專利名稱：利用換氣裝置降低光掩膜霧化的曝光裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路制造的方法及裝置，且特別是涉及一種利用換氣
裝置降低光掩膜霧化(haze)的曝光裝置及方法。
背景技術(shù)：
光掩膜(photomask)普遍用于半導(dǎo)體制造的光刻(photol池ography)工 藝中。光掩膜一般由非常平坦的石英或玻璃制成，其中一面沉積一層鉻。在光 刻步驟時(shí)，二元式光掩膜(binary mask; BIM)或相移式光掩膜(phase shift mask; PSM)上的圖案用于將其影像移轉(zhuǎn)至晶片(wafer)上。然而光掩膜上的污染 物儼然成為問(wèn)題，例如波長(zhǎng)等于或小于248納米(nanometer; nm)的光刻工 藝中使用的精確度高的光掩膜特別容易受缺陷影響。
光掩膜污染的類型之一是指霧化污染。霧化污染是在曝光過(guò)程中為了清除 光掩膜上來(lái)自于晶片廠或工具環(huán)境中的化學(xué)殘留物或不純物而形成的沉淀物。 舉例而言，利用含銨離子(NH4+)及硫酸根離子(S042—)的溶液清洗光掩膜 后，光掩膜又暴露于例如波長(zhǎng)為248 nm或193 nm的短波紫外光時(shí)，就會(huì)使污 染變得明顯。
護(hù)膜框架(pellicle frame)發(fā)展多年來(lái)，其中引人關(guān)注的一個(gè)方面就是增 加排氣孔(也稱為壓力釋放閥或PRV)。在增加排氣孔前，經(jīng)由空氣運(yùn)送光 掩膜時(shí)，會(huì)使護(hù)膜(pellicle membrane)在低壓下充氣。護(hù)膜膨脹后，有時(shí)會(huì) 與收納護(hù)膜框架的盒蓋接觸。這種接觸甚至?xí)沟霉庋谀ぴ谶M(jìn)入制造晶片的無(wú) 塵室前，因產(chǎn)生磨損而無(wú)法使用。為了減輕該問(wèn)題，于是在護(hù)膜框架鉆出小孔， 使護(hù)膜內(nèi)密封的空氣與周遭空氣之間的壓力差獲致平衡。在壓力平衡過(guò)程中， 由于事實(shí)上微粒有可能被吸入小孔內(nèi)而造成壓力數(shù)值變化不等于零，因此需要 在小孔上覆蓋濾材，或?qū)⑿】浊懈畛蓮澢穆窂揭源┻^(guò)護(hù)膜框架，抑或二種方 法都使用(如圖2所示)。
以能量源激光器(例如紫外光激光器)照射在具有護(hù)膜的光掩膜上，會(huì)在由護(hù)膜與光掩膜表面所限制的空間內(nèi)產(chǎn)生高能量的環(huán)境。從護(hù)膜材料中釋出的 化學(xué)物質(zhì)、以及在激光曝光過(guò)程中產(chǎn)生的高活性氧自由基及臭氧會(huì)充斥在前述 環(huán)境中，造成光化學(xué)反應(yīng)的理想的溫床，而此溫床有可能在光掩膜表面引起霧 化缺陷的形成。
因此，亟需針對(duì)目前曝光裝置及方法提出較佳的換氣裝置及方法，以降低 光掩膜霧化缺陷的形成。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種降低光掩膜霧化的曝光裝置及
方法，其是在印框護(hù)膜(framed pellicle)與光掩膜之間利用換氣裝置導(dǎo)入氣流， 進(jìn)而降低光掩膜霧化缺陷的形成。
為了實(shí)現(xiàn)解決上述技術(shù)問(wèn)題及實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明提出一種降低光 掩膜霧化的曝光方法。在一較佳實(shí)施例中，該方法包括將印框護(hù)膜固定于光 掩膜上，其中印框護(hù)膜至少包含護(hù)膜框架及與其連接的護(hù)膜，且印框護(hù)膜具有 第一孔與第二孔，第一孔與第二孔均連接第一空間與印框護(hù)膜外的第二空間，
而第一空間則由光掩膜印框護(hù)膜環(huán)設(shè)而成；以及利用能量源穿過(guò)印框護(hù)膜及光 掩膜對(duì)光刻層曝光時(shí)，同時(shí)使第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由第一孔而外流至印框護(hù) 膜。使第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由第一孔而外流至印框護(hù)膜的步驟可至少包含利用 第二孔與正壓力氣體源相連?；蛘?，使第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由第一孔而外流至 印框護(hù)膜的步驟至少包含利用第一孔與真空源相連。抑或，使第一空間內(nèi)的氣 體經(jīng)由第一孔而外流至印框護(hù)膜的步驟至少包含含利用第二孔與正壓力氣體 源相連，且利用第一孔與真空源相連。另一種方式，使第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由 第一孔而外流至印框護(hù)膜的步驟至少包含利用一管路使正壓力氣體源對(duì)外相 連至印框護(hù)膜，并且在鄰近第一孔處開(kāi)設(shè)一開(kāi)口，通過(guò)管路內(nèi)的氣流產(chǎn)生的吸 力，驅(qū)使第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由第一孔及開(kāi)口流入管路中。
為了實(shí)現(xiàn)解決上述技術(shù)問(wèn)題及實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明還提出一種利用 換氣裝置降低光掩膜霧化的曝光裝置。在一較佳實(shí)施例中，該曝光裝置至少包 含一腔室，該腔室配置成容納基材及光掩膜，其中基材上設(shè)有光刻層，光掩膜 上固設(shè)有印框護(hù)膜，印框護(hù)膜包括護(hù)膜框架及與其連接的護(hù)膜，且印框護(hù)膜包 括第一孔與第二孔，第一孔該第二孔均連接第一空間與印框護(hù)膜外的第二空
5間，而第一空間則由光掩膜與印框護(hù)膜環(huán)設(shè)而成。前述曝光裝置還至少包含影 像儀及換氣裝置，該影像儀配置成使曝光光線經(jīng)由護(hù)膜框架及光掩膜照射于光 刻層上，而影像儀在利用能量源穿過(guò)印框護(hù)膜及光掩膜對(duì)光刻層曝光時(shí)，換氣 裝置同時(shí)配置成導(dǎo)引第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由第一孔而外流至印框護(hù)膜。前述換 氣裝置可包括以流體連接第一孔的正壓力氣體源。前述換氣裝置可包括以流體 連接第二孔的真空源。前述換氣裝置可包括以流體連接第一孔的正壓力氣體 源，以及以流體連接第二孔的真空源。前述的曝光裝置還可至少包含配置成容 納基材的容置槽。前述的曝光裝置更可至少包含配置成容納光掩膜的容置槽。 前述換氣裝置可包括容置槽，且容置槽配置成將光掩膜與印框護(hù)膜的至少一個(gè) 對(duì)準(zhǔn)基材。前述換氣裝置可包括過(guò)濾裝置，且過(guò)濾裝置配置成過(guò)濾第一空間與 第二空間之間的氣流。
為了實(shí)現(xiàn)解決上述技術(shù)問(wèn)題及實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明又提出 一種用于 曝光裝置的換氣裝置。在一較佳實(shí)施例中，該曝光裝置具有腔室及影像儀，其 中腔室配置成容納基材及光掩膜，基材上設(shè)有光刻層，光掩膜上固設(shè)有印框護(hù) 膜，印框護(hù)膜包括護(hù)膜框架及與其連接的護(hù)膜，且印框護(hù)膜包括第一孔與第二 孔，第一孔與第二孔均連接第一空間與印框護(hù)膜外的第二空間，而第一空間則 由光掩膜與印框護(hù)膜環(huán)設(shè)而成，且影像儀配置成使曝光光線經(jīng)由護(hù)膜框架及光 掩膜照射于光刻層上。前述換氣裝置至少包含氣流導(dǎo)向裝置，其是在影像儀使 曝光光線穿過(guò)印框護(hù)膜及光掩膜照射于光刻層的同時(shí)，導(dǎo)引第一空間內(nèi)的氣體 經(jīng)由第一孔而外流至印框護(hù)膜。前述氣流導(dǎo)向裝置可包括配置以流體連接第一 孔的正壓力氣體源。前述氣流導(dǎo)向裝置可包括配置以流體連接第二孔的真空 源。前述氣流導(dǎo)向裝置可包括配置以流體連接第一孔的正壓力氣體源，以及配 置以流體連接第二孔的真空源。前述氣流導(dǎo)向裝置還至少包含配置成容納基材 與光掩膜的至少一個(gè)的容置槽。前述氣流導(dǎo)向裝置還至少包含配置成使光掩膜 與光掩膜護(hù)膜的至少一個(gè)對(duì)基材定位的容置槽。前述氣流導(dǎo)向裝置可至少包含 過(guò)濾第一空間與第二空間之間的氣流的過(guò)濾裝置。
由上可知，應(yīng)用本發(fā)明的曝光裝置及方法，其是在印框護(hù)膜與光掩膜之間 利用各種換氣裝置導(dǎo)入氣流，可有效降低光掩膜霧化缺陷的形成。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的 限定。


通過(guò)下述詳細(xì)說(shuō)明并配合所附附圖，可使本發(fā)明更易了解。需強(qiáng)調(diào)的是， 根據(jù)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)常規(guī)，并未依比例繪制各種特征。事實(shí)上，為了清楚討論，各種 特征的尺寸可任意增減。
圖1是現(xiàn)有裝置的剖面圖； 圖2是現(xiàn)有裝置的立體圖3是根據(jù)本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種曝光裝置的剖面示意圖； 圖4是根據(jù)本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的曝光裝置的剖面示意圖； 圖5是根據(jù)本發(fā)明又一較佳實(shí)施例的曝光裝置之剖面示意圖； 圖6是根據(jù)本發(fā)明再一較佳實(shí)施例的曝光裝置的剖面示意圖； 圖7是根據(jù)本發(fā)明所揭露的半導(dǎo)體組件的制造方法中至少一部分的流程 圖；以及
圖8是根據(jù)本發(fā)明所揭露的半導(dǎo)體組件的制造方法中至少一部分的流程圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明
100:裝置440:真空源
105:光掩膜基材445:空間
110:印框護(hù)膜500:裝置
115:護(hù)膜框架505:光掩膜基材
120:護(hù)膜510:印框護(hù)膜
125:曝光光線515:護(hù)膜框架
130:活性化學(xué)物質(zhì)520:護(hù)膜
135:缺陷結(jié)構(gòu)525:第一孔
200:裝置530:第二孔
205:光掩膜基材535:影像儀
210:印框護(hù)膜540:正壓力氣體源
215:護(hù)膜框架542:真空源
220:護(hù)膜545:空間
225:孔600:裝置300: 305: 310: 315: 320: 325:
330:
335:
340:
345:
400: 405: 410: 415: 420:
425:
430:
435:
光掩膜基材
印框護(hù)膜
護(hù)膜框架
護(hù)膜
第一孔
第二孔
影像儀
正壓力氣體源 空間
光掩膜基材
印框護(hù)膜
護(hù)膜框架
護(hù)膜
第一孔
第二孔
影像儀
605:光掩膜基材
610:印框護(hù)膜
615:護(hù)膜框架
620:護(hù)膜
625:孔
640:正壓力氣體源
642:柏努利管路
642a:管路
642b:開(kāi)口
642c:排氣口
645:空間
700:方法
710/720/730/740/750/760:步驟 800:方法
805/810/815/820/825/830/835/840/845:步驟
具體實(shí)施例方式
可以理解的是，以下揭露內(nèi)容提供諸多不同實(shí)施例或范例，以實(shí)施不同特 征的不同實(shí)施例。為簡(jiǎn)化本揭露內(nèi)容，以下描述特定例示的組件及安排。然而， 前述特定例示的組件及安排僅為例示，并無(wú)意限制本發(fā)明的范圍。此外，本揭 露內(nèi)容可在不同實(shí)施例中重復(fù)組件符號(hào)或組件文字。重復(fù)的目的在于簡(jiǎn)化及清 楚，并無(wú)意將組件限于上述提及的不同實(shí)施例及/或配置之間的關(guān)系。再者， 就第一特征形成于第二特征上的敘述而言，其實(shí)施例可能包括第一特征與第二 特征形成直接接觸，也可能包括其他特征形成于第一特征與第二特征之間，使 得第一特征與第二特征并無(wú)直接接觸。
請(qǐng)參閱圖l，其是現(xiàn)有裝置100的剖面圖，現(xiàn)有裝置100至少包含光掩膜 基材105及固定于光掩膜基材105上的印框護(hù)膜110，其中印框護(hù)膜110包括護(hù)膜框架115及其相連的護(hù)膜120。曝光光線125穿過(guò)護(hù)膜120及光掩膜基材 105，能產(chǎn)生活性化學(xué)物質(zhì)130?；钚曰瘜W(xué)物質(zhì)130會(huì)累積并在光掩膜基材105 上形成霧狀物或其它缺陷結(jié)構(gòu)135，而對(duì)于曝光步驟有不良影響。
請(qǐng)參閱圖2，其是現(xiàn)有裝置200的立體圖，現(xiàn)有裝置200至少包含光掩膜 基材205及固定于光掩膜基材205上的印框護(hù)膜210，其中印框護(hù)膜210包括 護(hù)膜框架215及其相連的護(hù)膜220。現(xiàn)有裝置200可實(shí)質(zhì)近似于圖1所示的現(xiàn) 有裝置IOO。然而，有一部分的護(hù)膜220未示于圖2中，以證明多個(gè)孔225包 含于護(hù)膜框架215內(nèi)。印框護(hù)膜210內(nèi)外的空間是通過(guò)這些孔225以流體及/ 或其它方式連接或相通。
請(qǐng)參閱圖3，其是根據(jù)本發(fā)明一較佳的曝光裝置300的剖面示意圖。曝光 裝置300是配置用來(lái)使能量源穿過(guò)固定于光掩膜基材305上的印框護(hù)膜310 而對(duì)光掩膜基材305曝光。光掩膜基材305及印框護(hù)膜310可實(shí)質(zhì)近似于圖2 及/或圖2所示。舉例而言，印框護(hù)膜310可包括護(hù)膜框架315及其相連的護(hù) 膜320，而護(hù)膜框架315包括第一孔325及第二孔330。
曝光裝置300包括影像儀335及換氣裝置，而此換氣裝置至少包含正壓力 氣體源340。正壓力氣體源340配置成產(chǎn)生氣流以遍布于印框護(hù)膜310與光掩 膜基材305內(nèi)側(cè)的空間345，借此迫使氣體進(jìn)入第一孔325中。由于印框護(hù)膜 310與光掩膜基材305內(nèi)側(cè)定義出的空間345容積實(shí)質(zhì)上為定值，因此被迫由 第一孔325進(jìn)入空間345的氣體就會(huì)遍布于空間345內(nèi)，然后經(jīng)由第二孔330 排出氣體。在圖3中，氣流以虛線繪示。操作過(guò)程中，當(dāng)影像儀335以能量源 例如波長(zhǎng)193 nm或其它波長(zhǎng)的紫外光穿過(guò)印框護(hù)膜310及光掩膜基材305進(jìn) 行曝光時(shí)，換氣裝置配置成維持氣流。結(jié)果，在曝光步驟時(shí)，利用影像儀335 所產(chǎn)生的任何活性化學(xué)物質(zhì)或其它光激化學(xué)物，在沉積于光掩膜基材305上形 成霧狀物或以其它方式對(duì)曝光步驟有不利影響之前，就會(huì)被迫排出空間345。 在一實(shí)施例中，正壓力氣體源340供應(yīng)的氣體為或至少包含氮(N2)、氬(Ar)、 及/或其它惰性氣體組成，而且雖以其它流速供應(yīng)氣體也落于本發(fā)明的范圍內(nèi)， 不過(guò)，氣體供應(yīng)的流速可介于約每分鐘1標(biāo)準(zhǔn)立方公分(standard cubic centimeter per minute; sccm)至約1000 seem之間。
請(qǐng)參閱圖4，其是根據(jù)本發(fā)明另一較佳的曝光裝置400的剖面示意圖。曝 光裝置400是配置用來(lái)使能量源穿過(guò)固定于光掩膜基材405上的印框護(hù)膜410而對(duì)光掩膜基材405曝光。光掩膜基材405及印框護(hù)膜410可實(shí)質(zhì)近似于圖1 及/或圖2所示。舉例而言，印框護(hù)膜410可包括護(hù)膜框架415及其相連的護(hù) 膜420，而護(hù)膜框架415包括第一孔425及第二孔430。
曝光裝置400包括影像儀435及換氣裝置，而此換氣裝置至少包含真空源 440。真空源440是配置成產(chǎn)生氣流以遍布于印框護(hù)膜410與光掩膜基材405 內(nèi)側(cè)的空間445，借此經(jīng)由第二孔430吸出氣體。在圖4中，氣流以虛線繪示。 操作過(guò)程中，當(dāng)影像儀435以波長(zhǎng)193 nm或其它波長(zhǎng)的能量源穿過(guò)印框護(hù)膜 410及光掩膜基材405進(jìn)行曝光時(shí)，換氣裝置配置成維持氣流。結(jié)果，在曝光 步驟時(shí)，利用影像儀435所產(chǎn)生的任何活性化學(xué)物質(zhì)或其它光激化學(xué)物，在沉 積于光掩膜基材405上形成霧狀物或以其它方式對(duì)曝光步驟有不利影響之前， 就會(huì)從空間445吸出。在一實(shí)施例中，第一孔425會(huì)被塞住或過(guò)濾，借著真空 源440或借著操作真空源440減少空間445內(nèi)產(chǎn)生的壓力，以避免額外的污染 物被帶入空間445中。
請(qǐng)參閱圖5，其是根據(jù)本發(fā)明又一曝光裝置500的剖面示意圖。曝光裝置 500是配置用來(lái)使能量源穿過(guò)固定于光掩膜基材505上的印框護(hù)膜510而對(duì)光 掩膜基材505曝光。光掩膜基材505及印框護(hù)膜510可實(shí)質(zhì)近似于圖1及/或 圖2所示。舉例而言，印框護(hù)膜510可包括護(hù)膜框架515及其相連的護(hù)膜520， 而護(hù)膜框架515包括第一孔525及第二孔530。
曝光裝置500包括影像儀535及換氣裝置，而此換氣裝置至少包含正壓力 氣體源540及真空源542。正壓力氣體源540及真空源542共同配置成合作產(chǎn) 生氣流以遍布于印框護(hù)膜510與光掩膜基材505內(nèi)側(cè)的空間545，借此同時(shí)迫 使氣流通過(guò)第一孔525并由第二孔530吸出氣體。在圖5中，氣流以虛線繪示。 操作過(guò)程中，當(dāng)影像儀535以能量源例如波長(zhǎng)193 nm或其它波長(zhǎng)的紫外光穿 過(guò)印框護(hù)膜510及光掩膜基材505進(jìn)行曝光時(shí)，換氣裝置配置成維持氣流。結(jié) 果，在曝光步驟時(shí)，利用影像儀535所產(chǎn)生的任何活性化學(xué)物質(zhì)或其它光激化 學(xué)物，在沉積于光掩膜基材505上形成霧狀物或以其它方式對(duì)曝光步驟有不利 影響之前，就會(huì)從空間545被迫排出及/或吸出。在一實(shí)施例中，正壓力氣體 源540供應(yīng)的氣體為或至少包含氮(N2)、氬(Ar)、及/或其它惰性氣體組 成。
請(qǐng)參閱圖6，其是根據(jù)本發(fā)明再一曝光裝置的剖面示意圖。曝光裝置600是配置用來(lái)使能量源穿過(guò)固定于光掩膜基材605上的印框護(hù)膜610而對(duì)光掩膜 基材605曝光。光掩膜基材605及印框護(hù)膜610可實(shí)質(zhì)近似于圖1及/或圖2 所示者。舉例而言，印框護(hù)膜610可包括護(hù)膜框架615及其相連的護(hù)膜620， 而護(hù)膜框架615包括多個(gè)孔徑625。
曝光裝置600包括換氣裝置，而此換氣裝置至少包含正壓力氣體源640 及一個(gè)以上的"柏努利(Bernoulli)"管路642。每一柏努利管路642包括以 流體連接正壓力氣體源640的管路642a， 一個(gè)以上的入口或與其個(gè)別相連的 其它開(kāi)口 642b，鄰近相對(duì)應(yīng)的護(hù)膜框架615的孔625，以及排氣口 642c。正 壓力氣體源640配置成引導(dǎo)氣流穿過(guò)每一管路642a并由相對(duì)應(yīng)的排氣口 642c 排出。由于柏努利原理提出，理想流體的流速隨著壓力減少而增加，氣流通過(guò) 開(kāi)口 642b時(shí)，孔625附近就會(huì)產(chǎn)生低壓區(qū)。結(jié)果，因?yàn)橛】蜃o(hù)膜610與光掩 膜基材605內(nèi)側(cè)的空間645的壓力高過(guò)前述低壓區(qū)，氣體就會(huì)從空間645經(jīng)由 孔625及開(kāi)口 642b而進(jìn)入管路642a。在圖6中，氣流以虛線繪示。操作過(guò)程 中，當(dāng)影像儀(其也為裝置600的組件，不過(guò)為清楚的目的而未示于圖6中) 以能量源例如波長(zhǎng)193 nm或其它波長(zhǎng)的紫外光穿過(guò)印框護(hù)膜610及光掩膜基 材605進(jìn)行曝光時(shí)，換氣裝置配置成維持抽吸或真空效果。結(jié)果，在曝光步驟 時(shí)，利用影像儀所產(chǎn)生的任何活性化學(xué)物質(zhì)或其它光激化學(xué)物，在沉積于光掩 膜基材605上形成霧狀物或以其它方式對(duì)曝光步驟有不利影響之前，就會(huì)從空 間645被迫排出。在一例示實(shí)施例中，正壓力氣體源640供應(yīng)的氣體為或至少 包含氮(N2)、氬(Ar)、及/或其它惰性氣體組成。
在本發(fā)明所揭露內(nèi)容范圍內(nèi)前述或其它方面描述圖3至圖6的一個(gè)以上的 實(shí)施例中，印框護(hù)膜的孔數(shù)可多于上述附圖孔數(shù)。再者，前述任何實(shí)施例的氣 體流速在不脫于本發(fā)明所揭露內(nèi)容的范圍內(nèi)均可以改變。舉例而言，本發(fā)明所 揭露內(nèi)容范圍內(nèi)前述或其它方面提及一個(gè)以上正壓力氣體源所提供的氣體流 速，可介于約1 sccm至約1000sccm之間。氣體可為或至少包含一種以上惰性 氣體，除了其它惰性氣體之外，可例如氮(N2)或氬(Ar)。本發(fā)明所揭露內(nèi) 容范圍內(nèi)的光掩膜基材也可以改變。在一實(shí)施例中，光掩膜基材可為石英基材， 其上設(shè)有鉻(Cr)圖案。
本發(fā)明所揭露內(nèi)容范圍內(nèi)的換氣裝置也可以配置成協(xié)助光掩膜基材及/或 印框護(hù)膜進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。舉例而言，在圖6所示的實(shí)施例中，曝光裝置600的柏努利管路642、正壓力氣體源640及/或其它組件可配置成容納印框護(hù)膜610的容 置槽，如此一來(lái)，當(dāng)設(shè)置印框護(hù)膜610的孔625以流體連接柏努利管路642 的開(kāi)口 642b時(shí)，印框護(hù)膜610可正確對(duì)準(zhǔn)以由影像儀進(jìn)行曝光步驟。
再者，本發(fā)明所揭露內(nèi)容的投影式曝光裝置或"影像儀"至少包含光源為 能量源的裝置，例如紫外光源的裝置，其光源為例如為氟準(zhǔn)分子激光。然而， 其它影像裝置也為本發(fā)明所揭露內(nèi)容范圍內(nèi)。
請(qǐng)參閱圖7，其是根據(jù)本發(fā)明所揭露內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的制 造方法700中至少一部分的流程圖。該方法700為上述一較佳實(shí)施例的實(shí)施方 法。該方法700可包括步驟710，其中步驟710是設(shè)計(jì)線路以設(shè)計(jì)組件的功用 及效能。該方法700還額外或選擇性包括步驟720，其中步驟720可能基于設(shè) 計(jì)線路的步驟710，而形成一個(gè)以上的光掩膜。該方法700還額外或選擇性包 括步驟730，其中步驟730是形成基材，可能形成組件的基本部分。
該方法700包括晶圓處理的步驟740，其是利用本發(fā)明所揭露內(nèi)容范圍內(nèi) 前述或其它方面描述的曝光裝置，例如圖3至圖6的曝光裝置的任一個(gè)，以在 基材上暴露出光掩膜圖案。舉例而言，光掩膜圖案暴露于基材上時(shí)，可同時(shí)迫 使氣體通過(guò)印框護(hù)膜及/或從印框護(hù)膜吸出氣體，以減少或排除霧狀物或其它 缺陷形成于光掩膜上。此方法700更額外或選擇性包括組件組裝之步驟750， 除了其它步驟外，步驟750尚包括切割、黏結(jié)及/或包覆等。此方法700更額 外或選擇性包括檢測(cè)步驟760。
請(qǐng)參閱圖8，其是根據(jù)本發(fā)明所揭露內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的制 造方法800中至少一部分的流程圖。該方法800為上述實(shí)施例的實(shí)施方法。該 方法800可包括步驟805，其中步驟805是氧化晶片表面。在另一步驟810中， 可利用例如氣相沉積法及/或其它工藝，在晶片表面形成絕緣層。在另一步驟 815中，可利用例如氣相沉積法及/或其它工藝，在晶片表面形成電極。在另一 步驟820中，可在晶片中注入離子。在另一步驟825中，可在晶片上涂布感光 劑。
在另一步驟830中，可利用本發(fā)明所揭露內(nèi)容范圍內(nèi)前述或其它方面描述 的曝光裝置，例如圖3至圖6的曝光裝置的任一個(gè)，將線路圖案轉(zhuǎn)移至晶片上。 舉例而言，轉(zhuǎn)移線路圖案至晶片時(shí)，可同時(shí)迫使氣體通過(guò)印框護(hù)膜及/或從印 框護(hù)膜吸出氣體，以減少或排除霧狀物或其它缺陷形成于光掩膜上。在另一步驟835中，可對(duì)曝光的晶片進(jìn)行顯影。在另一步驟840中，除了 經(jīng)顯影的光刻影像外的光刻可經(jīng)蝕刻。在另一步驟845中，任何殘留不必要的 光刻可經(jīng)蝕刻后而加以移除?？芍貜?fù)步驟805至步驟840的組合，可能依圖8 箭頭所指的順序，在晶片上形成多層線路圖案，不過(guò)其它順序或其它序列的步 驟也包含于本發(fā)明所揭露內(nèi)容的范圍內(nèi)。
基于以上觀點(diǎn)，本發(fā)明顯然提出一種降低光掩膜霧化的曝光方法。在一較 佳實(shí)施例中，該方法包括將印框護(hù)膜固定于光掩膜上，其中印框護(hù)膜至少包 含護(hù)膜框架及與其連接的護(hù)膜，且印框護(hù)膜具有第一孔與第二孔，第一孔與第 二孔均連接第一空間與印框護(hù)膜外的第二空間，而第一空間則由光掩膜印框護(hù) 膜環(huán)設(shè)而成；以及利用能量源穿過(guò)印框護(hù)膜及光掩膜對(duì)光刻層曝光時(shí)，同時(shí)使 第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由第一孔而外流至印框護(hù)膜。使第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由第 一孔而外流至印框護(hù)膜的步驟可至少包含利用第二孔與正壓力氣體源相連?；?者，使第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由第一孔而外流至印框護(hù)膜的步驟至少包含利用第 一孔與真空源相連。抑或，使第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由第一孔而外流至印框護(hù)膜 的步驟至少包含含利用第二孔與正壓力氣體源相連，且利用第一孔與真空源相 連。另一種方式，使第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由第一孔而外流至印框護(hù)膜的步驟至 少包含利用一管路使正壓力氣體源對(duì)外相連至印框護(hù)膜，并且在鄰近第一孔處 開(kāi)設(shè)一開(kāi)口，通過(guò)管路內(nèi)的氣流產(chǎn)生的吸力，驅(qū)使第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由第一 孔及開(kāi)口流入管路中。
本發(fā)明還提供一種利用換氣裝置降低光掩膜霧化的曝光裝置，該曝光設(shè)備 至少包含一腔室，該腔室配置成容納基材及光掩膜，其中基材上設(shè)有光刻層， 光掩膜上固設(shè)有印框護(hù)膜，印框護(hù)膜包括護(hù)膜框架及與其連接的護(hù)膜，且印框 護(hù)膜包括第一孔與第二孔，第一孔該第二孔均連接第一空間與印框護(hù)膜外的第 二空間，而第一空間則由光掩膜與印框護(hù)膜環(huán)設(shè)而成的。前述曝光設(shè)備還至少 包含影像儀及換氣裝置，該影像儀配置成使曝光光線經(jīng)由護(hù)膜框架及光掩膜照 射于光刻層上，而影像儀在利用能量源穿過(guò)印框護(hù)膜及光掩膜對(duì)光刻層曝光 時(shí)，換氣裝置同時(shí)配置成導(dǎo)引第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由第一孔而外流至印框護(hù) 膜。前述換氣裝置可包括以流體連接第一孔的正壓力氣體源。前述換氣裝置可 包括以流體連接第二孔的真空源。前述換氣裝置可包括以流體連接第一孔的正 壓力氣體源，以及以流體連接第二孔的真空源。前述的曝光裝置還可至少包含配置成容納基材的容置槽。前述的曝光裝置還可至少包含配置成容納光掩膜之 容置槽。前述換氣裝置可包括容置槽，且容置槽配置成將光掩膜與印框護(hù)膜的 至少一者對(duì)準(zhǔn)基材。前述換氣裝置可包括過(guò)濾裝置，且過(guò)濾裝置配置成過(guò)濾第 一空間與第二空間之間的氣流。
本發(fā)明還采用一種用于曝光裝置的換氣裝置，該曝光裝置具有腔室及影像 儀，其中腔室配置成容納基材及光掩膜，基材上設(shè)有光刻層，光掩膜上固設(shè)有 印框護(hù)膜，印框護(hù)膜包括護(hù)膜框架及與其連接的護(hù)膜，且印框護(hù)膜包括第一孔 與第二孔，第一孔與第二孔均連接第一空間與印框護(hù)膜外的第二空間，而第一 空間則由光掩膜與印框護(hù)膜環(huán)設(shè)而成的，且影像儀配置成使曝光光線經(jīng)由護(hù)膜 框架及光掩膜照射于光刻層上。前述換氣裝置至少包含氣流導(dǎo)向裝置，其系在 影像儀使曝光光線穿過(guò)印框護(hù)膜及光掩膜照射于光刻層之同時(shí)，導(dǎo)引第一空間 內(nèi)的氣體經(jīng)由第一孔而外流至印框護(hù)膜。前述氣流導(dǎo)向裝置可包括配置以流體 連接第一孔的正壓力氣體源。前述氣流導(dǎo)向裝置可包括配置以流體連接第二孔 的真空源。前述氣流導(dǎo)向裝置可包括配置以流體連接第一孔的正壓力氣體源， 以及配置以流體連接第二孔的真空源。前述氣流導(dǎo)向裝置還至少包含配置成容 納基材與光掩膜的至少一個(gè)的容置槽。前述氣流導(dǎo)向裝置還至少包含配置成使 光掩膜與光掩膜護(hù)膜的至少一個(gè)對(duì)基材定位的容置槽。前述氣流導(dǎo)向裝置可至 少包含過(guò)濾第一空間與第二空間之間的氣流的過(guò)濾裝置。
以上是概述數(shù)個(gè)實(shí)施例的特征，借此使本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員更 加了解本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可體會(huì)到，能輕易以本發(fā)明 所揭露內(nèi)容為基礎(chǔ)，設(shè)計(jì)或修飾其它工藝及結(jié)構(gòu)，以實(shí)行及/或達(dá)成與此處采 用的實(shí)施例相同的目的及/或優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)也可理 解到前述均等結(jié)構(gòu)并不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，且理解到他們?cè)诓幻撾x本 發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可為各種的更動(dòng)、替代與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍 當(dāng)以后附的權(quán)利要求書(shū)為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種降低光掩膜霧化的曝光方法，其特征在于，至少包含將一印框護(hù)膜固定在該光掩膜上，其中該印框護(hù)膜至少包含一護(hù)膜框架及與該護(hù)膜框架連接的一護(hù)膜，且該印框護(hù)膜具有一第一孔與一第二孔，該第一孔與該第二孔均連接一第一空間與該印框護(hù)膜外的一第二空間，而該第一空間則由該光掩膜與該印框護(hù)膜環(huán)設(shè)而成的；以及利用能量源穿過(guò)該印框護(hù)膜及該光掩膜對(duì)該光刻層曝光時(shí)，同時(shí)使該第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由該第一孔而外流至該印框護(hù)膜。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的降低光掩膜霧化的曝光方法，其特征在于，該第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由該第一孔而外流至該印框護(hù)膜的步驟至少包含利用該 第二孔與一正壓力氣體源相連。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的降低光掩膜霧化的曝光方法，其特征在于，該 第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由該第一孔而外流至該印框護(hù)膜的步驟至少包含利用該 第一孔與一真空源相連。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低光掩膜霧化的曝光方法，其特征在于，該第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由該第一孔而外流至該印框護(hù)膜的步驟至少包含利用該第二孔與一正壓力氣體源相連；以及 利用該第一孔與一真空源相連。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的降低光掩膜霧化的曝光方法，其特征在于，該 第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由該第一孔而外流至該印框護(hù)膜的步驟至少包含利用一管路使一正壓力氣體源對(duì)外相連至該印框護(hù)膜；以及 在鄰近該第一孔處開(kāi)設(shè)一開(kāi)口，借由該管路內(nèi)的氣流產(chǎn)生的一吸力，驅(qū) 使該第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由該第一孔及該開(kāi)口流入該管路。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的降低光掩膜霧化的曝光方法，其特征在于，該 能量源為紫外光。
7、 一種利用換氣裝置降低光掩膜霧化的曝光裝置，其特征在于，至少包含一腔室，該腔室配置成容納一基材及一光掩膜，其中該基材上設(shè)有一光 刻層，該光掩膜上固設(shè)有一印框護(hù)膜，該印框護(hù)膜包括一護(hù)膜框架及與該護(hù)膜框架連接的一護(hù)膜，且該印框護(hù)膜包括一第一孔與一第二孔，該第一孔與 該第二孔均連接一第一空間與該印框護(hù)膜外的一第二空間，而該第一空間則 由該光掩膜與該印框護(hù)膜環(huán)設(shè)而成；一影像儀，該影像儀配置成使一曝光經(jīng)由該護(hù)膜框架及該光掩膜照射于該光刻層上；以及一換氣裝置，在該影像儀利用能量源穿過(guò)該印框護(hù)膜及該光掩膜對(duì)該光 刻層曝光時(shí)，同時(shí)該換氣裝置配置成導(dǎo)引該第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由該第一孔 而外流至該印框護(hù)膜。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的利用換氣裝置降低光掩膜霧化的曝光裝置，其 特征在于，該換氣裝置包括以流體連接該第一孔的一正壓力氣體源。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的利用換氣裝置降低光掩膜霧化的曝光裝置，其 特征在于，該換氣裝置包括以流體連接該第二孔的一真空源。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的利用換氣裝置降低光掩膜霧化的曝光裝置， 其特征在于，該換氣裝置包括以流體連接該第一孔的一正壓力氣體源，以及 以流體連接該第二孔的一真空源。
11、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的利用換氣裝置降低光掩膜霧化的曝光裝置， 其特征在于，還至少包含配置成容納該基材的一容置槽。
12、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的利用換氣裝置降低光掩膜霧化的曝光裝置， 其特征在于，還至少包含配置成容納該光掩膜的一容置槽。
13、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的利用換氣裝置降低光掩膜霧化的曝光裝置， 其特征在于，該換氣裝置包括一容置槽，且該容置槽配置成將該光掩膜與該 印框護(hù)膜的至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)該基材。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的利用換氣裝置降低光掩膜霧化的曝光裝置， 其特征在于，該換氣裝置包括一過(guò)濾裝置，且該過(guò)濾裝置配置成過(guò)濾該第一 空間與該第二空間之間的氣流。
15、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的利用換氣裝置降低光掩膜霧化的曝光裝置， 其特征在于，其中該能量源為紫外光。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種利用換氣裝置降低光掩膜霧化的曝光裝置及方法，其是將印框護(hù)膜固定于光掩膜上，該印框護(hù)膜至少包含護(hù)膜框架及與其連接的護(hù)膜，印框護(hù)膜具有第一孔與第二孔，第一孔與第二孔均連接第一空間與印框護(hù)膜外的第二空間，而第一空間由光掩膜與印框護(hù)膜環(huán)設(shè)而成的。在利用能量源穿過(guò)印框護(hù)膜及光掩膜對(duì)光刻層曝光的同時(shí)，使第一空間內(nèi)的氣體經(jīng)由第一孔而外流至印框護(hù)膜。
文檔編號(hào)H01L21/027GK101295138SQ200710199060
公開(kāi)日2008年10月29日 申請(qǐng)日期2007年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月25日
發(fā)明者游秋山 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司