專利名稱：發(fā)光二極管裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(light-emitting diode, LED)裝置是一種由半導(dǎo)體材料制作 而成的發(fā)光元件。由于發(fā)光二極管裝置具有體積小、耗電量低、沒有輻射、 不含水銀、壽命長、反應(yīng)速度快及可靠度高等優(yōu)點(diǎn)。因此，近年來隨著技術(shù) 不斷地進(jìn)步，其應(yīng)用范圍涵蓋了信息、通訊、消費(fèi)性電子、汽車、照明以及 交通信號標(biāo)志等領(lǐng)域。
請參照圖1,已知的發(fā)光二極管裝置1包括基板11、外延疊層12、緩沖 層14、 N型電極16、 P型電極17以及透明導(dǎo)電層18。緩沖層14、外延疊層 12及透明導(dǎo)電層18依序設(shè)置于基板11上。
外延疊層12依序具有N型半導(dǎo)體層121、發(fā)光層122及P型半導(dǎo)體層 123。 N型半導(dǎo)體層121設(shè)置于緩沖層14上，發(fā)光層122設(shè)置于N型半導(dǎo)體 層121上，P型半導(dǎo)體層123設(shè)置于發(fā)光層122上。N型電極16及P型電 極17分別與透明導(dǎo)電層18電性連接。
一般而言，發(fā)光二極管裝置1的電壓以及電流的關(guān)系呈指數(shù)關(guān)系。當(dāng)于 N型電極16及P型電極17施加電壓，且該電壓大于導(dǎo)通電壓(Threshold Voltage)時(shí)，發(fā)光二極管裝置1的電流迅速增加，同時(shí)開始發(fā)光。
然而，于此架構(gòu)下的發(fā)光二極管裝置1,其電流分布不均勻并集中于區(qū) 域A內(nèi)，使得發(fā)光二極管裝置1的局部區(qū)域電流密度過高，進(jìn)而影響發(fā)光效 率及局部區(qū)域過熱等問題，甚至縮短發(fā)光二極管裝置1的壽命。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的為提供一種具有均勻電流分布的發(fā)光二 極管裝置及其制造方法。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管裝置，其包括外延疊層、電流阻擋層以及電流擴(kuò)散層。電流阻擋層設(shè)置于外延疊層的一側(cè)，并與部分的 外延疊層接觸。電流擴(kuò)散層設(shè)置于外延疊層的一側(cè)，并與至少部分的電流阻 擋層接觸。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管裝置的制造方法，其包括以
下步驟形成外延疊層于基板上；形成電流阻擋層于外延疊層上；以及形成 電流擴(kuò)散層覆蓋電流阻擋層及部分的外延疊層。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供另一種發(fā)光二極管裝置的制造方法，其包括 以下步驟形成第一半導(dǎo)體層于外延基板上；形成發(fā)光層于第一半導(dǎo)體層上； 形成第二半導(dǎo)體層于發(fā)光層上，其中第二半導(dǎo)體層具有第一微納米結(jié)構(gòu)；移 除部分的第二半導(dǎo)體層及部分的發(fā)光層，以暴露部分的第一半導(dǎo)體層；形成 電流阻擋層覆蓋部分的第二半導(dǎo)體層、部分的發(fā)光層及斗分的第一半導(dǎo)體 層；以及形成電流擴(kuò)散層覆蓋部分的第二半導(dǎo)體層及部分的電流阻擋層上。
承上所述，依據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置及其制造方法，其是通過相鄰 設(shè)置的電流阻擋層及電流擴(kuò)散層，以使發(fā)光二極管裝置的電流均勻分布。亦 即，操作中的發(fā)光二極管裝置具有均勻的電流密度，以使熱均勻分布，進(jìn)而 提升發(fā)光二極管裝置的發(fā)光效率。


圖1為顯示已知發(fā)光二極管裝置的示意圖2為顯示依據(jù)本發(fā)明第 一實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置的控制方法的示意
圖3A至圖31為顯示依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置的示意
圖4為顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置的控制方法的示意圖； 圖5A至圖5J為顯示依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置的示意
圖6為顯示依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置的控制方法的示意 圖；以及
圖7A至圖7E為顯示依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置的示意圖。
附圖標(biāo)記說明I、 3、 4、 5:發(fā)光二極管裝置
II、 31、 37、 41、 47、 51:基板 12、 32、 42:外延疊層
121、 321、 421、 521:第一半導(dǎo)體層
122、 322、 422、 522:發(fā)光層
123、 323、 423、 523:第二半導(dǎo)體層 14:緩沖層
16、 17、 El、 E2、 E3、 E4、 E5、 E6:電極
S101 S110、 S201~S211、 S301-S306:步驟
18、 38、 48:透明導(dǎo)電層 33、 43、 53:電流阻擋層
34、 44、 54:電流擴(kuò)散層 35、 45、 55:反射層
36、 46:粘貼層 39、 49:保護(hù)層
40:絕緣導(dǎo)熱層 A:區(qū)域
具體實(shí)施例方式
以下將參照相關(guān)圖式，說明依據(jù)本發(fā)明多個實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置及 其制造方法。
請參照圖2，依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置3的制造方法包 括步驟S101至步驟SllO。以下請同時(shí)參照圖3A至圖M圖。
請參照圖3A,步驟S101是形成外延疊層32于外延基板(或生長基板) 31上。其中外延疊層32包括第一半導(dǎo)體層321、發(fā)光層322以及第二半導(dǎo) 體層323。第一半導(dǎo)體層321是形成于外延基板31上，接著于第一半導(dǎo)體層 321上形成發(fā)光層322,而后于發(fā)光層322上形成第二半導(dǎo)體層323。第一半 導(dǎo)體層321及第二半導(dǎo)體層323可分別為N型外延層及P型外延層，當(dāng)然其 亦可互換，于此并不加以限制。
請參照圖3B,步驟S102是形成電流阻擋層33于第二半導(dǎo)體層3"上。 其是以例如但不限于堆疊工藝、燒結(jié)工藝、陽極氧化鋁(AAO)工藝、納米 壓印工藝、轉(zhuǎn)印工藝、熱壓工藝、蝕刻工藝或電子束曝光工藝(E-beam writer), 形成如圖3C所示的微納米結(jié)構(gòu)。電流阻擋層33的材料包括氮化物、氧化物或碳化物等各式介電材料或高導(dǎo)熱系數(shù)的絕緣材料，例如氮化鋁(A1N)。
請參照圖3D,接著以電流阻擋層33為蝕刻阻擋層，以例如但不限于薄 膜工藝、黃光工藝、蝕刻工藝、電子束曝光工藝、陽極氧化鋁工藝或微納米 小球所制成的掩模層蝕刻第二半導(dǎo)體層323。
此時(shí)，第二半導(dǎo)體層323具有第一微納米結(jié)構(gòu)，而電流阻擋層33具有 與第一微納米結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的第二微納米結(jié)構(gòu)。于本實(shí)施中，第一微納米結(jié)構(gòu) 及第二微納米結(jié)構(gòu)分別至少包括納米球、納米柱、納米孔洞、納米點(diǎn)、納米 線、納米凹凸結(jié)構(gòu)、周期性孔洞結(jié)構(gòu)或非周期性孔洞結(jié)構(gòu)。
請參照圖3E，步驟S103是形成電流擴(kuò)散層34覆蓋電流阻擋層33及部 分的第二半導(dǎo)體層323。電流擴(kuò)散層34的材料為銦錫氧化物(ITO)、鎳/金 (Ni/Au)、鎳氧化物(NiOx)、摻鋁氧化鋅(AZO)、鋅鎵氧化物(GZO)、銻錫氧 化物或各式透明導(dǎo)電材料等具有高熱傳導(dǎo)、低工藝成本與高穩(wěn)定性的材料。
步驟S104是形成反射層35于電流擴(kuò)散層34上。反射層35可為金屬反 射層，其除了具有反射功效之外，亦可提供良好的導(dǎo)熱路徑。且反射層35 的材料可為鉑、金、銀、釔、鎳、鉻、鈦、鉻/鋁、鎳/鋁、鈦/鋁、鈦/銀、鉻 /鉬/鋁或其組合。
此外，反射層35可為由具有高低折射率的介電薄膜所組成的光學(xué)反射
意即反射層35可由多種材料組合或堆疊而成。
請參照圖3F,步驟S105是形成粘貼層36于基板37上，而基板37為 導(dǎo)電基板或金屬基板。粘貼層36為導(dǎo)電粘貼層，其材料包括低溫接著的純 金屬(低于400°C)、合金金屬、導(dǎo)電材料、焊料、有機(jī)材料或各式導(dǎo)電接著劑。
請參照圖3G,步驟S106是將基板37及反射層35通過粘貼層36結(jié)合。 請參照圖3H,步驟S107是翻轉(zhuǎn)于步驟S106所形成的發(fā)光二極管裝置3, 并移除外延基板31。
請參照圖31，步驟S108是形成透明導(dǎo)電層38于第一半導(dǎo)體層321上。 透明導(dǎo)電層38的材料包括銦錫氧化物、摻鋁氧化鋅、鎳/金、鋅氧化物或鋅 鎵氧化物。
步驟S109分別形成第一電極El與透明導(dǎo)電層38電性連接，并形成第 二電極E2與基板37電性連接。步驟S110是形成保護(hù)層39于透明導(dǎo)電層38上。保護(hù)層39為抗反射層， 其材料包括微納米粒子、氮化物、氧化物、碳化物、介電材料或高導(dǎo)熱系數(shù) 的絕緣材料。于實(shí)施上，微納米粒子可為納米球，其是以例如但不限于浸涂 (Dip coating)、 4t轉(zhuǎn)涂布(Spin coating)、噴灑涂布(Spray coating)而形成保護(hù)層 39。保護(hù)層可通過調(diào)整微納米粒子的材料、大小、折射率，以提供散射、均 光、擴(kuò)散光線及抗反射的多功能出光表面。
值得一提的是，上述步驟并不僅限于此順序，其可依據(jù)工藝的需要而進(jìn) 行步驟的調(diào)換。
請參照圖4,依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置4的制造方法包 括步驟S201至步驟S211。以下請同時(shí)參照圖5A至圖5J。其中步驟S201 至S203(圖5A至圖5E)與第一實(shí)施例相同，故省略其相關(guān)說明。
步驟S204是形成反射層45于電流擴(kuò)散層44上，接著再形成絕緣導(dǎo)熱 層40于反射層45上。其中絕緣導(dǎo)熱層40的材料包括氮化物、氧化物、碳 化物、氧化鋁、碳化硅以及各式介電材料。
請參照圖5F,步驟S205是形成粘貼層46于基板47上。粘貼層46的 材料包括低溫接著的非導(dǎo)電材料、有機(jī)材料或各式接著劑，而基板為透光基 板、散熱基板、絕緣基板、散熱絕緣基板或復(fù)合材料基板。
請參照圖5G,步驟S206是將基板47及絕緣導(dǎo)熱層40通過粘貼層46 結(jié)合。請?jiān)賲⒄請D5H,步驟S207是翻轉(zhuǎn)于步驟S206所形成的發(fā)光二極管 裝置4,并移除外延基板41。
請參照圖51,步驟S208是移除部分的第一半導(dǎo)體層421、部分的發(fā)光 層422、部分的第二半導(dǎo)體層423及部分的電流擴(kuò)散層44，以暴露出部分的 電流擴(kuò)散層44。
請參照圖5L步驟S209是形成透明導(dǎo)電層48于第一半導(dǎo)體層421上。 透明導(dǎo)電層48的材料包括銦錫氧化物、摻鋁氧化鋅、鎳/金、鋅氧化物或鋅 鎵氧化物。
步驟S210分別形成第一電極E3與透明導(dǎo)電層48電性連接，并形成第 二電極E4與暴露的電流擴(kuò)散層44電性連4秦。
步驟S211是形成保護(hù)層49于透明導(dǎo)電層48及部分的電流擴(kuò)散層44上。 保護(hù)層49為抗反射層，其材料包括^L納米粒子、氮化物、氧化物、碳化物、
ii介電材料或高導(dǎo)熱系數(shù)的絕緣材料。于實(shí)施上，微納米粒子可為納米球，其
是以例如但不限于浸涂、旋轉(zhuǎn)涂布、噴灑涂布而形成保護(hù)層49。保護(hù)層49 可通過調(diào)整微納米粒子的材料、大小、折射率，以提供散射、均光、擴(kuò)散光 線及抗反射的多功能出光表面。
值得一提的是，上述步驟并不僅限于此順序，其可依據(jù)工藝的需要而進(jìn) 行步驟的調(diào)換。
請參照圖6,依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置5的制造方法包 括步驟S301至步驟S306。以下請同時(shí)參照圖7A至圖7E。其中有關(guān)圖7A 的相關(guān)說明與上述實(shí)施例相同，故省略不再詳述。
于本實(shí)施例中，第二半導(dǎo)體層523于發(fā)光層522上以例如但不限于薄膜 工藝、黃光工藝、蝕刻工藝、電子束曝光工藝、陽極氧化鋁工藝或微納米小 球所制成的掩模層進(jìn)行蝕刻，以使第二半導(dǎo)體層523具有如圖7B的第一微 納米結(jié)構(gòu)。
微納米結(jié)構(gòu)至少包括納米球、納米柱、納米孔洞、納米點(diǎn)、納米線、納 米凹凸結(jié)構(gòu)、周期性孔洞結(jié)構(gòu)或非周期性孔洞結(jié)構(gòu)。于此，第一微納米結(jié)構(gòu) 是以納米柱為例說明。
請參照圖7C,步驟S302是移除部分的外延疊層52,意即移除部分的第 二半導(dǎo)體層523以及部分的發(fā)光層522，以暴露出部分的第一半導(dǎo)體層521。
請參照圖7D,步驟S303是形成電流阻擋層53于第二半導(dǎo)體層523上。 電流阻擋層53是在第二半導(dǎo)體層523上以例如但不限于堆疊工藝、燒結(jié)工 藝、陽極氧化鋁工藝、納米壓印工藝、轉(zhuǎn)印工藝、熱壓工藝、蝕刻工藝或電 子束曝光工藝，以使電流阻擋層53覆蓋部分的第二半導(dǎo)體層523、部分的發(fā) 光層522以及部分的第一半導(dǎo)體層521。電流阻擋層53的材料包括氮化物、 氧化物或碳化物。
請參照圖7E,步驟S304是形成電流擴(kuò)散層54覆蓋于部分的第二半導(dǎo) 體層523及部分的電流阻擋層53。電流擴(kuò)散層54的材料為銦錫氧化物、鎳/ 金、鎳氧化物、摻鋁氧化鋅、鋅鎵氧化物、銻錫氧化物或各式透明導(dǎo)電材料。
步驟S305是形成反射層55于電流擴(kuò)散層54上。反射層55可為金屬反 射層，其除了具有反射功效之外，亦可提供良好的導(dǎo)熱路徑。且反射層55 的材料為鉑、金、銀、把、鎳、鉻、鈦、鉻/鋁、鎳/鉛、鈦/鋁、鈦/銀、鉻/
12鈾/鋁或其組合。
此外，反射層55可為由具有高低折射率的介電薄膜所組成的光學(xué)反射
意即反射層55可由多種材料組合或堆疊而成。
步驟S306分別形成第一電極E5與暴露的第一半導(dǎo)體層52 i電性連接， 并形成第二電極E6與反射層55電性連接，以形成發(fā)光二極管裝置5。
值得一提的是，上述步驟并不僅限于此順序，其可依據(jù)工藝的需要而進(jìn) 行步驟的調(diào)換。
綜上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置及其制造方法通過電流阻隔層及電 流擴(kuò)散層，以使發(fā)光二極管裝置的電流均勻分布。亦即，操作中的發(fā)光二極 管裝置具有均勻的電流密度，以使熱均勻分布，進(jìn)而提升發(fā)光二極管裝置的 發(fā)光效率。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范 疇，而對其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于后附的權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1、一種發(fā)光二極管裝置，包括外延疊層；電流阻擋層，設(shè)置于該外延疊層的一側(cè)，并與部分的該外延疊層接觸；以及電流擴(kuò)散層，設(shè)置于該外延疊層的該側(cè)，并與部分的該電流阻擋層接觸。
2、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其中該外延疊層依序具有第 一半導(dǎo)體層、發(fā)光層及第二半導(dǎo)體層。
3、 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管裝置，其中該第一半導(dǎo)體層為P型 外延層或N型外延層。
4、 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管裝置，其中該第二半導(dǎo)體層為P型 外延層或N型外延層。
5、 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管裝置，其中該第二半導(dǎo)體層具有第 一微納米結(jié)構(gòu)，且該部分的第 一微納米結(jié)構(gòu)與該電流擴(kuò)散層接觸。
6、 如權(quán)利要求5所迷的發(fā)光二極管裝置，其中該第一微納米結(jié)構(gòu)至少 包括納米球、納米柱、納米孔洞、納米點(diǎn)、納米線、納米凹凸結(jié)構(gòu)、周期性 孔洞結(jié)構(gòu)或非周期性孔洞結(jié)構(gòu)。
7、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其中該電流阻擋層的材料包 括氮化物、氧化物、碳化物、介電材料或高導(dǎo)熱系數(shù)的絕緣材料。
8、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其中該電流擴(kuò)散層的材料為 銦錫氧化物、鎳/金、鎳氧化物、摻鋁氧化鋅、鋅鎵氧化物、銻錫氧化物或透 明導(dǎo)電材料。
9、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其還包括基板，其中該外延 疊層、該電流阻擋層及該電流擴(kuò)散層設(shè)置于該基板之上。
10、 如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管裝置，其中該基板為透光基板、散 熱基板、絕緣基板、金屬基板、復(fù)合材料基板、外延基板、生長基板或?qū)щ?基板。
11、 如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管裝置，其還包括 粘貼層，設(shè)置于該基板與該電流擴(kuò)散層之間。
12、 如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管裝置，其中該粘貼層的材料包括低溫接著的純金屬、合金金屬、導(dǎo)電材料、非導(dǎo)電材料、焊料、有機(jī)材料或 接著劑。
13、 如權(quán)利要求1或11所述的發(fā)光二極管裝置，其還包括反射層，設(shè)置于該粘貼層與該電流擴(kuò)散層之間，或該電流擴(kuò)散層的一側(cè)。
14、 如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管裝置，其中該反射層的材料為4白、 金、銀、釔、鎳、鉻、鈦、鉻/鋁、鎳/鋁、鈦/鋁、鈦/銀、鉻/4自/鋁或其組合。
15、 如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管裝置，其中該反射層為由具有高 低折射率的介電薄膜所組成的光學(xué)反射元件、金屬反射層、金屬介電反射層 或由微納米球所組成的光學(xué)反射元件。
16、 如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管裝置，其還包括 絕緣導(dǎo)熱層，設(shè)置于該粘貼層及該反射層之間。
17、 如權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管裝置，其中該絕緣導(dǎo)熱層的材料 包括氮化物、氧化物、碳化物或介電材料。
18、 如權(quán)利要求17所述的發(fā)光二極管裝置，其中該絕緣導(dǎo)熱層的材料 包括氧化鋁或碳化硅。
19、 如權(quán)利要求1或9所述的發(fā)光二極管裝置，其還包括 透明導(dǎo)電層，設(shè)置于該外延疊層的另一側(cè)。
20、 如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管裝置，其中該透明導(dǎo)電層的材料 包括銦錫氧化物、摻鋁氧化鋅、鎳/金、鋅氧化物或鋅鎵氧化物。
21、 如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管裝置，其還包括保護(hù)層，與該透明導(dǎo)電層、部分的外延疊層或部分的電流擴(kuò)散層接觸。
22、 如權(quán)利要求21所述的發(fā)光二極管裝置，其中該保護(hù)層為抗反射層。
23、 如權(quán)利要求21所述的發(fā)光二極管裝置，其中該保護(hù)層的材料包括 微納米粒子、氮化物、氧化物、碳化物、介電材料或高導(dǎo)熱系數(shù)的絕緣材料。
24、 如權(quán)利要求21所述的發(fā)光二極管裝置，其中該保護(hù)層通過浸涂、 旋轉(zhuǎn)涂布、噴灑涂布而形成。
25、 如權(quán)利要求21所述的發(fā)光二極管裝置，其還包括 第一電極，與該透明導(dǎo)電層電性連接；以及 第二電極，與該基板或暴露的該電流擴(kuò)散層電性連接。
26、 如權(quán)利要求2所迷的發(fā)光二極管裝置，其中該第二半導(dǎo)體層具有第 一微納米結(jié)構(gòu)，且該電流阻擋層具有與該第 一微納米結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的第二微納米結(jié)構(gòu)。
27、 如權(quán)利要求26所述的發(fā)光二極管裝置，其中該第二微納米結(jié)構(gòu)至 少包括納米i^、納米柱、納米孔洞、納米點(diǎn)、納米線、納米凹凸結(jié)構(gòu)、周期 性孔洞結(jié)構(gòu)或非周期性孔洞結(jié)構(gòu)。
28、 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管裝置，其中該電流擴(kuò)散層與部分的該電流阻擋層及部分該第二半導(dǎo)體層接觸。
29、 如權(quán)利要求28所述的發(fā)光二極管裝置，其還包括 第一電極，與暴露于該第一半導(dǎo)體層電性連接；以及 第二電極，與于該反射層電性連接。
30、 一種發(fā)光二極管裝置的制造方法，包括以下步驟 形成外延疊層于基板上； 形成電流阻擋層于該外延疊層上；以及 形成電流擴(kuò)散層覆蓋該電流阻擋層或部分的該外延疊層。
31、 如權(quán)利要求30所述的制造方法，其中該形成外延疊層的步驟還包括'.形成第一半導(dǎo)體層于外延基板上； 形成發(fā)光層于該第一半導(dǎo)體層上；以及形成第二半導(dǎo)體層于該發(fā)光層上。
32、 如權(quán)利要求31所述的制造方法，其中該第一半導(dǎo)體層為P型外延 層或N型外延層。
33、 如權(quán)利要求31所述的制造方法，其中該第二半導(dǎo)體層為P型外延 層或N型外延層。
34、 如權(quán)利要求31所述的制造方法，其步驟還包括于該第二半導(dǎo)體層 形成第一微納米結(jié)構(gòu)。
35、 如權(quán)利要求34所述的制造方法，其中該第一微納米結(jié)構(gòu)通過薄膜 工藝、黃光工藝、蝕刻工藝、電子束曝光工藝、陽極氧化鋁工藝或微納米小 球所制成的掩模層進(jìn)行蝕刻而形成。
36、 如權(quán)利要求34所述的制造方法，其步驟還包括于該電流阻擋層形 成一與該第 一微納米結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的第二微納米結(jié)構(gòu)。
37、 如權(quán)利要求36所述的制造方法，其中該第一微納米結(jié)構(gòu)及該第二 微納米結(jié)構(gòu)分別至少包括納米球、納米柱、納米孔洞、納米點(diǎn)、納米線、納米凹凸結(jié)構(gòu)、周期性孔洞結(jié)構(gòu)或非周期性孔洞結(jié)構(gòu)。
38、 如權(quán)利要求30所述的制造方法，其中該電流阻擋層的材料包括氮 化物、氧化物、碳化物、介電材料或高導(dǎo)熱系數(shù)的絕緣材料。
39、 如權(quán)利要求30所述的制造方法，其中該電流阻擋層通過堆疊工藝、 燒結(jié)工藝、陽極氧化鋁工藝、納米壓印工藝、轉(zhuǎn)印工藝、熱壓工藝、蝕刻工 藝或電子束曝光工藝而形成。
40、 如權(quán)利要求30所述的制造方法，其中該電流擴(kuò)散層的材料為錫氧 化物、鎳/金、鎳氧化物、摻鋁氧化鋅、鋅鎵氧化物、銻錫氧化物或透明導(dǎo)電 材料。
41、 如權(quán)利要求31所述的制造方法，其步驟還包括形成反射層于該電 流擴(kuò)散層上。
42、 如權(quán)利要求41所述的制造方法，其中該反射層的材料為鉑、金、 銀、4巴、鎳、鉻、鈦、鉻/鋁、鎳/鋁、鈥/鋁、鈦/銀、鉻/柏/鋁或其組合。
43、 如權(quán)利要求41所述的制造方法，其中該反射層為由具有高低折射 率的介電薄膜所組成的光學(xué)反射元件、金屬反射層、金屬介電反射層或由微 納米球所組成的光學(xué)反射元件。
44、 如權(quán)利要求41所述的制造方法，其步驟還包括 形成粘貼層于另一基板上；以及將該另 一基板及該反射層通過該粘貼層結(jié)合。
45、 如權(quán)利要求44所述的制造方法，該另一基板為導(dǎo)熱基板、金屬基 板、透光基板、散熱基板、絕緣基板、散熱絕緣基板或復(fù)合材料基板。
46、 如權(quán)利要求44所述的制造方法，其中該粘貼層的材料包括低溫接 著的純金屬、合金金屬、導(dǎo)電材料、非導(dǎo)電材料、焊料、有機(jī)材料或接著劑。
47、 如權(quán)利要求44所述的制造方法，其步驟還包括 翻轉(zhuǎn)該發(fā)光二極管裝置；以及移除該基板。
48、 如權(quán)利要求47所述的制造方法，其步驟還包括 形成透明導(dǎo)電層于該第一半導(dǎo)體層上。
49、 如權(quán)利要求48所述的制造方法，其中該透明導(dǎo)電層的材料包括銦 錫氧化物、摻鋁氧化鋅、鎳/金、鋅氧化物或鋅鎵氧化物。
50、 如權(quán)利要求48所述的制造方法，其步驟還包括形成第一電極與該透明導(dǎo)電層電性連接；以及形成第二電極與該另 一基板或該電流擴(kuò)散層電性連接。
51、 如權(quán)利要求50所述的制造方法，其步驟還包括形成保護(hù)層于該透明導(dǎo)電層上或該電流擴(kuò)散層上，或覆蓋該透明導(dǎo)電 層、部分的該第一半導(dǎo)體層、部分的該發(fā)光層、部分的該第二半導(dǎo)體層及部 分的該電流擴(kuò)散層。
52、 如權(quán)利要求51所述的制造方法，其中該保護(hù)層為抗反射層。
53、 如權(quán)利要求51所述的制造方法，其中該保護(hù)層的材料包括微納米 粒子、氮化物、氧化物、碳化物、介電材料或高導(dǎo)熱系數(shù)的絕緣材料。
54、 如權(quán)利要求51所述的制造方法，其步驟還包括 形成絕緣導(dǎo)熱層于該反射層上與該粘貼層之間。
55、 如權(quán)利要求54所述的制造方法，其中該絕緣導(dǎo)熱層的材料包括氮 化物、氧化物、碳化物或介電材料。
56、 如權(quán)利要求55所述的制造方法，其中該絕緣導(dǎo)熱層的材料包括氧 化鋁或碳化硅。
57、 如權(quán)利要求54所述的制造方法，其步驟還包括 移除部分的該第一半導(dǎo)體層、部分的該發(fā)光層、部分的該第二半導(dǎo)體層及部分的該電流擴(kuò)散層，以暴露出部分的該電流擴(kuò)散層。
58、 如權(quán)利要求57所述的制造方法，其步驟還包括 形成第一電極與暴露的該第一半導(dǎo)體層電性連接；以及 形成第二電極與該反射層電性連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管裝置及其制造方法。該發(fā)光二極管裝置包括外延疊層、電流阻擋層以及電流擴(kuò)散層。電流阻擋層設(shè)置于外延疊層的一側(cè)，并與部分的外延疊層接觸。電流擴(kuò)散層設(shè)置于外延疊層的一側(cè)，并與至少部分的電流阻擋層接觸。
文檔編號H01L33/00GK101459209SQ20071019984
公開日2009年6月17日 申請日期2007年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月14日
發(fā)明者薛清全, 陳世鵬, 陳朝旻, 陳煌坤 申請人:臺達(dá)電子工業(yè)股份有限公司