專利名稱：突波吸收器改良結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種突波吸收器，特別是指其導(dǎo)電體的焊接結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景一般而言，突波吸收器因具有快速的反應(yīng)時(shí)間、無(wú)比的瞬時(shí)電壓吸收特性、 高穩(wěn)定性的回路電壓與電壓電流的對(duì)稱特性等優(yōu)點(diǎn)；因此，電源與昂貴的負(fù)載機(jī) 器之間大部份會(huì)電連接一突波吸收器，這樣一來(lái)，當(dāng)電源供給的電流或電壓呈現(xiàn) 過(guò)大的狀態(tài)時(shí)，突波吸收器將發(fā)揮作用吸收突波；據(jù)此，負(fù)載機(jī)器可避免因電流 過(guò)大而燒壞損毀，進(jìn)而達(dá)到保護(hù)負(fù)載機(jī)器或其它較昂貴組件的目的。請(qǐng)參閱圖l，圖示為現(xiàn)有的突波吸收器的外觀立體圖，所述的突波吸收器l 是具有一陶瓷晶體11、兩電極層12與兩平板式導(dǎo)體13，所述的陶瓷晶體11兩側(cè) 面是各有一電極層12，所述的電極層12外側(cè)面是各焊接一平板式導(dǎo)體13 —端， 并在外層涂覆環(huán)氧樹脂，作為絕緣與防潮的作用，其工作原理為利用陶瓷晶體 ll的晶界現(xiàn)象，對(duì)兩端的瞬間過(guò)電壓進(jìn)行保護(hù)，并將突波能量以熱的方式加以消 除，所以其工作時(shí)，必須產(chǎn)生電流經(jīng)過(guò)陶瓷晶體ll本體，方能將突波能量轉(zhuǎn)換成 熱能的形式。但是，上述突波吸收器在實(shí)際使用時(shí)，卻有下列所列出的缺點(diǎn)(l)其一，因平板式導(dǎo)體具有一定的體積，致使平板式導(dǎo)體本身具有一定程度的內(nèi)應(yīng)力，當(dāng)平 板式導(dǎo)體在焊接在電極層外側(cè)面時(shí)，其本身內(nèi)應(yīng)力與大電流產(chǎn)生高溫的影響下， 相當(dāng)容易使突波吸收器內(nèi)部產(chǎn)生損傷，但從外觀卻又無(wú)法得知，進(jìn)而提高負(fù)載機(jī)器起火或損壞的可能性。(2)其二， 一般而言，平板式導(dǎo)體是使用導(dǎo)電良好的銅材質(zhì)所制造，而當(dāng)大電流使平板式導(dǎo)體與陶瓷晶體產(chǎn)生高溫時(shí)，所述的平板式導(dǎo)體 的膨脹因素比陶瓷晶體更高，因此相當(dāng)有可能因平板式導(dǎo)體的膨脹，致使陶瓷晶 體破裂損壞。因此，如何開發(fā)一種得以解決上述現(xiàn)有的技術(shù)各種缺點(diǎn)的突波吸收器，以發(fā) 展出不易損壞與增加可靠性的實(shí)用性實(shí)用新型，實(shí)為目前亟欲解決的課題。
發(fā)明內(nèi)容鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的主要目的是提供一種不易損壞與 增加可靠性的突波吸收器改良結(jié)構(gòu)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種突波吸收器改良結(jié)構(gòu)，包含有一陶瓷晶體與數(shù)導(dǎo)電體，其特征在于所 述的導(dǎo)電體， 一端是焊接在陶瓷晶體外側(cè)面。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，采用上述技術(shù)方案的本實(shí)用新型具有的優(yōu)點(diǎn)在于不易 損壞、增加可靠性。


-圖1所示是現(xiàn)有突波吸收器的外觀立體圖； 圖2所示是本實(shí)用新型的外觀平面圖；圖3所示是本實(shí)用新型的導(dǎo)電體焊接在本體的電極層的動(dòng)作示意圖； 圖4所示是本實(shí)用新型的另一導(dǎo)電體焊接在本體的電極層的示意圖； 圖5所示是本實(shí)用新型涂覆環(huán)氧樹脂與罩設(shè)外殼的剖面視圖。 符號(hào)說(shuō)明l-突波吸收器；ll-陶瓷晶體；12-電極層；13-平板式導(dǎo)體；2-陶 瓷晶體；21-本體；22-電極層；3-導(dǎo)電體；31-端子；4-環(huán)氧樹脂；5-外殼。
具體實(shí)施方式
有關(guān)于本實(shí)用新型所采用的技術(shù)、手段及其達(dá)成功效，茲舉較佳實(shí)施例并配 合圖式詳細(xì)說(shuō)明如下請(qǐng)配合參閱圖2與圖3所示，本實(shí)用新型的突波吸收器改良結(jié)構(gòu)，包含有一 陶瓷晶體2與數(shù)導(dǎo)電體3，其中所述的陶瓷晶體2，包括有一本體21，與兩涂覆在本體21兩側(cè)面的電極層 22，所述的本體21是用以提供其突波吸收器的崩潰路徑；數(shù)個(gè)所述的導(dǎo)電體3， 一端是焊接在前述陶瓷晶體2的電極層22外側(cè)面，且 導(dǎo)電體3另一端是耦接一端子31 (如圖5)，并導(dǎo)電體3是可為編織導(dǎo)線(如圖4) 或一般的銅線(如圖3)。有關(guān)于上述構(gòu)件的組合結(jié)構(gòu)請(qǐng)參閱圖5所示，本實(shí)用新型的突波吸收器改良
結(jié)構(gòu)是在外層涂覆環(huán)氧樹脂4，并在外部罩設(shè)一外殼5。請(qǐng)續(xù)參圖5所示，導(dǎo)電體 3的端子31是電連接被保護(hù)的線路或機(jī)器(圖中未示)。當(dāng)被保護(hù)的線路或機(jī)器(圖 中未示)有異常的電壓發(fā)生時(shí)，突波吸收器產(chǎn)生作用，使電流貫穿電極層22，以發(fā) 熱解除突波能量；據(jù)此，保護(hù)線路或機(jī)器。另外值得一提的是，上述實(shí)施例中，主要揭示數(shù)個(gè)導(dǎo)電體3 —端是焊接在前 述的電極層22外側(cè)面，當(dāng)然導(dǎo)電體3 —端可呈渦巻狀焊接在電極層22外側(cè)面(如 圖4)，或呈直線放射狀焊接在電極層22外側(cè)面(如圖2)，也可達(dá)到與上述各實(shí)施 例相同的使用目的與效果，在此不再贅述。綜上所陳，本實(shí)用新型的實(shí)施例確能達(dá)到預(yù)期的使用功效，確已符合專利所 規(guī)定的要件，愛(ài)依法提出申請(qǐng)。惟，以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，舉 凡熟悉本實(shí)用新型的技藝的人士爰依本實(shí)用新型的精神所在的等效修飾或變化， 都應(yīng)涵蓋在以下申請(qǐng)專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種突波吸收器改良結(jié)構(gòu)，包含有一陶瓷晶體與數(shù)導(dǎo)電體，其特征在于所述的導(dǎo)電體，一端是焊接在陶瓷晶體外側(cè)面。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的突波吸收器改良結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的導(dǎo)電體 是一銅線。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的突波吸收器改良結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的導(dǎo)電體 是一編織導(dǎo)線。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的突波吸收器改良結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的導(dǎo)電體 一端是呈渦巻狀焊接在陶瓷晶體外側(cè)面。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的突波吸收器改良結(jié)構(gòu)，其特征在于數(shù)個(gè)所述的導(dǎo) 電體一端是呈直線放射狀悍接在陶瓷晶體外側(cè)面。
專利摘要本實(shí)用新型是一種突波吸收器改良結(jié)構(gòu)，包含有一陶瓷晶體與數(shù)導(dǎo)電體，所述的陶瓷晶體包括有一本體，與兩涂覆在本體兩側(cè)面的電極層，而導(dǎo)電體一端是呈線性焊接在所述陶瓷晶體外側(cè)面，且導(dǎo)電體另一端是耦接一端子，并憑借導(dǎo)電體焊接在陶瓷晶體外側(cè)面，使本實(shí)用新型具有不易損壞與增加可靠性的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L49/00GK201032637SQ20072000277
公開日2008年3月5日 申請(qǐng)日期2007年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月8日
發(fā)明者林麗華 申請(qǐng)人:林麗華