專利名稱:多頻段的頻率選擇濾波裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型是關(guān)于一種多頻段的頻率選擇性濾波裝置,特別是指一種能提 供立體的電感與電容的共振數(shù)組,亦即藉多層共振以縮小電磁波的共振波長(zhǎng), 因而可藉以小型化頻率選擇性功能面(Frequency Selective Surface;以下 簡(jiǎn)稱FSS)的基本單元圖案(Unit Cell),使之適用于小型可攜式裝置如手 機(jī),以進(jìn)行多頻段的頻率選擇性濾波,供通信頻段的電磁波通過,并對(duì)非通 信頻段進(jìn)行屏蔽。
背景技術(shù):
隨著無線通訊技術(shù)的不斷改進(jìn),時(shí)下手機(jī)已普遍成為個(gè)人裝置,然而, 輻射自手機(jī)的電磁波除了對(duì)周遭其它電子裝置的電磁干擾之外,更可能對(duì)使 用者的腦部造成傷害,是以降低電磁波的干擾(Electromagnetic Interference;以下簡(jiǎn)稱EMI)和比吸收率(Specific Absorption Rate; 以下簡(jiǎn)稱SAR)的影響是可攜式無線通訊裝置極重要的一環(huán)。習(xí)知以FSS可對(duì)特定頻段的電磁波進(jìn)行帶通(Band Pass)或帶拒(Band St叩)的濾波處理,其處理的通則是FSS的基本單元圖案(Unit Cell)大小相 當(dāng)于所欲處理的電磁波的波長(zhǎng),即兩者成一比例關(guān)系, 一般手機(jī)的平面尺寸 約45mm x lOOmm,而手機(jī)通訊頻段的波長(zhǎng)則介于140mm至350隱之間(分別對(duì) 應(yīng)于3G/2. lGHz與GSM/850MHz),時(shí)下雖有業(yè)者致力于FSS在上述頻段的應(yīng)用, 然其基本單元圖案尺寸仍嫌過大(約25.8mm),因此只能夠?qū)υ擃l段電磁波進(jìn) 入某一大的裝置或建筑物進(jìn)行屏蔽,而無法適用于電磁波從小型裝置外泄輻 射(Emission)的防止,是以,如何縮小共振波長(zhǎng)以小型化FSS的基本單元 圖案,確為FSS能否應(yīng)用于手機(jī)等小型裝置以降低EMI和SAR影響的迫切課題。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的,在于提供一種多頻段的頻率選擇濾波裝置,可用于 設(shè)置在小型可攜式裝置的機(jī)殼或天線模塊上,以提供多頻段的頻率選擇性濾 波,供通信頻段的電磁波通過,并對(duì)非通信頻段進(jìn)行屏蔽,且能有效降低電 磁波對(duì)外界的EMI及SAR對(duì)使用者腦部的影響。
為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型多頻段的頻率選擇濾波裝置,包含至少 兩個(gè)曾迭的基層,其特征在于該每一基層由介電質(zhì)基材與導(dǎo)體層所構(gòu)成, 其中該導(dǎo)體層具基本單元圖案以周期性或特殊非周期性作排列,透過適當(dāng)?shù)?基本單元圖案的形狀與排列,以及基層的曾迭,使單層的面和厚度方向形成 立體的電感與電容的共振數(shù)組,因而可以大幅縮小電磁波的共振波長(zhǎng),將FSS 的基本單元圖案小型化。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下顯而易見的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)依據(jù) 上述說明,該介電質(zhì)基材具有上、下表面,該上表面用于導(dǎo)體層的組固,而下表面則作為曾迭時(shí)的接合面。另,該FSS基本單元圖案包含中央體及位于其兩側(cè)的側(cè)翼,其中該中央體為王字型,而該側(cè)翼為u型。本實(shí)用新型多頻段的頻率選擇濾波裝置再一特征,在于該基本單元圖案相互間具適當(dāng)?shù)拈g隙,且,中央體與側(cè)翼可為中空回路(Loop)設(shè)置。本實(shí)用新型多頻段的頻率 選擇濾波裝置又一特征,在于該上下基層的基本單元圖案的方向是相對(duì)呈九 十度設(shè)置,以形成對(duì)稱的結(jié)構(gòu),可藉以減少極化(Polarization)和入射角度 的影響。依據(jù)上述的特征,其中該上下基層之間的組固,可采黏貼或熱壓方 式。依據(jù)上述的特征,其中該導(dǎo)體層的圖案化(Patterning),以及介電質(zhì)基 材與導(dǎo)體層的組固,可采沖壓、 一體成型、黏貼、熱壓、噴墨印刷、網(wǎng)印, 或類似FPC的微影蝕刻,或表面活化和化學(xué)鍍等方式。
圖1是本實(shí)用新型多頻段的頻率選擇濾波裝置的立體分解圖。圖1A、 B為本實(shí)用新型導(dǎo)體層FSS圖案的局部放大圖。圖2為圖1的組合圖。圖3為圖2的3-3剖視圖。圖4為本實(shí)用新型多頻段的頻率選擇濾波裝置裝配于手機(jī)殼體內(nèi)側(cè)的立體 分解圖。圖5為本實(shí)用新型多頻段的頻率選擇濾波裝置裝配于手機(jī)殼體外側(cè)的立體 分解圖。圖6為本實(shí)用新型多頻段的頻率選擇濾波裝置裝配于天線模塊的立體分解 圖。圖7為本實(shí)用新型多頻段的頻率選擇濾波裝置經(jīng)實(shí)際量測(cè)濾波效應(yīng)的結(jié)果。 圖號(hào)說明 120, 30 201,301 22, 32 221, 321 6頻率選擇濾波裝置介電質(zhì)基材上表面基本單元圖案 U型側(cè)翼 手機(jī)殼2' 3 21, 31 202,302 220, 320 50, 51 7導(dǎo)體層 下表面王字型中央體間隙天線模塊具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1至圖3,本實(shí)用新型多頻段的頻率選擇濾波裝置l是包括兩 個(gè)曾迭的基層2, 3,其中每一基層2, 3由介電質(zhì)基材20, 30與導(dǎo)體層21, 31所構(gòu) 成,該基層2和3可采黏貼或熱壓方式組固,兩介電質(zhì)基材20,30分別具有上 表面201,301與下表面202, 302,該上表面201, 301用于供導(dǎo)體層21, 31的組 固,而下表面202,302則作為曾迭時(shí)的接合面。本實(shí)施例的導(dǎo)體層21,31具基 本單元圖案(Unit Cell) 22,32,包含中央體220, 320及位于其兩側(cè)的一對(duì) 側(cè)翼221,321,其中該中央體220, 320為王字型,,而該側(cè)翼221, 321為U型,該 中央體220,320及側(cè)翼221,321以周期性排列共同形成等距數(shù)組的周期性圖 案(Rectangular Grid),藉該U型側(cè)翼221, 321可對(duì)王字型中央體220, 320做 電容負(fù)載(Capacitive Loading)。另外,基本單元圖案22, 32相互間具適當(dāng) 之間隙50,51。又,該導(dǎo)體層21,31的圖案化(Patterning),以及介電質(zhì)基 材20,30與導(dǎo)體層21,31的組固,可采沖壓、 一體成型、黏貼、熱壓、噴墨印 刷、網(wǎng)印,或類似FPC的微影蝕刻,或表面活化和化學(xué)鍍等方式。再者,改 上下曾迭基層2,3的導(dǎo)體層21,31的基本單元圖案22,32是相對(duì)呈九十度設(shè) 置,形成對(duì)稱的結(jié)構(gòu)(如圖1A、 B所示),可藉以減少極化(PolaHzation) 和入射角度的影響。這樣,透過該基本單元圖案22,32適當(dāng)?shù)男螤钆c排列,以 及基層2,3的曾迭,使單層的面和厚度方向形成立體的電感與電容的共振數(shù) 組,而可大幅縮小電磁波的共振波長(zhǎng),達(dá)成FSS圖案的小型化的實(shí)現(xiàn),使之 能適用于小型裝置如手機(jī)的上,藉該等共振數(shù)組的多層濾波,選擇性容許 通訊頻段的電磁波通過,而屏蔽非通訊的頻段,以有效降低EMI和SAR的影響。 請(qǐng)參閱圖7是本實(shí)用新型多頻段的頻率選擇濾波裝置經(jīng)實(shí)際量測(cè)濾波 效應(yīng)的結(jié)果,其中橫坐標(biāo)為頻率,縱坐標(biāo)為反射是數(shù)(Reflection C o e iT i c i e n t),從圖上可以清楚理解,本實(shí)用新型的 一 實(shí)例可選擇性帶通G S M 900/1800MHz以及WLAN 2. 4GHz的通訊頻段,此外,藉由基本單元圖案22, 32 的尺寸與單元間隙50, 51的修改,以及介電質(zhì)基材20, 30和導(dǎo)體層21 , 31的材 質(zhì)與厚度的選取,也可調(diào)適共振頻率與頻寬至其它的多頻段應(yīng)用范圍。請(qǐng)參閱圖4至圖6為本實(shí)用新型頻率選擇濾波裝置1的應(yīng)用例,其中圖4 所示是將本實(shí)用新型頻率選擇濾波裝置1組裝于手機(jī)殼6內(nèi)側(cè)的立體分解圖; 圖5所示是將本實(shí)用新型頻率選擇濾波裝置1組裝于手機(jī)殼6外側(cè)的立體分解 圖;圖6所示為本實(shí)用新型頻率選擇濾波裝置1組裝于手機(jī)天線模塊7的上的 的立體分解圖,這樣應(yīng)用于手機(jī)可使得通信頻段的電磁波通過,并對(duì)非通信 頻段進(jìn)行屏蔽,而能有效降低電磁波對(duì)外界的EMI及SAR對(duì)使用者腦部的影 響。本實(shí)用新型多頻段的頻率選擇濾波裝置除上述的實(shí)施態(tài)樣之外,尚可 有其它的應(yīng)用調(diào)整和衍生(一) 本實(shí)用新型為多層共振于縮小共振波長(zhǎng)和多頻段頻率選擇性濾波的應(yīng)用,可藉下述項(xiàng)目的單項(xiàng)或其組合,以作應(yīng)用頻段和頻寬的調(diào)整1. 可采2層以上的基層數(shù)目。2. 各基層的介電質(zhì)基材和導(dǎo)體層的材質(zhì)與厚度可采相同或不同的組 合3. 導(dǎo)體層的基本單元圖案的尺寸和形狀可做修飾衍變,各基層可采相 同或不同的基本單元圖案的組合。4. 導(dǎo)體層的基本單元圖案可有其它的排列方式。(二) 導(dǎo)體層的基本單元圖案由中央體及位于其兩側(cè)的一對(duì)側(cè)翼所構(gòu)成,該對(duì) 側(cè)翼可為對(duì)稱或非對(duì)稱,并與中央體形成電容負(fù)載,中央體與側(cè)翼的形 狀不限于前述的王字型與U型。(三) 導(dǎo)體層的基本單元圖案亦可為中空的回路(Lo叩),而不限于上述的實(shí) 體(Solid)。綜上所述,本實(shí)用新型多頻段的頻率選擇濾波裝置確能達(dá)到實(shí)用新型 的目的,符合新型專利要件,但是,以上所述者僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施 例而已,大凡依據(jù)本實(shí)用新型所為的各種修飾與變化,仍應(yīng)包含于本專利申 請(qǐng)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種多頻段的頻率選擇濾波裝置,包括至少兩個(gè)層迭的基層,每一基層由介電質(zhì)基材與導(dǎo)體層所構(gòu)成,其特征在于該介電質(zhì)基材具有上、下表面,該上表面用于供導(dǎo)體層組固,而下表面作為層迭時(shí)的接合面,該導(dǎo)體層具基本單元圖案以周期性或特殊非周期性作排列,透過適當(dāng)?shù)幕締卧獔D案的形狀與排列,以及基層的層迭,使單層的面和厚度方向形成立體的電感與電容的共振數(shù)組,因而可以大幅縮小電磁波的共振波長(zhǎng),將FSS的基本單元圖案小型化。
2. 如權(quán)利要求l所述多頻段的頻率選擇濾波裝置,其特征在于該基本單兒圖案相互間具適當(dāng)?shù)拈g隙。
3. 如權(quán)利要求2所述多頻段的頻率選擇濾波裝置,其特征在于該FSS基本單元圖案包含中央體及位于其兩側(cè)的一對(duì)側(cè)翼。
4. 如權(quán)利要求3所述多頻段的頻率選擇濾波裝置,其特征在于該中央體為王字型,而該側(cè)翼為U型。
5. 如權(quán)利要求4所述多頻段的頻率選擇濾波裝置,其特征在于該上下基層的基本單元圖案的方向是相對(duì)呈九十度設(shè)置,以形成對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。
6. 如權(quán)利要求l所述多頻段的頻率選擇濾波裝置,其特征在于該中央體與側(cè)翼可為中空回路設(shè)置。
7. 如權(quán)利要求1所述多頻段的頻率選擇濾波裝置,其特征在于該上下基層之間的組固,可采黏貼或熱壓方式。
8. 如權(quán)利要求1所述多頻段的頻率選擇濾波裝置,其特征在于導(dǎo)體層的圖案化,以及介電質(zhì)基材與導(dǎo)體層的組固,可采沖壓、 一體成型、黏貼、熱壓、 噴墨印刷、網(wǎng)印,或類似FPC的微影蝕刻,或表面活化和化學(xué)鍍方式。
9. 如權(quán)利要求1所述多頻段的頻率選擇濾波裝置,其特征在于各基層的介電質(zhì)基材和導(dǎo)體層的材質(zhì)與厚度可采相同或不同的組合。
10. 如權(quán)利要求1所述多頻段的頻率選擇濾波裝置,其特征在于各基層可采相 同或不同的基本單元圖案的組合。
11. 如權(quán)利要求l所述多頻段的頻率選擇濾波裝置,其特征在于該層迭的基層 可組裝于手機(jī)的機(jī)殼內(nèi)、機(jī)殼外或組裝于天線模塊上。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種多頻段的頻率選擇濾波裝置,用于設(shè)置在小型可攜式裝置的機(jī)殼或天線模塊上,該多頻段的頻率選擇濾波裝置至少包含兩個(gè)層迭的基層,每一基層由介電質(zhì)基材與固定于其上的導(dǎo)體層所構(gòu)成,其中該導(dǎo)體層具包含中央體及側(cè)翼的基本單元圖案,以周期性或特殊非周期性排列,透過該基本單元圖案適當(dāng)?shù)男螤钆c排列,以及該基層的層迭,使單層的面和厚度方向形成立體的電感與電容的共振數(shù)組,因而可以大幅縮小電磁波的共振波長(zhǎng),使之能在小型裝置尤其是手機(jī)上,達(dá)到多頻段的頻率選擇性濾波,供通信頻段的電磁波通過,并對(duì)非通信頻段進(jìn)行屏蔽,以有效降低電磁波對(duì)外界的干擾,以及比吸收率對(duì)使用者腦部的影響。
文檔編號(hào)H01P1/20GK201044256SQ200720001959
公開日2008年4月2日 申請(qǐng)日期2007年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月4日
發(fā)明者林漢年 申請(qǐng)人:達(dá)昌電子科技(蘇州)有限公司;禾昌興業(yè)股份有限公司