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一種單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽的制作方法

文檔序號(hào):7240818閱讀:292來源:國知局
專利名稱:一種單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及晶體硅太陽能電池,尤紫步及單晶硅太陽能電鵬戎面腐蝕槽。
技術(shù)背景
單晶硅太陽能電池表面陷光效果與太陽能電池的"金字塔"絨面均勻性有直接關(guān)系。目前,單晶硅太陽能電池絨面都是通過腐蝕法來獲得"金字塔"絨面的,現(xiàn)在常用的方 法是將硅片豎直地放在硅片承載器中,然后將硅片承載器放置在裝有腐蝕液的腐蝕槽 中,腐蝕液由氫氧化鈉或氫氧化鉀、水、消泡劑混合而成。目前,單晶硅太陽能電池絨 面腐蝕槽由槽體、加熱管、支撐平板、硅片承,組成,加熱管設(shè)置在槽體的底部,支撐平板架設(shè)在加熱管的上面,在支撐平板上均勻地設(shè)有若干滲液孔,硅片承載器放置在 支撐平社,加熱后的腐蝕船人支撐平板的滲液孔中冒出,流動(dòng)的腐蝕液與硅片接觸, 使單晶硅太陽能電池形成絨面。這種結(jié)構(gòu)的腐蝕槽,腐蝕液的流向硅片底部流至賠 片的上部,再沿槽壁流下,不斷循環(huán)。由于在支撐平板上有若干個(gè)均勻分布的滲液孔 在設(shè)有滲液孔的腐蝕液流動(dòng)快,沒有滲液孔的{體腐蝕液流動(dòng)慢,這硅片底部腐 蝕液的流動(dòng)不均勻,造成了硅片表面腐蝕不均,所獲得的絨面表面不均勻,難以達(dá)到人們的預(yù)期要求
實(shí)用新型內(nèi)容
為了克服缺陷,提高單晶硅太陽能電池絨面均勻性,本實(shí)用新型跑共了一種新 型單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽。
本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是
所述單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽,包括槽體、加熱管、支撐平板、硅片承載器,支撐平板架設(shè)在槽體內(nèi),并與槽體底面形成一個(gè)空腔,硅片承載器放置在支撐平板上,
硅片插驗(yàn)硅片承繊上,辦征是在雜平板的左右兩端分別開有左缺口和右缺口,
戶/i^加熱管安^&槽體內(nèi)壁上,且位于左缺口^&缺口的上方。
戶;M^缺口和右缺口的微為"D"字形,齡支撐平板的微為"工"字形。
當(dāng)腐蝕槽加熱時(shí),腐蝕^A設(shè)有加熱管的一女繊口流出,沿垂直于承織的方向流
向另一端的缺口, ^it支撐平板下面的空腔中,再髓^fi加熱管的缺口上升繼續(xù)加熱, 如此不斷循環(huán)。這樣,不^^^硅片表面的受熱均勻,而m蝕液流動(dòng)iM均勻,腐蝕
液與硅片的撤蟲機(jī)率更均勻,從而使得腐tM^均勻,所形成的絨面結(jié)構(gòu)均勻一致。


圖1 2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖; 其中,圖2為圖1的俯視圖中,1-槽休2-加熱管;3-支撐平板;44圭片承織;5-左缺口; 6-右缺口; 7-槽體底面;
8一槽體內(nèi)壁;9-空腔;10-硅片。
以下結(jié)合附圖1、圖2詳細(xì)說明本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
,戶脫單晶硅太陽能電 ^ffi腐蝕槽,由槽體l、加熱管2、支撐平板3、硅片承載器4組成,在支撐平板3的 左右兩端開有"D"字形的左缺口 5和右缺口 6,整個(gè)支撐平板3的形狀為"工"字形, 支撐平板3架設(shè)在槽體1內(nèi),并與槽體底面7形成一個(gè)空腔9,戶;M加熱管2安^^槽 體內(nèi)壁8上,且位于支撐平板3的右缺口 6的上方,硅片承織4方爐支撐平板3上, 硅片10插^£硅片承 4上。
權(quán)利要求1、一種單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽,包括槽體(1)、加熱管(2)、支撐平板(3)、硅片承載器(4),支撐平板(3)架設(shè)在槽體(1)內(nèi),并與槽體底面(7)形成一個(gè)空腔(9),硅片承載器(4)放置在支撐平板(3)上,硅片(10)插裝在硅片承載器(4)上,其特征是在支撐平板(3)的兩端開有左缺口(5)和右缺口(6),所述加熱管(2)安裝在槽體內(nèi)壁(8)上,且位于左缺口(5)或右缺口(6)的上方。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽,其特征是所述左 缺口 (5)和右缺口 (6)的形狀為"D"字形,支撐平板(3)的形狀為"工" 字形。
專利摘要一種單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽,包括槽體、加熱管、支撐平板、硅片承載器,在支撐平板的左右兩端分別開有左缺口和右缺口,支撐平板架設(shè)在槽體內(nèi),并與槽體底面形成一個(gè)空腔,所述加熱管安裝在槽體內(nèi)壁上,且位于左缺口或右缺口的上方,硅片承載器放置在支撐平板上。當(dāng)腐蝕槽加熱時(shí),腐蝕液從加熱管的缺口垂直于承載器的方向流動(dòng),沿著支撐平板的缺口流到支撐平板下面的空腔中,再沿著靠近加熱管的缺口上升繼續(xù)加熱,如此不斷循環(huán)。這樣,整個(gè)硅片表面的受熱均勻,腐蝕液流動(dòng)均勻,腐蝕速度均勻,絨面結(jié)構(gòu)一致。
文檔編號(hào)H01L31/18GK201072762SQ20072003905
公開日2008年6月11日 申請(qǐng)日期2007年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月30日
發(fā)明者劉志剛, 荀建華 申請(qǐng)人:荀建華;劉志剛
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