欧美在线观看视频网站,亚洲熟妇色自偷自拍另类,啪啪伊人网,中文字幕第13亚洲另类,中文成人久久久久影院免费观看 ,精品人妻人人做人人爽,亚洲a视频

支撐裝置的制作方法

文檔序號(hào):6882936閱讀:164來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:支撐裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種頂銷,尤指一種適用于真空腔室中 支撐裝置的頂銷。
背景技術(shù)
目前傳統(tǒng)陰極射線管顯示器因?yàn)轶w積龐大及輻射線問(wèn) 題,已漸漸有被取代的趨勢(shì),其中的最大主流就是液晶顯示 器,因?yàn)槠渚哂惺‰娂耙子跀y帶的優(yōu)點(diǎn),隨著大尺寸的突破,
使得此項(xiàng)產(chǎn)品漸漸成為平面顯示器的主流?,F(xiàn)在的液晶顯示 器絕大部分是以薄膜晶體管作為驅(qū)動(dòng)組件,其輸出特性對(duì)液 晶顯示器的表面有極大的影響力。因此,如何制作具有優(yōu)良 特性的薄膜晶體管為廠商研究發(fā)展的方向。而薄膜晶體管制 程中所使用的等離子處理設(shè)備,其應(yīng)用等離子成膜或蝕刻為 一相當(dāng)重要的制程步驟。
一般等離子處理設(shè)備,尤指等離子成膜平臺(tái),其是以高 能量的等離子成膜,因此在利用機(jī)器手臂拿取時(shí),常常發(fā)生 粘片和破片的情形,而在此平臺(tái)中的電極板也常常發(fā)生電弧
(arcing)現(xiàn)象,造成巨大的損失。由于應(yīng)用在此等離子成膜 平臺(tái)的次世代的玻璃基板或半導(dǎo)體晶圓尺寸越來(lái)越大,因此, 在等離子成膜或蝕刻的過(guò)程中,玻璃基板或半導(dǎo)體晶圓等板形組件與頂銷的接觸位置,溫度較其它位置低,因此會(huì)造成 接觸面成膜或蝕刻不均勻的情形。
因此,為了減少如玻璃基板或半導(dǎo)體晶圓等板形組件與
頂銷的接觸,請(qǐng)參考圖1A及圖1B,是揭示一板形組件14在進(jìn)
行等離子制程時(shí),于等離子處理設(shè)備的真空腔室中,板形組
件14被多數(shù)制作成可升降的頂銷(pin)12所支撐(如圖1B所 示),而頂銷12則配置在一電極板11的頂銷孔13內(nèi)。在頂銷12 與板形組件14接觸的頂銷的末端15會(huì)產(chǎn)生電荷(未圖示),因 此將頂銷12的直徑減小,避免讓板形組件14和頂銷12吸附在 一起。又或者制作成可讓頂銷12旋轉(zhuǎn)或設(shè)置二組多數(shù)上下運(yùn) 動(dòng)的頂銷12來(lái)交互支撐板形組件14,以減少靜電放電現(xiàn)象。
前述方法中,與一般等離子處理設(shè)備相同的是頂銷的頂 部表面仍與板形組件完全接觸,然而此方法必須將頂銷以及 頂銷孔的直徑制作得很小,才不致發(fā)生不期望的靜電放電。 但是,將頂銷及頂銷孔變小,造成加工困難,且頂銷的支撐 力會(huì)變差。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種支撐裝置,為了使等離子處理設(shè)備中不
發(fā)生靜電放電現(xiàn)象。
本實(shí)用新型提供一種頂銷,其包括 一柱體以及一具有弧面的頂部,
該具有弧面的頂部位于柱體的一端。
本實(shí)用新型提供一種支撐裝置,其用于在一腔室中支撐
及放置一板形組件,該支撐裝置包括 一平臺(tái)以及多數(shù)個(gè)頂
銷。平臺(tái)是用以放置板形組件,且具有多數(shù)個(gè)頂銷孔,而這些頂銷是配置于平臺(tái)內(nèi)的這些頂銷孔中,用以支撐該板形組 件,且每一這些頂銷的部分頂部表面與該板形組件接觸。
本實(shí)用新型所揭示的這些頂銷的頂部的表面,其為一弧 面,用以減少對(duì)板形組件的接觸。又,可在此等頂銷的頂部 表面為一圖案化的表面或具有一凹槽。此圖案化的表面可為 一具有高低差的溝槽,而此種溝槽不限任何形狀,較佳地可 為十字溝槽或一字溝槽。另,頂銷的頂部表面的凹槽,其形 狀亦不限任何形狀,只要可減少與板形組件接觸均可,較佳 地,可為圓形或三角形、四角行或六角形等多角形的形式。 此外,在本實(shí)用新型中此等具有高低差的溝槽外緣或者是凹 槽外緣較佳地可為倒角。
本實(shí)用新型適用的腔室較佳地為等離子處理設(shè)備的真空 腔室,更佳地為等離子輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的真空腔室。 此外,本實(shí)用新型的平臺(tái)較佳地為此等真空腔室中的一電極 板。而位于平臺(tái)上的板形組件則可為一玻璃基板或半導(dǎo)體晶 圓。且在平臺(tái)中的頂銷的材料則可為介電材料,較佳地可為 塑料或陶瓷。
本實(shí)用新型的有益效果是,由于是針對(duì)在等離子處理設(shè) 備中頂銷的改良,其對(duì)于抗靜電的效果有相當(dāng)大的幫助,改 善了在等離子處理設(shè)備中因靜電所導(dǎo)致的問(wèn)題以及減少平臺(tái) 發(fā)生電弧現(xiàn)象的損壞,也解決了在將腔室中利用機(jī)器手臂拿 取板形組件時(shí)所造成的粘片或破片的問(wèn)題以及因接觸板形組 件的接觸面材質(zhì)不同導(dǎo)致溫度不均與成膜異常現(xiàn)象等等的問(wèn) 題。


圖1A至圖1B是現(xiàn)有技術(shù)的在腔室中的支撐裝置剖視圖; 圖2是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的等離子處理設(shè)備簡(jiǎn)單
示意圖3是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的支撐裝置簡(jiǎn)單示意圖4是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的支撐裝置中的頂銷的 頂部表面示意圖5A至圖5D是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的支撐裝置中的 頂銷的頂部表面示意圖6A至圖6B是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的支撐裝置中的 頂銷的頂部表面示意圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明
11 電極板
13 頂銷孔
15 頂銷的末端
30 真空腔室
41 頂銷
41b 頂部
421 凹槽
421a 圓形
421c 四角形
422a —字溝槽
12 頂銷
14,50 板形組件
20 等離子處理設(shè)備
40 平臺(tái)
41 a 柱體
42 弧面 4211,422倒角 1
421b 三角形
421d 六角形
422b 十字溝槽
具體實(shí)施方式
以下是通過(guò)特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方
式,熟習(xí)此技藝的人士可由本說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解
本實(shí)用新型的其它優(yōu)點(diǎn)與功效。本實(shí)用新型亦可通過(guò)由其它不 同的具體實(shí)施例加以施行或應(yīng)用,本說(shuō)明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)亦可
基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用,在不悖離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種 修飾與變更。
本實(shí)用新型的實(shí)施例中該等圖式均為簡(jiǎn)化的示意圖。惟 該等圖式僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的組件,其所顯示的組件 非為實(shí)際實(shí)施時(shí)的態(tài)樣,其實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀等 比例為一選擇性的設(shè)計(jì),且其組件布局型態(tài)可能更復(fù)雜。
實(shí)施例1
請(qǐng)參考圖2以及圖3,為本實(shí)用新型等離子處理設(shè)備簡(jiǎn)單 示意圖,此等離子處理設(shè)備20具有一真空腔室30,在此真空 腔室30中含有一平臺(tái)40,此平臺(tái)40是放置一板形組件50,在 對(duì)應(yīng)于板形組件50的上方具有一上部電極60。在此真空腔室 30中經(jīng)由打入等離子源70,而可在板形組件50上成膜。而本 實(shí)用新型主要是在等離子處理設(shè)備20中,于其真空腔室30中 在支撐板形組件50的一支撐裝置,請(qǐng)參考圖3,其為平臺(tái)40 以及多數(shù)個(gè)頂銷41。而平臺(tái)40為一下部電極,且用以承載板 形組件5 0 ,其中此板形組件5 0在本實(shí)施例中是使用玻璃基板。 此外,平臺(tái)40內(nèi)亦具有多數(shù)個(gè)頂銷孔(圖未示)。而多數(shù)個(gè)頂 銷41則配置于平臺(tái)40內(nèi)的頂銷孔(圖未示)中以支撐板形組件 50,且以塑料或陶瓷制成。此等頂銷41的部分頂部表面與板形組件50接觸。
在此,本實(shí)施例中為了此等頂銷41頂部的表面僅部分與板形組件50接觸,將設(shè)置于平臺(tái)40中的頂銷41放大來(lái)看,如 圖4所示,其頂銷41包含有一柱體41a及一頂部41b,此頂部41b 位于柱體41a的一端,且頂部41b是制造成一弧面42的形狀, 以減少頂銷41與如圖2所示的板形組件5 0的接觸面積。
實(shí)施例2
請(qǐng)參考圖5A至圖5D,本實(shí)施例在真空腔室中的支撐裝置 是與實(shí)施例l大致相同,但不同的是,在本實(shí)施例中為了使頂 銷41頂部41b的表面僅部分與板形組件50接觸,是將頂銷41 的頂部41b的弧面42更具有一凹槽421,此凹槽421的形狀可為 如圖5A所示的圓形421a、如圖5B所示的三角形421b、如圖5C 所示的四角形421c或如圖5D所示的六角形421d等多角形的形 狀,此凹槽421的外緣則具有一倒角4211加工,此可防止這些 形狀凹槽4 21的外緣會(huì)對(duì)如圖2所示的板形組件5 0有刮傷現(xiàn)象 產(chǎn)生。
實(shí)施例3
請(qǐng)參考圖6A及6B,本實(shí)施例在腔室中的支撐裝置是與實(shí) 施例l大致相同,但不同的是,本實(shí)施例為了更減少頂銷41 與如圖2所示的板形組件50的的接觸面積,因此,頂銷41不但 制作成弧面42,且于弧面42中制作成一圖案化的表面,此種 圖案化的表面具有如圖6A所示的 一 字溝槽422a,亦可為如圖 6B所示的十字溝槽422b等等不同樣式的溝槽。此外,此等溝 槽的外緣亦可如實(shí)施例2具有倒角4221加工以防止其刮傷的現(xiàn)象產(chǎn)生。
綜上所述,在等離子處理設(shè)備用以支撐板形組件的頂銷 上的此等弧面或在弧面的凹槽或溝槽的形式可有效的降低頂 銷與板形組件的接觸面,使得在等離子處理設(shè)備的真空腔室 中,其靜電產(chǎn)生的現(xiàn)象會(huì)減低甚至于消除,此外,此等改良 亦可有效的降低成膜時(shí)的異常發(fā)生或頂銷位置有暗影現(xiàn)象。 本實(shí)用新型大幅提升了產(chǎn)品的質(zhì)量。
上述實(shí)施例僅為了方便說(shuō)明而舉例而已,本實(shí)用新型所 主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以申請(qǐng)專利范圍所述為準(zhǔn),而非僅限于 上述實(shí)施例。
權(quán)利要求1.一種支撐裝置,其用于在一腔室中支撐及放置一板形組件,其特征在于該支撐裝置包括一平臺(tái),用以放置該板形組件,且具有多數(shù)個(gè)頂銷孔;以及多數(shù)個(gè)頂銷,配置于該平臺(tái)內(nèi)的這些頂銷孔中,用以支撐該板形組件,且每一這些頂銷的部分頂部表面與該板形組件接觸。
2. 如權(quán)利要求l所述的支撐裝置,其特征在于,所述每 一這些頂銷包含一柱體及一具有弧面的頂部,該具有弧面的 頂部位于該柱體的一端。
3. 如權(quán)利要求l所述的支撐裝置,其特征在于,所述這 些頂銷的頂部的表面為一圖案化的表面。
4. 如權(quán)利要求3所述的支撐裝置,其特征在于,所述該圖案化的表面為一具有高低差的溝槽。
5. 如權(quán)利要求4所述的支撐裝置,其特征在于,所述具 有高低差的溝槽外緣具有一倒角。
6. 如權(quán)利要求4所述的支撐裝置,其特征在于,所述具 有高低差的溝槽為十字溝槽或一字溝槽。
7. 如權(quán)利要求l所述的支撐裝置,其特征在于,所述這 些頂銷的頂部的表面具有一凹槽。
8. 如權(quán)利要求7所述的支撐裝置,其特征在于,所述凹槽外緣具有一倒角。
9. 如權(quán)利要求7所述的支撐裝置,其特征在于,所述凹槽為圓形。
10.如權(quán)利要求7所述的支撐裝置,其特征在于,所述凹 槽為多角形。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種頂銷及支撐裝置,此支撐裝置包括多數(shù)個(gè)頂銷,其部分頂部表面與一板形組件接觸。本實(shí)用新型的頂銷及支撐裝置可降低頂銷的頂部表面因靜電作用而和板形組件產(chǎn)生的吸附現(xiàn)象,且防止將板形組件取出時(shí)有破片的情形。
文檔編號(hào)H01L21/683GK201075383SQ20072015164
公開日2008年6月18日 申請(qǐng)日期2007年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月19日
發(fā)明者許民慶, 謝孟儒 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司
網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條留言
  • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1
蓬莱市| 红原县| 襄樊市| 青州市| 龙口市| 息烽县| 亳州市| 册亨县| 饶平县| 临湘市| 基隆市| 德令哈市| 柞水县| 南部县| 汉阴县| 新津县| 驻马店市| 白朗县| 赣州市| 乐都县| 霍林郭勒市| 太仓市| 扎鲁特旗| 越西县| 炉霍县| 荃湾区| 巨鹿县| 新营市| 新化县| 基隆市| 乐平市| 彭水| 滕州市| 奉新县| 宜春市| 柳江县| 丽江市| 绿春县| 新源县| 大兴区| 红原县|