專利名稱：固體攝像裝置及其制造方法和照相機的制作方法
固體攝像裝置及其制造方法和照相機
技術區(qū)域
本發(fā)明涉及固體攝像裝置及其制造方法和照相機，特別涉及受光面具有 光電二極管的像素以矩陣狀排列而構成的固體攝像裝置及其制造方法和具 有該固體攝像裝置的照相機。
背景技術：
例如，CMOS傳感器或CCD元件等固體攝像裝置，其構成是，使光入 射到在半導體襯底表面形成的光電二極管(光電轉換部)上，利用該光電二 極管發(fā)生的信號電荷得到影像信號。
在CMOS傳感器中，例如其構成是，在受光面以二維矩陣狀排列的每 個像素上設有光電二極管，當受光時驅動CMOS電路將在各光電二極管發(fā) 生并存儲的信號電荷傳送至浮置擴散層，并將信號電荷變換為信號電壓讀 取。
另外，在CCD元件中，例如其構成是，和CMOS傳感器一樣，在受光 面以二維矩陣狀排列的每個像素上設有光電二極管，當受光時通過CCD垂 直傳送路及水平傳送路，將在各光電二極管發(fā)生并存儲的信號電荷傳送并讀 取。
如上所述的CMOS傳感器等固體攝像裝置，例如其構成是，在半導體 襯底的表面上形成有所述光電二極管，并且覆蓋其上層而形成有氧化硅等的 絕緣膜，為了不阻礙向光電二極管入射光，在除光電二極管區(qū)域的其他區(qū)域 將布線層形成于絕緣膜中。
然而，在所述固體攝像裝置中，隨著元件的微細化，受光面的面積縮小， 因此存在光的入射率下降，敏感度特性惡化的問題。
作為對策，開發(fā)了一種固體攝像裝置，其構成是利用片上透鏡或層內 透鏡進行集光，特別是在光電二極管上方的絕緣膜中設有將從外部入射的光 導至光電二極管的光波導。
專利文獻1及2公開了一種固體攝像裝置，其構成是相對光電二極管
上方的絕緣膜形成凹部，利用比氧化硅的折射率高的物質(以下簡稱"高折 射率物質")氮化硅埋入凹部，并設有將入射的光導至光電二極管的光波導。
專利文獻3公開了一種固體攝像裝置，其構成是在光電二極管上方的 絕緣膜的凹部埋入氮化硅膜和聚酰亞胺膜，并設有光波導。
專利文獻4公開了一種固體攝像裝置，其構成是在光電二極管的上方 部分，相對層中含有防止擴散膜的絕緣膜形成凹部，以去除防止擴散層，并 且氧化硅膜被埋入凹部。
專利文獻5公開了一種固體攝像裝置，其構成是在光電二極管上方的 絕緣膜的凹部埋入TiO分散型聚酰亞胺樹脂，并設有光波導。
專利文獻1 (日本)特開2003-224249號公報
專利文獻2(日本)特開2003-324189號公報
專利文獻3(日本)特開2004-207433號公報
專利文獻4(日本)特開2006-190891號公報
專利文獻5(日本)特開2006-222270號公報

發(fā)明內容
然而，如上所述，在光電二極管上方的絕緣膜中設有把入射光導至光電 二極管的光波導的固體攝像裝置中，因設有光波導，存在其制造工序復雜化 的問題。
另外，還有構成光波導的材料使耐熱性下降的問題。 需要解決的問題點是在設有光波導的固體攝像裝置中，因設有光波導 其制造工序不可避免地復雜化。
另 一個需要解決的問題是很難得到具有高耐熱性和高折射率的光波導。
本發(fā)明的固體攝像裝置是在受光面集成多個像素而構成的，其特征在 于，具有光電二極管，其在成為半導體襯底的所述受光面的像素區(qū)域被每 個所述像素劃分形成；信號讀取部，其在所述半導體襯底形成，并且讀取在 所述光電二極管上生成并存儲的信號電荷或根據(jù)所述信號電荷產生的電壓 的；絕緣膜，其覆蓋所述光電二極管且在所述半導體襯底上形成；凹部，其 在所述光電二極管的上方部分形成于所述絕緣膜；焊盤電極，其在焊盤電極
區(qū)域形成于所述絕緣膜上層；鈍化膜，其覆蓋所述凹部的內壁且在比所述焊
盤電極更上層形成，并且具有比氧化硅高的折射率；以及埋入層，其在所述 鈍化膜的上層埋入所述凹部形成，并且具有比氧化硅高的折射率。
上述本發(fā)明的固體攝像裝置是在受光面集成多個像素而構成的，在成為 半導體襯底的受光面的像素區(qū)域形成有被每個像素劃分的光電二極管和讀 取在光電二極管上生成并存儲的信號電荷或根據(jù)信號電荷產生的電壓的信 號讀取部，覆蓋光電二極管在半導體襯底上形成有絕緣膜。
在上述光電二極管的上方部分，在絕緣膜上形成有凹部，另外，在焊盤 電極區(qū)域的絕緣膜上層形成有焊盤電極，覆蓋凹部內壁且在比焊盤電極更上 層形成有比氧化硅具有更高折射率的鈍化膜。而且，在鈍化膜上層的凹部埋 入形成比氧化硅具有更高折射率的埋入層。
另外，本發(fā)明的固體攝像裝置是在受光面集成多個像素而構成的，其特 征在于，具有光電二極管，其在成為半導體村底的所述受光面的像素區(qū)域 被每個所述像素劃分形成；信號讀取部，其在所述半導體襯底形成，并且讀 取在所述光電二極管上生成并存儲的信號電荷或根據(jù)所述信號電荷產生的 電壓；絕緣膜，其覆蓋所述光電二極管且在所述半導體襯底之上形成；凹部， 其在所述光電二極管的上方部分的所述絕緣膜上形成；埋入層，其在所述凹 部埋入形成，并且含有比TiO分散有機樹脂具有耐熱性的無機物和金屬氧化 物。
上述本發(fā)明的固體攝像裝置是在受光面集成多個像素而構成的，在成為 半導體襯底的受光面的像素區(qū)域形成被每個像素劃分的光電二極管和讀取
讀取部，覆蓋光電二極管在半導體襯底上形成絕緣膜。
在上述光電二極管的上方部分，在絕緣膜上形成凹部，埋入凹部而形成 含有比TiO分散有機樹脂具有耐熱性的無機物和金屬氧化物的埋入層。
本發(fā)明的固體攝像裝置的制造方法是在受光面集成多個像素而構成的 固體攝像裝置的制造方法，其特征在于，具有在成為半導體村底的所述受 光面的像素區(qū)域形成被每個所述像素劃分的光電二極管和讀取在所述光電
取部的工序；覆蓋所述光電二極管且在所述半導體襯底上形成絕緣膜的工 序；在所述光電二極管的上方部分，在所述絕緣膜上形成凹部的工序；在焊
盤電極區(qū)域的所述絕緣膜上層形成焊盤電極的工序；覆蓋所述凹部的內壁且
在比所述焊盤電極更上層形成比氧化硅具有更高折射率的鈍化膜的工序；在 所述鈍化膜上層的所述凹部埋入形成比氧化硅具有更高折射率的埋入層。
上述本發(fā)明的固體攝像裝置的制造方法是在受光面集成多個像素而構 成的固體攝像裝置的制造方法，首先，在成為半導體襯底的受光面的像素區(qū) 域形成被每個像素劃分的光電二極管和讀取在光電二極管上生成并存儲的 信號電荷或根據(jù)信號電荷產生的電壓的信號讀取部。
其次，覆蓋光電二極管且在所述半導體襯底上形成絕緣膜；在光電二極 管的上方部分，在絕緣膜上形成凹部。另外，在焊盤電極區(qū)域的絕緣膜上層 形成焊盤電極。
再其次，覆蓋凹部的內壁且在比焊盤電極更上層形成比氧化硅具有更高 折射率的鈍化膜，在鈍化膜上層的凹部埋入形成比氧化硅具有更高折射率的 埋入層。
另外，本發(fā)明的固體攝像裝置的制造方法是在受光面集成多個像素而構 成的固體攝像裝置的制造方法，其特征在于，具有在成為半導體襯底的所 述受光面的像素區(qū)域形成被每個所述像素劃分的光電二極管和讀取在所述 光電二極管上生成并存儲的信號電荷或根據(jù)所述信號電荷產生的電壓的信 號讀取部的工序；覆蓋所述光電二極管且在所述半導體襯底上形成絕緣膜的 工序；在所述光電二極管的上方部分，在所述絕緣膜上形成凹部的工序；在 所述凹部埋入無機物而形成比TiO分散有機樹脂具有更高耐熱性的埋入層 的工序；以及在所述埋入層中離子注入金屬氧化物的工序。
上述本發(fā)明的固體攝像裝置的制造方法是在受光面集成多個像素而構 成的固體攝像裝置的制造方法，首先，在成為半導體村底的受光面的像素區(qū) 域形成被每個像素劃分的光電二極管和讀取在光電二極管上生成并存儲的 信號電荷或根據(jù)信號電荷產生的電壓的信號讀取部。
其次，覆蓋光電二極管且在所述半導體襯底上形成絕緣膜；在光電二極 管的上方部分，在絕緣膜上形成凹部。
再其次，在凹部埋入無^/l物，離子注入金屬氧化物，形成比TiO分散有 機樹脂具有高耐熱性和高折射率的埋入層。
本發(fā)明的照相機，其具有在受光面集成多個像素而構成的固體攝像裝 置、在所述固體攝像裝置的攝像部導入入射光的光學系統(tǒng)，以及處理所述固
體攝像裝置輸出信號的信號處理電路，所述固體攝像裝置是在受光面集成多 個像素而構成的固體攝像裝置，其特征在于，具有光電二極管，其在成為
半導體襯底的所述受光面的像素區(qū)域被每個所述像素劃分形成；信號讀取 部，其在所述半導體襯底上形成，并且讀取在所述光電二極管上生成并存儲 的信號電荷或根據(jù)所述信號電荷產生的電壓；絕緣膜，其覆蓋所述光電二極 管且在所述半導體襯底之上形成；凹部，其在所述光電二極管的上方部分形 成于所述絕緣膜；焊盤電極，其在焊盤電極區(qū)域形成于所述絕緣膜上層；鈍 化膜，其覆蓋所述凹部的內壁且在比所述焊盤電極更上層形成的比氧化硅具 有更高折射率；以及埋入層，其在所述鈍化膜的上層埋入所述凹部形成，并 且具有比氧化硅更高折射率。
上述本發(fā)明的照相機，其具有在受光面集成多個像素而構成的固體攝 像裝置、在所述固體攝像裝置的攝像部導入入射光的光學系統(tǒng)以及處理所述 固體攝像裝置輸出信號的信號處理電路，固體攝像裝置是上述結構的固體攝 像裝置。
本發(fā)明的固體攝像裝置，其構成是，在光電二極管的上方且形成于光電 二極管上層的絕緣膜上形成凹部，在凹部內埋入高折射率物質構成光波導， 并且將在焊盤電極的上層形成的鈍化膜作為埋入凹部內的高折射率物質利 用，因此，即使設置了光波導，也可以利用更簡單的工序來制造。
另外，本發(fā)明的固體攝像裝置可以得到具有高耐熱性和高折射率的光波導。
本發(fā)明的固體攝像裝置的制造方法，由于將在焊盤電極上層形成的鈍化 膜作為埋入凹部內的高折射率物質利用，因此，即使設置了光波導，也可以 用更簡單的工序來制造。
另外，本發(fā)明的固體攝像裝置的制造方法可以制造具有高耐熱性和高折 射率的光波導。
本發(fā)明的照相機，其構成是，由于在構成照相機的固體攝像裝置中，將 在焊盤電極上層形成的鈍化膜作為埋入凹部內的高折射率物質利用，因此， 即使設置了光波導，也可以利用更簡單的工序來制造。


圖1是本發(fā)明的實施例1的固體攝像裝置的剖面圖。
圖2是本發(fā)明的實施例1的固體攝像裝置中像素部的模式布置圖。
圖3是說明本發(fā)明的實施例1的固體攝像裝置的光到達光電二極管的入 射路徑的模式剖面圖。
圖4 (a) ~ (g)是示出本發(fā)明的實施例1的固體攝像裝置的凹部形狀 例子的模式圖。
圖5 (a)及圖5 (b)是示出本發(fā)明的實施例1的固體攝像裝置的制造 方法的制造工序的剖面圖。
圖6 (a)及圖6 (b)是示出本發(fā)明的實施例1的固體攝像裝置的制造 方法的制造工序的剖面圖。
圖7是示出本發(fā)明的實施例1的固體攝像裝置的制造方法的制造工序的 剖面圖。
圖8是示出本發(fā)明的實施例1的固體攝像裝置的制造方法的制造工序的 剖面圖。
圖9是示出本發(fā)明的實施例1'的固體攝像裝置的制造方法的制造工序的 剖面圖。
圖IO是示出本發(fā)明的實施例1的固體攝像裝置的制造方法的制造工序 的剖面圖。 '
圖11是示出本發(fā)明的實施例1的固體攝像裝置的制造方法的制造工序 的剖面圖。
圖12是本發(fā)明的實施例2的固體攝像裝置的剖面圖。
圖13是示出本發(fā)明的實施例2的固體攝像裝置的制造方法的制造工序 的剖面圖。
圖14是示出本發(fā)明的實施例2的固體攝像裝置的制造方法的制造工序 的剖面圖。
圖15是示出本發(fā)明的實施例2的固體攝像裝置的制造方法的制造工序 的剖面圖。
圖16是示出本發(fā)明的實施例2的固體攝像裝置的制造方法的制造工序 的剖面圖。
圖17是本發(fā)明的實施例3的照相機的概略結構圖。
附圖標記說明
10 p阱區(qū)域(半導體襯底)
11 n型電荷存儲層
12 p+型表面層
13 柵絕緣膜
14 柵電極
15 第1絕緣膜
16 第2絕緣膜
17 第3絕緣膜 17t 布線用槽
18 阻擋金屬層
19 導電層
20 第1防止擴散膜
21 第4絕緣膜
22 第5絕緣膜 22t 布線用槽
23 阻擋金屬層
24 導電層
25 第2防止擴散膜
26 第6絕緣膜
27 第7絕緣膜 27t 布線用槽
28 阻擋金屬層
29 導電層
30 第3防止擴散膜
31 第8絕緣膜 31c 開口部
32 焊盤電極
33 第9絕緣膜 33a 開口形狀部
34 抗蝕劑膜35抗蝕劑膜
36鈍化膜
37埋入層
38平坦化樹脂層
39a，39b， 39c彩色濾光器
40微透鏡
40a樹脂層
50固體攝像裝置
51光學系統(tǒng)
53信號處理電路
100半導體襯底
101受光部
102傳感器部
103柵絕緣膜
104柵電極
105，106， 107， 108 絕緣膜
109第1絕緣膜
120第2絕緣膜
121第3絕緣膜
122第1防止擴散膜
123第4絕緣膜
124第2防止擴散膜
125第5絕緣膜
126第3防止擴散膜
127第6絕緣膜
128第7絕緣膜
130接觸孔拴柱
131第1布線層
132第1過孔拴柱
133第2布線層
134第2過孔拴柱
135 第3布線層
140 埋入層
150 抗蝕劑膜
151 抗蝕劑膜
160 平坦化樹脂層
161 彩色濾光器
162 微透鏡 H 凹部
I 離子注入
K 凹部
L 光
P 開口部
PD 光電二極管
RPAD 焊盤電極區(qū)域
RPX 像素區(qū)域
Wl， W2, W3, W4 布線層
Wla, W3a, W4a， W4b 凸出區(qū)域
具體實施例方式
下面參照

本發(fā)明的固體攝像裝置及其制造方法和具有該固體 攝像裝置的照相機的實例。
實施例1
圖1是集成有多個像素且涉及一實施例的固體攝像裝置即CMOS傳感 器的模式剖面圖，圖中示出了像素區(qū)域RPX和焊盤電極區(qū)域Rpad。
例如，在受光面的像素區(qū)域Rpx，在半導體襯底的p阱區(qū)域10中，每個 像素形成n型電荷存儲層11及其表層的p+型表面層12,通過pn結構成光 電二極管PD,并且與光電二極管PD鄰接，在半導體襯底上形成柵絕緣膜 13和柵電極14。
例如，在上述的半導體襯底上形成有浮置擴散層、CCD電荷傳送路等 以及讀取在光電二極管PD上生成并存儲的信號電荷或根據(jù)信號電荷產生的 電壓的信號讀取部，通過向柵電極14施加電壓可以傳送信號電荷。
另外，覆蓋光電二極管PD，在半導體襯底上層疊分別例如由氧化硅形
成的第1絕緣膜15、第2絕緣膜16、第3絕緣膜17、第4絕緣膜21、第5 絕緣膜22、第6絕緣膜26、第7絕緣膜27及第8絕緣膜31 、例如由碳化硅 形成的第1防止擴散膜20及第2防止擴散膜25以及由氮化硅形成的第3防 止擴散膜30而構成絕緣膜。
在上述的第3絕緣膜17中形成布線用槽17t，而埋入有第1布線層。該 第1布線層是由例如通過波紋處理形成的由鉭/氮化鉭構成的阻擋金屬層18 和由銅構成的導電層19形成。
在第5絕緣膜22中也一樣，布線用槽22t中形成有由阻擋金屬層23和 導電層24構成的第2布線層，而在第7絕緣膜27中形成有布線用槽27t, 并且形成有由阻擋金屬層28和導電層29構成的第3布線層。上述的第1~ 第3防止擴散膜用于防止構成導電層(19， 24， 29)的銅擴散。
如上所述，在上述層疊的絕緣膜中埋入有布線層。上述的第1~第3布 線層也可以是分別例如通過雙重波紋處理形成的、與從布線用槽的底面向下 層布線的開口部內的接觸部成為一體的布線結構。
另外，在焊盤電極區(qū)域RpAD,在絕緣膜的上層形成有焊盤電極32。焊 盤電極32例如由鋁等構成，經由形成于第8絕緣膜31等的開口部31c等， 與第3布線層等連接，例如直徑為10(Vm左右大小。
而且，還形成有覆蓋上述的焊盤電極32且全面地由氧化硅構成的第9 絕緣膜33。
這里，例如，在光電二極管PD的上方部分，在如上所述層疊形成的第 4 ~第9絕緣膜及第1 -第3防止擴散膜上形成有凹部H。
如上所述，在光電二極管PD上方層疊的絕緣膜含有布線層的防止擴散 膜，例如，最下層的防止擴散膜的第1防止擴散膜20構成凹部H的底面。
上述凹部H的形成受到光電二極管的面積、像素大小及工序規(guī)則等的影 響，但是例如一般開口直徑為0.8pm左右，高寬比為1 ~2左右或者以上。
另夕卜，例如，凹部H的內側壁面是與村底主面垂直的面，而且作為凹部 H的邊緣部，在第9絕緣膜33的部分形成為越向上方就越擴展的正錐狀的 開口形狀部33a。
覆蓋上述的凹部H的內壁且在比焊盤電極32更上層形成有比氧化硅(折
射率為1.45)具有更高折射率的鈍化膜36。鈍化膜36例如由氮化硅(折射 率為2.0)等構成，其厚度為0.51im左右。
例如，外形雖然在開口部的邊緣部呈正錐狀，但是，因為堆積時的異向 性，在開口部堆積得厚，而在凹部H底部附近堆積得薄。
另外，例如，在鈍化膜36的上層，在凹部H埋入形成比氧化硅具有更 高折射率的埋入層37。埋入層37埋入在凹部H內，其在凹部H外部的膜厚 為0.5,左右。
埋入層37例如由硅氧烷類樹脂(折射率為1.7)或者聚酰亞胺等高折射 率樹脂構成，優(yōu)選為硅氧烷類樹脂。
而且，在上述的樹脂中含有如氧化鈦、氧化鉭、氧化鈮、氧化鴒、氧化 鋯、氧化鋅、氧化銦、氧化鉿等金屬氧化物微粒子，這樣可以提高折射率。
在上述埋入層37的上層形成還作為粘接層而起作用的平坦化樹脂層 38，在其上層在每個像素上形成例如藍(B)、綠(G)、紅(R)各色的彩色 濾光器(39a， 39b, 39c)，在其上層形成有微透鏡40。
在焊盤電極區(qū)域RPAD沒有形成彩色濾光器，在焊盤電極32的上層層疊 有第9絕緣膜33、鈍化膜36、埋入層37、平坦化樹脂層38及構成微透鏡的 樹脂層40a,形成有開口部P,以使焊盤電極32的上面露出，。
圖2是本實施例所述的固體攝像裝置像素部的模式布置圖。
由埋入在凹部H內的高折射率物質形成的鈍化膜36和埋入層37構成將 從外部入射的光導至光電二極管的光波導。
例如，光波導在比光電二極管PD區(qū)域小的區(qū)域形成。
另外，圖1中示出的第1~第3布線層等布線層在絕緣膜中形成網(wǎng)狀， 以包圍凹部H的周圍。所謂網(wǎng)狀，例如是指布線層和絕緣膜上下交替層疊的 狀態(tài)。例如，在由垂直方向擴展的布線層(Wl， W2)和水平方向擴展的布 線層(W3， W4)包圍的區(qū)域內設有凹部H的區(qū)域。布線層(Wl， W2, W3, W4)分別具有例如網(wǎng)狀結造。
圖3是說明向本實施例所述的固體攝像裝置的光電二極管入射光的光入 射路徑的模式剖面圖。
例如，由于按圖3所示的路徑入射的光L是傾斜地入射，因此不能入射 到已入射像素的光電二極管PD,進入鄰接像素，而成為混色的原因。
但是，在如上述的光波導周圍形成有如上述的網(wǎng)狀布線層的情況下，能 夠防止向鄰接像素反射似乎漏出的光進入鄰接像素的光電二極管。
另外，如圖2所示，例如，在用如上述的布線層(Wl， W2， W3, W4) 包圍的區(qū)域布置凹部H的區(qū)域時，為了提高光的入射效率，優(yōu)選設定布線層 (W1, W2， W3， W4)不重疊的最大面積。
但是，在上述的布線層(Wl， W2， W3， W4)中，通常存在向成為凹 部H的區(qū)域一側突出的區(qū)域(Wla, W2b， W3c, W4d)，在凹部H的區(qū)域 必須避免它們的存在。
本實施例中，在如上述避免了布線層的凸出區(qū)域的區(qū)域中，布置與半導 體襯底的主面平行的截面上的凹部H的形狀對外側總是成為凸的角形狀和/ 或僅有曲線的形狀。
這里，對外側總是凸的角形狀，是指角形狀的內角為不超過180度的角， 這樣的角也包括尖端倒角的角形狀。
而對外側總是凸的曲線，是指曲線上所有點的切線未橫穿形狀內的、除 去該切點總存在于形狀外部的曲線，包括圓形、橢圓形等。
另外，也可以是組合上述的僅具有對外側總是凸的角形狀的部分形狀的 局部和僅具有對外側總是凸的曲線的部分形狀的局部的形狀。
在本實施例中，凹部H在滿足對外側總是凸的制約的基礎上，優(yōu)選設定 包圍凹部周圍地埋入絕緣膜中的布線層不重疊的最大面積。
圖4(a) ~ (g)是示出本發(fā)明的實施例1的固體攝像裝置的凹部H形 狀的模式圖，圖中以斜線表示角形狀的內側。
圖4 (a)示出的是內角不超過180度的45度左右的角形狀A，圖4(b) 示出的是^l巴圖4 ( a)的角形狀尖端倒角的角形狀B。
圖4 ( c )示出的是內角不超過180度的90度左右的角形狀C，圖4 ( d ) 示出的是把圖4 (c)的角形狀尖端倒角的角形狀D。
圖4(e)示出的是內角不超過180度的135度左右的角形狀E，圖4(f) 示出的是把圖4 (e)的角形狀尖端倒角的角形狀F。
能夠對如上所述的外側總是凸狀。
一方面，圖4 (g)示出的角形狀G的內角超過180度。這樣的形狀， 對外側不總是凸狀，因此，本實施例不采用具有如此角形狀的形狀。
例如，如果存在對內側成為凸的角形狀，則埋入凹部H內的硅氧烷類樹 脂等的高折射率樹脂從那樣的點開始易發(fā)生裂縫。
因而，如上所述，通過使凹部H的形狀對外側總是凸的角形狀和/或僅
有曲線的形狀，可以控制裂紋在埋入凹部H內的埋入層37中形成，也可以 減少敏感度的下降，減少噪聲的發(fā)生。
上述本實施例的固體攝像裝置，在光電二極管的上方且形成于光電二極 管上層的絕緣膜上形成凹部H，在凹部H內埋入高折射率物質構成光波導， 在焊盤電極上層形成的鈍化膜也可以作為埋入凹部內的高折射率物質利用， 即使設置了光波導，也可以利用更簡單的工序來制造。
在本實施例的固體攝像裝置中，例如，也可以在同一芯片上混載邏輯電 路等。在這種情況下，構成上述的光波導的鈍化膜即使在邏輯等其他區(qū)域也 可以成為作為鈍化膜而使用的膜。
根據(jù)本實施例的固體攝像裝置，通過得到如上所述的光波導可以提高敏
感度，降低陰影，而且通過使用布線層作為鄰接像素的遮光膜圖案，可以提 高混色特性。
下面參照

本實施例的固體攝像裝置的制造方法。 首先，如圖5 (a)所示，例如，在像素區(qū)域Rpx形成光電二極管PD, 與光電二極管鄰接形成柵絕緣膜13及柵電極14、浮置擴散層和CCD電荷 傳送路等，以及讀取在光電二極管上生成并存儲的信號電荷或根據(jù)所述信號 電荷產生的電壓的信號讀取部。其中，光電二極管PD具有在半導體襯底的 p阱區(qū)域10上形成n型電荷存儲層11及其表層的p+型表面層12構成的pn 結。
其次，例如，利用CVD (化學氣相成長法)等覆蓋光電二極管PD，在 整個像素區(qū)域Rpx和焊盤電極區(qū)域RpAD堆積氧化硅形成第1絕緣膜15。
再其次，例如，在第1絕緣膜15的上層堆積氧化硅形成第2絕緣膜16， 進一步堆積氧化硅形成第3絕緣膜17。
然后，例如，通過蝕刻加工在第3絕緣膜17上形成布線用槽17t,進一 步通過賊射覆蓋布線用槽17t的內壁并對鉭/氧化鉭進行成膜而形成阻擋金 屬層18,形成銅的種層，通過電解電鍍對銅全面地進行成膜，利用CMP(化 學機械研磨)法去除在布線用槽17t外部的銅形成導電層19。此時，在布線用槽17t外部形成的阻擋金屬層18也被去除。這樣，形成由埋入在布線用槽
17t的阻擋金屬層18和導電層19構成的第1布線層。
還有，例如在第1布線層的上層，利用CVD法堆積碳化硅形成第1防 止擴散膜20。
另外，如圖5 (b)所示，反復進行形成由上述的第2絕緣膜16、第3 絕緣膜17、布線用槽17t、阻擋金屬層18和導電層19構成的第2布線層和 第1防止擴散膜的處理，形成例如第4絕緣膜21、第5絕緣膜22、布線用 槽22t、阻擋金屬層23、導電層24及第2防止擴散膜25,進一步形成由第6 絕緣膜26、第7絕緣膜27、布線用槽27t、阻擋金屬層28和導電層29構成 的第3布線層。而且，例如利用CVD法堆積氮化硅形成第3防止擴散膜30。 另外，在其上層形成第8絕緣膜31。
通過如上所述處理形成堆積第1絕緣膜15、第2絕緣膜16、第3絕緣 膜17、第4絕緣膜21 、第5絕緣膜22、第6絕緣膜26、第7絕緣膜27及 第8絕緣膜31，例如由碳化硅構成的第1防止擴散膜20及第2防止擴散膜 25和例如由氮化硅構成的第3防止擴散膜30的絕緣膜，以及埋入絕緣膜中 的第1~第3布線層。
這里，所述第3布線層可以延伸至例如焊盤電極區(qū)域RpAD。
上述的第1 ~第3布線層是通過雙重波紋處理，與從布線用槽的底面至 下層布線的開口部內的接觸部形成一體的布線結構。
如圖6 (a)所示，在第8絕緣膜31等上形成到達第3布線層的開口部 31c，利用例如成膜溫度為300。C左右的濺射法等對鋁進行成膜并進行圖案加 工，形成例如直徑為100lam左右的焊盤電極32。
如圖6 (b)所示，例如，整個像素區(qū)域Rpx和焊盤電極區(qū)域Rpad利用 CVD法覆蓋焊盤電極32堆積氧化硅形成第9絕緣膜33。
如圖7所示，例如對利用光刻工序^巴凹部H開口的圖案抗蝕劑膜34進
第9絕緣膜33上形成越向上方就越擴展的正錐狀的開口形狀部33a。
其次，如圖8所示，去除上述的抗蝕劑膜34，例如，對與抗蝕劑膜34 一樣的圖案的抗燭劑膜35進行圖案形成，實施反應性離子蝕刻等的異向性 蝕刻，在第4 ~第9絕緣膜及第1 ~第3防止擴散膜上形成凹部H。
在上述的凹部H的開口處，例如，根據(jù)氧化硅和氮化硅或碳化硅等的材 料一邊變化條件一邊進行蝕刻，在開口底部到達第1防止擴散膜20的時刻 快速4亭止蝕刻。
由此，在第1防止擴散膜20上可以構成凹部H的底面。
如上所述，通過將第1防止擴散膜20設為凹部H的底面，凹部H的深
度穩(wěn)定且確定，因此光電二極管和光波導的距離變成一定，可以防止特性不一致。
這樣，例如，開口直徑為0.8(im左右，高寬比為1 ~2左右或其以上， 作為凹部H的邊緣部，在第9絕緣膜33的部分可以對正錐狀的開口形狀部 33a的凹部H進行開口 。
如圖9所示，例如，利用成膜溫度為380。C左右的等離子CVD法，覆 蓋凹部H的內部且在比焊盤電極32更上層堆積比氧化硅具有更高折射率的 氮化硅，對鈍化膜36進行0.5pm左右的成膜。外形雖然在開口部的邊緣部 呈正錐狀，但是，根據(jù)堆積時的異向性，在開口邊緣部堆積得厚，而在凹部 H底部附近堆積得薄。
接著，如圖IO所示，利用成膜溫度為400。C左右的旋涂法，對含有氧化 鈦等金屬氧化物微粒子的硅氧烷類樹脂進行0.5jiim左右的成膜，在鈍化膜 36的上層埋入凹部H而形成比氧化硅具有更高折射率的埋入層37。涂布后 根據(jù)需要進行例如300。C左右的后烘處理。另外，若是聚酰亞胺樹脂，則在 例如350。C左右的溫度下能夠成膜。
如圖ll所示，在埋入層37的上層形成例如還作為粘接層而起作用的平 坦化樹脂層38，在其上層每個像素上形成例如藍(B)、綠(G)、紅(R) 各色的彩色濾光器(39a, 39b， 39c )。
進一步，在其上層形成微透鏡40。
上述的制造方法，例如在焊盤電極的形成工序后到樹脂埋入層的形成工 序之前的任意階段進行氫處理(燒結)，這是為了對半導體中的懸掛鍵進行 終端化。
進一步，如圖1所示，為了使焊盤電極32的上方露出，在焊盤電極區(qū)
域RpAD形成開口部P。
通過以上，可以制造圖1所示構成的固體攝像裝置。
本實施例的固體攝像裝置的制造方法，將在焊盤電極的上層形成的鈍化 膜作為埋入凹部H內的高折射率物質利用，因此，即使設置了光波導，也可 以利用更簡單的工序來制造。
實施例2
圖12是示出本發(fā)明的一實施例所述的固體攝像裝置即CMOS傳感器結 構的模式剖面圖。
例如，在半導體襯底100上形成進行光電交換光的受光部101和覆蓋該 受光部101的例如由氧化硅構成的含有第1絕緣膜109的傳感器部102，在 該傳感器102上形成有例如由氧化硅構成的第2絕緣膜120、第3絕緣膜121、 第4絕緣膜123、第5絕緣膜125。在這些第2絕緣膜120、第3絕緣膜121、 第4絕緣膜123、第5絕緣膜125中，分別形成有例如通過波紋處理形成的 由鉭/氮化鉭構成的圖中未示出的由阻擋金屬層和銅構成的第1布線層131、 第2布線層133、第3布線層135。另外，第1布線層131例如通過用波紋 處理形成的接觸孔栓柱130與受光部101電性連接，各布線層例如通過用波 紋處理形成的第1過孔栓柱132和第2過孔拴柱134電性連接。而且，在第 3絕緣膜121、第4絕緣膜123、第5絕緣膜125之間形成有例如膜厚約為 50nm的由碳化硅構成的第1防止擴散膜122、第2防止擴散膜124，在第5 絕緣膜125上形成例如由氮化硅構成的第3防止擴散膜126，防止形成第1 布線層131、第2布線層133、第3布線層135的銅擴散。
上述的第1~第3布線層(131， 133， 135)可以是分別例如通過雙重波 紋處理與接觸孔栓柱130、第1過孔栓柱132、第2過孔拴柱134 —體形成 的布線結構。
另外，受光部101例如由氧化硅構成的柵絕緣膜103、多晶硅構成的柵 電極104以及氮化硅構成的絕緣膜(105， 106， 107, 108 )形成。
在第3防止擴散膜126上形成有由氧化硅構成的第6絕緣膜127以及作 為保護膜的第7絕緣膜128。
這里，例如，在受光部101的上方部分，在如上所述層疊形成的第3絕 緣膜121、第4絕緣膜123、第5絕緣膜125、第6絕緣膜127、第7絕緣膜 128，以及在這些絕緣膜之間形成的第1防止擴散膜122、第2防止擴散膜 124、第3防止擴散膜126中形成凹部K。
上述的凹部K的形成受到受光部101的面積、像素大小、處理流程等的
影響，但是，例如，開口直徑為0.8pm左右，高寬比為1 2左右或其以上。
另夕卜，例如，在凹部K埋入形成有由比TiO分散有機樹脂具有更高耐熱 性的無^/L物和金屬氧化物構成的埋入層140，埋入層140成為光波導。埋入 層140埋入在凹部K內。
埋入層140是例如在具有氧化硅等氧化物等高耐熱性的無機物中例如利 用離子注入而含有氧化鈦、氧化鉭、氧化鈮、氧化鎢、氧化鋯、氧化鋅、氧 化銦、氧化鉿等金屬氧化物微離子而構成的。特別是，作為無機物優(yōu)選氧化 硅，而作為金屬氧化物優(yōu)選氧化鈦。
在上述埋入層140的上層形成例如還作為粘接層而起作用的丙烯基類熱 固化樹脂構成的平坦化樹脂層160,在其上層形成彩色濾光器161,在其上 層形成集光入射光的光學元件的微透鏡162。
在具有如上述結構的CMOS傳感器中，入射光通過微透鏡162集光， 而且通過作為光波導的由無機物及金屬氧化物構成的埋入層140照射受光部 101,由該受光部101進4亍光電轉換。
下面參照

本發(fā)明的 一 實施例所述的固體攝像裝置的制造方法。
首先，如圖13所示，在半導體襯底100上形成由氧化硅構成的柵絕緣 膜103和由多晶硅構成的柵電極104作為受光部101,在其上方形成由氮化 硅構成的絕緣膜(105， 106, 107， 108)。
其次，例如利用CVD等在整個受光部101之上堆積氧化硅形成第1絕 緣膜109 ，形成傳感器部102 。
再其次，利用CVD等堆積氧化硅形成第2絕緣膜120和第3絕緣膜121 ， 通過蝕刻加工在第2絕緣膜120和第3絕緣膜121中形成接觸孔拴柱130用 槽，通過濺射覆蓋接觸孔拴柱130用槽的內壁，對鉭/氧化鉭進行成膜而形成 圖中未示出的阻擋金屬層并形成銅的種層，通過電解電鍍全面地對銅進行成 膜并形成接觸孔拴柱130。
然后，在接觸孔拴柱130上形成第1布線層131用槽，進一步通過濺射 覆蓋第1布線層131用槽的內壁，對鉭/氧化鉭進行成膜而形成圖中未示出的 阻擋金屬層并形成銅的種層，通過電解電鍍全面地對銅進行成膜，利用CMP (化學機械研磨)等去除在第1布線層131用槽外部形成的銅而形成第1布 線層131。這樣，形成接觸孔拴柱130及第1布線層131。
還有，在第1布線層131的上層利用例如CVD堆積碳化硅形成第1防止擴散膜122。
而且，在整個第1防止擴散膜122面上，用例如TEOS ( Tetra Ethyl Ortho Silicate:正硅酸乙酯)，由CVD等堆積氧化硅形成第4絕緣膜123。
另外，反復進行形成上述的第2絕緣膜120、第3絕緣膜121、第4絕 緣膜123、接觸孔拴柱130、第1布線層131、第1防止擴散膜122的處理， 形成第1過孔拴柱132、第2布線層133、第2防止擴散膜124，而且形成第 5絕緣膜125、第2過孔拴柱134、第3布線層135、第3擴散防止膜126、 第6絕緣膜127。在這基礎上進一步利用例如CVD等形成由氧化硅構成的 第7絕緣膜128。
經過如上所述，在第2絕緣膜120、第3絕緣膜121、第4絕緣膜123、 第5絕緣膜125、第6絕緣膜127及第7絕緣膜128的絕緣膜之間形成由碳 化硅構成的第1防止擴散膜122、第2防止擴散膜124，以及由例如氮化硅 構成的第3防止擴散膜126和埋入絕緣膜形成的第1 ~第3布線層(131, 133, 135 )、第1過孔拴柱132及第2過孔拴柱134。
上述的第1 ~第3布線層(131， 133, 135 )也可以分別例如通過雙重波 紋處理，與在從布線用槽的底面至下層布線的開口部內的接觸孔拴柱130、 第1過孔拴柱132、第2過孔栓柱134構成一體形成布線結構。
如圖14所示，例如，通過光刻法工序對在凹部K開口的圖案抗蝕劑膜 150進行圖案形成，對抗蝕劑膜150進行掩模處理實施反應性離子蝕刻等異 向性蝕刻，在第2~第7絕緣膜(120, 121, 123， 125, 127， 128)及第1~ 第3防止擴散膜(131， 133, 135 )形成凹部K。然后，例如根據(jù)氧化硅和 氮化硅或碳化硅等材料一邊變化條件一邊進行蝕刻。
如圖15所示，去除上述的抗蝕劑膜150,例如利用成膜溫度為40(TC左 右的旋涂法，在凹部K埋入比TiO分散有機樹脂具有更高耐熱性的無機物形 成埋入層140。作為埋入凹部K的無機物例舉有氧化硅等氧化物等。然后， 利用CMP (化學機械研磨)法等對堆積在第7絕緣膜128上的無機物進行 研磨，并進行平坦化處理。
如圖16所示，為了使凹部K露出，例如，通過利用光刻工序對在凹部 K開口的圖案抗蝕劑膜151進行圖案形成，對抗蝕劑膜151進行掩模處理， 以及離子注入金屬氧化物，僅使埋入凹部K的無機物含有金屬氧化物。
另外，在埋入層140的上層例如形成還作為粘接層而起作用的丙烯基類
熱固化樹脂構成的平坦化樹脂160,在其上層形成彩色濾光器161作為如圖 12所示構成的固體攝像裝置。
進一步，在其上層形成微透鏡162。
雖在圖中未示出，多個半導體襯底100上的受光部101以矩陣狀配置， 彩色濾光器161成為與其對應的受光部101所需要的顏色(三原色之一)。 實施例3
圖17是本實施例的照相機的概略結構圖。
本發(fā)明的照相機，其具有多個像素集成而構成的固體攝像裝置50、光學 系統(tǒng)51及信號處理電路53。
在本實施例的上述固體攝像裝置50是采用上述實施例1 ~實施例3中的 任意一例所述的固體攝像裝置所組成的。
光學系統(tǒng)51的作用是使拍照對象物發(fā)出的像光(入射光)在固體攝像 裝置50的攝像面上成像。由此，在構成固體攝像裝置50的攝像面上的各像 素的光電二極管，根據(jù)入射光量將像光變換為信號電荷，在一定期間存儲相 當?shù)男盘栯姾伞?br> 被存儲的信號電荷經過例如CCD電荷傳送路，作為輸出信號Vout取出。 信號處理電路53對固體攝像裝置50的輸出信號VouT進行各種信號處
理，并作為影像信號輸出。
上述的涉及本實施例的照相機構成表明，可以不導致傾斜入射光的集光
率下降以及敏感度下降，就可以改善色陰影特性及分光特性，而且可以用更
簡單的方法和工序形成微透鏡。 本發(fā)明并不限于上述說明。 在實施例中適用于CMOS傳感器或CCD元件。 另外，在未脫離本發(fā)明要旨的范圍內存在各種變更的可能。 本發(fā)明的固體攝像裝置適用于CMOS照相機或CCD照相機搭載的固體
攝像裝置。
本發(fā)明的照相機適用于搭載CMOS照相機或CCD照相機等固體攝像裝 置的照相機。
權利要求
1.一種固體攝像裝置，其是在受光面集成多個像素而構成的固體攝像裝置，其特征在于，具有光電二極管，其在成為半導體襯底的所述受光面的像素區(qū)域被每個所述像素劃分形成；信號讀取部，其在所述半導體襯底上形成，并且讀取在所述光電二極管上生成并存儲的信號電荷或根據(jù)所述信號電荷產生的電壓；絕緣膜，其覆蓋所述光電二極管且形成于所述半導體襯底之上；凹部，其在所述光電二極管的上方部分形成于所述絕緣膜；焊盤電極，其在焊盤電極區(qū)域形成于所述絕緣膜上層；鈍化膜，其覆蓋所述凹部的內壁且在比所述焊盤電極更上層形成，并且具有比氧化硅高的折射率；以及埋入層，其在所述鈍化膜的上層埋入于所述凹部形成，并且具有比氧化硅高的折射率。
2. 如權利要求1所述的固體攝像裝置，其特征在于所述絕緣膜中埋 入有布線層。
3. 如權利要求2所述的固體攝像裝置，其特征在于所述絕緣膜含有 所述布線層的防止擴散膜而形成，所述防止擴散膜構成所述凹部的底面。
4. 如權利要求2所述的固體攝像裝置，其特征在于在所述絕緣膜中， 所述布線層形成網(wǎng)狀，以包圍所述凹部的周圍。
5. 如權利要求1所述的固體攝像裝置，其特征在于在與所述半導體 襯底的主面平行的截面中的所述凹部的形狀是相對所述形狀的外側總是凸 出的角形狀和/或僅具有曲線的形狀。
6. 如權利要求1所述的固體攝像裝置，其特征在于所述鈍化膜是氮 化硅膜。
7. 如權利要求1所述的固體攝像裝置，其特征在于所述埋入層是樹 脂層。
8. 如權利要求7所述的固體攝像裝置，其特征在于所述埋入層含有 硅氧烷類樹脂。
9. 如權利要求1所述的固體攝像裝置，其特征在于所述凹部的邊緣部形成為越向上方就越擴展的正錐狀的開口形狀。
10. —種固體攝像裝置，其是在受光面集成多個像素而構成的固體攝像裝置，其特征在于，具有光電二極管，其在成為半導體襯底的所述受光面的像素區(qū)域被每個所述像素劃分形成；信號讀取部，其在所述半導體襯底形成，并且讀取在所述光電二極管上絕緣膜，其覆蓋所述光電二極管且形成于所述半導體襯底之上； 凹部，其在所述光電二極管的上方部分形成于所述絕緣膜；以及 埋入層，其埋入所述凹部形成，并且含有比TiO分散有機樹脂具有更高 的耐熱性的無機物和金屬氧化物。
11. 如權利要求10所述的固體攝像裝置，其特征在于所述無機物是 氧化硅。
12. 如權利要求10所述的固體攝像裝置，其特征在于所述金屬氧化 物是氧化鈦、氧化鉭、氧化鈮、氧化鎢、氧化鋯、氧化鋅、氧化銦、氧化鉿。
13. —種固體攝像裝置的制造方法，其是在受光面集成多個像素而構成 的固體攝像裝置的制造方法，其特征在于，具有在成為半導體襯底的所述受光面的像素區(qū)域形成被每個所述像素劃分的光電二極管和讀取在所述光電二極管上生成并存儲的信號電荷或根據(jù)所述信號電荷產生的電壓的信號讀取部的工序；覆蓋所述光電二極管且在所述半導體襯底上形成絕緣膜的工序；在所述光電二極管的上方部分的所述絕緣膜上形成凹部的工序；在焊盤電極區(qū)域的所述絕緣膜的上層形成焊盤電極的工序；在覆蓋所述凹部的內壁且在比所述焊盤電極更上層形成比氧化硅具有 高的折射率的鈍化膜的工序；以及在所述鈍化膜的上層埋入所述凹部而形成比氧化硅具有高的折射率的埋入層的工序。
14. 如權利要求13所述的固體攝像裝置的制造方法，其特征在于形 成所述絕緣膜的工序的途中還具有形成布線層的工序，在所述絕緣膜中埋入 形成布線層。
15. 如權利要求14所述的固體攝像裝置的制造方法，其特征在于形成所述絕緣膜的工序具有形成所述布線層的防止擴散膜的工序，在形成所述 凹部的工序中形成所述凹部，以^f吏所述防止擴散膜構成所述凹部的底面。
16. 如權利要求14所述的固體攝像裝置的制造方法，其特征在于在 形成所述布線層的工序中，在所述絕緣膜中，把所述布線層形成網(wǎng)狀，以包 圍所述凹部的周圍。
17. 如權利要求13所述的固體攝像裝置的制造方法，其特征在于在 形成所述凹部的工序中，在與所述半導體襯底的主面平行的截面中的所述凹 部的形狀是相對所述形狀外側總是凸出的角形狀和/或僅有曲線的形狀。
18. 如權利要求13所述的固體攝像裝置的制造方法，其特征在于在 形成所述鈍化膜的工序中形成氮化硅膜。
19. 如權利要求13所述的固體攝像裝置的制造方法，其特征在于在 形成所述埋入層的工序中形成樹脂層。
20. 如權利要求19所述的固體攝像裝置的制造方法，其特征在于在 形成所述埋入層的工序中形成含有硅氧烷類樹脂的樹脂層。
21. 如權利要求13所述的固體攝像裝置的制造方法，其特征在于在 形成所述凹部的工序中，所述凹部的邊緣部形成為越向上方就越擴展的正錐 狀的開口形狀。
22. —種固體攝像裝置的制造方法，其是在受光面集成多個像素而構成 的固體攝像裝置的制造方法，其特征在于，具有在成為半導體襯底的所述受光面的像素區(qū)域形成被每個所述像素劃分 的光電二極管和讀取在光電二極管上生成并存儲的信號電荷或根據(jù)所述信 號電荷產生的電壓的信號讀取部的工序；覆蓋所述光電二極管且在所述半導體襯底上形成絕緣膜的工序； 在所述光電二極管的上方部分并且在所述絕緣膜上形成凹部的工序； 在所述凹部埋入無機物而形成比TiO分散有機樹脂具有更高的耐熱性 的埋入層的工序；以及在所述埋入層離子注入金屬氧化物的工序。
23. 如權利要求22所述的固體攝像裝置的制造方法，其特征在于在 形成所述埋入層的工序中使用氧化硅作為所述無機物。
24. 如權利要求22所述的固體攝像裝置的制造方法，其特征在于在 所述離子注入的工序中，作為所述金屬氧化物使用氧化鈦、氧化鉭、氧化鈮、氧化鴒、氧化鋯、氧化鋅、氧化銦、氧化鉿。
25. —種照相才幾，其具有在受光面集成多個像素的固體攝像裝置、在所述固體攝像裝置的攝像部導入入射光的光學系統(tǒng)，以及處理所述固體攝像裝置的輸出信號的信號處理電路； 所述固體攝像裝置是在受光面集成多個像素而構成，其特征在于，具有 光電二極管，其在成為半導體襯底的所述受光面的像素區(qū)域被每個所述 像素劃分形成；信號讀取部，其在所述半導體襯底形成，并且讀取在光電二極管上生成并存儲的信號電荷或根據(jù)所述信號電荷產生的電壓；絕緣膜，其覆蓋所述光電二極管且在所述半導體襯底之上形成； 凹部，其在所述光電二極管的上方部分形成于所述絕緣膜； 焊盤電極，其在焊盤電極區(qū)域形成于所述絕緣膜上層； 鈍化膜，其覆蓋所述凹部的內壁且在比所述焊盤電極更上層形成，并且具有比氧化硅高的折射率；以及埋入層，其在所述鈍化膜的上層埋入所述凹部形成，并且具有比氧化硅高的折射率。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種固體攝像裝置及其制造方法和照相機。所述固體攝像裝置，即使設有光波導，也可以利用更簡單的工序制造。所述固體攝像裝置，在成為半導體襯底(10)的受光面的像素區(qū)域(R_PX)形成有被每個像素劃分的光電二極管(PD)和讀取在光電二極管(PD)上生成并存儲的信號電荷或根據(jù)信號電荷產生的電壓的信號讀取部；覆蓋光電二極管且在半導體襯底上形成有絕緣膜(15～17，20～22，25～27，30，31，33)；在光電二極管的上方部分，在絕緣膜上形成有凹部(H)；在焊盤電極區(qū)域(R_PAD)，在絕緣膜上層形成有焊盤電極(32)；覆蓋凹部內壁且在比焊盤電極更上層形成有高折射率的鈍化膜(36)；在鈍化膜上層埋入凹部而形成有高折射率的埋入層(37)。
文檔編號H01L27/14GK101197386SQ200710197170
公開日2008年6月11日 申請日期2007年12月10日 優(yōu)先權日2006年12月8日
發(fā)明者東宮祥哲, 井上裕士, 加藤英明, 味澤治彥, 巖下哲大, 田谷圭司 申請人:索尼株式會社