浴１?<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>權(quán)利要求1、一種用于制備永磁體材料的方法，包括步驟提供組成式為R1x(Fe1-yCoy)100-x-z-aBzMa的各向異性的燒結(jié)磁體本體，其中R1是選自包括鈧和釔的稀土元素中的至少一種元素，M是選自鋁、銅、鋅、銦、硅、磷、硫、鈦、釩、鉻、錳、鎳、鎵、鍺，鋯、鈮、鉬、鈀，銀、鎘、錫，銻、鉿、鉭和鎢中的至少一種元素，x、y、z和a表示原子百分比并且在如下范圍內(nèi)10≤x≤15，0≤y≤0.4，3≤z≤15，和0≤a≤11，所述磁體本體包含R12Fe14B化合物作為主相；對(duì)磁體本體進(jìn)行機(jī)加工至比表面積為至少6mm-1；在機(jī)加工磁體本體的表面布置粉末，該粉末包含R2的氧化物、R3的氟化物以及R4的氟氧化物中的至少一種，其中R2、R3和R4的每一個(gè)選自包括鈧和釔的稀土元素中的至少一種元素，并且該粉末的平均顆粒尺寸小于或等于100微米；在含氫氣的氣氛中，于600到1100℃的溫度下對(duì)其表面布置有粉末的磁體本體進(jìn)行熱處理，以引發(fā)R12Fe14B化合物的歧化反應(yīng)；和在具有降低的氫氣分壓的氣氛中，于600到1100℃的溫度下繼續(xù)進(jìn)行熱處理，以引發(fā)至R12Fe14B化合物的復(fù)合反應(yīng)；從而將R12Fe14B化合物相細(xì)分成等于或小于1微米的晶粒尺寸，以實(shí)現(xiàn)吸收處理，從而使粉末中R2、R3和R4中的至少一種被吸收到磁體本體中。2.:M又利要求1所述的方法，其中，所ii^末布置x^f茲體本體表面的量對(duì)應(yīng)于^U茲體本體表面;^等于或小于l咖距離的磁體本體周圍空間內(nèi)的平均填充因子至少為10似幼。3.^^5U，J要求1所述的方法，其中，R2、R3或R4含有至少10原子y。的鏑和/或鋱，并且R2、R3或R4中釹和鐠的總濃度低于R沖釹和鐠的總M。4.如;^U'j要求1所述的方法，其中，所it^末包含至少40重堂/d的r的氟化物和/或R4的氟氧化物,絲包含選自R2的氧化物以及R5的碳化物、氮化物、氧化物、氬氧4緣和氬化物中的至少一種，其中，R5為選自包括^fa釔的稀土元素中的至少一種元素。5.:H又利要求4所述的方法，其中，所i^^末包含R3的氟^^和/或R4的^^化物，并且吸jJ^理使粉末中的IU皮吸tl"'J磁體本體中。6.:H5U'J要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在布置步驟之前，用選自堿、酸和有才;ii^劑中的至少一種試劑^H^工的磁體本^^i^fr洗滌。7.:WM'J要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在布置步驟之前，對(duì)才W口工的磁^^^^i^f^t妙-處理，以R^去表面受影響層。8.:N^U'j要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在熱處理之后，用選自堿、酸和有才;ii^劑中的至少一種試劑對(duì)才;Oo工的磁體本^i^t冼滌。9.44又利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在熱處S^對(duì),本^^f^a口工處理。10.如^UU要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在熱處理后，在熱處a^的用堿、酸或有^i^劑的洗絲g，或在熱處理^的才;u^工步^，對(duì)磁體本減#^或涂覆。11.一種用于制^^a茲^f料的方法，包才^口下步驟提供《iL^式為R\(Fe卜yCOy)n-z—aB復(fù)的各向異性的麟磁體本體，其中R1是選自包括^p釔的稀土元素中的至少一種元素，M是選自鋁、銅、鋅、銦、硅、磷、硫、鈦、釩、鉻、錳、鎳、鎵、鍺、鋯、鈮、鉬、鈀、銀、鎘、錫、銻、鉿、4S^鵠中的至少一種元素，x,y、z和a表示原子百分比JL^如下范圍內(nèi)l(Kx<15，(Ky《0.4,3《z《15，和(Ka<ll,所i4^^^L體包含I^Fe"B化楊作為幼；將該/^體本^f幾加工至比表面積至少為6mm、在含氬氣的^A中于600到1100。C的溫度下對(duì)該磁體本^ii行熱處理，以引發(fā)R、Fe"B^^的歧^g^;在具有斷氐的氫氣分壓的氣氛中于600到1100'C的溫度下繼續(xù)進(jìn)行熱處理，以引JL^R、Fe"B^ft^的復(fù)"^M,從而將R、Fe"Bm^相細(xì)分成等于或小于1孩沐的晶凈^寸，^F茲體本體表面上布置粉末，該粉末包含R2的IU，、R3的氟4，以及R4的氟氧化物中的至少一種，其中R2、R3和R4的^-"個(gè)是選自包括^^釔的稀土元素中的至少一種元素，并且該粉末的平均顆粒尺寸小于或等于IOO微米；對(duì)其表面布置有粉末的磁體本^^空中或在隋性氣體中進(jìn)行熱處理，該熱處理溫度等于或低于在具有斷氐的氬氣分壓的氣氛中的所述熱處理的溫度，以用于吸,理，從而使粉末中的R2、R3和R4中至少一種被吸JltJ^^體本體中。12.如權(quán)利要求ll所述的方法，其中，所ii^末布置^^本體表面的量對(duì)應(yīng)于>^^茲體本<^表面^^等于或小于lmm距離的^^體本體周圍空間內(nèi)的平均填充因子至少10體積%。13.:HM'J要求11所述的方法，其中，R2、R3或R4含有至少10原子y。的鏑和/或鋱，并且R2、R3或R沖釹和鐠的總濃度低于R'中釹和鐠的總濃度。14.:H5U'j要求11所述的方法，其中，所ii^末包含至少40重:T/。的R3的氟化物和/或R4的氟氧化物，^f:包含選自112的氧化物以及115的碳化物、氮化物、氧化物、氮氧^^和氫化物中的至少一種，其中R5為選自包括^^釔的稀土元素中的至少一種。15.如權(quán)利^"求14所述的方法，其中，所it^末包含R3的氟4t^和/或R4的WUt^，并且吸^^t理使粉末中的^皮吸^i'J磁體本體中。16.如權(quán)利要求ll所述的方法，進(jìn)一步包括^^^I處理之前，用選自堿、酸和有才;l^刑中的至少一種試劑^Ha口工的磁體本^i^t冼滌。17.:N又利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括^J^f^Jl處理之前，Xt^U口工的》茲體本^M^ft^石,處理以去除表面受影響層。18.如權(quán)利要求ll所述的方法，進(jìn)一步包括在吸艦理之后，用選自堿、酸和有才;ii^劑中的至少一種試劑對(duì)才;i^口工的磁體本^it:行冼滌。19.:MX^要求11所述的方法，進(jìn)一步包括在吸概理^r,對(duì)磁體本體進(jìn)根;U口工。20.:H又利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括在吸狄S^,在吸狄g的用堿、酸或有才;i^劑的洗滌步驟后，或在吸j]狄理后的枳加工步驟后，對(duì)磁體本微4tM或涂覆。全文摘要一種用于制備永磁體材料的方法，包括如下步驟用粉末覆蓋組成式為R¹_X(Fe_1-yCo_y)_100-x-z-aB_zM_a的各向異性的燒結(jié)磁體本體，其中R¹是一種稀土元素，M是鋁、銅等，所述粉末包含R²的氧化物、R³的氟化物或R⁴的氟氧化物，其中R²、R³和R⁴為稀土元素，并且該粉末的平均顆粒尺寸至多為100微米，在含有氫氣的氣氛中對(duì)覆蓋有粉末的磁體本體進(jìn)行熱處理，以引發(fā)R¹₂Fe₁₄B化合物的歧化反應(yīng)，并在降低的氫氣分壓下繼續(xù)進(jìn)行熱處理，以引發(fā)至所述化合物的復(fù)合反應(yīng)，從而將所述化合物相細(xì)分至晶粒尺寸至多為1微米，以實(shí)現(xiàn)吸收處理，從而使R²、R³或R⁴被吸收到磁體本體中。文檔編號(hào)H01F1/032GK101217068SQ20071019291公開日2008年7月9日申請(qǐng)日期2007年4月13日優(yōu)先權(quán)日2006年4月14日發(fā)明者中村元,廣田晃一,美濃輪武久申請(qǐng)人:信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社