專利名稱：弧光放電等離子體制備導(dǎo)電層的金剛石晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及金剛石晶體管,是一種弧光放電等離子體制備導(dǎo) 電層的金剛石晶體管。
技術(shù)背景金剛石晶體管具有許多優(yōu)點(diǎn)，由于其形成工業(yè)化生產(chǎn)難度較大， 因而是本領(lǐng)域一直研究的重要課題之一。已經(jīng)報(bào)道的金剛石晶體管均 采用金、鋁、鉛做電極，且無(wú)法實(shí)現(xiàn)包覆外殼，特別是金剛石表面制 備的半導(dǎo)體材料參摻雜物，使金剛石晶體管的導(dǎo)電特性無(wú)法達(dá)到工業(yè) 化使用的要求，更不能應(yīng)用于國(guó)防工業(yè)。 發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是,提供一種弧光放電等離子體制備導(dǎo)電層的 金剛石晶體管，使它具有導(dǎo)電性能好、功率大，易于操作，制造成本 相對(duì)較低等優(yōu)點(diǎn)。本實(shí)用新型為實(shí)現(xiàn)上述目的，通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)弧光放電 等離子休制備導(dǎo)電層的金剛石晶體管，包括外殼，外殼內(nèi)包覆人造多 晶金剛石休，人造多晶金剛石體的表面上分別設(shè)置金制漏極、^制柵 極和金制源極，人造多晶金剛石體表面上用弧光放電等離子體化學(xué)氣相沉淀法制備一層氫質(zhì)導(dǎo)電層。氫質(zhì)導(dǎo)電層的厚度是0.1 u m—0.511 m。本發(fā)明進(jìn)一步的方案是氫質(zhì)導(dǎo)電層的厚度是0.111111-0.211111。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于它采用金制漏電極、鋁制柵極和金制源 極為電極,在金剛石表面用弧光放電等離子體化學(xué)氣相沉淀法制備導(dǎo)電層，使氫質(zhì)導(dǎo)電層純正，無(wú)雜質(zhì)，厚度達(dá)到O.lum—O.Sum，導(dǎo)電 層均勻一致，跨導(dǎo)值參數(shù)達(dá)到29ms/mm，比國(guó)外同類產(chǎn)品的最高值 高出20多倍，并且歐姆接觸可達(dá)到10—7量級(jí)，能夠工業(yè)化大批量生 產(chǎn)，制造成本低，易于操作，質(zhì)量穩(wěn)定可靠等。

附圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2是附圖1中A-A剖面 放大結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
對(duì)照附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說(shuō)明 圖中1是外殼，外殼1內(nèi)包覆人造多晶金剛石體2，人造多晶金剛 石體2的表面上分別設(shè)置金制漏極S、鋁制柵極G和金制源極D,人 造多晶金剛石體2表而上用弧光放電等離子體化學(xué)氣相沉淀法制備 —層氫質(zhì)導(dǎo)電層3。氫質(zhì)導(dǎo)電層的厚度是O. luin—0.5um，優(yōu)選的 :5T案是氫質(zhì)導(dǎo)電層的厚度是O.llim—0.2um。本實(shí)用新型所述的 用弧光放電等離子體化學(xué)氣相沉淀法制備氫質(zhì)導(dǎo)電層3的方法是將 等離子體設(shè)備抽與空使其處于真空狀態(tài)，將人造多晶金剛石體置入等 離子體設(shè)備中，用弧光放電在人造多晶金剛石表而制作導(dǎo)電層，制作 過(guò)程持續(xù)1 — 1.5小時(shí)，制作溫度是7001C—850"C，直流負(fù)偏壓是50V一280V，最后在人造多晶金剛石表面得到導(dǎo)電層3。
權(quán)利要求1、弧光放電等離子體制備導(dǎo)電層的金剛石晶體管，其特征在于包括外殼(1)，外殼(1)內(nèi)包覆人造多晶金剛石體(2)，人造多晶金剛石體(2)的表面上分別設(shè)置金制漏極(S)、鋁制柵極(G)和金制源極(D)，人造多晶金剛石體(2)表面上用弧光放電等離子體化學(xué)氣相沉淀法制備一層氫質(zhì)導(dǎo)電層(3)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的弧光放電等離子體制備導(dǎo)電層的金剛 石晶體管，其^t爭(zhēng)征在于氫質(zhì)導(dǎo)電層的厚度是0.1um—0.51im。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的弧光放電等離子體制備導(dǎo)電層的金剛 石晶體管，其特征在于氫質(zhì)導(dǎo)電層的厚度是O.lUm—0.2um。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種弧光放電等離子體制備導(dǎo)電層的金剛石晶體管，包括外殼，外殼內(nèi)包覆人造多晶金剛石體，人造多晶金剛石體的表面上分別設(shè)置金制漏極、鋁制柵極和金制源極，人造多晶金剛石體表面上用弧光放電等離子體化學(xué)氣相沉淀法制備一層氫質(zhì)導(dǎo)電層。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于它采用金制漏電極、鋁制柵極和金制源極為電極，在金剛石表面用弧光放電等離子體化學(xué)氣相沉淀法制備導(dǎo)電層，使氫質(zhì)導(dǎo)電層純正，無(wú)雜質(zhì)，厚度達(dá)到0.1μm-0.5μm，導(dǎo)電層均勻一致，跨導(dǎo)值參數(shù)達(dá)到29ms/mm，比國(guó)外同類產(chǎn)品的最高值高出20多倍，并且歐姆接觸可達(dá)到10^-7量級(jí)，能夠工業(yè)化大批量生產(chǎn)，制造成本低，易于操作，質(zhì)量穩(wěn)定可靠等。
文檔編號(hào)H01L21/285GK201017888SQ200720018828
公開(kāi)日2008年2月6日 申請(qǐng)日期2007年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月27日
發(fā)明者李西勤, 趙仕忠 申請(qǐng)人:山東泉舜科技有限公司