專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光領(lǐng)域，尤其是尤其是一種具有較佳發(fā)光效率的半導(dǎo)體發(fā)光元件。
技術(shù)背景參見圖1及圖2，其示出一種典型的半導(dǎo)體發(fā)光元件，如發(fā)光二極管600。所示發(fā)光二極 管600包括絕緣基底610、形成在絕緣基底610上的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)620、 N電極 (N-electrode)630以及P電極(P-electrode)640。所述半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)620包括N型半導(dǎo)體層 (N-type Layer) 621、 P型半導(dǎo)體層(P-type Layer) 623以及位于N型半導(dǎo)體層621與P型半導(dǎo)體 層623之間的活性層(Active layer) 622。所述N型半導(dǎo)體層621具有一未被活性層622和P型半 導(dǎo)體層623覆蓋的暴露部分，N電極630為一N接觸墊(N-contact Pad)且設(shè)置在所述暴露部分 上。所述P電極640為一P接觸墊(P-contact Pad),其設(shè)置在P型半導(dǎo)體層623上且與N電極 630成對角設(shè)置。然而，由于P型半導(dǎo)體層623通常具有相對較高的阻抗，致使電流橫向擴散 效果差，電流易集中在P電極640附近向下通過活性層622，因此降低活性層622的面積使用率 ，進而導(dǎo)致其發(fā)光效率相對較差，尤其是對大尺寸晶粒的影響更大。參見圖3，為改善上述因活性層的面積使用率低而導(dǎo)致的發(fā)光效率差之問題，美國專利 第6，307，218號揭露一種采用梳狀的P、 N電極的半導(dǎo)體發(fā)光元件，如發(fā)光二極管700。該發(fā)光 二極管700包括絕緣基底(圖未示)、形成在絕緣基底上的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)、梳狀N電極730以 及梳狀P電極740。所述半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)包括N型半導(dǎo)體層721、 P型半導(dǎo)體層723以及位于N型 半導(dǎo)體層721和P型半導(dǎo)體層723之間的活性層(圖未示)。所述梳狀N電極730設(shè)置在N型半導(dǎo)體 層721的暴露部分；所述梳狀P電極740設(shè)置在P型半導(dǎo)體層723上且其指狀結(jié)構(gòu)(Fingers)與梳 狀N電極730的指狀結(jié)構(gòu)交錯排布。然而，所述發(fā)光二極管700雖然從宏觀上明顯改善了電流 分散的特性，但在微觀上電流仍有集中在梳狀P電極740下方的趨勢，在每一個指狀結(jié)構(gòu)對應(yīng) 的局部區(qū)域仍有電流橫向擴散效果差的問題，其仍導(dǎo)致發(fā)光效率不佳。有鑒于此，提供一種具有較佳發(fā)光效率的半導(dǎo)體發(fā)光元件實為必要。發(fā)明內(nèi)容下面將以實施例說明一種因電流橫向擴散效果較好而具較佳發(fā)光效率的半導(dǎo)體發(fā)光元件 一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其包括基底，形成在基底上的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，及極性相反的第一電極和第二電極；所述半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)包括一第一型半導(dǎo)體層和一第二型半導(dǎo)體層；所述 第一電極與第一型半導(dǎo)體電連接，所述第二電極與第二型半導(dǎo)體電連接；所述第二電極包括 一透光導(dǎo)電層以及一與所述透光導(dǎo)電層電接觸的圖案化金屬導(dǎo)電層，且所述透光導(dǎo)電層的到 圖案化金屬導(dǎo)電層的最小橫向距離小于等于300微米的區(qū)域之面積總和為透光導(dǎo)電層所在區(qū) 域之面積的80%及以上。
相對于現(xiàn)有技術(shù)，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的第二電極是由透光導(dǎo)電層和圖案化金屬導(dǎo)電層 構(gòu)成，由于透光導(dǎo)電層具有較低的阻抗而有利于電流的橫向擴散；并且，由于所述透光導(dǎo)電 層的到圖案化金屬導(dǎo)電層的最小橫向距離小于等于300微米的區(qū)域之面積和為透明導(dǎo)電層所 在區(qū)域之面積的80%及以上，其可有效降低電流在透光導(dǎo)電層的橫向擴散過程中因透明導(dǎo)電 層中晶界及缺陷的存在而遭截斷的可能。因此，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件經(jīng)由其電極的設(shè)置可達 到較好的電流橫向擴散效果，進而可獲得較佳的發(fā)光效率。


圖l是一種典型的發(fā)光二極管的主視示意圖。
圖2是圖1所示發(fā)光二極管的俯視示意圖。
圖3是另一種典型的發(fā)光二極管俯視示意圖。
圖4是本發(fā)明第一實施例半導(dǎo)體發(fā)光元件的俯視示意圖。
圖5是圖4所示半導(dǎo)體發(fā)光元件沿剖線V-V的剖面示意圖。
圖6是圖4所示半導(dǎo)體發(fā)光元件的透光導(dǎo)電層的SEM (Scanning
Electron Microscopy)照片。
圖7是本發(fā)明第二實施例半導(dǎo)體發(fā)光元件的俯視示意圖。
圖8是圖7所示半導(dǎo)體發(fā)光元件沿剖線VIII-VIII的剖面示意圖。
圖9是本發(fā)明第三實施例半導(dǎo)體發(fā)光元件的俯視示意圖。
圖10是圖9所示半導(dǎo)體發(fā)光元件的主視示意圖。
圖ll是本發(fā)明第四實施例半導(dǎo)體發(fā)光元件的俯視示意圖。
圖12是圖11所示半導(dǎo)體發(fā)光元件沿剖線XII-XII的剖面示意圖。
圖13是本發(fā)明第五實施例半導(dǎo)體發(fā)光元件的俯視示意圖。
圖14是圖13所示半導(dǎo)體發(fā)光元件沿剖線XIV-XIV的剖面示意圖。
具體實施例方式
下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例作進一步的詳細說明。
參見圖4及圖5，本發(fā)明第一實施例提供的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件10，其為一種半導(dǎo)體發(fā)光二極管。所述半導(dǎo)體發(fā)光元件10包括 一絕緣基底ll， 一位于絕緣基底ll上的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié) 構(gòu)12，極性相反的第一電極13和第二電極14。
所述絕緣基底ll可選用藍寶石(Sapphire)、碳化硅(SiC)等絕緣材料。 所述半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12通常為一三層磊晶結(jié)構(gòu)，其包括一第一型半導(dǎo)體層，如N型半導(dǎo) 體層121、 一第二型半導(dǎo)體層，如P型半導(dǎo)體層123、以及位于N型半導(dǎo)體層121與P型半導(dǎo)體層 123之間的活性層122;所述N型半導(dǎo)體層121、活性層122及P型半導(dǎo)體層123的基材可為 III-V族化合物或II-VI族化合物。所述N型半導(dǎo)體層121具有一未被活性層122、 P型半導(dǎo)體層 123及第二電極14覆蓋且環(huán)繞活性層122及P型半導(dǎo)體層123的暴露部分?？梢岳斫獾氖?，所述 半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12也可為一兩層磊晶結(jié)構(gòu)，該兩層磊晶結(jié)構(gòu)由一N型半導(dǎo)體層和一P型半導(dǎo)體 層構(gòu)成。
所述第一電極13形成，例如沉積在N型半導(dǎo)體層121的暴露部分以與N型半導(dǎo)體層121形成 電接觸，其為一梳狀結(jié)構(gòu)。所述梳狀的第一電極13包括接觸墊(Contact Pad)131及從接觸墊 131延伸出來的延長臂133，該接觸墊131用于與外部電路形成電連接，如打線連接，其厚度 通常較延長臂133的厚度大。如圖4所示，所述第一電極13包括三個接觸墊131和五個直條形 延長臂133;其中，三個接觸墊131共線且相鄰兩個接觸墊131由一延長臂133相連通，另外三 個延長臂133沿一與位于相鄰兩個接觸墊131之間的延長臂133的延伸方向基本垂直的方向延 伸。
所述第二電極14與P型半導(dǎo)體層123形成電接觸，其包括一透光導(dǎo)電層142及一與透光導(dǎo) 電層142電接觸的圖案化金屬導(dǎo)電層144 。
所述透光導(dǎo)電層142形成，例如沉積在P型半導(dǎo)體層123上，其與P型半導(dǎo)體層123形成歐 姆接觸(0hmic Contact)。所述透光導(dǎo)電層142的材料可為透明的金屬摻雜之金屬氧化物，如 銦摻雜一氧化錫(Sn0: In)、錫摻雜三氧化二鎵(Ga203: Sn)、錫摻雜銀銦氧化物(Agln02: Sn) 、銦錫氧化物(In203:Sn)、鋅摻雜三氧化二銦(In203:Zn)、銻摻雜二氧化錫(Sn02 :Sb)、或 鋁摻雜氧化鋅(Zn0:Al)等。
所述圖案化金屬導(dǎo)電層144形成(例如沉積)在透光導(dǎo)電層142的遠離P型半導(dǎo)體層123的一 側(cè)，其為一梳狀結(jié)構(gòu)。所述圖案化金屬導(dǎo)電層144通常是由非透光的金屬或金屬合金材料制 成的，其包括與外部電路形成電連接的接觸墊1442以及從接觸墊1442延伸出來的延長臂 1444。如圖4所示，所述梳狀的圖案化金屬導(dǎo)電層144包括兩個接觸墊1442和三個直條形延長 臂1444;其中，該兩個接觸墊1442由一延長臂1444相連通，另外兩個延長臂1444沿一與位于 相鄰兩個接觸墊1442之間的延長臂1444的延伸方向基本垂直的方向延伸且與第一電極13的對應(yīng)的延長臂133交錯排布。
圖4中示出所述透光導(dǎo)電層142的一區(qū)域元1422到圖案化金屬導(dǎo)電層144的最小橫向(也即 ，與透光導(dǎo)電層142的厚度方向基本垂直的方向)距離d。所述透光導(dǎo)電層142是由大量的區(qū)域 元1422構(gòu)成的，該區(qū)域元1422在透光導(dǎo)電層142的立體結(jié)構(gòu)中則為一微小的立體結(jié)構(gòu)。
如圖6所示，由于透光導(dǎo)電層142的微觀結(jié)構(gòu)通常為柱狀晶域，長距離的電流橫向(如圖 6中箭頭所指方向)擴散會因其內(nèi)大量的晶界及缺陷的存在而可能被截斷，因而該最小橫向距 離d設(shè)定為小于等于300微米可以大大降低橫向電流遭截斷的可能性。另外，經(jīng)實驗證明，當 所述透光導(dǎo)電層142的到圖案化金屬導(dǎo)電層144的最小橫向距離d小于等于300微米的所有區(qū)域 元142之面積總和達到透光導(dǎo)電層142所在區(qū)域之面積的80%，即可使所述半導(dǎo)體發(fā)光元件IO 獲得較佳的發(fā)光效率?？梢岳斫獾氖?，該具有最小橫向距離d小于等于300微米的所有區(qū)域元 142之面積總和與透光導(dǎo)電層142所在區(qū)域之面積的比值越大，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件10的發(fā)光 效率就會相對更佳。
參見圖7及圖8，本發(fā)明第二實施例提供的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件20，其為一種半導(dǎo)體發(fā)光 二極管。所述半導(dǎo)體發(fā)光元件20與第一實施例提供的半導(dǎo)體發(fā)光元件10的結(jié)構(gòu)基本相同，其 包括一絕緣基底ll， 一位于絕緣基底11上的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)22，極性相反的第一電極23和第 二電極24。所述半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)22包括N型半導(dǎo)體層221、 P型半導(dǎo)體層223以及位于N型半導(dǎo) 體層221與P型半導(dǎo)體層223之間的活性層222;所述第二電極24包括一透光導(dǎo)電層242和一圖 案化金屬導(dǎo)電層244，所述透光導(dǎo)電層242的到圖案化金屬導(dǎo)電層244的最小橫向距離小于等 于300微米的區(qū)域之面積總和為透光導(dǎo)電層242所在區(qū)域之面積的80%及以上。不同之處主要 在于N型半導(dǎo)體層221的暴露部分的位置、第一電極23的形狀和位置、以及第二電極24的透 光導(dǎo)電層242和圖案化金屬導(dǎo)電層244的形狀。
具體的，所述N型半導(dǎo)體層221的未被活性層222、 P型半導(dǎo)體層223和第一電極24覆蓋且 由活性層222和P型半導(dǎo)體層223環(huán)繞的暴露部分位于N型半導(dǎo)體層221的中心部位，圖7示出其 為圓形。
所述第一電極23由一與N型半導(dǎo)體層221形成歐姆接觸的接觸墊構(gòu)成。所述接觸墊設(shè)置在 N型半導(dǎo)體層221的暴露部分，且大致呈圓形。
所述透光導(dǎo)電層242沉積在P型半導(dǎo)體層223上且與其形成歐姆接觸。所述透光導(dǎo)電層 242的對應(yīng)N型半導(dǎo)體層221的暴露部分具有一中心貫穿孔進而形成一內(nèi)徑較小的環(huán)狀透光導(dǎo) 電層242。
所述圖案化金屬導(dǎo)電層244沉積在透光導(dǎo)電層242上，其包括接觸墊2442以及從接觸墊2442延伸出來的延長臂2444。所述接觸墊2442和延長臂2444形成一大致呈方形的連續(xù)環(huán)狀結(jié) 構(gòu)，所述第一電極23在第二電極24上的投影位于該方形環(huán)狀結(jié)構(gòu)的對角線的交點位置。如圖 7中所示，所述圖案化金屬導(dǎo)電層244包括兩個接觸墊2442和兩個L形延長臂2444，所述兩個 接觸墊2442呈對角設(shè)置。
參見圖9及圖10，本發(fā)明第三實施例提供的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件30，其為一種半導(dǎo)體發(fā) 光二極管。所述半導(dǎo)體發(fā)光元件30與第一實施例提供的半導(dǎo)體發(fā)光元件10的結(jié)構(gòu)基本相同， 其包括一絕緣基底ll， 一位于絕緣基底11上的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)32，極性相反的第一電極33和 第二電極34。所述半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)32包括N型半導(dǎo)體層321、 P型半導(dǎo)體層323以及位于N型半 導(dǎo)體層321與P型半導(dǎo)體層323之間的活性層322;所述第二電極34包括一透光導(dǎo)電層342和一 圖案化金屬導(dǎo)電層344，所述透光導(dǎo)電層342的到圖案化金屬導(dǎo)電層344的最小橫向距離小于 等于300微米的區(qū)域之面積總和為透光導(dǎo)電層342所在區(qū)域之面積的80%及以上。不同之處主 要在于N型半導(dǎo)體層321的暴露部分的位置、第一電極33的形狀和位置、以及第二電極34的 透光導(dǎo)電層342和圖案化金屬導(dǎo)電層344的形狀及相對位置關(guān)系。
具體的，所述N型半導(dǎo)體層321的未被活性層322、 P型半導(dǎo)體層323和第一電極34覆蓋的 暴露部分位于N型半導(dǎo)體層321的一角落位置。
所述第一電極33由一與N型半導(dǎo)體層321形成歐姆接觸的接觸墊構(gòu)成。所述接觸墊設(shè)置在 N型半導(dǎo)體層321的暴露部分，且大致呈圓形。
所述透光導(dǎo)電層342沉積在P型半導(dǎo)體層323上且與其形成歐姆接觸。所述透光導(dǎo)電層 342的與第一電極33成對角設(shè)置的角落位置形成有一貫穿孔。
所述圖案化金屬導(dǎo)電層344包括接觸墊3442以及從接觸墊3442延伸出來的延長臂3444。 所述延長臂3444位于透光導(dǎo)電層342的鄰近P型半導(dǎo)體層323的一側(cè)且與P型半導(dǎo)體層323形成 電接觸，其可使得第二電極34與P型半導(dǎo)體層323之間具有更佳的附著力。所述延長臂3444與 P型半導(dǎo)體層323的電接觸方式可為歐姆接觸或肖特基接觸(Schottky Contact)。需要指明的 是，所述延長臂3444與P型半導(dǎo)體層323的肖特基電接觸方式更有利于電流的橫向擴散。所述 接觸墊3442從透光導(dǎo)電層342的遠離P型半導(dǎo)體層323的一側(cè)穿過透光導(dǎo)電層342的貫穿孔與延 長臂3444相連接。如圖9所示，所述圖案化金屬導(dǎo)電層344包括一個接觸墊3442及兩個從接觸 墊3442延伸出來的U形延長臂3444;所述接觸墊3442填充在透光導(dǎo)電層342的貫穿孔內(nèi)，所述 兩個U形延長臂3444相交且關(guān)于接觸墊3442與第一電極33的連線鏡面對稱。
參見圖11及圖12，本發(fā)明第四實施例提供的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件40，其為一種半導(dǎo)體發(fā) 光二極管。所述半導(dǎo)體發(fā)光元件40包括一可導(dǎo)電基底41， 一位于可導(dǎo)電基底41上的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)42、以及極性相反的第一電極43和第二電極44。
所述可導(dǎo)電基底41的材料可選用摻雜的半導(dǎo)體材料，如N型摻雜的硅(Si)或N型摻雜的砷 化鎵(GaAs)，或者具有導(dǎo)電通道的陶瓷等。
所述半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)42通常為一三層磊晶結(jié)構(gòu)，其包括一第一型半導(dǎo)體層，如N型半導(dǎo) 體層421、 一第二型半導(dǎo)體層，如P型半導(dǎo)體層423、以及位于N型半導(dǎo)體層421與P型半導(dǎo)體層 423之間的活性層422?？梢岳斫獾氖?，所述半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)42也可為一兩層磊晶結(jié)構(gòu)，該兩 層磊晶結(jié)構(gòu)由一N型半導(dǎo)體層和一P型半導(dǎo)體層構(gòu)成。
所述第一電極43形成在可導(dǎo)電基底41的遠離半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)42的一側(cè)，其可由一接觸墊 構(gòu)成。
所述第二電極44與P型半導(dǎo)體層423形成電接觸，其包括一透光導(dǎo)電層442及一與透光導(dǎo) 電層442電接觸的圖案化金屬導(dǎo)電層144 。
所述透光導(dǎo)電層442形成在P型半導(dǎo)體層423上，其與P型半導(dǎo)體層423形成歐姆接觸。所 述透光導(dǎo)電層442的材料可為透明的金屬摻雜之金屬氧化物，如銦摻雜一氧化錫(SnO:In)、 錫摻雜三氧化二鎵(Ga203: Sn)、錫摻雜銀銦氧化物(Agln02: Sn)、銦錫氧化物(In203: Sn)、 鋅摻雜三氧化二銦(In203:Zn)、銻摻雜二氧化錫(Sn02 :Sb)、或鋁摻雜氧化鋅(Zn0:Al)等。
所述圖案化金屬導(dǎo)電層444形成在透光導(dǎo)電層442的遠離P型半導(dǎo)體層423的一側(cè)，其通常 是由非透光的金屬或金屬合金材料制成的。如圖11所示，所述圖案化金屬導(dǎo)電層444包括一 接觸墊4442以及從該接觸墊4442延伸出來的兩個Z形延長臂4444，該接觸墊4442與延長臂 4444構(gòu)成一帶對角線的方形的連續(xù)環(huán)狀結(jié)構(gòu)；所述接觸墊4442位于該方形的連續(xù)環(huán)狀結(jié)構(gòu)的 對角線的交點位置，所述第一電極43與接觸墊4442正對設(shè)置。
圖11中示出所述透光導(dǎo)電層442的一區(qū)域元4422到圖案化金屬導(dǎo)電層444的最小橫向(也 即，與透光導(dǎo)電層442的厚度方向基本垂直的方向)距離d。所述透光導(dǎo)電層442是由大量的區(qū) 域元4422構(gòu)成的，該區(qū)域元4422在透光導(dǎo)電層442的立體結(jié)構(gòu)中則為一微小的立體結(jié)構(gòu)。由 于透光導(dǎo)電層442的微觀結(jié)構(gòu)通常為柱狀晶域，長距離的電流橫向擴散會因其內(nèi)大量的晶界 及缺陷的存在而可能被截斷，因而該最小橫向距離d設(shè)定為小于等于300微米可以大大降低橫 向電流遭截斷的可能性。另外，經(jīng)實驗證明，當所述透光導(dǎo)電層442的到圖案化金屬導(dǎo)電層 444的最小橫向距離d小于等于300微米的所有區(qū)域元442之面積總和達到透光導(dǎo)電層442所在 區(qū)域之面積的80%，即可使所述半導(dǎo)體發(fā)光元件40獲得較佳的發(fā)光效率。當然，該具有最小 橫向距離d小于等于300微米的所有區(qū)域元442之面積和與透光導(dǎo)電層442所在區(qū)域之面積的比 值越大，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件40的發(fā)光效率就會相對更佳。參見圖13及圖14，本發(fā)明第五實施例提供的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件50，其為一種半導(dǎo)體發(fā) 光二極管。所述半導(dǎo)體發(fā)光元件50與第四實施例提供的半導(dǎo)體發(fā)光元件40的結(jié)構(gòu)基本相同， 其包括一可導(dǎo)電基底41， 一位于可導(dǎo)電基底41上的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)42、以及極性相反的第一 電極43和第二電極54;所述第二電極54包括一透光導(dǎo)電層442和一圖案化金屬導(dǎo)電層544，所 述透光導(dǎo)電層442的到圖案化金屬導(dǎo)電層544的最小橫向距離小于等于300微米的區(qū)域之面積 和為透光導(dǎo)電層442所在區(qū)域之面積的80%及以上。不同之處主要在于所述圖案化金屬導(dǎo)電 層544的形狀。具體的，如圖13所示，所述圖案化金屬導(dǎo)電層544包括一接觸墊5442、從接觸墊5442延 伸出來的相對設(shè)置的兩U形延長臂5444a、以及從接觸墊5442延伸出來且與所述兩U形延長臂 5444a相交的直條狀延長臂5444b;所述兩U形延長臂5444a關(guān)于直條狀延長臂5444b鏡面對稱 ，所述第一電極43與接觸墊5442成對角設(shè)置。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明第三實施例中將第二電極34的圖案化金屬導(dǎo)電層 344穿過透光導(dǎo)電層342與P型半導(dǎo)體層形成電接觸，如歐姆接觸或肖特基接觸的方式同樣可 應(yīng)用于第四實施例和第五實施例所提供的半導(dǎo)體發(fā)光元件40、 50。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可于本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，如變更圖案化金屬導(dǎo)電層144 、244、 344、 444及544的材料及形狀，透光導(dǎo)電層142、 242、 342及442的材料及形狀，第一 電極13、 23， 33， 43的材料及形狀等以用于本發(fā)明等設(shè)計，只要其不偏離本發(fā)明的技術(shù)效果 均可。這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其包括基底、形成在基底上的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)、以及極性相反的第一電極和第二電極，所述半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)包括一第一型半導(dǎo)體層和一第二型半導(dǎo)體層，所述第一電極和第二電極分別與第一型半導(dǎo)體層和第二型半導(dǎo)體層形成電連接，其特征在于所述第二電極包括一透光導(dǎo)電層和一與透光導(dǎo)電層電接觸的圖案化金屬導(dǎo)電層，所述透光導(dǎo)電層的到圖案化金屬導(dǎo)電層的最小橫向距離小于等于300微米的區(qū)域之面積總和為透光導(dǎo)電層所在區(qū)域之面積的80％及以上。
9.如權(quán)利要求1至5任意一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于， 所述基底為絕緣基底，所述第一型半導(dǎo)體層具有一未被第二型半導(dǎo)體層覆蓋的暴露部分，所 述第一電極位于該暴露部分且與第一型半導(dǎo)體層形成歐姆接觸。
10.如權(quán)利要求1至5任意一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于， 所述基底為可導(dǎo)電的基底，所述第一電極位于所述可導(dǎo)電的基底的遠離第一型半導(dǎo)體層的一 側(cè)以與所述第一型半導(dǎo)體層形成電連接。
11.如權(quán)利要求1至5任意一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于， 所述第一型半導(dǎo)體層和第二型半導(dǎo)體層分別為N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層。
12.如權(quán)利要求1至5任意一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于， 所述透光導(dǎo)電層是透明的且由金屬摻雜之金屬氧化物制成。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述金屬摻 雜之金屬氧化物選自銦摻雜一氧化錫、錫摻雜三氧化二鎵、錫摻雜銀銦氧化物、銦錫氧化物 、鋅摻雜三氧化二銦、銻摻雜二氧化錫和鋁摻雜氧化鋅。
14.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其包括基底、形成在基底上的半導(dǎo)體發(fā)光 結(jié)構(gòu)、以及極性相反的第一電極和第二電極，所述半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)包括一第一型半導(dǎo)體層和 一第二型半導(dǎo)體層，所述第一電極和第二電極分別與第一型半導(dǎo)體層和第二型半導(dǎo)體層形成 電連接，其特征在于所述第二電極包括一透光導(dǎo)電層和一與透光導(dǎo)電層電接觸的圖案化非 透光導(dǎo)電層，所述透光導(dǎo)電層的到圖案化非透光導(dǎo)電層的最小橫向距離小于等于300微米的 區(qū)域之面積總和為透光導(dǎo)電層所在區(qū)域之面積的80%及以上。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述圖案化 非透光導(dǎo)電層是由金屬或金屬合金制成的。
全文摘要
一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其包括基底，形成在基底上且包括一第一型半導(dǎo)體層和一第二型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，及極性相反的第一電極和第二電極；所述第一電極與第二電極分別與第一型半導(dǎo)體電連接和第二型半導(dǎo)體電連接；所述第二電極包括一透光導(dǎo)電層以及一與所述透光導(dǎo)電層電接觸的圖案化金屬導(dǎo)電層，且所述透光導(dǎo)電層的到圖案化金屬導(dǎo)電層的最小橫向距離小于等于300微米的區(qū)域之面積和為透光導(dǎo)電層所在區(qū)域之面積的80％及以上。由于透光導(dǎo)電層具透光及阻抗較低的特性，且所述透光導(dǎo)電層的到圖案化金屬導(dǎo)電層的最小橫向距離小于等于300微米的區(qū)域之面積總和為透明導(dǎo)電層所在區(qū)域之面積的80％及以上，其利于電流橫向擴散進而可獲得較佳發(fā)光效率。
文檔編號H01L33/38GK101320771SQ20071020075
公開日2008年12月10日 申請日期2007年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月4日
發(fā)明者朱源發(fā) 申請人:富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)(上海)有限公司;沛鑫半導(dǎo)體工業(yè)股份有限公司