專利名稱：微型電子組件的封裝結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種微型電子組件的封裝結構，特別是指可改善已 知封裝模塊在加熱成型過程中，絕緣層材料受熱膨脹在任意區(qū)域產(chǎn)生結 構變形的一種封裝結構。
技術背景己見電子組件的封裝結構，系在于將一小型化的電子組件，以一絕 緣材料被覆其上形成具有固定輪廓的外型，使業(yè)者在電路板上進行裝設 配置作業(yè)時，配合一導引用治具，快速進行零件的定位及焊接；而傳統(tǒng) 在電子組件設置封裝模塊作業(yè)，系將該電子組件設置在一模具中，然后 注入一液化的絕緣材質(zhì)，使該電子組件在經(jīng)一冷卻的作業(yè)后，形成具有 固定輪廓的結構型態(tài)。請參考圖l，在一個使用該具有封裝模塊1 O的微型電子組件(圖 未示)的情況，該電子組件會將至少一接腳2 1設置在該封裝模塊1 0 的外部表面上，用以在一個電路配置的作業(yè)中，使該接腳2 1被焊接定 位在電路板上；其中的焊接作業(yè)，系以焊槍操作、或是將該接腳2 1經(jīng) 過錫爐沾附焊錫為之；可知的是，這樣的一個動作系在該接腳2 1進行 加熱作業(yè)。該接腳2 1系為熱的良導體，很快的便將熱量回送至電子組 件內(nèi)部，其中也將熱量傳送到該封裝模塊1 0的絕緣層1 1結構上。通 常，如果加熱的時間太長，或是該絕緣層1 1的材質(zhì)耐熱度不佳，會使 得該絕緣層l 1的分子結構產(chǎn)生膨脹，并且各分子間產(chǎn)生擠壓的效應， 最后在該封裝模塊l 0之上產(chǎn)生不規(guī)則的結構變形或破裂，例如圖1 所揭示在該封裝模塊l0上的全體產(chǎn)生裂縫15的情形。中國臺灣第2 0 0 5 2 9 2 5 7號「小型變壓器的絕緣封裝構造及其制造方法」專利案系提供一個典型的實施例；系在變壓器線圈外圍包 裹一絕緣層，該絕緣層的底緣設具一凹陷部，以墊高線圈與接腳間的距 離，且該線圈的底面在該凹陷部形成全面外露，該外露處在需要時，再 加設一層密度低于絕緣層的樹脂材料；其中該樹脂材料系可在溫度上升
時，使熱量可經(jīng)該密度較低的結構，將熱量代換出去。然而這樣的封裝 型態(tài)，需要先經(jīng)一制模的程序，然后再將該封裝模塊的底面施以封膠的 作業(yè)，制作過程及作業(yè)明顯較為繁雜；而這樣的情形并不是我們所期待的。實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術問題是，針對現(xiàn)有技術中絕緣層容易產(chǎn) 生不規(guī)則變形，造成整體絕緣性不佳及不夠美觀的缺失，提供一種絕緣 性佳、美觀而制作程序簡單的微型電子組件的封裝結構。為解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案是 一種微型電 子組件的封裝結構，包括一封裝模塊，用以在該電子組件外圍形成一具有預定厚度的絕緣層； 一弱質(zhì)結構，系形成在該封裝模塊上一預定安裝后被隱藏的區(qū)域。該弱質(zhì)結構設在封裝模塊表面上且為一撤除部分絕緣層結構后形 成的凹陷結構。該弱質(zhì)結構設在該封裝模塊的底面或側面。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果是本實用新型包括一封 裝模塊，用以在該電子組件外圍形成一具有預定厚度的絕緣層； 一弱質(zhì) 結構，系形成在該封裝模塊上一預定安裝后被隱藏的區(qū)域，并且使弱質(zhì) 結構的厚度小于絕緣層；其中，該封裝模塊于加熱過程中，絕緣層材料 因受熱產(chǎn)生膨脹時，在封裝模塊上所可能產(chǎn)生的結構變形或小區(qū)域破 裂，會被限制在該弱質(zhì)結構區(qū)域內(nèi)，改善已知封裝模塊可能在任一非期 待的表面區(qū)域產(chǎn)生不規(guī)則的結構變形或小區(qū)域破裂，嚴重影響封裝模塊 絕緣性及安裝應用產(chǎn)品時的整體美觀的缺失。對于本實用新型所具有的新穎性、特點，及其它目的與功效，將在 下文中配合所附圖式的詳加說明，而趨于了解；如圖所示
圖1為已知封裝結構受熱產(chǎn)生裂縫的立體結構示意圖。 圖2為本實用新型實施例的立體結構示意圖。 圖3為本實用新型圖2的剖面示意圖。圖4為本實用新型實施例受熱產(chǎn)生裂縫的立體結構示意圖。圖5為本實用新型圖4的剖面示意圖。 標號說明10 封裝模塊 1 2 頂面底面 裂縫 接腳絕緣層1 4 弱質(zhì)結構2 0 電子組件具體實施方式
請參閱圖2 、 3 ，系本實用新型微型電子組件的封裝結構一較佳實 施例，系包括 一封裝模塊1 Q ，用以在一電子組件2 G外圍形成一具 有預定厚度的絕緣層1 1 ; 一弱質(zhì)結構1 4 ，系形成在該封裝模塊1 0 上一預定按裝后被隱藏區(qū)域；在所采的可行實施例中，該弱質(zhì)結構l 4 系可規(guī)劃在該封裝模塊l0的底面13或側面，以撤除部分絕緣層11 的手段，在封裝模塊1 0的底面1 3形成一凹陷薄弱結構；所述弱質(zhì)結 構l 4在該封裝模塊1 0與電子組件2 0底部之間，形成一厚度較其它 區(qū)域更薄弱的絕緣層11區(qū)域。請繼續(xù)參閱圖4、 5，當該經(jīng)封裝的電子組件2 O在一個錫爐加熱 過程中，每個接腳2 1將所接收的熱量向封裝模塊1 0內(nèi)部傳導，使得 內(nèi)部電子組件2 0與包覆于外的絕緣層1 l材料因受熱產(chǎn)生不同程度 的膨脹，且通常內(nèi)部電子組件2 0的膨脹率會大于外部絕緣層1 1 ;可 了解的是，當外部絕緣層1 1的承受熱膨脹程度，超過該絕緣層1 1材 料的可容忍度時，其分子結構會產(chǎn)生不可逆的破壞；因此，圖5特別顯 示了封裝模塊l Q在所述情形中，將會在絕緣層l l上形成裂縫l 5。 且該裂縫1 5會形成在該絕緣層1 1整體結構較弱的地方；因此，本實 用新型所規(guī)劃的該弱質(zhì)結構14，將構成整體封裝模塊1O結構一較弱 的區(qū)域，因此當結構產(chǎn)生較劇烈或明顯的變形或應力時，必會先行產(chǎn)生 在該弱質(zhì)結構1 4的位置，而不致立即在該封裝模塊的其它區(qū)域產(chǎn)生形 變或裂縫15 (例如頂面12)，降低該電子組件2 0直接顯露在明顯 處的缺失。因此，當該封裝模塊l0在成型階段或再一次經(jīng)過加熱的情況中，
其可能產(chǎn)生裂縫l5或變形的部位，已經(jīng)被預先限定在該封裝模塊10 的弱質(zhì)結構1 4區(qū)域內(nèi)，而不會如已知技藝般的直接形成在該封裝模塊 1 0的頂面1 2或其它非弱質(zhì)結構1 4的位置，有助于掌握產(chǎn)品外型的 完整性。此外，本實用新型的結構僅需一次封裝作業(yè)程序即可完成，具 有較前揭傳統(tǒng)者更為簡便的加工制造手段。綜上所述，本實用新型微型電子組件的封裝結構，系提供使用者在 一個可能產(chǎn)生結構變形破裂的情形中，控制該變形或裂縫1 5盡可能出 現(xiàn)在一個預先設定，且不會影響整體結構及外觀的區(qū)域，特別指在于一 預定安裝后被遮掩或隱藏的區(qū)域，確實改善了已知技藝的缺失，展現(xiàn)相 當大的進步。惟以上所述，僅為本實用新型一較佳實施例而已，并非用來限定本 實用新型實施范圍。即凡依本實用新型權利要求書所作的均等變化與修 飾，皆為本實用新型專利范圍所涵蓋。
權利要求1.一種微型電子組件的封裝結構，包括一封裝模塊，用以在該電子組件外圍形成一具有預定厚度的絕緣層；其特征在于還包括一弱質(zhì)結構，系形成在該封裝模塊上一預定安裝后被隱藏的區(qū)域。
2. 根據(jù)權利要求1所述的微型電子組件的封裝結構，其特征在于， 該弱質(zhì)結構設在封裝模塊表面上且為一撤除部分絕緣層結構后形成的 凹陷結構。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的微型電子組件的封裝結構，其特征 在于，該弱質(zhì)結構設在該封裝模塊的底面。
4. 根據(jù)權利要求1或2所述的微型電子組件的封裝結構，其特征在于，該弱質(zhì)結構設在該封裝模塊的側面。
專利摘要一種微型電子組件的封裝結構，包括一封裝模塊，用以在該電子組件外圍形成一具有預定厚度之絕緣層；一弱質(zhì)結構，系形成在該封裝模塊上一預定按裝后被隱藏區(qū)域，并且使弱質(zhì)結構的厚度小于絕緣層。該封裝模塊于加熱過程中，絕緣層材料因受熱產(chǎn)生膨脹時，在封裝模塊上所可能產(chǎn)生的結構變形，會被限制在該弱質(zhì)結構區(qū)域上，改善已知封裝模塊可能在任一表面區(qū)域產(chǎn)生不規(guī)則的結構變形，嚴重影響封裝模塊絕緣性及整體美觀的缺失。
文檔編號H01L23/28GK201017870SQ20072000588
公開日2008年2月6日 申請日期2007年3月9日 優(yōu)先權日2007年3月9日
發(fā)明者林昌亮 申請人:帛漢股份有限公司