專利名稱：用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路中的熔絲結(jié)構(gòu)，且特別涉及一種電子熔絲結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
熔絲在一種簡(jiǎn)便的非易失性存儲(chǔ)器(nonvolatile memory)可用于永久性儲(chǔ) 存數(shù)據(jù)，例如"識(shí)別芯片(chip-ID)。電子熔絲可通過(guò)過(guò)度電流或長(zhǎng)應(yīng)力時(shí)間 來(lái)編程。用來(lái)制造此種電子熔絲的半導(dǎo)體材料為硅化多晶硅。通過(guò)施加適當(dāng) 的高電流密度(一般為600mA4im2，持續(xù)一段特定時(shí)間)來(lái)對(duì)硅化多晶硅材 料施加應(yīng)力后，由于電子遷移(electromigration,EM)而導(dǎo)致其電阻提高。電子 遷移為電場(chǎng)中的電子碰撞位于熔絲中的固定離子的現(xiàn)象，其產(chǎn)生空隙且最后 在長(zhǎng)時(shí)間的應(yīng)力后形成開路。起始的低電阻與施加應(yīng)力后的高電阻可用來(lái)表 示高(HIGH)與低(LOW)兩種不同的邏輯狀態(tài)(logic states)。
除了電子遷移外，尚有其他兩種的熔絲編程機(jī)制，即硅化物堆疊 (agglomeration)與破裂(rupture)。硅化物堆疊發(fā)生在當(dāng)熔絲溫度高于85(TC時(shí)， 此溫度超出硅化物的形成溫度。而破裂則為物力性破壞熔絲，當(dāng)溫度梯度在 熔絲的不同部分造成不同的熱膨脹時(shí)，會(huì)導(dǎo)致破裂。
電子熔絲的起始電阻為100 ohm，在電子遷移后，其施加應(yīng)力后的電阻 為500-10K ohm。若相同的熔絲通過(guò)硅化物堆疊來(lái)編程，其最終電阻可達(dá) 100K-lMohm。若熔絲在編程后完全破裂，其最終電阻可大于10Mohm。
電子熔絲的結(jié)構(gòu)也會(huì)影響其編程效率。圖1A與圖1B分別顯示兩個(gè)傳統(tǒng) 電子烙絲結(jié)構(gòu)100與150。在圖1A中，電子熔絲結(jié)構(gòu)100具有矩形陽(yáng)極102 與矩形陰極112，矩形陰極112通過(guò)熔絲連接122與陽(yáng)極102連接。陽(yáng)極102 與陰極112實(shí)質(zhì)上皆位于其個(gè)別的接觸窗134上，以利用接觸電流密度容量。 陽(yáng)極102與陰極112在尺寸上對(duì)稱。在圖1B中，相似地，電子熔絲結(jié)構(gòu)150 也具有陽(yáng)極152與通過(guò)熔絲連接172連接的陰極162。電子熔絲結(jié)構(gòu)150的頂部與底部部分也呈對(duì)稱。對(duì)稱結(jié)構(gòu)與大尺寸陰極結(jié)構(gòu)的問(wèn)題為，當(dāng)陰極具 有足夠的電子供應(yīng)時(shí)則無(wú)法提高電子遷移作用。激光電子遷移作用指介于編
程前后的激光電阻變異(laser resistance differentiation)。雖然電子熔絲結(jié)構(gòu) 150的熔絲連接172為朝向中央逐漸變細(xì)，但尖細(xì)端也無(wú)法促進(jìn)電子遷移作 用。
Kothandaraman 等人在 "Electrically Programmable Fuse Using Electromigration in Silicides," ， IEEE Elec. Dev. Lett. Vol. 23， No. 9， Sept. 2002, pp.523-525中提出使用小尺寸陽(yáng)極與大尺寸陰極的結(jié)構(gòu)。此結(jié)構(gòu)確實(shí)抵抗了 電子遷移作用。此結(jié)構(gòu)的原理為抑制電子遷移作用，以在較高的編程電壓時(shí) 可發(fā)生破裂，而產(chǎn)生較高的電阻狀態(tài)。Aiavi等人在"A PROM Element Based on Salicide Agglomeration of Poly Fuses in a CMOS Logic Process, "IEDM1997， pp. 855-858中，設(shè)計(jì)了對(duì)稱的熔絲結(jié)構(gòu)作為電子熔絲，其并沒(méi)有加劇電子遷 移作用。Kalnitsky等人在"CoSi2 integrated flises on poly silicon for low voltage 0.18 |im CMOS application,"正EE IEDM 1999, pp. 765-768中報(bào)導(dǎo)其他使用電 子遷移作用的電子熔絲，但其仍然為對(duì)稱結(jié)構(gòu)。
如上所述，業(yè)界目前亟需電子熔絲結(jié)構(gòu)，其可加強(qiáng)電子遷移作用，使編 程更為容易，且在編程前后間具有較大的電阻變異。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有增加的電子遷移作用的熔絲結(jié)構(gòu)。在一方面，此結(jié)
構(gòu)包括陽(yáng)極區(qū)，位于第一多個(gè)接觸窗之上，該第一多個(gè)接觸窗在該熔絲結(jié) 構(gòu)的編程中與正高電壓耦接；陰極區(qū)，位于第二多個(gè)接觸窗之上，該第二多 個(gè)接觸窗在該熔絲結(jié)構(gòu)的編程中與互補(bǔ)低電壓耦接；以及熔絲連接區(qū)，其具 有第一與第二端，其中該第一端在離該第一多個(gè)接觸窗最近的預(yù)定距離處與
該陽(yáng)極區(qū)接觸，且該第二端在離該第二多個(gè)接觸窗最近的預(yù)定距離處與該陰 極區(qū)接觸，其中該陰極區(qū)小于該陽(yáng)極區(qū)以增強(qiáng)該電子遷移作用。
根據(jù)本發(fā)明的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述陽(yáng)極、陰極 與熔絲連接區(qū)包括相同的第一材料。
根據(jù)本發(fā)明的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述第一材料包 括多晶硅、擴(kuò)散有源區(qū)、硅化物與硅化多晶硅。根據(jù)本發(fā)明的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中在所述第一端的 熔絲連接區(qū)的寬度等于或小于在約相同位置的陽(yáng)極區(qū)的寬度。
根據(jù)本發(fā)明的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中在所述第二端的 熔絲連接區(qū)的寬度大于或等于在約相同位置的陰極區(qū)的寬度。
根據(jù)本發(fā)明的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述熔絲連接區(qū)
包括逆向偏壓PN結(jié)。
根據(jù)本發(fā)明的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述逆向偏壓PN 結(jié)位于約所述第二端。
根據(jù)本發(fā)明的一種用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，包括陽(yáng)極區(qū)位 于第一多個(gè)接觸窗之上，所述第一多個(gè)接觸窗在所述熔絲結(jié)構(gòu)的編程中與正
高電壓耦接；陰極區(qū)位于第二多個(gè)接觸窗之上，所述第二多個(gè)接觸窗在所述 熔絲結(jié)構(gòu)的編程中與互補(bǔ)低電壓耦接；以及熔絲連接區(qū)，其具有第一與第二 端，且具有堆疊的第一與第二層，其中所述第一層遭受電子遷移影響，且所 述第二層包括逆向偏壓PN結(jié)于所述編程中，其中所述第一端在離所述第一 多個(gè)接觸窗最近的預(yù)定距離處與所述陽(yáng)極區(qū)接觸，且所述第二端在離所述第 二多個(gè)接觸窗最近的預(yù)定距離處與所述陰極區(qū)接觸，其中所述陰極區(qū)小于所 述陽(yáng)極區(qū)以增強(qiáng)所述電子遷移作用。
根據(jù)本發(fā)明的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中在所述第一端的 熔絲連接區(qū)的寬度等于或小于在約相同位置的陽(yáng)極區(qū)的寬度。
根據(jù)本發(fā)明的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中在所述第二端的 熔絲連接區(qū)的寬度大于或等于在約相同位置的陰極區(qū)的寬度。
根據(jù)本發(fā)明的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述逆向偏壓PN 結(jié)位于約所述第二端。
本發(fā)明另一方面，為了更增加電子遷移作用，可形成逆向偏壓PN結(jié)在 熔絲連接區(qū)的主要部分中以避開流至熔絲結(jié)構(gòu)表面的電流。
又本發(fā)明另一方面，為了限制在該第二多個(gè)接觸窗上的電流密度且因此 同時(shí)增強(qiáng)電子遷移作用，該陰極區(qū)以一距離位于該第二多個(gè)接觸窗之上，且 該距離小于由預(yù)定的設(shè)計(jì)規(guī)則所規(guī)范的距離。
為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特 舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖示，作詳細(xì)說(shuō)明如下


圖1A與圖1B顯示傳統(tǒng)電子熔絲結(jié)構(gòu)。
圖2顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的電子熔絲結(jié)構(gòu)。
圖3顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的電子熔絲結(jié)構(gòu)的剖面圖，其具有逆向偏壓 PN結(jié)。
圖4A本發(fā)明第二實(shí)施例的電子熔絲結(jié)構(gòu)的上視圖，其具有逆向偏壓PN 結(jié)位于約熔絲連接區(qū)的中央部分。
圖4B本發(fā)明第二實(shí)施例的電子熔絲結(jié)構(gòu)的上視圖，其具有逆向偏壓PN 結(jié)約位于熔絲連接區(qū)與陰極的接合部。
圖5A顯示本發(fā)明第三實(shí)施例的簡(jiǎn)潔的電子熔絲結(jié)構(gòu)。
圖5B顯示本發(fā)明結(jié)合第二與三實(shí)施例的簡(jiǎn)潔的電子熔絲結(jié)構(gòu)，其具有 接近陰極區(qū)的逆向偏壓PN結(jié)。
圖5C顯示本發(fā)明結(jié)合第二與三實(shí)施例的簡(jiǎn)潔的電子熔絲結(jié)構(gòu)，其具有 逆向偏壓PN結(jié)位于約熔絲連接區(qū)的中央部分。
其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下
100、 150 傳統(tǒng)電子熔絲結(jié)構(gòu)
102、 152 陽(yáng)極
112、 162 陰極
122、 172 熔絲連接
134、 184 接觸窗
200、 300、 400、 450、 500、 550、 580 電子熔絲結(jié)構(gòu) 202、 302、 402、 502、 552 陽(yáng)極區(qū) 212、 312、 412、 512、 562 陰極區(qū) 224 電流
222、 422、 452、 522、 572、 582 熔絲連接區(qū) 234、 244、 504、 514 接觸窗 320 多晶硅層 330 硅化層
323、 327 多晶硅層320的一部分424 接近熔絲連接區(qū)422的中央?yún)^(qū)域 454 約熔絲連接區(qū)422與陰極區(qū)412的接合部 532、 542 虛線區(qū) 576 接近陰極區(qū)562的接合部位置 586 約在熔絲連接區(qū)582的中央部分
具體實(shí)施例方式
以下將提供熔絲結(jié)構(gòu)的詳細(xì)說(shuō)明，此熔絲結(jié)構(gòu)通過(guò)在熔絲結(jié)構(gòu)中增強(qiáng)電 子遷移作用，以在編程前后間提供較大的電阻變異。由于電子遷移作用，本 發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)包括陰極耗盡作用(cathode depletion effect)與儲(chǔ)存作用(reservoir effect)。陰極耗盡作用指在編程中陰極區(qū)比陽(yáng)極區(qū)更易形成空隙的現(xiàn)象。而 儲(chǔ)存作用意指陰極區(qū)越大，熔絲結(jié)構(gòu)越能抵抗電子遷移應(yīng)力。
圖2顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的電子熔絲結(jié)構(gòu)200。電子熔絲結(jié)構(gòu)200包 括陽(yáng)極區(qū)202、陰極區(qū)212與熔絲連接222連接陽(yáng)極區(qū)202與陰極區(qū)212。 接觸窗234與244分別連接陽(yáng)極區(qū)202與陰極區(qū)212。在熔絲結(jié)構(gòu)200的編 程中，電流224從陽(yáng)極區(qū)202流至陰極區(qū)212，由于電子遷移作用，導(dǎo)致熔 絲結(jié)構(gòu)200的電阻增加。在電流224與特定的施壓時(shí)間下，電子遷移作用越 劇烈，在編程前后之間的電阻變異越大。因此于圖2中，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí) 施例，將陰極區(qū)212做得小于陽(yáng)極區(qū)202以增強(qiáng)電子遷移作用。
雖然電子熔絲結(jié)構(gòu)200 —般由多晶硅材料制成，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可了 解也可使用其他材料，例如硅化多晶硅與擴(kuò)散區(qū)或上述的組合。此外，電子 熔絲結(jié)構(gòu)200不限定在場(chǎng)區(qū)氧化層(fieldoxide)的頂部上方。在下方的材料可 為薄柵極氧化物，而此種電子熔絲結(jié)構(gòu)200的編程電壓夠低，不會(huì)對(duì)柵極氧 化物造成損害。
圖3為電子熔絲結(jié)構(gòu)300的剖面圖，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，其在熔 絲連接區(qū)具有逆向偏壓(reverse biased)PN結(jié)。在此電子熔絲結(jié)構(gòu)300是由硅 化多晶硅所制成，即硅化層330形成于多晶硅層320的頂部上。在硅化工藝 之前，以N型離子，例如砷(As)在區(qū)域323中來(lái)注入多晶硅320，其中區(qū)域 323與陽(yáng)極302耦接。且以P型離子，例如硼(B)在區(qū)域327中注入多晶硅 320，其中區(qū)域327與陰極312耦接。因此多晶硅320在編程中具有逆向偏壓PN結(jié)，其可避開至硅化層330大部分的編程電流。大電流會(huì)更劇烈地對(duì) 烙絲結(jié)構(gòu)300施壓，且其導(dǎo)致電子遷移作用會(huì)讓熔絲結(jié)構(gòu)300的電阻更加提 高。
雖然本發(fā)明的第二實(shí)施例是以硅化多晶硅為例來(lái)說(shuō)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人 員可了解，只要逆向偏壓PN結(jié)可形成為位于下方受到電子遷移作用的一層， 本發(fā)明的原理就可應(yīng)用于其他結(jié)構(gòu)上，例如硅化物在硅之上(silicide over silicon)或反熔絲(anti-fuse)結(jié)構(gòu)。
圖4A與圖4B為電子熔絲結(jié)構(gòu)400與450的上視圖，其根據(jù)本發(fā)明的第 二實(shí)施例，各具有逆向偏壓PN結(jié)。熔絲結(jié)構(gòu)400與450皆具有陽(yáng)極區(qū)402、 陰極區(qū)412與熔絲連接區(qū)422。如同本發(fā)明的第一實(shí)施例，陰極412小于陽(yáng) 極402。圖4A中逆向偏壓PN結(jié)形成在位置424，其接近熔絲連接區(qū)422的 中央?yún)^(qū)域，可對(duì)照至圖3的熔絲結(jié)構(gòu)300。在圖4B中，逆向偏壓PN結(jié)則是 形成在位置454，其約是熔絲連接區(qū)422與陰極區(qū)412的接合部。在此方式 中，熔絲結(jié)構(gòu)450也由陰極耗盡作用獲得好處，其比逆向偏壓PN結(jié)位于熔 絲連接區(qū)中央的實(shí)施例更容易產(chǎn)生熔絲編程。
圖5A顯示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的簡(jiǎn)潔的電子熔絲結(jié)構(gòu)500。熔絲結(jié) 構(gòu)越簡(jiǎn)潔越好。但在某些設(shè)計(jì)法則中，例如陽(yáng)極區(qū)502或陰極區(qū)512應(yīng)在其 分別所對(duì)應(yīng)的接觸窗504與514之上有足夠的重疊以充分利用接觸窗504與 514的電流密度。此時(shí)陽(yáng)極502與陰極512應(yīng)分別成為虛線區(qū)532與542， 其分別大于圖中斜線部分的陽(yáng)極區(qū)502與陰極區(qū)512。根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí) 施例，熔絲結(jié)構(gòu)500為狹窄條狀物，其比傳統(tǒng)所設(shè)計(jì)的熔絲結(jié)構(gòu)不占空間。 通過(guò)縮小末端，即位于接觸窗504或514上的陽(yáng)極502或陰極512，可限制 位于接觸窗504或514的電流密度，也使接觸窗504或514傾向于電子遷移 作用。上述情況雖然在一般電路中應(yīng)予避免，但卻在熔絲應(yīng)用中為必須，電 子遷移作用越激烈，越容易將熔絲編程且在編程前后之間的電阻變異越大。 在此實(shí)施例中，接觸窗的電子遷移作用增加了熔絲連接區(qū)的電子遷移作用。 因此該熔絲結(jié)構(gòu)500可達(dá)到大的電阻變異。
圖5B顯示根據(jù)本發(fā)明結(jié)合第二與第三實(shí)施例的另一簡(jiǎn)潔的電子熔絲結(jié) 構(gòu)550，其具有逆偏壓PN結(jié)。若熔絲結(jié)構(gòu)550是由硅化多晶硅所形成，則 PN結(jié)可形成在多晶硅中。在圖5B中，以N型離子注入陽(yáng)極區(qū)552與熔絲連接區(qū)572，且以P型離子注入陰極區(qū)562，之后逆向偏壓PN結(jié)形成在接合部 位置576，位置576接近陰極區(qū)562。因此將逆向偏壓PN結(jié)用來(lái)避免至硅化 物的電流，也產(chǎn)生陰極消耗作用，而上述兩者皆在熔絲結(jié)構(gòu)中增強(qiáng)電子遷移 作用。
圖5C顯示根據(jù)本發(fā)明結(jié)合第二與第三實(shí)施例的又另一簡(jiǎn)潔的電子熔絲 結(jié)構(gòu)550，其具有一逆偏壓PN結(jié)。熔絲結(jié)構(gòu)580與550的不同處僅在于熔 絲結(jié)構(gòu)580的逆向偏壓PN結(jié)位于位置586，而位置586約在熔絲連接區(qū)582 的中央部分。同樣地，逆向偏壓PN結(jié)避免至硅化物的電流，其增強(qiáng)了電子 熔絲結(jié)構(gòu)580的電子遷移作用。
除了上述的功能優(yōu)勢(shì)外，對(duì)于任何需要熔絲的集成電路而言，本發(fā)明也 可作為降低成本的方法，例如多熔絲結(jié)構(gòu)可在一般邏輯工藝(logic process)中 制造而不需提供任何額外的掩模。
雖然在本發(fā)明實(shí)施例中敘述了硅化物位于多晶硅的頂部上，但本領(lǐng)域技 術(shù)人員可了解，底部的多晶硅層可置換成其他材料，例如擴(kuò)散區(qū)，只要其上 可形成PN結(jié)。只要頂部層受到電子遷移作用，就可通過(guò)其他工藝取代形成 頂部硅化層。在另一方面，受到電子遷移作用的層別可位于底部，而具有逆 向偏壓PN結(jié)的層別可位于頂部。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的變化與修 改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，包括陽(yáng)極區(qū)，位于第一多個(gè)接觸窗之上，所述第一多個(gè)接觸窗在所述熔絲結(jié)構(gòu)的編程中與正高電壓耦接；陰極區(qū)，位于第二多個(gè)接觸窗之上，所述第二多個(gè)接觸窗在所述熔絲結(jié)構(gòu)的編程中與互補(bǔ)低電壓耦接；以及熔絲連接區(qū)，其具有第一與第二端，其中所述第一端在離所述第一多個(gè)接觸窗最近的預(yù)定距離處與所述陽(yáng)極區(qū)接觸，且所述第二端在離所述第二多個(gè)接觸窗最近的預(yù)定距離處與所述陰極區(qū)接觸，其中所述陰極區(qū)小于所述陽(yáng)極區(qū)以增強(qiáng)所述電子遷移作用。
2. 如權(quán)利要求1所述的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述陽(yáng) 極、陰極與熔絲連接區(qū)包括相同的第一材料。
3. 如權(quán)利要求2所述的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述第 一材料包括多晶硅、擴(kuò)散有源區(qū)、硅化物與硅化多晶硅。
4. 如權(quán)利要求1所述的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中在所述 第一端的熔絲連接區(qū)的寬度等于或小于在約相同位置的陽(yáng)極區(qū)的寬度。
5. 如權(quán)利要求1所述的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中在所述 第二端的熔絲連接區(qū)的寬度大于或等于在約相同位置的陰極區(qū)的寬度。
6. 如權(quán)利要求1所述的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述陰 極區(qū)以一距離位于所述第二多個(gè)接觸窗之上，且所述距離小于由預(yù)定的設(shè)計(jì) 規(guī)則所規(guī)范的距離。
7. 如權(quán)利要求1所述的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述熔 絲連接區(qū)包括逆向偏壓PN結(jié)。
8. 如權(quán)利要求7所述的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述逆 向偏壓PN結(jié)位于約所述第二端。
9. 一種用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，包括陽(yáng)極區(qū)，位于第一多個(gè)接觸窗之上，所述第一多個(gè)接觸窗在所述熔絲結(jié) 構(gòu)的編程中與正高電壓耦接；陰極區(qū)，位于第二多個(gè)接觸窗之上，所述第二多個(gè)接觸窗在所述熔絲結(jié)構(gòu)的編程中與互補(bǔ)低電壓耦接；以及熔絲連接區(qū)，其具有第一與第二端，且具有堆疊的第一與第二層，其中所述第一層遭受電子遷移影響，且所述第二層包括逆向偏壓PN結(jié) 于所述編程中，其中所述第一端在離所述第一多個(gè)接觸窗最近的預(yù)定距離處與所述陽(yáng) 極區(qū)接觸，且所述第二端在離所述第二多個(gè)接觸窗最近的預(yù)定距離處與所述 陰極區(qū)接觸，其中所述陰極區(qū)小于所述陽(yáng)極區(qū)以增強(qiáng)所述電子遷移作用。
10. 如權(quán)利要求9所述的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中在所 述第一端的熔絲連接區(qū)的寬度等于或小于在約相同位置的陽(yáng)極區(qū)的寬度。
11. 如權(quán)利要求9所述的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中在所 述第二端的熔絲連接區(qū)的寬度大于或等于在約相同位置的陰極區(qū)的寬度。
12. 如權(quán)利要求9所述的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述 陰極區(qū)以一距離位于所述第二多個(gè)接觸窗之上，且所述距離小于由預(yù)定的設(shè) 計(jì)規(guī)則所規(guī)范的距離。
13. 如權(quán)利要求9所述的用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述 逆向偏壓PN結(jié)位于約所述第二端。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于電子遷移編程模式的熔絲結(jié)構(gòu)，包括陽(yáng)極區(qū)位于第一多個(gè)接觸窗之上，該第一多個(gè)接觸窗在該熔絲結(jié)構(gòu)的編程中與正高電壓耦接；陰極區(qū)位于第二多個(gè)接觸窗之上，該第二多個(gè)接觸窗在該熔絲結(jié)構(gòu)的編程中與互補(bǔ)低電壓耦接；以及熔絲連接區(qū)，其具有第一與第二端，其中該第一端在離該第一多個(gè)接觸窗最近的預(yù)定距離處與該陽(yáng)極區(qū)接觸，且該第二端在離該第二多個(gè)接觸窗最近的預(yù)定距離處與該陰極區(qū)接觸，又其中該陰極區(qū)小于該陽(yáng)極區(qū)以增強(qiáng)該電子遷移作用。
文檔編號(hào)H01L23/525GK101295703SQ20071019691
公開日2008年10月29日 申請(qǐng)日期2007年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月23日
發(fā)明者莊建祥, 柯博堯 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司