專(zhuān)利名稱(chēng)：用于封裝制造過(guò)程的矩形吸嘴的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型設(shè)計(jì)一種用于封裝制造過(guò)程的吸嘴，尤其是關(guān)于一種用于制造過(guò)程中吸取發(fā)光二極管、截面呈矩形的吸嘴。

背景技術(shù)：
在發(fā)光二極管的制造過(guò)程中，因?yàn)榫氤善返某叽缣?dǎo)致夾取不易，以及為了避免晶片半成品于人體接觸導(dǎo)致靜電傷害等種種因素，因此，經(jīng)常需要采用以吸附的方式以拿取或置入不同的工作平臺(tái)。
請(qǐng)參考圖4，其為現(xiàn)有的一裝設(shè)于自動(dòng)化工作設(shè)備的吸取件60，該吸取件60的一端形成較為細(xì)小而與發(fā)光二極管晶片尺寸對(duì)應(yīng)的吸嘴頭62。當(dāng)該吸取件60的另一端與自動(dòng)化工作設(shè)備連接時(shí)，其可將該吸嘴頭62接近一發(fā)光二極管晶片而將該晶片取起。
然而，由于目前的發(fā)光二極管因?yàn)楣獠ㄩL(zhǎng)、封裝樣態(tài)的需求，致使該發(fā)光二極管晶片的尺寸多元化，導(dǎo)致原來(lái)的吸取件60的吸嘴頭62無(wú)法完全匹配某些特定形狀的發(fā)光二極管晶片。舉例而言，請(qǐng)參考圖5，其為該吸取件60吸取一長(zhǎng)形發(fā)光二極管晶片70的仰視示意圖，由該圖可知，該吸嘴頭62的端面局部?jī)H涵蓋該長(zhǎng)形發(fā)光二極管晶片70的中段部位局部表面，而這樣的狀態(tài)雖然仍舊可以順利吸取該長(zhǎng)形發(fā)光二極管70晶片，但將因該吸取件60對(duì)該長(zhǎng)形發(fā)光二極管70施力不均而導(dǎo)致對(duì)該長(zhǎng)形發(fā)光二極管70表面的結(jié)構(gòu)破壞，例如，設(shè)于該長(zhǎng)形發(fā)光二極管70表面的封裝線(xiàn)(bonding wire)常因?yàn)檫@個(gè)問(wèn)題而壓斷。
另外，如圖6所示，對(duì)該吸嘴頭62而言，其端面與該長(zhǎng)形發(fā)光二極管70不能匹配，使用一段時(shí)間后將在該吸嘴頭62端面形成一長(zhǎng)條凹痕，此一凹痕可能使該吸嘴頭62在吸取該長(zhǎng)形發(fā)光二極管70時(shí)，該長(zhǎng)形發(fā)光二極管72無(wú)法緊貼該吸嘴頭62端面而產(chǎn)生漏氣現(xiàn)象，而降低吸取效果。若吸取力不足，自動(dòng)化工作設(shè)備吸取該長(zhǎng)形發(fā)光二極管70后，欲將其放入一晶片框架80時(shí)，因快速移動(dòng)的結(jié)果，常容易導(dǎo)致晶片掉落或位置傾斜不正等問(wèn)題，使得在下一個(gè)制造過(guò)程步驟時(shí)拿取不易，進(jìn)而降低生產(chǎn)良率與效率。

發(fā)明內(nèi)容
為解決前述的吸取件的吸嘴頭端面形成圓形，而使其與某些特殊外形的發(fā)光二極管不能匹配的問(wèn)題，本實(shí)用新型將該吸嘴頭端面形成矩形狀，且其一吸取穿孔亦形成于該吸嘴頭端面對(duì)應(yīng)的外形，使其能夠與特殊外形的發(fā)光二極管截面匹配，而于吸取時(shí)不破壞其表面結(jié)構(gòu)。
具體地說(shuō)，本實(shí)用新型提供一種用于封裝制造過(guò)程的矩形吸嘴，其包含一本體以及一設(shè)于該本體一端的吸嘴結(jié)構(gòu)，該本體為一管體，該吸嘴結(jié)構(gòu)的一端面形成長(zhǎng)矩形，且該端面開(kāi)設(shè)一與該端面外形對(duì)應(yīng)的一吸口，該吸口的內(nèi)部流道與該管體的內(nèi)部流道形成連通。
其中，該本體優(yōu)選為截面呈圓形的剛性管體。
其中，該吸口優(yōu)選為一圓角矩形； 其中優(yōu)選地，該本體的一端朝其端點(diǎn)以矩形截面逐漸尺寸內(nèi)縮，使其該端形成截面為矩形狀的該吸嘴結(jié)構(gòu)。
以下結(jié)合結(jié)構(gòu)說(shuō)明本實(shí)用新型的有益效果本實(shí)用新型的的吸嘴結(jié)構(gòu)形成矩形且其吸口形成與該吸嘴結(jié)構(gòu)截面對(duì)應(yīng)的圓角矩形，使本實(shí)用新型特別適用于吸取長(zhǎng)條狀的發(fā)光二極管，不僅可有效避免破壞該長(zhǎng)條狀的發(fā)光二極管表面結(jié)構(gòu)，也可加強(qiáng)吸取效果而提升放置于晶片框架的準(zhǔn)確度。

圖1為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例立體圖。
圖2為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例吸取一發(fā)光二極管晶片的仰視示意圖。
圖3為本實(shí)用新型的發(fā)光二極管晶片置于一框架的示意圖。
圖4為現(xiàn)有的一吸取件的立體圖。
圖5為該吸取件吸取一長(zhǎng)形發(fā)光二極管晶片的仰視示意圖。
圖6為以該吸取件吸取該長(zhǎng)形發(fā)光二極管晶片而置入一晶片框架的俯視示意圖。
主要元件符號(hào)說(shuō)明
10本體 12吸嘴結(jié)構(gòu) 122吸口 20發(fā)光二極管晶片 30框架 60吸取件 62吸嘴頭 70長(zhǎng)形發(fā)光二極管晶片 80晶片框架 具體實(shí)施方式
請(qǐng)參考圖1以及圖2，其為本實(shí)用新型用于封裝制造過(guò)程的矩形吸嘴的較佳實(shí)施例，其包含一本體10以及一設(shè)于該本體10一端的吸嘴結(jié)構(gòu)12。其中，該本體10為一剛性圓管體，其一端朝其端點(diǎn)以矩形截面逐漸尺寸內(nèi)縮，使其該端形成截面為矩形狀的該吸嘴結(jié)構(gòu)12，其中，該吸嘴結(jié)構(gòu)12的端面中間部位，開(kāi)設(shè)一與該端面外形對(duì)應(yīng)的一吸口122，本較佳實(shí)施例的吸口122系形成一圓角矩形。該吸口122的內(nèi)部流道與該本體10形成連通，使該本體10的另一端連接于一自動(dòng)化吸取設(shè)備(圖中未示)時(shí)，該自動(dòng)化吸取設(shè)備可通過(guò)將該吸嘴結(jié)構(gòu)12端面接觸一發(fā)光二極管晶片20而可以吸取該發(fā)光二極管晶片20，如圖2所示。由于該吸嘴結(jié)構(gòu)12及該吸口122與該發(fā)光二極管20晶片的截面外形對(duì)應(yīng)，且由于該發(fā)光二極管20的中段部位經(jīng)常設(shè)有影響其發(fā)光效能的結(jié)構(gòu)(例如封裝線(xiàn)等)，因此，由于本較佳實(shí)施例于的吸口122形成與該發(fā)光二極管晶片20外形對(duì)應(yīng)，其不僅可以有效吸取該發(fā)光二極管20，也可以避免破壞該發(fā)光二極管晶片20表面的重要結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)參考圖3，由于該吸嘴結(jié)構(gòu)12、該吸口122與該發(fā)光二極管20外形對(duì)應(yīng)匹配，可有效加強(qiáng)吸取效果，使該自動(dòng)化吸取設(shè)備于不同工位之間、將該發(fā)光二極管20放入一框架30時(shí)，能夠較為準(zhǔn)確的放入該框架30的中間部位，以節(jié)省該自動(dòng)化吸取設(shè)備于下一工位所需的對(duì)位時(shí)間。
權(quán)利要求1、一種用于封裝制造過(guò)程的矩形吸嘴，其特征在于，包含一本體以及一設(shè)于該本體一端的吸嘴結(jié)構(gòu)，該本體為一管體，該吸嘴結(jié)構(gòu)的一端面形成長(zhǎng)矩形，且該端面開(kāi)設(shè)一與該端面外形對(duì)應(yīng)的一吸口，該吸口的內(nèi)部流道與該管體的內(nèi)部流道形成連通。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于封裝制造過(guò)程的矩形吸嘴，其特征在于，該本體為截面呈圓形的剛性管體。
3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于封裝制造過(guò)程的矩形吸嘴，其特征在于，該吸口為一圓角矩形。
4、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于封裝制造過(guò)程的矩形吸嘴，其特征在于，該本體的一端朝其端點(diǎn)以矩形截面逐漸尺寸內(nèi)縮，使其該端形成截面為矩形狀的該吸嘴結(jié)構(gòu)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型系一種用于封裝制造過(guò)程的吸嘴，其包含一本體以及一設(shè)于該本體一端的吸嘴結(jié)構(gòu)。其中，該本體為一剛性圓管體，其一端朝其端點(diǎn)以矩形截面逐漸尺寸內(nèi)縮，使其該端形成截面為矩形狀的該吸嘴結(jié)構(gòu)，其中，該吸嘴結(jié)構(gòu)的端面中間部位，開(kāi)設(shè)一與該端面外形對(duì)應(yīng)的一吸口；因此，本實(shí)用新型特別適用于吸取長(zhǎng)條狀的發(fā)光二極管，不僅可有效避免破壞該長(zhǎng)條狀的發(fā)光二極管表面結(jié)構(gòu)，也可加強(qiáng)吸取效果而提升放置于晶片框架的準(zhǔn)確度。
文檔編號(hào)H01L21/683GK201146178SQ200720199848
公開(kāi)日2008年11月5日 申請(qǐng)日期2007年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月10日
發(fā)明者吳全忠, 游翔行, 王養(yǎng)苗, 英宗岳 申請(qǐng)人:維米電子股份有限公司