專利名稱：半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置及半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具備半導(dǎo)體發(fā)光元件的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置，所述半 導(dǎo)體發(fā)光元件具有可發(fā)出不同顏色光的多個(gè)發(fā)光層。
背景技術(shù)：
以往，已知有一種具備半導(dǎo)體發(fā)光元件的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置，所述 半導(dǎo)體發(fā)光元件具有可發(fā)出不同顏色光的多個(gè)發(fā)光層。
例如，專利文獻(xiàn)l (特開2005—217386號(hào)公報(bào)Japanese Patent Laid —open Publicaion No. 2005—217386)中，公開有一種第一半導(dǎo)體白色發(fā) 光裝置，該第一半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置具備半導(dǎo)體發(fā)光元件，其具有可發(fā) 出紅色光的紅色發(fā)光層及可發(fā)出藍(lán)色光的藍(lán)色發(fā)光層；和封裝，其含有能 夠照射黃綠色光的熒光體。
在該第一半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置中，若向半導(dǎo)體發(fā)光元件供給電流，則 從紅色發(fā)光層及藍(lán)色發(fā)光層分別發(fā)出紅色光及藍(lán)色光。而且，紅色光直接 透過封裝后向外部照射。另一方面，藍(lán)色光其一部分直接透過后向外部照 射，剩余的一部分由熒光體轉(zhuǎn)換成黃綠色光后，向外部照射。由此，混合 紅色光、藍(lán)色光及黃綠色光這三種顏色，向外部照射白色光。
另外，專利文獻(xiàn)l中還公開有一種第二半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置，該第二 半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置具備:半導(dǎo)體發(fā)光元件，其具有可發(fā)出紫外線的紫外 線發(fā)光層及可發(fā)出藍(lán)色光的藍(lán)色發(fā)光層；和封裝，其含有能夠照射黃綠色 光及紅色光的兩種熒光體。
在該第二半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置中，若向半導(dǎo)體發(fā)光元件供給電流，則 從紫外線發(fā)光層及藍(lán)色發(fā)光層分別發(fā)出紫外線及藍(lán)色光。然后，在熒光體 的作用下，紫外線的一部分轉(zhuǎn)換成黃綠色光， 一部分轉(zhuǎn)換成紅色光后，向 外部照射。另外，藍(lán)色光其一部分直接向外部照射，剩余部分由熒光體轉(zhuǎn)
換成黃綠色光或紅色光后，向外部照射。由此，混合紅色光、藍(lán)色光及黃 綠色光這三種顏色，向外部照射白色光。
在此，在上述專利文獻(xiàn)l的第一半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置中，盡管發(fā)出紅
色光的紅色發(fā)光層由InGaN層構(gòu)成，但要想由InGaN層發(fā)出紅色光，必 須增大In的比率。然而，如果增大InGaN層中的In的比率，則由于結(jié)晶 性下降，所以存在紅色光的發(fā)光強(qiáng)度小于期望的發(fā)光強(qiáng)度的問題。其結(jié)果， 存在白色光的顏色偏向特定的顏色的問題及白色光的光量下降的問題。
另外，在上述專利文獻(xiàn)2的第二半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置中，盡管將紫外 線及藍(lán)色光這兩種光通過兩種熒光體轉(zhuǎn)換成黃綠色光及紅色光這兩種光 來照射白色光，但難以控制轉(zhuǎn)換成黃綠色光及紅色光的兩種熒光體的比率 及將這些熒光體均勻地混入封裝內(nèi)，其結(jié)果，存在白色光偏向特定的顏色 的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置具備半導(dǎo)體發(fā)光元件，其具有含In (indium)的綠色發(fā)光層及藍(lán)色發(fā)光層；和可發(fā)出紅色光的熒光體。
本發(fā)明的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置的制造方法，具備形成具有含In的 綠色發(fā)光層及藍(lán)色發(fā)光層的半導(dǎo)體發(fā)光元件的工序；利用混入了可發(fā)出紅 色光的熒光體的可透過光的合成樹脂制的封裝覆蓋所述半導(dǎo)體發(fā)光元件 的工序。
根據(jù)本發(fā)明，由于半導(dǎo)體發(fā)光元件具備相比可發(fā)出紅色光的發(fā)光層In 的比率更小的綠色發(fā)光層及藍(lán)色發(fā)光層，所以能夠提高兩發(fā)光層的結(jié)晶 性。由此，能夠使綠色光及藍(lán)色光的發(fā)光強(qiáng)度容易地達(dá)到期望的發(fā)光強(qiáng)度， 因此，能夠抑制白色光偏向特定的顏色，能夠提高白色光的光量。


圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置的概略圖2是半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖視圖3是半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光層的剖視圖4是第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖視圖5是變更方式下的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖視圖6是其他變更方式下的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
(第一實(shí)施方式)
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖l是本發(fā)明的 第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置的概略圖。圖2是半導(dǎo)體發(fā)光元件的 剖視圖。圖3是半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光層的剖視圖。
如圖1所示，半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置1具備半導(dǎo)體發(fā)光元件2、封裝3、 支承構(gòu)件4、外部端子5。
如圖2所示，半導(dǎo)體發(fā)光元件2在藍(lán)寶石基板11上依次層疊有緩 沖層12、 n型接觸層13、 n型包覆層14、綠色發(fā)光層15、藍(lán)色發(fā)光層16、 p型包覆層17、 p型接觸層18、透明電極19。另外，半導(dǎo)體發(fā)光元件2 具備用于與外部電連接的一對(duì)p側(cè)電極20和n側(cè)電極21。
緩沖層12由具有約200A厚度的A1N構(gòu)成。n型接觸層13具有約4pim 的厚度，由摻雜了 Si作為n型摻雜劑的n型GaN層構(gòu)成。對(duì)n型接觸層 13以上的各層14 19進(jìn)行了蝕刻，使得n型接觸層13的上表面的一部分 露出。n型包覆層14具有約300nm的厚度，由摻雜了 Si作為n型摻雜劑 的n型AlGaN層構(gòu)成。此外，n型包覆層14中的Al及Ga內(nèi)的Al的比率 構(gòu)成為約5% 約20%。
綠色發(fā)光層15用于發(fā)出綠色光(波長約490nm 約590nm)。如圖3 所示，綠色發(fā)光層15具有阱層15a和勢壘層15b交替周期性層疊8對(duì)的 MQW結(jié)構(gòu)。阱層15a具有約3nm的厚度，由In與Ga內(nèi)的In的比率為 約25% 約50%的InGaN層構(gòu)成。勢壘層15b具有約10nm的厚度，由 Al與Ga內(nèi)的Al的比率為約25%以下的AlGaN層構(gòu)成。
藍(lán)色發(fā)光層16用于發(fā)出藍(lán)色光(波長約430nm 約490nm)。如圖2 及圖3所示，藍(lán)色發(fā)光層16與綠色發(fā)光層15連續(xù)且形成在比綠色發(fā)光層 15更靠近光的照射側(cè)。藍(lán)色發(fā)光層16具有阱層16a和勢壘層16b交替周 期性層疊8對(duì)的MQW結(jié)構(gòu)。阱層16a具有約3nm的厚度，由In與Ga 內(nèi)的In的比率為約10% 約25%的InGaN層構(gòu)成。勢壘層16b具有約
10nm的厚度，由Al與Ga內(nèi)的Al的比率為約25%以下的AlGaN層構(gòu)成。
p型包覆層17具有約100nm的厚度，由摻雜了 Mg作為p型摻雜劑
的p型AlGaN層構(gòu)成。此外，p型包覆層17中的Al及Ga內(nèi)的Al的比率
構(gòu)成為約5% 約20%。 p型接觸層18具有約200nm的厚度，由摻雜了
Mg作為p型摻雜劑的p型GaN層構(gòu)成。
透明電極19具有約300nm的厚度，由可透過從綠色發(fā)光層15及藍(lán)色
發(fā)光層16發(fā)出的光的ZnO層構(gòu)成。
p側(cè)電極20由與透明電極19歐姆連接的具有約3000nm的厚度的
Ti/Au的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成。n側(cè)電極21與n型接觸層13所露出的上表面歐
姆連接。n側(cè)電極21，由具有約2500nm的厚度的Al/Ti/Pt/Au的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成。
封裝3由可透過光的合成樹脂構(gòu)成，用于保護(hù)半導(dǎo)體發(fā)光元件2。另 外，封裝3中混入有能夠?qū)⑺{(lán)色光的波長以下的光轉(zhuǎn)換成紅色光(波長約 590nm 約780nm)的熒光體6。因此，該熒光體6將從半導(dǎo)體發(fā)光元件2 的藍(lán)色發(fā)光層16發(fā)出的藍(lán)色光的波長以下的光轉(zhuǎn)換成紅色光。作為這種 熒光體6，可應(yīng)用(Ca、 Sr、 Ba) S: Eu2+、 (Ca、 Sr、 Ba) 2Si5N8: Eu2+ 及CaA腿3: Eu2+等。
支承構(gòu)件4用于支承半導(dǎo)體發(fā)光元件2，且由導(dǎo)體構(gòu)成。另外，支承 構(gòu)件4通過引線7與n側(cè)電極21連接，通過外部端子4a將半導(dǎo)體發(fā)光元 件2的n側(cè)電極21與外部電連接。
外部端子5由導(dǎo)體構(gòu)成，用于通過引線8將半導(dǎo)體發(fā)光元件2的p側(cè) 電極20與外部電連接。
接著，對(duì)上述半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置1的動(dòng)作進(jìn)行說明。
首先，若經(jīng)由外部端子4a、 5從外部供給電流，則從p側(cè)電極20注 入空穴，從n側(cè)電極21注入電子。之后，空穴經(jīng)由透明電極19、 p型接 觸層18及p型包覆層17注入藍(lán)色發(fā)光層16及綠色發(fā)光層15。另一方面， 電子經(jīng)由n型接觸層13及n型包覆層14注入綠色發(fā)光層15及藍(lán)色發(fā)光 層16。然后，空穴及電子的一部分在藍(lán)色發(fā)光層16中結(jié)合，發(fā)出藍(lán)色光。 另外，剩余的空穴及電子在綠色發(fā)光層15中結(jié)合，發(fā)出綠色光。
發(fā)出的藍(lán)色光透過p型包覆層17、 p型接觸層18及透明電極19后，入射到封裝3中。入射到封裝3中的藍(lán)色光中的一部分保持藍(lán)色光的狀態(tài) 向外部照射，剩余的藍(lán)色光由熒光體6轉(zhuǎn)換成紅色光向外部照射。
另外，發(fā)出的綠色光透過藍(lán)色發(fā)光層16、 p型包覆層17、 p型接觸層 18及透明電極19后，入射到封裝3中。在此，由于藍(lán)色發(fā)光層16的帶隙 大于綠色發(fā)光層15的帶隙，所以入射到藍(lán)色發(fā)光層16中的綠色光會(huì)透過 而不會(huì)被藍(lán)色發(fā)光層16吸收。而且，入射到封裝3中的綠色光不會(huì)被熒 光體6轉(zhuǎn)換成紅色光，而是透過封裝3保持綠色光的狀態(tài)向外部照射。
其結(jié)果由于，向外部照射藍(lán)色光、綠色光及紅色光，所以混合這三種 顏色的光而成為白色光。
接著，對(duì)上述半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置的制造方法進(jìn)行說明。
首先，將藍(lán)寶石基板11導(dǎo)入MOCVD裝置中，并將基板溫度設(shè)定在 約50(TC 約1100°C。
接著，利用載氣(H2氣體)供給三甲基鋁(以下稱為TMA)及氨， 在藍(lán)寶石基板11上形成由A1N構(gòu)成的緩沖層12。
接著，利用載氣供給三甲基鎵(以下稱為TMG)、氨及硅浣，形成由 摻雜了硅的n型GaN層構(gòu)成的n型接觸層13。
接著，利用載氣供給TMG、 TMA、氨及硅垸，形成由摻雜了硅的n 型AlGaN層構(gòu)成的n型包覆層14。
接著，利用載氣供給TMG、三甲基銦(以下稱為TMI)及氨，形成 由InGaN層構(gòu)成的阱層15a。之后，將TMI切換成TMA，形成由AIGaN 層構(gòu)成的勢壘層15b。如此，使阱層15a及勢壘層15b交替生長8對(duì)，形 成綠色發(fā)光層15。
接著，利用載氣供給TMG、 TMI及氨，形成由InGaN層構(gòu)成的阱層 16a。在此，TMI的流量設(shè)定得小于上述的形成綠色發(fā)光層15的由InGaN 層構(gòu)成的阱層15a時(shí)的流量。之后，將TMI切換成TMA，形成由AlGaN 層構(gòu)成的勢壘層16b。如此，使阱層16a及勢壘層16b交替生長8對(duì)，形 成藍(lán)色發(fā)光層16。
接著，利用載氣供給TMG、 TMA、氨及環(huán)戊二烯基鎂(以下稱為 Cp2Mg)，形成由摻雜了 Mg的p型AlGaN層構(gòu)成的p型包覆層17。
接著，利用載氣供給TMG、氨及Cp2Mg，形成由摻雜了Mg的p型 GaN層構(gòu)成的p型接觸層18。
接著，利用載氣供給二甲鋅(Zn (CH3) 2)及四氫呋喃(C4H80)， 形成由ZnO層構(gòu)成的透明電極19。
接著，通過蝕刻去除透明電極19 n型包覆層14的一部分，以露出n 型接觸層13。
接著，依次形成p側(cè)電極20及n側(cè)電極21后，分割成各半導(dǎo)體發(fā)光 元件2，完成半導(dǎo)體發(fā)光元件2。
接奢，將半導(dǎo)體發(fā)光元件2接合到支承構(gòu)件4上后，對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光元 件2、支承構(gòu)件4及外部端子5進(jìn)行引線結(jié)合。最后，由含有熒光體6的 封裝3覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件2等，完成半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置l。
如上所述在第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置1中，通過在半導(dǎo)體 發(fā)光元件2上設(shè)置In的比率比可發(fā)出紅色光的發(fā)光層小的綠色發(fā)光層15 及藍(lán)色發(fā)光層16，能夠提高發(fā)光層15、 16的結(jié)晶性，所以能夠使綠色光 及藍(lán)色光的發(fā)光強(qiáng)度容易地達(dá)到期望的發(fā)光強(qiáng)度。由此，能夠抑制白色光 偏向特定的顏色，能夠提高白色光的光量。
另外，由于具備綠色發(fā)光層15及藍(lán)色發(fā)光層16，所以只要在封裝3 中混入一種用于發(fā)出紅色光的熒光體6，即可照射白色光。由此，不必像 封裝中混入用于發(fā)出紅色光及黃綠色光的兩種光的兩種熒光體的情況那 樣，考慮熒光體彼此的比率，另外，能夠在封裝3內(nèi)容易地均勻混入熒光 體6。進(jìn)而，通過應(yīng)用可利用藍(lán)色光的波長以下的光發(fā)出紅色光的熒光體 6，相比應(yīng)用了利用兩種光(例如，紫外線和藍(lán)色光)發(fā)出紅色光的熒光 體的情況，能夠容易地控制紅色光的光量。由此，能夠進(jìn)一步抑制白色光 偏向特定的顏色。
另外，通過將相比綠色發(fā)光層15帶隙更大的藍(lán)色發(fā)光層16形成在比 綠色發(fā)光層15更靠近光的照射側(cè)，由此被綠色發(fā)光層15吸收的藍(lán)色光在 不通過綠色發(fā)光層15的狀態(tài)下向外部照射，所以能夠容易地控制藍(lán)色光 的光量。
(第二實(shí)施方式)
接著，參照附圖，對(duì)上述第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置的半導(dǎo) 體發(fā)光元件的一部分變更的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置進(jìn)行說
明。圖4是第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖視圖。此外，對(duì)于和第一 實(shí)施方式同樣的構(gòu)成，標(biāo)注相同符號(hào)并省略說明。
如圖4所示，在半導(dǎo)體發(fā)光元件2A上，在藍(lán)色發(fā)光層16與p型包覆 層17之間形成有用于發(fā)出紫外線(波長約100nm 約430nm)的紫外線 發(fā)光層25。紫外線發(fā)光層25具有阱層(省略圖示)和勢壘層(省略圖示) 交替周期性層疊8對(duì)的MQW結(jié)構(gòu)。阱層由In的比率比構(gòu)成藍(lán)色發(fā)光層 16的阱層16a的InGaN層更低，且具有約3nm的厚度的InGaN層構(gòu)成。 具體而言，紫外線發(fā)光層25的阱層中的In與Ga內(nèi)的In的比率，為約0 % 約15%。紫外線發(fā)光層25的勢壘層，具有約10nm的厚度，由Al與 Ga內(nèi)的Al的比率為約2 5 %以下的AlGaN層構(gòu)成。
另外，第二實(shí)施方式中，封裝3中混入有可利用紫外線的波長以下的 光發(fā)出紅色光的熒光體6。作為這種熒光體6，可應(yīng)用Y203S: Eu2+、 (Ca、 Sr、 Ba) 2Si5N6: Eu2+、 CaAlSiN3: Eu2+、 La202S: Eu，。
接著，對(duì)紫外線發(fā)光層25的形成方法進(jìn)行說明。在形成藍(lán)色發(fā)光層 16之后，利用載氣供給TMG、 TMI及氨，形成由InGaN層構(gòu)成的阱層。 在此，TMI的流量設(shè)定得小于上述的形成藍(lán)色發(fā)光層16的由InGaN層構(gòu) 成的阱層16a時(shí)的流量。之后，將TMI切換成TMA，形成由AlGaN層構(gòu) 成的勢壘層。如此，使阱層及勢壘層交替生長8對(duì)，形成紫外線發(fā)光層25。
在第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置中，若向半導(dǎo)體發(fā)光元件2A 供給電流，則從綠色發(fā)光層15、藍(lán)色發(fā)光層16及紫外線發(fā)光層25分別發(fā) 出綠色光、藍(lán)色光及紫外線。然后，發(fā)出的綠色光及藍(lán)色光，透過各半導(dǎo) 體層16 19、 25及封裝3向外部照射。另一方面，若紫外線透過各半導(dǎo) 體層17 19入射到封裝3中，則由熒光體6轉(zhuǎn)換成紅色光，作為紅色光 向外部照射。由此，混合紅色光、綠色光及藍(lán)色光后，向外部照射白色光。
如上所述，在第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置中，由于具備具有 綠色發(fā)光層15及藍(lán)色發(fā)光層16的半導(dǎo)體發(fā)光元件2A、及發(fā)出紅色光的 熒光體6，所以能夠起到與第一實(shí)施方式同樣的效果。
進(jìn)而，通過在半導(dǎo)體發(fā)光元件2A上設(shè)置紫外線發(fā)光層25，應(yīng)用可利 用紫外線的波長以下的光發(fā)出紅色光的熒光體6，能夠僅通過不會(huì)給白色 光的顏色帶來影響的紫外線發(fā)出紅色光。由此，能夠不轉(zhuǎn)換從綠色發(fā)光層15及藍(lán)色發(fā)光層16發(fā)出的光，直接向外部照射，所以能夠容易地控制紅 色光、綠色光及藍(lán)色光的光量。由此，能夠進(jìn)一步抑制白色光的色偏。
另外，通過從光的照射側(cè)按照帶隙從大到小的順序形成紫外線發(fā)光層 25、藍(lán)色發(fā)光層16、綠色發(fā)光層15，由各發(fā)光層25、 16、 15發(fā)光并向照 射側(cè)行進(jìn)的光不會(huì)被各發(fā)光層25、 16、 15吸收，所以能夠容易地控制各 光的光量。
以上，雖然利用實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明詳細(xì)地進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不 限定于本說明書中所說明的實(shí)施方式。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書的記載 以及與權(quán)利要求的記載等同的范圍所確定。以下，對(duì)上述實(shí)施方式一部分 變更的變更方式進(jìn)行說明。
例如，上述的半導(dǎo)體發(fā)光元件2、 2A的各層及熒光體6等的構(gòu)成材料
可適當(dāng)變更。
另外，半導(dǎo)體發(fā)光元件2、 2A的各發(fā)光層15、 16、 25的順序可適當(dāng) 變更。例如，通過將綠色發(fā)光層15形成在比藍(lán)色發(fā)光層16更靠近光的照 射側(cè)，利用入射到綠色發(fā)光層15中的藍(lán)色光也能夠發(fā)出綠色光。由此， 能夠提高In的比率比藍(lán)色發(fā)光層16大且發(fā)光強(qiáng)度小的綠色發(fā)光層15的發(fā) 光強(qiáng)度。
另外，發(fā)光層15、 16、 25中的阱層與勢壘層的對(duì)數(shù)，例如可在1對(duì) IO對(duì)間適當(dāng)變更。進(jìn)而，各發(fā)光層15、 16、 25中，也可使對(duì)數(shù)不同。例 如，在想要提高藍(lán)色光的比率時(shí)，考慮將藍(lán)色發(fā)光層中的阱層與勢壘層形 成8對(duì)，而將綠色發(fā)光層中的阱層與勢壘層形成4對(duì)等。
另外，上述的實(shí)施方式中，雖然使用了藍(lán)寶石基板，不過也可以應(yīng)用 其他的導(dǎo)電性基板。
例如，作為基板可以使用n型GaN基板。此時(shí)，如圖5所示，半導(dǎo) 體發(fā)光元件2B具備在n型GaN基板11B上依次層疊的n型接觸層13B、 n型包覆層14、綠色發(fā)光層15、藍(lán)色發(fā)光層16、 p型包覆層17、 p型接觸 層18、透明電極19。另外，半導(dǎo)體發(fā)光元件2B具備p側(cè)電極20、和在n 型GaN基板11B的下表面形成的n側(cè)電極21。 n型接觸層13B，由具有 約lpm厚度的n型GaN層構(gòu)成。此外，也可以代替n型GaN基板而使用 n型SiC基板。 另外，作為基板也可以使用p型Si基板。此時(shí)，如圖6所示，半導(dǎo) 體發(fā)光元件2C具備在p型Si基板11C上依次層疊的反射層30、 p型接觸 層18C、 p型包覆層17C、綠色發(fā)光層15、藍(lán)色發(fā)光層16、 n型包覆層14C、 n型接觸層13C、透明電極19。另外，半導(dǎo)體發(fā)光元件2C,具備在透明電 極19的上表面形成的n側(cè)電極21C和在p型Si基板11C的下表面形成的 p側(cè)電極20C。反射層30中層疊有具有數(shù)pm厚度的Ag/TiW/Pt。 p型接 觸層18C及p型包覆層17C,分別由具有約300nm厚度的p型AlGaN層 構(gòu)成。n型包覆層14C及n型接觸層13C，分別由具有約100nm厚度及約 500nm厚度的n型AlGaN層構(gòu)成。n側(cè)電極21C及p側(cè)電極20C，分別為 與p側(cè)電極20及n側(cè)電極21相同的構(gòu)成。此夕卜，也可以代替p型Si基板 而應(yīng)用n型Si基板。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置，其具備半導(dǎo)體發(fā)光元件，其具有含In的綠色發(fā)光層及藍(lán)色發(fā)光層；和可發(fā)出紅色光的熒光體。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置，其中， 所述藍(lán)色發(fā)光層形成在比所述綠色發(fā)光層更靠近光的射出側(cè)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置，其中， 所述綠色發(fā)光層形成在比所述藍(lán)色發(fā)光層更靠近光的射出側(cè)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置，其中， 所述熒光體利用藍(lán)色光的波長以下的光發(fā)出紅色光。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置，其中， 所述半導(dǎo)體發(fā)光元件具有紫外線發(fā)光層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置，其中，所述紫外線發(fā)光層形成在比所述藍(lán)色發(fā)光層及所述綠色發(fā)光層更靠 近光的射出側(cè)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置，其中，所述熒光體利用紫外線的波長以下的光發(fā)出紅色光。
全文摘要
一種半導(dǎo)體白色發(fā)光裝置，其具備半導(dǎo)體發(fā)光元件，其具有含In的綠色發(fā)光層及藍(lán)色發(fā)光層；和可發(fā)出紅色光的熒光體。
文檔編號(hào)H01L33/32GK101197416SQ20071019647
公開日2008年6月11日 申請(qǐng)日期2007年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月5日
發(fā)明者中田俊次, 千田和彥 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司