專利名稱：疊層電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及大幅度降低等效串聯(lián)電感(ESL)的疊層電容器，特別是 涉及作為去耦電容器等所使用的疊層電容器。
背景技術(shù)：
近年，在供給LSI等的集成電路用的電源中，由于越來(lái)越向低電 壓化發(fā)展，負(fù)荷電流在不斷增大。
因而，對(duì)于負(fù)荷電流的急劇變化，將電源電壓的變動(dòng)控制在容許 值內(nèi)變得非常困難。因此，如圖2所示，就在電源102上連接被稱 為去耦電容器的例如雙端子結(jié)構(gòu)的層疊陶瓷電容器100。而且，在負(fù) 荷電流瞬態(tài)變動(dòng)時(shí)，從該層疊陶^:電容器100向CPU等的LSI104供 給電流，做到抑制電源電壓的變動(dòng)。
但是，伴隨今天的CPU的工作頻率的更加高頻化，負(fù)荷電流的變 動(dòng)變得更高速且更大，圖2所示的層疊陶瓷電容器100自身具有的 等效串聯(lián)電感(ESL)已對(duì)電源電壓的變動(dòng)帶來(lái)了大的影響。
也就是說(shuō)，在現(xiàn)在的層疊陶瓷電容器100中，由于ESL高，伴隨 負(fù)荷電流i的變動(dòng)，與上述一樣，電源電壓V的變動(dòng)很容易增大。
這是因?yàn)樨?fù)荷電流瞬態(tài)的電壓變動(dòng)用；F式1近似表示，ESL的高
低關(guān)系到電源電壓的變動(dòng)的大小。而且，從該式1也可以說(shuō)ESL的 降低關(guān)聯(lián)到將電源電壓穩(wěn)定化。
dV=ESL di/dt…式1
式中，dV是瞬態(tài)的電壓變動(dòng)(V), di是電流變動(dòng)量(A), dt是變動(dòng) 時(shí)間(秒)。
作為謀求ESL降低的疊層電容器，已知的有特開(kāi)2004-140183號(hào) 公報(bào)所揭示的疊層電容器。特開(kāi)2004-140183號(hào)公報(bào)所揭示的疊層電 容器具有這樣的結(jié)構(gòu)導(dǎo)體層相對(duì)于基板接地面(電容器中與電路 基板相對(duì)的側(cè)面)垂直地設(shè)置。依據(jù)該疊層電容器，可以將ESL降 低到250pH以下。但是，隨著CPU工作頻率的進(jìn)一步提高，更加要 求ESL的降低。另外，由于最近IC的工作電壓降至IV左右，在電 流變動(dòng)di/dt約為1000A/iusec的條件下，必須將超電壓dV設(shè)在± 60mV的范圍內(nèi)(IC的工作電壓IV的容許范圍±6%以內(nèi))。由此， 要求將ESL降低至60pH以下(根據(jù)式1, ESL=dV/(di/dt) = 60 x 10-3/1000/10-6 = 60pH)。
作為使ESL降低的疊層電容器，已知的有多端子疊層電容器。在該多端子疊層電容器中，由于增多外部端子電極，可以實(shí)現(xiàn)在一個(gè) 導(dǎo)體層中方向不同的電流的流動(dòng)。其結(jié)果，可以再降低ESL。
但是，在多端子電容器中，必需準(zhǔn)備多個(gè)導(dǎo)體層的圖形，外部端子電極的數(shù)目增多，存在制造成本增高的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的實(shí)際情況所作的發(fā)明，其目的在于，提供無(wú)需多端子電極，能夠以低制造成本大幅度降低ESL的疊層電容器。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的疊層電容器的特征在于，
設(shè)有多個(gè)電介質(zhì)層、第1導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層交互層疊而形成
的大致長(zhǎng)方體形狀的電介質(zhì)基體；
在上述電介質(zhì)基體的側(cè)面內(nèi)，至少在相對(duì)于上述電介質(zhì)層、第1
導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層的層疊方向平行的第1側(cè)面上形成的第1端子
電才及；以及
與上述第1端子電極分離而形成在第1側(cè)面上的第2端子電極，
上述第1導(dǎo)體層至少含有引出到所述第1側(cè)面、與所述第1端子 電極連接的第1引出部，
上述第2導(dǎo)體層至少含有引出到所述第1側(cè)面、與所述第2端子 電極連接的第2引出部，
在相對(duì)于上述層疊方向垂直的方向上的上述第1引出部和上述第 2引出部之間的距離，設(shè)為"a",
多個(gè)上述第1導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層中，位于上述層疊方向上上述 電介質(zhì)基體的兩端的導(dǎo)體層之間的距離，設(shè)為"b"，
上述第1側(cè)面和上述第1導(dǎo)^f本層之間的間隙距離或上述第1側(cè)面 和上述第2導(dǎo)體層之間的間隙距離，設(shè)為"c"，
上迷笫1導(dǎo)體層和上述第2導(dǎo)體層的總數(shù)，設(shè)為"n"，則 (a + c) / (bxn) <0.035。
在本發(fā)明的疊層電容器中，在第1側(cè)面上第1端子電極和第2端 子電極已形成時(shí)，將上述第1側(cè)面面對(duì)著電路基板設(shè)置。
通過(guò)使疊層電容器具有滿足(a + c) / (bxn)≤0.035的結(jié)構(gòu)， 能夠?qū)盈B電容器的ESL降低到60pH以下。
最好這樣上述第1端子電極在上述電介質(zhì)基體的側(cè)面中跨越上 述第1側(cè)面、與該第1側(cè)面相只寸的第2側(cè)面以及與上述第1側(cè)面和 上述第2側(cè)面鄰接且與上述電介質(zhì)層的上述層疊方向平行的第3側(cè) 面而形成，
上述第2端子電極在上述電介質(zhì)基體的側(cè)面中跨越上述第1側(cè) 面、上述第2側(cè)面以及與上述第3側(cè)面相對(duì)的第4側(cè)面而形成，
上述第1引出部跨越上述第1側(cè)面、上述笫2側(cè)面以及上述第3 側(cè)面而引出，并與上述第1端子電極連接，
上述第2引出部跨越上述第1側(cè)面、上述第2側(cè)面以及上述第4 側(cè)面而引出，并與上述第2端子電極連接。
在跨越第1、第2及第3側(cè)面這三個(gè)側(cè)面而形成的第1端子電極 上連接第1導(dǎo)體層的第1引出部，從而增大了在第1端子電極和第1 導(dǎo)體層之間流過(guò)電流的通路截面積。其結(jié)果，能夠減輕層疊電容器 整體的ESL。
在跨越第1、第2及第4側(cè)面這三個(gè)側(cè)面而形成的第2端子電極 上連接第2導(dǎo)體層的第2引出部，從而增大了在第2端子電極和第2 導(dǎo)體層之間流過(guò)電流的通路截面積。其結(jié)果，能夠減輕層疊電容器 整體的ESL。
也就是，根據(jù)本發(fā)明的疊層電容器，能夠如上所述地大幅度降低 疊層電容器的ESL,并可抑制電源電壓振動(dòng)，適合用作去耦電容器等。
本發(fā)明的疊層電容器中，在上述第l側(cè)面和上述第2側(cè)面上形成 上述第1端子電極和上述第2端子電極時(shí)，可以將上述第1側(cè)面和 上述第2側(cè)面中的任一側(cè)面對(duì)著電路基板設(shè)置。也就是，在本發(fā)明 的疊層電容器中，能夠消除疊層電容器對(duì)電路基板安裝的方向性。
最好在上述第1引出部上，在沿著上述第1側(cè)面、上述第2側(cè)面 或上述第3側(cè)面的位置處形成不與第1端子電極連接的第1間隙圖形。
再有，本發(fā)明中，所謂第1導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層是相對(duì)的概念， 也可將第1導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層互換。至于其他的所謂"第1 . . " 和"第2 ..."，也同樣是相對(duì)的概念。



圖1是本發(fā)明第1實(shí)施方式的疊層電容器的透視圖。
圖2是裝有本發(fā)明第1實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器的電路圖。
圖3是示于圖1的疊層電容器的ZX面方向的剖視圖，也是電介質(zhì)層、第1導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層的剖視圖。
圖4A是從層疊方向Z看本發(fā)明第1實(shí)施方式的疊層電容器上的 第1導(dǎo)體層的平面圖。
圖4B是從層疊方向Z看本發(fā)明第1實(shí)施方式的疊層電容器上的 第2導(dǎo)體層的平面圖。
圖5是從V方向看圖1、圖4A、圖4B所示的疊層陶瓷電容器的 剖視圖，也是ZX面方向上第1引出部和第2引出部的剖視圖。
圖6A是從層疊方向Z看本發(fā)明第2實(shí)施方式的疊層電容器上的 第1導(dǎo)體層的平面圖。
圖6B是從層疊方向Z看本發(fā)明第2實(shí)施方式的疊層電容器上的 第2導(dǎo)體層的平面圖。
圖7A是從層疊方向Z看本發(fā)明第3實(shí)施方式的疊層電容器上的 第1導(dǎo)體層的平面圖。
圖7B是從層疊方向Z看本發(fā)明第3實(shí)施方式的疊層電容器上的 第2導(dǎo)體層的平面圖。
圖7C概略表示本發(fā)明第3實(shí)施方式的疊層電容器上的電介質(zhì)層、 第1導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層的形成、層疊工序。
圖7D概略表示本發(fā)明第3實(shí)施方式的疊層電容器上的電介質(zhì)層、 第1導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層的形成、層疊工序。
圖8A是從層疊方向Z看本發(fā)明第4實(shí)施方式的疊層電容器上的 第1導(dǎo)體層的平面圖。
圖8B是從層疊方向Z看本發(fā)明第4實(shí)施方式的疊層電容器上的 第2導(dǎo)體層的平面圖。
圖9是本發(fā)明第5實(shí)施方式的疊層陶瓷電容器上的第1引出部和 第2引出部在ZX面方向上的剖視圖。
圖10表示本發(fā)明各實(shí)施例和各比較例的ESL的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
第1實(shí)施方式
以下，說(shuō)明本發(fā)明第1實(shí)施方式的疊，陶瓷電容器(以下僅稱為疊 層電容器)IO的總體結(jié)構(gòu)。如圖1所示，層疊陶資電容器10具有通
過(guò)焙燒多枚層疊電介質(zhì)層的陶瓷生片而成的疊層體而得到的長(zhǎng)方體
狀的焙燒體，即電介質(zhì)基體12。
電介質(zhì)基體12具有第1側(cè)面12A和與它相對(duì)的第2側(cè)面12B。 另外，電介質(zhì)基體12具有與第1側(cè)面12A和第2側(cè)面12B鄰接且與 電介質(zhì)層的層疊方向Z平行的、相互面對(duì)的第3側(cè)面12C和第4側(cè) 面12D。電介質(zhì)基體12具有與層疊方向Z垂直的、相互面對(duì)的第5 側(cè)面12E和第6側(cè)面12F。
本實(shí)施方式中，如圖1所示，與電介質(zhì)層的層疊方向Z垂直的X 方向上的第1側(cè)面12A和笫2側(cè)面12B的寬度LO,最好小于電介質(zhì) 層的層疊方向Z上的第1側(cè)面12A和第2側(cè)面12B的寬度W0。
電介質(zhì)基體12的尺寸并無(wú)特別限定，但通常大約是L0(0.8 1.2)mm x WO (1.6 2.0)mm x H0(0.5 0.8)mm。 [0031在電介質(zhì)基體12的側(cè)面上，跨越第1側(cè)面12A、第2側(cè)面12B、 第3側(cè)面12C、第5側(cè)面12E和第6側(cè)面12F而形成第1端子電極31。 另外，跨越第1側(cè)面12A、第2側(cè)面12B、第4側(cè)面12D、第5側(cè)面 12E和第6側(cè)面12F而形成第2端子電極32。再有，在第1側(cè)面12A、 第2側(cè)面12B、第5側(cè)面12E和第6側(cè)面12F中，第1端子電極31 和第2端子電極32完全隔離而相互絕緣。
如圖3所示，在電介質(zhì)基體12中，第1導(dǎo)體層21和第2導(dǎo)體層 22在層疊方向Z上重復(fù)地隔著電介質(zhì)層12a相互層疊，形成電容器 的內(nèi)部電極電路。在本實(shí)施方式中，電介質(zhì)基體12內(nèi)各13片第1 導(dǎo)體層21和第2導(dǎo)體層22間隔著電介質(zhì)層12a而交互配置。再有， 作為這些第1導(dǎo)體層21和第2導(dǎo)體層22的材料，不僅考慮采用賤 金屬的鎳、鎳合金、銅或銅合金，還考慮采用以這些金屬為主要成 分的材料。
如圖3所示，疊層陶瓷電容器10中，位于層疊方向Z的電介質(zhì) 基體12的兩端(第5側(cè)面12E和第6側(cè)面12F)的導(dǎo)體層之間的距 離(第5側(cè)面12E側(cè)的第1導(dǎo)體層21e和第6側(cè)面12F側(cè)的第2導(dǎo) 體層22f之間的距離)是"b"。
如圖4A所示，第1導(dǎo)體層21具有第1導(dǎo)體層本體部分21a,它 具有與電介質(zhì)層12a的外形相配合的形狀，從電介質(zhì)層12a的周圍部 分以絕緣間隙圖形43隔開(kāi)。該第1導(dǎo)體層本體部分21a是構(gòu)成電容 器一方的電極的部分。第1導(dǎo)體層21還設(shè)有與該第1導(dǎo)體層本體部 分21a —體地在同一平面上形成的、跨越電介質(zhì)基體12的相互鄰接 的三個(gè)側(cè)面(第1側(cè)面12A、第2側(cè)面12B、第3側(cè)面12C)而引出 的第1引出部21L。在該第1引出部21L上，第1導(dǎo)體層21和第1 端子電極31相連接。
朝向電路基板15的第1側(cè)面12A與第2導(dǎo)體層22 (第2導(dǎo)體層 本體部分22a)之間的間隙距離(Y方向的距離)是"c"。另外， 第2側(cè)面12B與第2導(dǎo)體層22 (第2 ，體層本體部分22a)之間的 間隙距離(Y方向的距離)，同樣為"c"。
圖4A的絕緣間隙圖形43的間隙寬度Ws或圖4B的絕緣間隙44 的間隙寬度Ws，最好為約100-200 nm。若這些間隙寬度Ws過(guò)小， 則存在第1端子電極31和第2導(dǎo)體層22之間的絕緣性或者第2端 子電極32和第1導(dǎo)體層21之間的絕緣性不充分之虞。若間隙寬度 Ws過(guò)大，則存在各導(dǎo)體層的面積狹窄而使電容器能力降低之虞。
如圖4A和圖4B所示，在疊層陶瓷電容器IO的上述第1側(cè)面12A 上形成的第1端子電極31和第2端子電極32與基板側(cè)電極端子15a 連接。即，第1側(cè)面12A朝向電路基板15。再有，本實(shí)施方式的疊 層電容器10在XY面方向上旋轉(zhuǎn)180°也具有同樣的結(jié)構(gòu)。因此， 第2側(cè)面12B上形成的第1端子電極31和第2端子電極32也可與 基板側(cè)電極端子15a相連接。即，第2側(cè)面12B也可朝向電路基板15。
如此，安裝在電路基板15上(圖2)的疊層電容器10 ^皮作為去 耦電容器等使用。
如圖5所示，在相對(duì)于層疊方向Z垂直的X方向上，第l引出部 21L和第2引出部22L之間的距離是"a"。
本實(shí)施方式中，在相對(duì)于層疊方向Z i直的X方向上第1引出部 21L和第2引出部22L之間的距離"a"(圖5)、位于層疊方向Z 上的電介質(zhì)基體12兩端的第1導(dǎo)體層21e和第2導(dǎo)體層22f之間的 距離"b"(圖3)、第1側(cè)面12A與第1導(dǎo)體層21之間的間隙距 離或第1側(cè)面12A與第2導(dǎo)體層22之間的間隙距離"c"(圖4A、 圖4B )、第1導(dǎo)體層21和第2導(dǎo)體層22的總數(shù)V，(圖3中n = 26)之間，有(a + c)/(bxn)≤0.035的關(guān)系成立。
若將疊層電容器10的ESL看作(a + c) / (bxn)的函數(shù)，則在 (a + c)/(bxn) = 0.035處出王見(jiàn)4另點(diǎn)。因此， 一旦(a + c ) / (b x n) 的值為0.035以下，疊層電容器的ESL就急降至60pH以下。即，通 過(guò)使疊層電容器10具有滿足(a + c) / (bxn)≦0.035的結(jié)構(gòu)，能 夠?qū)B層電容器的ESL降低至60pH以下。
在疊層電容器10中，通過(guò)將距離"a"(圖5)或間隙距離"c" (圖4A、 4B)減小，能夠達(dá)到(a + c)/(bxn) ≦0.035，從而能 夠?qū)B層電容器的ESL降低至60pH以下。
本實(shí)施方式中，如圖4A所示，在跨越第1側(cè)面12A、第2側(cè)面12B 和第3側(cè)面12C這三個(gè)側(cè)面而形成的第1端子電極31上，連接各第 1導(dǎo)體層21的第1引出部21L。其結(jié)果，第1端子電極31和第1導(dǎo) 體層21之間流過(guò)的電流的通if各截面增大，從而能夠減輕疊層電容器 整體10的ESL。
本實(shí)施方式中，如圖4B所示，在跨越第1側(cè)面12A、第2側(cè)面12B 和第4側(cè)面12D這三個(gè)側(cè)面而形成的第2端子電極32上，連接各第 2導(dǎo)體層22的第2引出部22L。其結(jié)果，第2端子電極32和第2導(dǎo) 體層22之間流過(guò)的電流的通路截面增大，從而能夠減輕疊層電容器 IO整體的ESL。
如此，依據(jù)本實(shí)施方式的疊層電容器10,可實(shí)現(xiàn)疊層電容器10 的ESL的大幅降低，抑制電源電壓的振動(dòng)，適合作為去耦電容器等使用。特別是，通過(guò)將疊層電容器的ESL降低到60pH以下，能夠 實(shí)現(xiàn)電流、電壓的穩(wěn)定、減少疊層電容器制造所需元件數(shù)并降低成 本。
第2實(shí)施方式
接著，就本發(fā)明的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。再有，以下省略了第 1實(shí)施方式和第2實(shí)施方式中相同的內(nèi)容，僅就這兩個(gè)實(shí)施方式的相 異點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
如圖6A所示，第1導(dǎo)體層21具有第1導(dǎo)體層本體部分21a，它 具有與電介質(zhì)層12a的外形相配合的形狀，從電介質(zhì)層12a的周圍部 分以預(yù)定的絕緣間隙圖形43隔開(kāi)。該第1導(dǎo)體層本體部分21a是構(gòu) 成電容器一方的電極的部分。第1導(dǎo)體層21還設(shè)有與該第1導(dǎo)體層 本體部分21a —體地在同一平面上形成的、跨越電介質(zhì)基體12的相 互鄰接的兩個(gè)側(cè)面(第1側(cè)面12A、第3側(cè)面12C)而引出的第1引 出部21L。在該第1引出部21L上，第1導(dǎo)體層21和第1端子電極 31相連接。
跟電路基板15相對(duì)的第1側(cè)面12A與第1導(dǎo)體層21 (第1導(dǎo)體 層本體部分21a)之間的間隙距離(Y方向上的距離)是"c"。
如圖6B所示，第2導(dǎo)體層22具有第2導(dǎo)體層本體部分22a,它 具有與電介質(zhì)層12a的外形相配合的形狀，從電介質(zhì)層12a的周圍部 分以預(yù)定的絕緣間隙圖形44隔開(kāi)。該第—.2導(dǎo)體層本體部分22a是構(gòu) 成電容器另一方的電極的部分。第2導(dǎo)體層22還設(shè)有與該第2導(dǎo)體 層本體部分22a —體，也在同一平面上形成的、跨越電介質(zhì)基體12的 相互鄰接的兩個(gè)側(cè)面(第1側(cè)面12A、.第4側(cè)面12D)而引出的第2 引出部22L。在該第2引出部22L上，第2導(dǎo)體層22與第2端子電
極32相連接。
跟電路基板15相對(duì)的第1側(cè)面12A與第2導(dǎo)體層22 (第2導(dǎo)體 層本體部分22a)之間的間隙距離(Y方向上的距離)是"c"。
本實(shí)施方式中，如圖6A和圖6B所示，第2導(dǎo)體層22具有將第 1導(dǎo)體層21以Y軸為旋轉(zhuǎn)軸倒轉(zhuǎn)180°后的形狀。即，本實(shí)施方式 中，所謂第1導(dǎo)體層21和第2導(dǎo)體層22是相對(duì)的概念，第1導(dǎo)體 層21和第2導(dǎo)體層22可以互換。
另外，如圖6A和圖6B所示，在疊層陶資電容器10的上述第1 側(cè)面12A上形成的第1端子電極31和第2端子電極32與基板側(cè)電 極端子15a、 15b連接。即，第1側(cè)面12A朝向電路基板15。
在本實(shí)施方式中，如圖7A所示，在第1引出部21L上沿著第3 側(cè)面12C的位置處，形成不與第1端子電極31連接的第1間隙圖形 41。
在本實(shí)施方式中，如圖7B所示，在第2引出部22L上沿著第4側(cè)面12D的位置處，形成不與第2端子電極32連接的第2間隙圖形 42。
即，在本實(shí)施方式中，層疊電介質(zhì)層12a、第1導(dǎo)體層21和第2 導(dǎo)體層22而形成電介質(zhì)基體12時(shí)，可將第1間隙圖形41、第2間 隙圖形42作為標(biāo)記來(lái)將層間的位置對(duì)準(zhǔn)，能夠防止疊層偏移。
另外，如圖7D所示，在完成后的疊層電容器10中成為電介質(zhì)層 12a的生片12c的表面上，印刷第1電極圖形21p和第2電極圖形22p, 前者在完成后的疊層電容器10中成為第1導(dǎo)體層21，后者在完成后 的疊層電容器10中成為第2導(dǎo)體層22。在第1電極圖形21p和第2 電極圖形22p上，分別形成有第1間隙圖形41和第2間隙圖形42。
如此，通過(guò)以間隙圖形41、 42為標(biāo)記來(lái)切斷疊層體，能夠正確、 均勻地進(jìn)4亍切斷。
第4實(shí)施方式
接著，就本發(fā)明的第4實(shí)施方式進(jìn)扦說(shuō)明。再有，以下省略對(duì)第 4實(shí)施方式與第1實(shí)施方式和第3實(shí)施方式中相同的內(nèi)容的il明，僅 就與第1實(shí)施方式和第3實(shí)施方式不同的部分進(jìn)行說(shuō)明。
在本實(shí)施方式中，如圖8B所示，在第2引出部22L上，在沿著 第1側(cè)面12A和第4側(cè)面12D的位置和沿著第2側(cè)面12B和第4側(cè) 面12D的位置這兩處，形成不與第2端子電極32連接的第2間隙圖 形42。
第5實(shí)施方式
接著，就本發(fā)明的第5實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。再有，以下省略第5 實(shí)施方式與第1實(shí)施方式相同的內(nèi)容，僅就與第1實(shí)施方式的不同 點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
再有，本發(fā)明并不限于上述的實(shí)施方式，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)這些實(shí)施方式進(jìn)行種種更改。
例如，疊層電容器10中，多個(gè)第1導(dǎo)體層21或第2導(dǎo)體層22 可以分別包含在XY面上電極圖形不同的2種以上的導(dǎo)體層。這時(shí)， 將距離"a"和間隙距離"c"在2種以上的導(dǎo)體層之間求平均。在這 種情況下，也能取得與上述的實(shí)施方式相同的作用與效果。
實(shí)施例
并且，測(cè)定了實(shí)施例1的疊層電容器10的阻抗特性。在測(cè)定中
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使用阻抗分析器，從s參數(shù)換算到阻抗，求出電容器的ESL (單位 pH)。再有，該ESL通過(guò)式2丌& = 1/7 (ESL . C)求出，式中f0 為自諧振頻率'C為靜電電容量。結(jié)果如表l所示。<formula>see original document page 21</formula>
實(shí)施例2~9、比較例1 ~3
除了將各參數(shù)"L0XW0XH0" 、"Ws，， 、"a" 、"b" 、"c"、 V， 、"(a+c)/(bXn)"的值設(shè)成表1所示的值以外，制作了具有與 實(shí)施例1相同結(jié)構(gòu)的實(shí)施例2~9、比較例1-3的各電容器。另外， 用與實(shí)施例1同樣的方法求得了各電容器的ESL (單位pH)。其結(jié) 果示于表1。
評(píng)價(jià)
實(shí)施例1~9中，由于(a + c)/(bxn)《0.035, ESL為57pH。
通過(guò)將實(shí)施例1 ~ 9和比較例1 ~ 3進(jìn)行對(duì)比，可確認(rèn)只要使(a + c)/(bxn)《0.035，就能夠降低電容器的ESL。
圖10是以(a + c) / (bxn)為橫軸、以電容器的ESL為縱軸、 用實(shí)施例1 ~ 9、比較例1 ~ 3的數(shù)據(jù)繪制的曲線圖。
如圖10所示，確認(rèn)了 (a + c) / (bxn)越小，電容器的ESL就 越低。另外確認(rèn)了以(a + c)/(bxn) =0.035為4另點(diǎn)，在(a + c) / (b x n ) < 0.035的區(qū)域，電容器的ESL劇減(ESL降低到60pH以下)。
權(quán)利要求
1.一種疊層電容器，其特征在于，設(shè)有由多個(gè)電介質(zhì)層、第1導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層交互層疊而形成的大致長(zhǎng)方體形狀的電介質(zhì)基體；在所述電介質(zhì)基體的側(cè)面中、至少在第1側(cè)面上形成的第1端子電極，所述第1側(cè)面相對(duì)于所述電介質(zhì)層、所述第1導(dǎo)體層和所述第2導(dǎo)體層的層疊方向平行；以及與所述第1端子電極隔離的、在所述第1側(cè)面上形成的第2端子電極，所述第1導(dǎo)體層至少具有引出到所述第1側(cè)面上的、與所述第1端子電極連接的第1引出部，所述第2導(dǎo)體層至少具有引出到所述第1側(cè)面上的、與所述第2端子電極連接的第2引出部，若在相對(duì)于所述層疊方向垂直的方向上，所述第1引出部和所述第2引出部之間的距離設(shè)為″a″多個(gè)所述第1導(dǎo)體部和第2導(dǎo)體部中，在所述層疊方向上位于所述電介質(zhì)基體兩端的導(dǎo)體層之間的距離設(shè)為″b″所述第1側(cè)面和所述第1導(dǎo)體層之間的間隙距離，或者所述第1側(cè)面和所述第2導(dǎo)體層之間的間隙距離設(shè)為″c″所述第1導(dǎo)體層和所述第2導(dǎo)體層的總數(shù)設(shè)為″n″(a+c)/(b×n) ≤0.035。
2. 如權(quán)利要求1所述的疊層電容器，其特征在于， 多個(gè)所述第1導(dǎo)體層或所迷第2導(dǎo)體層包含電極圖形不同的2種以上的導(dǎo)體層，所述距離"a"和戶斤述間隙距離"c"在所述2種以上 的導(dǎo)體層之間求平均。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的疊層電容器，其特征在于， 設(shè)置成所述第1側(cè)面朝向電路基板。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的疊層電容器，其特征在于，所述第1端子電極在所述電介質(zhì)基體的側(cè)面中，跨越所述第1側(cè) 面、與所述第1側(cè)面相對(duì)的第2側(cè)面、與所述第1側(cè)面和所述第2側(cè) 面鄰接且與所述電介質(zhì)層的層疊方向平行的第3側(cè)面而形成，所述第2端子電極在所述電介質(zhì)基體的側(cè)面中，跨越所述第l側(cè) 面、所述第2側(cè)面、與所迷第3側(cè)面相對(duì)的第4側(cè)面而形成，所述第1引出部跨越所述第1側(cè)面、所述第2側(cè)面、所述第3側(cè) 面而引出，并與所述第1端子電極連接，所述第2引出部跨越所述第1側(cè)面、所述第2側(cè)面、所述第4側(cè) 面而引出，并與所述第2端子電極連接。
5. 如權(quán)利要求4所述的疊層電容器，其特征在于，所述第1側(cè)面或第2側(cè)面中的任一側(cè)面朝向電路基板而設(shè)置。
6. 如權(quán)利要求1或2所述的疊層電容器，其特征在于，所迷第1引出部中，在沿著所述第1側(cè)面、所迷第2側(cè)面或所述 第3側(cè)面的位置處形成不與所述笫1端子電極連接的第1間隙圖形。
7. 如權(quán)利要求1或2所述的疊層電容器，其特征在于， 所述第2引出部中，在沿著所述第l側(cè)面、所述第2側(cè)面或所述第4側(cè)面的位置處形成不與所述第2端子電極連接的第2間隙圖形。
全文摘要
一種疊層電容器(10)，其中設(shè)有由多個(gè)電介質(zhì)層(12a)、第1導(dǎo)體層(21)、第2導(dǎo)體層(22)相互層疊而形成的大致長(zhǎng)方體形狀的電介質(zhì)基體(12)；以及在電介質(zhì)基體(12)的側(cè)面中與層疊方向(Z)平行的第1側(cè)面(12A)上形成的第1端子電極(31)和第2端子電極(32)。第1導(dǎo)體層(21)具有與第1端子電極(31)連接的第1引出部(21L)，第2導(dǎo)體層(22)具有與第2端子電極(32)連接的第2引出部(22L)。在與層疊方向(Z)垂直的方向上第1引出部(21L)和第2引出部(22L)之間的距離a、位于層疊方向上電介質(zhì)基體(12)兩端的導(dǎo)體層間的距離b、第1側(cè)面(12A)和第1導(dǎo)體層(21)之間的間隙距離c、導(dǎo)體層(21、22)的總數(shù)n之間，有(a+c)/(b×n)≤0.035的關(guān)系成立。
文檔編號(hào)H01G4/30GK101206952SQ200710194340
公開(kāi)日2008年6月25日 申請(qǐng)日期2007年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月14日
發(fā)明者富樫正明 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社