專利名稱：引腳式大功率led器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管，即LED器件，特別是涉及為提高大功率LED器件的散熱、 防水和耐高溫性能而采用的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
為環(huán)保節(jié)能，用LED器件制造的照明裝置已經(jīng)被廣泛應(yīng)用，所述用LED器件制造的照 明裝置具有壽命長(zhǎng)，能耗小的特點(diǎn)。為滿足高亮度的照明要求，所述照明裝置多采用大功率 的LED器件?，F(xiàn)有技術(shù)大功率LED器件多為仿流明式的封裝，如圖1所示，包括LED晶片 1、塑膠透鏡2、塑膠支架3、熱沉體4、金線5、和引腳6;所述LED晶體1經(jīng)過固晶工藝 膠粘在柱狀熱沉體4上，所述塑膠支架3套在熱沉體4外并與熱沉體4固定聯(lián)結(jié)在一起，所 述引腳6穿入塑膠支架3并從其兩側(cè)引出。所述金線5電連接LED晶片1和引腳6，所述塑 膠透鏡2罩扣在所述LED晶片4上并借助硅膠粘封在所述塑膠支架3上?，F(xiàn)有技術(shù)大功率 LED器件的封裝結(jié)構(gòu)還存在以下缺陷和不足1. 所述器件通過熱沉體散熱，由于所述熱沉體自身散熱面積小，必須借助導(dǎo)熱硅膠與另 外配置的散熱器連接才能解決散熱問題，然而其散熱效果仍不盡如人意；2. 所述器件的塑膠透鏡和塑膠支架通常用聚碳酸酯PC材料制成，其耐高溫性能較差， 一般在14(TC以下，尤其是將塑膠透鏡封裝時(shí)，不能使用回流焊等高溫工藝處理；3. 所述器件的引腳由器件兩側(cè)引出，不具有防水性能，在有防水要求的環(huán)境中使用時(shí)必 須考慮防水設(shè)計(jì)，增加了使用者的成本，巿場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力差。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí) 用新型要解決的技術(shù)問題在于避免現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提出一種散熱效率高、耐 高溫且具有防水設(shè)計(jì)的大功率LED器件的封裝結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型解決所述技術(shù)問題可以通過采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)、制造一種引腳式大功率LED器件，包括至少一塊LED晶片、透鏡、金屬熱沉體、 金線和引腳，尤其是，還包括印刷電路板；所述金屬熱沉體包括柱體基座和延伸于該基座上 的柱體凸臺(tái)，而且所述基座的上表面面積積至少是凸臺(tái)的上表面面積的2倍；所述LED晶片 被膠粘固定在所述凸臺(tái)的上表面；所述印刷電路板中部有通孔，借助該通孔所述印刷電路板 套入所述凸臺(tái)并與基座膠粘在一起；所述印刷電路板與LED晶片借助所述金線電連接；在所 述印刷電路板下方的基座上設(shè)置有通孔，借助該通孔所述引腳與印刷電路板電連接；所述透 鏡罩扣所述LED晶片和印刷電路板并借助灌膠工藝粘固在所述印刷電路板上。所述金屬熱沉體由包括銅及其合金的髙導(dǎo)熱率材料制成； 所述金屬熱沉體基座的橫截面呈圓形或者菱形。 所述透鏡呈半球狀，用硅膠灌注直接成型。同現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明實(shí)用新型"引腳式大功率LED器件"的有益效果在于1. 本實(shí)用新型引腳式大功率LED器件的金屬熱沉體的基座面積大，即散熱面積大，令 所述大功率LED器件自身具有較強(qiáng)的散熱能力；如果該金屬熱沉體連接另外配置散熱器，由 于接觸面積大，散熱效果更佳；2. 所述器件的透鏡由硅膠一次成型，硅膠的耐溫值高， 一般在300t:以上，大大提高所 述器件的耐高溫性能；3. 所述器件的引腳由金屬熱沉體的基座下方引出，避免所述器件在使用過程中引腳直接暴露在外，有效解決防水問題，使用者不需為防水問題作出專門的設(shè)計(jì)，增加了器件的市場(chǎng) 竟?fàn)幜Α?br>

圖1是現(xiàn)有技術(shù)大功率LED器件的正投影剖視示意圖。圖2是本實(shí)用新型"引腳式大功率LED器件"優(yōu)選實(shí)施例的正投影剖視示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖所示優(yōu)選實(shí)施例作進(jìn)一步詳述。本實(shí)用新型引腳式大功率LED器件，如圖2所示，包括至少一塊LED晶片10、透鏡20、 金屬熱沉體40、金線50和引腳60,尤其是，還包括印刷電路板30;所述金屬熱沉體40包 括柱體基座41和延伸于該基座41上的柱體凸臺(tái)42,而且所述基座41的上表面面積至少是凸臺(tái)42的上表面面積的2倍；所述LED晶片IO被膠粘固定在所述凸臺(tái)42的上表面；所述 印刷電路板30中部有通孔，借助該通孔所述印刷電路板30套入所述凸臺(tái)42并與基座41膠 粘在一起；所述印刷電路板30與LED晶片10借助所述金線50電連接；在所述印刷電路板 30下方的基座41上設(shè)置有通孔，借助該通孔所述引腳60與印刷電路板30電連接；所述透 鏡20罩扣所述LED晶片10和印刷電路板30并借助灌膠工藝粘固在所述印刷電路板30上。所述金屬熱沉體40由包括銅及其合金的高導(dǎo)熱率材料制成，在本優(yōu)選實(shí)施例中，用銅制 成所述金屬熱沉體40;所述金屬熱沉體40基座41的橫截面呈圓形或者菱形。 在本優(yōu)選實(shí)施例中，所述透鏡20呈半球狀，用硅膠灌注直接成型。所述本實(shí)用引腳式大功率LED器件經(jīng)過如下工藝流程完成封裝首先，在所述金屬熱沉 體40的凸臺(tái)42上點(diǎn)布固晶膠，將所述LED晶片10固定在凸臺(tái)42上；然后，將印刷電路板 30套入凸臺(tái)42,并將所述印刷電路板20膠粘固定在所述基座41上；接著，用焊接工藝將所 述金線50電連接印刷電路板20和LED晶片10,將引腳60穿過基座41的通孔并將該引腳 60焊接到印刷電路板30上；最后灌注硅膠成型。實(shí)施本工藝，所述透鏡20—次成型，而且 所述透鏡20罩扣在所述LED晶片10和印刷電路板30上，同時(shí)所述基座41底部穿過引腳 60的通孔縫隙也被封填。由于所述本實(shí)用新型引腳式大功率LED器件的金屬熱沉體40的基座41有較大的散熱面 積，所以器件自身就具有較好的散熱特性，如果所述金屬熱沉體40的底部連接有另外配置的 散熱器，由于接觸面積大，散熱效果就更好。由于硅膠的耐受溫度在300'C以上，所以器件的耐溫性能大大優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)LED器件。 由于所述引腳式大功率LED器件的引腳60由基座41底部引出，使用中所述引腳60不 會(huì)暴露在外，可以有效避免因水浸造成所述引腳式大功率LED器件的毀損，其防水性能得到 提高，所述結(jié)構(gòu)可以令使用者省去或者簡(jiǎn)化防水處理設(shè)計(jì)，為使用者降低了設(shè)計(jì)成本，增加 了所述引腳式大功率LED器件的巿場(chǎng)竟?fàn)幜Α?br> 權(quán)利要求1.一種引腳式大功率LED器件，包括至少一塊LED晶片(10)、透鏡(20)、金屬熱沉體(40)、金線(50)和引腳(60)，其特征在于還包括印刷電路板(30)；所述金屬熱沉體(40)包括柱體基座(41)和延伸于該基座(41)上的柱體凸臺(tái)(42)，而且所述基座(41)的上表面面積至少是凸臺(tái)(42)的上表面面積的2倍；所述LED晶片(10)被膠粘固定在所述凸臺(tái)(42)的上表面；所述印刷電路板(30)中部有通孔，借助該通孔所述印刷電路板(30)套入所述凸臺(tái)(42)并與基座(41)膠粘在一起；所述印刷電路板(30)與LED晶片(10)借助所述金線(50)電連接；在所述印刷電路板(30)下方的基座(41)上設(shè)置有通孔，借助該通孔所述引腳(60)與印刷電路板(30)電連接；所述透鏡(20)罩扣所述LED晶片(10)和印刷電路板(30)并借助灌膠工藝粘固在所述印刷電路板(30)上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的引腳式大功率LED器件，其特征在于所述金屬熱沉體(40)由包括銅及其合金的高導(dǎo)熱率材料制成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的引腳式大功率LED器件，其特征在于所述基座(41)的橫截面呈圓形或者菱形。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的引腳式大功率LED器件，其特征在于所述透鏡(20)呈半球狀，用硅膠灌注直接成型。
專利摘要一種引腳式大功率LED器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括LED晶片(10)、透鏡(20)、印刷電路板(30)、金屬熱沉體(40)、金線(50)和引腳(60)；所述金屬熱沉體(40)包括基座(41)和該基座(41)上的凸臺(tái)(42)，而且所述基座(41)的上表面面積至少是凸臺(tái)(42)的上表面面積的2倍；所述印刷電路板(30)與基座(41)膠粘在一起；在所述印刷電路板(30)下方的基座(41)上設(shè)置有通孔，借助該通孔所述引腳(60)與印刷電路板(30)電連接；所述透鏡(20)罩扣所述LED晶片(10)和印刷電路板(30)并借助灌膠工藝粘固在所述印刷電路板(30)上。本實(shí)用新型所述引腳式大功率LED器件具有有效的防水設(shè)計(jì)，而且在散熱和耐高溫方面有良好的特性。
文檔編號(hào)H01L23/48GK201112415SQ200720172030
公開日2008年9月10日 申請(qǐng)日期2007年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月17日
發(fā)明者葭 殷, 江學(xué)平 申請(qǐng)人:孫茂桐