專利名稱：一種芯片保護(hù)環(huán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種芯片保護(hù)環(huán)，尤其涉及一種在芯片制造領(lǐng)域內(nèi)的芯片 保護(hù)環(huán)。
背景技術(shù)：
晶圓(wafer)在做好之后，都要經(jīng)過(guò)切割(die saw)將晶圓切成一個(gè)個(gè)小 的芯片，但是在切割的過(guò)程中切割刀的應(yīng)力會(huì)對(duì)芯片邊緣造成傷害，即會(huì)導(dǎo)致 芯片產(chǎn)生崩邊(peeling)的風(fēng)險(xiǎn)，這個(gè)時(shí)候通常的做法是在芯片的周圍額外做 一個(gè)保護(hù)環(huán)(cell ring),保護(hù)環(huán)通常由金屬做成。隨著芯片進(jìn)入銅制程，尺寸越 來(lái)越小，介電層采用低介電常數(shù)(K)的材料，厚度也很薄，產(chǎn)生崩邊的概率更傳統(tǒng)的芯片保護(hù)環(huán)，為了制作方便，常常將通孔(via)有規(guī)則的排列在保 護(hù)環(huán)上，如圖1所示，其中芯片保護(hù)環(huán)(cellring) 2位于芯片邊緣1和cell (晶 圓的填充層)3之間，由于原有的保護(hù)環(huán)中的通孔排列很有規(guī)律，這樣在晶圓 做好后進(jìn)行切割時(shí)，切割刀的應(yīng)力就會(huì)很容易的通過(guò)通孔的間隙，對(duì)芯'片造成 損壞，此時(shí)保護(hù)環(huán)就很難起到保護(hù)芯片的作用。從圖2中也可以清楚地看到，金屬銅102是制作通孔的主要材料，保護(hù)環(huán) 為低介電常數(shù)，其主要材料為鋁101,但是因?yàn)橥?的排列有規(guī)律，所以很難 抵擋切割刀的應(yīng)力4，不能很好的起到保護(hù)芯片的功能，在實(shí)際的切割過(guò)程中， 還會(huì)出現(xiàn)切割刀的應(yīng)力損壞芯片的例子實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供了 一種新的芯片保護(hù)環(huán)，能有效的保 護(hù)芯片。
'為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型所釆用的技術(shù)方案為一種芯片保護(hù)環(huán)，上面置有通孔，該通孔在水平方向上交錯(cuò)排列，在豎直 方向上也交錯(cuò)排列。通孔的排列在水平方向和豎直方向上均為第一列通孔按照兩個(gè)通孔邊緣最 大距離為該通孔的直徑的標(biāo)準(zhǔn)排列，第二列通孔分別比第一列的通孔的位置低 一個(gè)通孔的直徑，后面的排列按照前兩列的規(guī)則依次排列。
通孔的排列在豎直方向和水平方向上均為第一列通孔按照兩個(gè)通孔邊緣最 大距離為該通孔的直徑的標(biāo)準(zhǔn)排列，第二列分別比第一列通孔的位置低一個(gè)通 孔的半徑，第三列通孔的位置比第二列通孔的位置低一個(gè)通孔的半徑，后面的 排列分別按照前三列的規(guī)則依次排列。通孔在豎直方向，第一列通孔按照兩個(gè)通孔邊緣最大距離為該通孔的直徑 的標(biāo)準(zhǔn)排列，第二列通孔分別比第一列的通孔的位置低一個(gè)通孔的直徑，后面的排列按照前兩列的規(guī)則依次排列；在水平方向上第一列通孔按照兩個(gè)通孔邊緣最大距離為該通孔的直徑的標(biāo)準(zhǔn)排列，第二列分別比第一列通孔的位置低一 個(gè)通孔的半徑，第三列通孔的位置比第二列通孔的位置低一個(gè)通孔的半徑，后 面的排列分別按照前三列的規(guī)則依次排列。通孔在豎直方向，第一列通孔按照兩個(gè)通孔邊緣最大距離為該通孔的直徑 的標(biāo)準(zhǔn)排列，第二列分別比第一列通孔的位置低一個(gè)通孔的半徑，第三列通孔 的位置比第二列通孔的位置低一個(gè)通孔的半徑，后面的排列分別按照前三列的 規(guī)則依次排列，在水平方向上，第一列通孔按照兩個(gè)通孔邊緣最大距離為該通 孔的直徑的標(biāo)準(zhǔn)排列，第二列通孔分別比第一列的通孔的位置低一個(gè)通孔的直 徑，后面的排列按照前兩列的規(guī)則依次排列。其中通孔形狀可以是圓或者橢圓或者四邊形或者多邊形或者三角形，也可 以是其它的形狀。 '本實(shí)用新型由于采用了通孔錯(cuò)排形式，交叉排列，保護(hù)環(huán)更能有效的抵擋 切割刀的應(yīng)力，保護(hù)芯片。


圖1為原有芯片保護(hù)環(huán)的結(jié)構(gòu)俯視圖； 圖2為原有芯片保護(hù)環(huán)的結(jié)構(gòu)截面圖；圖3為改進(jìn)后芯片保護(hù)環(huán)的結(jié)構(gòu)俯^L圖； 圖4為圖3中201處的截面圖； 圖5為圖3中202處的截面圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了一種新的芯片保護(hù)環(huán)，是在原有的保護(hù)環(huán)2上作了相應(yīng) 的改進(jìn)，如圖3所示，金屬通孔5在保護(hù)環(huán)內(nèi)水平方向或者豎直方向上均交錯(cuò) 排列，如通孔5在水平方向和豎直方向上均為，第一列通孔5按照兩個(gè)通孔5邊緣 最大距離為該通孔5的直徑的標(biāo)準(zhǔn)排列，第二列通孔5分別比第一列的通孔5 的位置低一個(gè)通孔5的直徑，后面的排列按照前兩列的規(guī)則依次排列。通孔5在在豎直方向和水平方向上均為，第一列通孔5按照兩個(gè)通孔5邊 緣最大距離為該通孔5的直徑的標(biāo)準(zhǔn)排列，第二列分別比第一列通孔5的位置 低一個(gè)通孔5的半徑，第三列通孔5的位置比第二列通孔5的位置低一個(gè)通孔5 的半徑，后面的排列分別按照前三列的規(guī)則依次排列。通孔5在豎直方向，第一列通孔5按照兩個(gè)通孔5邊緣最大距離為該通孔5 的直徑的標(biāo)準(zhǔn)排列，第二列通孔5分別比第一列的通孔5的位置低一個(gè)通孔5 的直徑，后面的排列按照前兩列的規(guī)則依次排列；在水平方向上第一列通孔5 按照兩個(gè)通孔5邊緣最大距離為該通孔的直徑的標(biāo)準(zhǔn)排列，第二列分別比第一 列通孔5的位置低一個(gè)通孔5的半徑，第三列通孔5的位置比第二列通孔5的 位置低一個(gè)通孔5的半徑，后面的排列分別按照前三列的規(guī)則依次排列。通孔5在豎直方向，第一列通孔5按照兩個(gè)通孔5邊緣最大距離為該通孔5 的直徑的標(biāo)準(zhǔn)排列，第二列分別比第一列通孔5的位置低一個(gè)通孔5的半徑， 第三列通孔5的位置比第二列通孔5的位置低一個(gè)通孔5的半徑，后面的排列 分別按照前三列的規(guī)則依次排列，在水平方向上，第一列通孔5按照兩個(gè)通孔5 邊緣最大距離為該通孔5的直徑的標(biāo)準(zhǔn)排列，第二列通孔5分別比第一列的通 孔5的位置低一個(gè)通孔5的直徑，后面的排列按照前兩列的規(guī)則依次排列。同樣也可以有其他很多的排列方式，如后一列比前一列的通孔的位置只有 一個(gè)較小的距離，這樣依次類推等等。同一層的通孔交錯(cuò)排列，不同層的通孔5也交錯(cuò)排列，同樣通孔的形狀也可以有多種，如圓、.橢圓、三角形、四.邊形、 多邊形等等，其目的就是為了增加通孔的數(shù)量和密度，增加保護(hù)環(huán)的強(qiáng)度，其 結(jié)果就是不管在哪個(gè)方向上，只要有切割刀應(yīng)力的作用，都會(huì)被通孔阻擋，能 起到保護(hù)芯片的作用。這樣切割刀的應(yīng)力4不管從哪個(gè)方向進(jìn)入保護(hù)環(huán)，都能碰到金屬通孔5而 被阻擋住，起到很好的保護(hù)芯片的作用。如圖4、圖5所示，在201， 202處的截面圖，更清楚地看到，保護(hù)環(huán)的通 孔在不同層面或者同一層面上，相互交錯(cuò)，能夠很好的起到抵抗切割刀的應(yīng)力， 保護(hù)芯片的作用。采用上述這種通孔排列的保護(hù)環(huán)，雖然制作工藝復(fù)雜一些，但是能夠使得 保護(hù)環(huán)的強(qiáng)度增加，更加有效的保護(hù)芯片，盡量不產(chǎn)生崩邊(Peeling)的風(fēng)險(xiǎn)。
權(quán)利要求1、一種芯片保護(hù)環(huán)，上面置有通孔，其特征在于該通孔在水平方向上交錯(cuò)排列，在豎直方向上也交錯(cuò)排列。
2、 如權(quán)利要求1所述的一種芯片保護(hù)環(huán)，其特征在于所述的通孔排列，在 水平方向和豎直方向上均為，第 一列通孔按照兩個(gè)通孔邊緣最大距離為該通孔的直徑的標(biāo)準(zhǔn)排列，第二列通孔分別比第一列通孔的位置低一個(gè)通孔的直徑， 后面的排列按照前兩列的規(guī)則依次排列。
3、 如權(quán)利要求1所述的一種芯片保護(hù)環(huán)，其特征在于所述的通孔排列，在 豎直方向和水平方向上均為第一列通孔按照兩個(gè)通孔邊緣最大距離為該通孔的 直徑的標(biāo)準(zhǔn)排列，第二列分別比第一列通孔的位置低一個(gè)通孔的半徑，第三列 通孔的位置比第二列通孔的位置低一個(gè)通孔的半徑，后面的排列分別按照前三 列的規(guī)則依次排列。
4、 如權(quán)利要求1所述的一種芯片保護(hù)環(huán)，其特征在于所述的通孔排列，在 豎直方向，第 一列通孔按照兩個(gè)通孔邊緣最大距離為該通孔的直徑的標(biāo)準(zhǔn)排列， 第二列通孔分別比第一列的通孔的位置低一個(gè)通孔的直徑，后面的排列按照前 兩列的規(guī)則依次排列；在水平方向上第一列通孔按照兩個(gè)通孔邊緣最大距離為 該通孔的直徑的標(biāo)準(zhǔn)排列，第二列分別比第一列通孔的位置低一個(gè)通孔的半徑， 第三列通孔的位置比第二列通孔的位置低一個(gè)通孔的半徑，后面的排列分別按 照前三列的規(guī)則依次排列。
5、 如權(quán)利要求1所述的一種芯片保護(hù)環(huán)，其特征在于所述的通孔排列，在 豎直方向，第 一列通孔按照兩個(gè)通孔邊緣最大距離為該通孔的直徑的標(biāo)準(zhǔn)排列， 第二列分別比第一列通孔的位置低一個(gè)通孔的半徑，第三列通孔的位置比第二 列通孔的位置低一個(gè)通孔的半徑，后面的排列分別按照前三列的規(guī)則依次排列， 在水平方向上，第一列通孔按照兩個(gè)通孔邊緣最大距離為該通孔的直徑的標(biāo)準(zhǔn) 排列，第二列通孔分別比第一列的通孔的位置低一個(gè)通孔的直徑，后面的排列 按照前兩列的規(guī)則依次排列。 '
6、 如權(quán)利要求1所述的一種芯片保護(hù)環(huán)，其特征在于所述的通孔形狀可以 是圓或者橢圓或者四邊形或者多邊形或者三角形。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種新的芯片保護(hù)環(huán)，其保護(hù)環(huán)中的通孔在水平方向上采用交錯(cuò)排列的方式，在豎直方向上也采用交錯(cuò)排列的方式。采用這種結(jié)構(gòu)，能夠增加通孔的數(shù)量和密度，來(lái)增強(qiáng)保護(hù)環(huán)的強(qiáng)度，阻擋切割刀的應(yīng)力，保護(hù)芯片。
文檔編號(hào)H01L23/00GK201117648SQ200720074478
公開(kāi)日2008年9月17日 申請(qǐng)日期2007年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月7日
發(fā)明者季春葵, 梁山安, 鳴 章, 郭志蓉 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司