專(zhuān)利名稱(chēng)：存儲(chǔ)卡及存儲(chǔ)卡的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)卡及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，作為存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)介質(zhì)的一種，已知一種內(nèi)置有存儲(chǔ)芯片 的存儲(chǔ)卡。另外，因?yàn)楸銛y性?xún)?yōu)異，所以存儲(chǔ)卡作為便攜式信息終端、移 動(dòng)電話(huà)等便攜式電子設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)被廣泛應(yīng)用。從提高便攜性等觀點(diǎn)出 發(fā)，近年來(lái)這些^更攜式電子設(shè)備的小型化及大容量化也正在推進(jìn)，與此相 伴，就要求存儲(chǔ)卡的小型化及大容量化。通常，在存儲(chǔ)卡中，因?yàn)槠湫螤睢?大小、厚度等都由g確定，所以在滿(mǎn)皿格的同時(shí)謀求實(shí)現(xiàn)其大容量化。
因此，已公開(kāi)有這樣一種技術(shù)，即，將在基座基板的一側(cè)的面上層疊 安裝安裝有存儲(chǔ)芯片的多個(gè)存儲(chǔ)用基板，并在基座基板的另 一側(cè)的面上安 裝控制存儲(chǔ)芯片的動(dòng)作的控制芯片，從而增大存儲(chǔ)卡的容量(例如，參考 專(zhuān)利文獻(xiàn)1 )。
另外，已公開(kāi)有一種技術(shù)，即，在搭載于引線(xiàn)框上的存儲(chǔ)芯片上錯(cuò)開(kāi) 層疊另一個(gè)存儲(chǔ)芯片。然后，通過(guò)金屬線(xiàn)將兩個(gè)存儲(chǔ)芯片的電極及搭栽于 引線(xiàn)框上的控制芯片的電極連接到引線(xiàn)框上，從而使存儲(chǔ)卡薄型化(例如，
參考專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。
但是，在專(zhuān)利文獻(xiàn)l的存儲(chǔ)卡中，因?yàn)閷⒋鎯?chǔ)芯片和控制芯片安裝在 基座基板的不同的面上，所以存儲(chǔ)卡的薄型化受到限制。另外，層疊存儲(chǔ) 用基板也成為妨礙存儲(chǔ)卡的薄型化的原因。
另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2的存儲(chǔ)卡中，通過(guò)引線(xiàn)^法進(jìn)行存儲(chǔ)芯片和控 制芯片對(duì)引線(xiàn)框的安裝。因此，在安裝后，有必要通過(guò)熱固化性樹(shù)脂等對(duì)
各芯片、金屬線(xiàn)及引線(xiàn)框等進(jìn)行密封。此時(shí)，因?yàn)樾枰浞指采w存儲(chǔ)芯片 和金屬線(xiàn)的厚度的密封層，所以存儲(chǔ)卡的小型化和薄型化受到限制。另夕卜， 因?yàn)槌税惭b步驟還需要密封步驟，所以降低成本也受到限制。而且，對(duì) 各芯片是否安裝良好的檢查只能在將全部芯片都安裝在與1線(xiàn)框上后才能進(jìn) 行。因此，在一部分芯片出現(xiàn)安裝不良的情況下，只有等到剩余的芯片安 裝結(jié)束以后才能檢查到安裝不良，因此，生產(chǎn)成本會(huì)增加。
專(zhuān)利文獻(xiàn)l:日本特開(kāi)2003-108963號(hào)>^才艮 專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2004-13738號(hào)/>才艮

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的存儲(chǔ)卡，具有第一電路M;第一半導(dǎo)體芯片，其安裝于 第一電路M的上面，并其下面的僅一部分區(qū)域與第一電路M相對(duì)；第 二電路J41，在其上面接合第一電路基板的下面；第二半導(dǎo)體芯片，其安 裝于第二電路141的上面，并且至少一部分與第一半導(dǎo)體芯片的下面的一
部分區(qū)域以外的另一部分區(qū)域相對(duì)；和蓋部，其在第二電路m的上面?zhèn)龋?br> 覆蓋第一半導(dǎo)體芯片、第一電路M和第二半導(dǎo)體芯片。
通過(guò)該構(gòu)造，因?yàn)槟軌蛟诘?一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片之間不夾 持電路J41地進(jìn)行重疊配置，所以能夠?qū)崿F(xiàn)存儲(chǔ)卡的小型化和薄型化。
另外，本發(fā)明的存儲(chǔ)卡的制造方法，包含以下步驟a)使第一半導(dǎo)體 芯片的下面的僅一部分區(qū)域與第一電路;i4l相對(duì)并將其安裝于第一電路基 板的上面的步驟,b)將第二半導(dǎo)體芯片安裝于第二電路M的上面的步驟， c )使第二半導(dǎo)體芯片的至少一部分與第一半導(dǎo)體芯片的下面的一部分區(qū)域 以外的另一部分區(qū)域相對(duì)，并將其掩^于第二電路^的上面的步驟，以 及d)在第二電路141的上面?zhèn)?，通過(guò)蓋部覆蓋第一半導(dǎo)體芯片、第一電 路141和第二半導(dǎo)體芯片的步驟。
通過(guò)該方法，在實(shí)現(xiàn)小型化和薄型化的同時(shí)，能夠通過(guò)簡(jiǎn)單的方法生 產(chǎn)效率高地制造存儲(chǔ)卡。


圖l是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的構(gòu)造的俯視圖。
圖2是在圖1的2-2線(xiàn)位置剖切的剖視圖。
圖3A是說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的制造方法的流 程圖。
圖3B是說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的制造方法的流 程圖。
圖4A是說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的制造方法的中 途狀態(tài)的剖視圖。
圖4B是說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的制造方法的中 途狀態(tài)的剖視圖。
圖4C是說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的制造方法的中 途狀態(tài)的剖視圖。
圖5是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的構(gòu)造的俯視圖。 圖6是在圖5的6-6線(xiàn)位置剖切的剖視圖。
圖7是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的其他例子的構(gòu)造 的俯視圖。 符號(hào)說(shuō)明
1、 la、 lb存儲(chǔ)卡 2、 2a、 2b第一電路^i^
3第一半導(dǎo)體芯片 4第二電路J41
5第二半導(dǎo)體芯片 6芯片部件
7、 7a蓋部 8固定部件
20開(kāi)口部 21、 41、 51、 52上面
22、 32、 42下面 33、 53突起
34、 54密封樹(shù)脂 71凹部
211、 221、 411、 412、 413電極
421外部電極 S11 S22步驟
具體實(shí)施例方式
下面，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式，參照附圖進(jìn)行說(shuō)明。此外，對(duì)于相同 的要素附加相同的符號(hào)，有省略說(shuō)明的情況。 (第一實(shí)施方式)
圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡1的構(gòu)造的俯視圖。
圖2是將存儲(chǔ)卡在圖1的2-2線(xiàn)位置剖切的剖視圖。此外，在圖1中，為 了易于理解存儲(chǔ)卡1的內(nèi)部構(gòu)造，對(duì)于蓋部7，僅用虛線(xiàn)表示其輪廓。另 外，在圖1中，沒(méi)有圖示半導(dǎo)體芯片的安裝等所使用的密封樹(shù)脂。
在本實(shí)施方式中，作為存儲(chǔ)卡1,以SD存儲(chǔ)卡(Secure Digital memory card,安全數(shù)碼卡)為例進(jìn)行說(shuō)明。通常，存儲(chǔ)卡1的長(zhǎng)度和寬度(圖1 中的左右方向和上下方向的大小)以M度(圖2中的上下方向的大小) 分別大于等于14.9mm且小于等于15.1mm、大于等于10.9mm且小于等于 ll.lmm以及大于等于0.9mm且小于等于l.lmm。此外，在本實(shí)施方式中， 將各項(xiàng)的大小分別設(shè)為15mm、 llmm以及l(fā)mm。另外，為了方便，將圖 2的上側(cè)及下側(cè)分別作為存儲(chǔ)卡1的上側(cè)及下側(cè)進(jìn)行說(shuō)明，在以下的第二 實(shí)施方式中也同樣。
如圖1和圖2所示，存儲(chǔ)卡l具有由內(nèi)周和外周呈所謂的口型的矩 形狀的框緣狀J41構(gòu)成的第一電路J^ 2;在作為第一電路141 2的圖2 中的上側(cè)的主面的上面21上夾持球形突起(所謂"釘頭突起"，以下簡(jiǎn)稱(chēng) "突起")33安裝的第一半導(dǎo)體芯片3;在其上面41接合有第一電路^41 2的下面22的第二電路基&4;夾持突起53安裝在第二電路基板4的上面 41上的第二半導(dǎo)體芯片5;利用軟^H"安裝在第二電路皿4的上面41 上的電阻等微細(xì)的芯片部件6;在第二電路g4的上面41側(cè)覆蓋第一半 導(dǎo)體芯片3、第一電路M2、第二半導(dǎo)體芯片5和芯片部件6的蓋部7。 而且，安裝有第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5的位置的存儲(chǔ)卡1的 厚度大于等于0.6mm且小于等于0.8mm (在本實(shí)施方式中是0.7mm )。
第二電路基板4是與FR-4.5相當(dāng)?shù)牟ＡЛh(huán)氧基板，厚度大于等于 O.lmm且小于等于0.4mm (在本實(shí)施方式中為0.16mm )。如圖2所示，
第二電路M4在其上面41上具有接合第一電路基板2的電極411、 第二半導(dǎo)體芯片5的電極412及^芯片部件6的電極413。而且，第二 電路皿4在其下面42上具有與外部的電子i殳備連接用的多個(gè)外部電極 421。外部電極421經(jīng)由從第二電路基板4的下面42至上面41連通的通孔 (未圖示)與設(shè)在上面41上的配線(xiàn)電連接。
第一電路基板2的厚度大于等于O.lmm且小于等于0.4mm(在本實(shí)施 方式中為0.12mm)。而且，在第一電路基板2的上面21，沿第一電路基 板2的內(nèi)周設(shè)有接合了第一半導(dǎo)體芯片3的多個(gè)電極211。另外，在第一 電路J412的下面22上設(shè)有電極221，電極221經(jīng)由軟釬料掩^于第二電 路1414的上面41的電極411。
第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5是棵芯片，厚度分別大于等于 0.05mm且小于等于0.3mm。在這里，第一半導(dǎo)體芯片3是存儲(chǔ)信息的存 儲(chǔ)芯片，第二半導(dǎo)體芯片5是控制第一半導(dǎo)體芯片3的控制芯片。第一半 導(dǎo)體芯片3具有形成在其下面32的電極上的突起33,突起33通過(guò)密封樹(shù) 脂34接合于第一電路I412的電極211 (包括保持接觸的狀態(tài))。另外， 第二半導(dǎo)體芯片5具有形成在其下面52的電極上的突起53，突起53通過(guò) 密封樹(shù)脂54接合于第二電路M 4的電極412 (包括保持接觸的狀態(tài))。
在本實(shí)施方式中，作為密封樹(shù)脂34、 54，采用貼附于第一電路基板2 的上面21和第二電路^L4的上面41的膜狀樹(shù)脂材料等非導(dǎo)電性樹(shù)脂膜 NCF (Non-Conductive Film )。而且，在存儲(chǔ)卡l中，通過(guò)介于第一半導(dǎo) 體芯片3和第 一電路1412之間的密封樹(shù)脂34覆蓋突起33的周?chē)?。另夕卜?通過(guò)介于第二半導(dǎo)體芯片5和第二電路14SL 4之間的密封樹(shù)脂覆蓋突起53 的周?chē)?br> 第一半導(dǎo)體芯片3的下面32為矩形，僅沿其下面32的外周的框緣狀 的區(qū)域(在下面32中相互相對(duì)的2組棱線(xiàn)附近的區(qū)域)與第一電路基敗2 相對(duì)。也就是說(shuō)，在存儲(chǔ)卡1中，僅4吏第一半導(dǎo)體芯片3的下面32的一部 分區(qū)域與第一電路基板2的上面21相對(duì)。
第二半導(dǎo)體芯片5與第一電路皿2的內(nèi)周分離，配置在第一電路基
板2的內(nèi)側(cè)(第一電路基板2的矩形的開(kāi)口部20 (參照?qǐng)D1))。而且， 第二半導(dǎo)體芯片5的上面51與第一半導(dǎo)體芯片3的下面32的中央附近的 區(qū)域(在下面32中的與第一電路M2相對(duì)的上述一部分區(qū)域以外的另一 部分區(qū)域)相對(duì)。
另外，如圖2所示，存儲(chǔ)卡1還具有粘結(jié)劑等的固定部件8，其設(shè)在 第一半導(dǎo)體芯片3的下面32和第二半導(dǎo)體芯片5的上面51之間，將第一 半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5相互固定。
蓋部7由樹(shù)脂形成的成型部件制成，具有收納第一半導(dǎo)體芯片3、第 一電路基板2、第二半導(dǎo)體芯片5和芯片部件6的凹部71。而且，蓋部7 通過(guò)凹部71的開(kāi)口安裝在第二電路基板4上。
以下，對(duì)于本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡1的制造方法進(jìn)行說(shuō) 明。圖3A和圖3B是存儲(chǔ)卡1的制造方法的流程圖，圖4A到圖4C是表 示存儲(chǔ)卡l的制造方法的中途狀態(tài)的圖。此外，圖4A到圖4C,與圖2相 同，是表示將存儲(chǔ)卡1在圖1的2-2線(xiàn)位置剖切的剖視圖。
首先，如圖4A所示，在第一半導(dǎo)體芯片3的下面32的電極上形成突 起33 (步驟Sll)。
其次，在第一電路基&2的上面21的電極211上貼附例如NCF等的 密封樹(shù)脂34。由此，將密封樹(shù)脂34賦予電極211 (步驟S12)。
接下來(lái)，通過(guò)安裝裝置(未圖示)，保持第一半導(dǎo)體芯片3的下面32， 其與第一電路1412的上面21相對(duì)。接著，調(diào)整第一半導(dǎo)體芯片3的位置， 使得突起33經(jīng)由密封樹(shù)脂34與電極211相對(duì)，之后將第一半導(dǎo)體芯片3 向第一電路基&2按壓。此時(shí)，僅第一半導(dǎo)體芯片3的下面32的一部分區(qū) 域(沿下面32的外周的框緣狀的區(qū)域)與第一電路基敗2的上面21相對(duì)。 而且，在將第一半導(dǎo)體芯片3向第一電路J412按壓的狀態(tài)下，對(duì)第一半 導(dǎo)體芯片3進(jìn)行加熱，第一半導(dǎo)體芯片3夾持突起33與第一電路M 2 電連接。由此，密封樹(shù)脂34因熱而固化，將第一半導(dǎo)體芯片3接合安裝于 第一電路lj仗2 (步驟S13)。以下，將第一電路基敗2和安裝在第一電路 基板2上的第一半導(dǎo)體芯片3統(tǒng)稱(chēng)作"存儲(chǔ)模塊"。
通過(guò)上述步驟11到步驟13，僅第一半導(dǎo)體芯片3的下面32的一部分 的區(qū)域與第一電路M2相對(duì)地將第一半導(dǎo)體芯片3安裝于第一電路M 2的上面21。
接下來(lái)，如圖4B所示，在第二半導(dǎo)體芯片5的下面52的電極上形成 突起53(步驟S14)。然后，在第二電路基仗4的上面41的電極412上貼 附例如NCF等密封樹(shù)脂54。由此,將密封樹(shù)脂54賦予電極412(步驟S15 )。
接下來(lái)，通過(guò)安裝裝置的保持部保持第二半導(dǎo)體芯片5的下面52，其 朝向第二電路^414的上面41。然后，調(diào)整第二半導(dǎo)體芯片5的位置，使 得突起53經(jīng)由密封樹(shù)脂54與電極412相對(duì)。而且，在將第二半導(dǎo)體芯片 5向第二電路基板4按壓的狀態(tài)下，對(duì)第二半導(dǎo)體芯片5進(jìn)行加熱，第二 半導(dǎo)體芯片5夾持突起53與第二電路基仗4電連接。由此，密封樹(shù)脂54 固化，將第二半導(dǎo)體芯片5接合安裝于第二電路1414(步驟S16)。以下， 將第二電路基板4和安裝在第二電路Jj敗4上的第二半導(dǎo)體芯片5統(tǒng)稱(chēng)作 "控制模塊"。
通過(guò)上述步驟14到步驟16，將第二半導(dǎo)體芯片5安裝于第二電路基 板4的上面41。
接下來(lái)，通過(guò)檢查裝置(未圖示)進(jìn)行存儲(chǔ)模塊和控制模塊的電檢查。 即，通過(guò)使電流經(jīng)由第一電路1412流向存儲(chǔ)模塊，對(duì)第一半導(dǎo)體芯片3 相對(duì)于第一電路1412的安裝是否良好，即例如第一半導(dǎo)體芯片3與第一 電路M 2的電連接是否良好、第一半導(dǎo)體芯片3是否正常工作進(jìn)行電檢 查(步驟S17)。另外，通過(guò)使電流經(jīng)由第二電路基板4流向控制模塊， 對(duì)第二半導(dǎo)體芯片5相對(duì)于第二電路^4的安裝是否良好進(jìn)行電檢查(步 驟S18)。
然后，如果判斷出存儲(chǔ)模塊和控制模塊的安裝正常，則如圖4C所示， 在第二電路M 4的上面41經(jīng)由掩膜(mask)涂敷骨狀釬焊料，并賦予 在電極411和電極413上(步驟S19)。另外，對(duì)第二半導(dǎo)體芯片5的上 面51賦予粘結(jié)劑等的固定部件8 (步驟S20)。
接下來(lái)，調(diào)整第一電路M2的位置，使得第一電路M2的下面22
的電極221經(jīng)由軟^與第二電路基仗4的電極411相對(duì)。然后，將第一 電路基板2搭載到第二電路基&4上。同樣，將芯片部件6通過(guò)軟釬料搭 載于第二電路基板4的電極413上。此時(shí)，由第一半導(dǎo)體芯片3的下面32 按壓第二半導(dǎo)體芯片5的上面51上的固定部件8。然后，如圖2所示，固 定部件8從第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5之間的空間擴(kuò)散至第二 半導(dǎo)體芯片5周?chē)目臻g，并在該狀態(tài)下固化。其后，進(jìn)行對(duì)存儲(chǔ)模塊、 控制模塊和芯片部件6的回流焊。由此，使第一半導(dǎo)體芯片3的下面32 的中央附近的區(qū)域(在第一半導(dǎo)體芯片3的下面32中的與第一電路基仗2 相對(duì)的一部分區(qū)域以外的另一部分區(qū)域)與第二半導(dǎo)體芯片5的上面51 相對(duì)，第一電路基tl2的下面22的電極221與第二電路J414的上面41 的電極411接合。另外，芯片部件6的電極與第二電路1414的電極413 接合(步驟S21)。
然后，將蓋部7通過(guò)其凹部71的開(kāi)口安裝在接合有存儲(chǔ)才莫塊和芯片部 件6的第二電路基板4上。由此，在第二電路基板4的上面41側(cè)，第一半 導(dǎo)體芯片3、第一電路^L 2、第二半導(dǎo)體芯片5和芯片部件6凈U部7 覆蓋，制成存儲(chǔ)卡1 (步驟S22 )。
而且，在上述存儲(chǔ)卡l的制造過(guò)程中，當(dāng)在步驟S17中檢查出第一半 導(dǎo)體芯片3相對(duì)于第一電路M2的安裝不良時(shí)，準(zhǔn)備其它的正常的存儲(chǔ) 模塊，并對(duì)正常的模塊之間進(jìn)行^。同樣地，當(dāng)在步驟S18中檢查出第 二半導(dǎo)體芯片5相對(duì)于第二電路I414的安裝不良時(shí)，準(zhǔn)備其它的正常的 控制模塊，并對(duì)正常的模塊之間進(jìn)行接合。另外，對(duì)檢測(cè)出安裝不良的模 塊進(jìn)行維修作業(yè)(例如，半導(dǎo)體芯片的接合解除、再次安裝)。
如上述說(shuō)明，根據(jù)第一實(shí)施方式，將僅第一半導(dǎo)體芯片3的下面32 的一部分區(qū)域安裝在相對(duì)的第一電路皿2的上面21上。而且，通過(guò)將第 一電路M2接合于第二電路基仗4的上面41，使得第一半導(dǎo)體芯片3的 下面32的上述一部分區(qū)域以外的另外一部分區(qū)域與安裝在第二電路基敗4 的上面41上的第二半導(dǎo)體芯片5相對(duì)。其結(jié)果就是，因?yàn)槟軌驅(qū)Φ谝话雽?dǎo) 體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5,在其間不夾持其它的電路141地進(jìn)行重疊
配置，所以能夠?qū)崿F(xiàn)存儲(chǔ)卡1的小型化和薄型化。
另外，根據(jù)第一實(shí)施方式，將第一半導(dǎo)體芯片3安裝在第一電路M 2上，將第二半導(dǎo)體芯片5安裝在第二電路141 4上，分別在模塊化的狀 態(tài)下進(jìn)行層疊。因此，在層疊兩模塊之前，能夠進(jìn)行各模塊的電檢查，分 別檢查第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5的安裝是否良好。其結(jié)果就 是，因?yàn)槟軌蛟诖鎯?chǔ)模塊和控制模塊層疊前檢測(cè)出安裝不良，所以能夠降 低生產(chǎn)成本。
另一方面，以往，在將半導(dǎo)體芯片通過(guò)例如引線(xiàn)接合法安裝在電路基 板上的情況下，在安裝后，需要通過(guò)例如粘度較低的熱固化性樹(shù)脂等對(duì)半 導(dǎo)體芯片和金屬線(xiàn)進(jìn)行密封的步驟。因此，通常有在電路基板的上面?zhèn)雀?蓋半導(dǎo)體芯片等成形熱固化性樹(shù)脂，而形成存儲(chǔ)卡1的蓋部的情況。
與此相對(duì)，在第一實(shí)施方式中，將第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯 片5夾持突起33、 53倒裝芯片安裝于第一電路M2和第二電路g4。 因此，沒(méi)有必要一定通過(guò)熱固化性樹(shù)脂等密封第一半導(dǎo)體芯片3、第二半 導(dǎo)體芯片5和第一電路^2等、形成蓋部。其結(jié)果就是，能夠提高選擇 蓋部7的材料、形成方法的自由度。另外，通過(guò)倒裝芯片安裝法安裝第一 半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5，與引線(xiàn)^法相比，提高了安裝時(shí)的 可靠性。而且，因?yàn)閷⒌谝话雽?dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5通過(guò)密封樹(shù) 脂34、 54安裝在電路M上，因此省略了另行對(duì)各半導(dǎo)體芯片和各電路基 板之間的電連接部進(jìn)行密封的步驟，所以能夠簡(jiǎn)化存儲(chǔ)卡l的制造。另夕卜， 與通過(guò)熱固化性樹(shù)脂等進(jìn)行密封并形成蓋部的情況相比，通過(guò)由成型部件 構(gòu)成的蓋部7覆蓋第一半導(dǎo)體芯片3、第一電路1412和第二半導(dǎo)體芯片5 等的構(gòu)造，能夠進(jìn)一步簡(jiǎn)化存儲(chǔ)卡1的制造。
另外，在第一實(shí)施方式中，因?yàn)樵诘谝话雽?dǎo)體芯片3的沿其下面32 的外周的框緣狀的區(qū)域與第 一電路基板2 ，所以能夠牢固地將第 一半 導(dǎo)體芯片3固定在第一電路J412上。而且，因?yàn)橥ㄟ^(guò)由粘結(jié)劑構(gòu)成的固 定部件8進(jìn)一步固定第一半導(dǎo)體芯片3的下面32和第二半導(dǎo)體芯片5的上 面51，所以能夠間接地更加牢固地將第一半導(dǎo)體芯片3固定在第二電路基
板4上。
(第二實(shí)施方式)
以下，參照?qǐng)D5和圖6說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡。 圖5是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡la的構(gòu)造的俯視圖， 圖6是將存儲(chǔ)卡la在圖5的6-6線(xiàn)位置剖切的剖視圖。在圖5中，為了易 于理解存儲(chǔ)卡la的內(nèi)部構(gòu)造，對(duì)于蓋部7a,僅通過(guò)虛線(xiàn)表示其輪廓。另 外，在圖5中，沒(méi)有示出半導(dǎo)體芯片的安裝等所使用的密封樹(shù)脂。
如圖5和圖6所示，存儲(chǔ)卡la具有與圖l和圖2所示的存儲(chǔ)卡1的第 一電路g2形狀不同的第一電路基板2a。另外，存儲(chǔ)卡la具有通過(guò)熱 塑性樹(shù)脂形成的蓋部7a。其它的構(gòu)造與圖l和圖2相同，附加相同的符號(hào) 進(jìn)行說(shuō)明。另外，存儲(chǔ)卡1的制造方法的流程與第一實(shí)施方式大致相同， 因此簡(jiǎn)略i兌明。
如圖5和圖6所示，第一電路14^2a具有將由圖l所示的外周和內(nèi)周 呈矩形的框緣狀M構(gòu)成的第一電路1412的右側(cè)開(kāi)口的、所謂的3形的 形狀。而且，存儲(chǔ)卡la，其第一半導(dǎo)體芯片3的下面32的相互相對(duì)的一 組邊及與該組邊垂直的一個(gè)邊附近的區(qū)域與第一電路基&2a的上面21相 對(duì)。因此，第二半導(dǎo)體芯片5的一部分不與第一半導(dǎo)體芯片3重疊。即， 存儲(chǔ)卡la具有這樣的構(gòu)造，即，僅第二半導(dǎo)體芯片5的上面51的一部分， 與第一半導(dǎo)體芯片3的下面32的和第一電路14!2a相對(duì)的一部分區(qū)域以 外的另一部分區(qū)域相對(duì)。
下面，對(duì)于本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡la的制造方法，與 第一實(shí)施方式相同地一邊參照?qǐng)D3A和圖3B —邊進(jìn)行i兌明。
首先，在第一半導(dǎo)體芯片3的下面32的電極上形成突起33，在第一 電路14!2a的上面21的電極211上貼附密封樹(shù)脂34 (步驟Sll、 S12 )。
然后，將第一半導(dǎo)體芯片3夾持突起33電連接于第一電路基板2a， 并且，密封樹(shù)脂34固化將第一半導(dǎo)體芯片3接合于第一電路g 2a (步 驟S13)。通過(guò)上述的步驟，將第一半導(dǎo)體芯片3安裝于第一電路14l2a。
其次，在第二半導(dǎo)體芯片5的下面52的電極上形成突起53，在第二
電路^4的上面41的電極412上貼附密封樹(shù)脂54 (步驟S14、 S15)。 接下來(lái)，將第二半導(dǎo)體芯片5夾持突起53電連接于第二電路1414， 并且，密封樹(shù)脂54固化將第二半導(dǎo)體芯片5接合于第二電路基板4 (步驟 S16)。通過(guò)上述的步驟，將第二半導(dǎo)體芯片5安裝于第二電路1^L4的上 面41。
然后，通過(guò)第一電路皿2a對(duì)第一半導(dǎo)體芯片3相對(duì)于第一電路M 2a的安裝是否良好進(jìn)行電檢查(步驟S17)。同樣，通過(guò)第二電路基板4 對(duì)第二半導(dǎo)體芯片5相對(duì)于第二電路1414的安裝是否良好進(jìn)行電檢查(步 驟S18)。
接下來(lái)，對(duì)第二電路M 4的上面41的電極411和電極413賦予軟釬 料(步驟S19)。另外，對(duì)第二半導(dǎo)體芯片5的上面51賦予由粘結(jié)劑構(gòu)成 的固定部件8 (步驟S20)。然后，將第一電路基板2a和芯片部件6搭栽 于第二電路皿4上進(jìn)行回流焊，由此，將第一電路14l2a和芯片部件6 接合于第二電路M4 (步驟S21)。
然后，通過(guò)例如鑲嵌成形等對(duì)熱塑性樹(shù)脂進(jìn)行成形從而形成蓋部7a， 該熱塑性樹(shù)脂在第二電路M4上覆蓋第一半導(dǎo)體芯片3、第一電路M 2a、第二半導(dǎo)體芯片5和芯片部件6。通過(guò)上述各步驟，制成存儲(chǔ)卡la。
如上述說(shuō)明，才艮據(jù)第二實(shí)施方式，與第一實(shí)施方式同樣地，因?yàn)槟軌?對(duì)第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5在其間不夾持電路M地進(jìn)行重 疊配置，所以能夠?qū)崿F(xiàn)存儲(chǔ)卡la的小型化和薄型化。此時(shí)，從存儲(chǔ)卡la 的小型化和薄型化的觀點(diǎn)出發(fā)，第二半導(dǎo)體芯片5的至少一部分與第一半 導(dǎo)體芯片3的下面32的和第一電路基板2a相對(duì)的一部分區(qū)域以外的另一 部分區(qū)域相對(duì)即可。
另外，根據(jù)第二實(shí)施方式，因?yàn)槟軌蛟趯盈B存儲(chǔ)模塊和控制模塊之前 進(jìn)行檢查，分別對(duì)第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5的安裝是否良好 進(jìn)行檢查，所以能夠提高生產(chǎn)效率并降低生產(chǎn)成本。
另外，根據(jù)第二實(shí)施方式，與第一實(shí)施方式同樣地，通過(guò)倒裝芯片安 裝第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5，因此，能夠提高選擇蓋部h的
材料、形成方法的自由度。另外，與引線(xiàn)接合安裝相比，通過(guò)倒裝芯片安
裝第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5，能夠提高安裝時(shí)的可靠性。而 且，因?yàn)樵诘谝话雽?dǎo)體芯片3的下面32的三個(gè)邊附近的區(qū)域與第一電路基 板2a接合，所以能夠?qū)⒌谝话雽?dǎo)體芯片3牢固地固定在第一電路14l2a 上。另外，通過(guò)由粘結(jié)劑構(gòu)成的固定部件8能夠?qū)⒌谝话雽?dǎo)體芯片3間接 地更加牢固地固定在第二電路1^4上。
另外，根據(jù)第二實(shí)施方式，尤其通過(guò)由熱塑性樹(shù)脂形成蓋部7a,能夠 降低蓋部7a的硬度，提高安全性等的可靠性。
以上對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限定于上述 實(shí)施方式，如下所示能夠進(jìn)行各種變更。
即，在上述各實(shí)施方式中，以存儲(chǔ)芯片和控制芯片為例對(duì)笫一半導(dǎo)體 芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5進(jìn)行了說(shuō)明，但是不限定于此。例如，也可以 將ASIC等其它的棵芯片作為第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5使用。 而且，也可以構(gòu)成為將作為第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5的兩個(gè) 存儲(chǔ)芯片層疊，通過(guò)安裝在第二電路M4的其它區(qū)域的控制芯片控制兩 個(gè)存儲(chǔ)芯片。另外，作為第二半導(dǎo)體芯片5,也可以將存儲(chǔ)信息和控制其 它的存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)/控制兩用芯片安裝在電路14l4上。此時(shí)，半導(dǎo)體芯 片是部分利用半導(dǎo)體功能的芯片即可，不必是整體都具有半導(dǎo)體功能的芯 片。
另外，在上述各實(shí)施方式中，用將第一半導(dǎo)體芯片3在第一電路M 的沿其下面32的外周的框緣狀區(qū)域、下面32的三個(gè)邊附近的區(qū)域掩^于 第一電路基板的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但是不限定于此。例如，也可以構(gòu)成為 如圖7所示的存儲(chǔ)卡lb，將由相互平行的兩塊14^構(gòu)成的第一電路基板2b 接合在第二電路基板4上，并在第一半導(dǎo)體芯片3的下面的相互相對(duì)的一 組邊附近的區(qū)域與第一電路基板2b相對(duì)地掩^。
另外，在上述各實(shí)施方式中，用將突起33、 53形成在第一半導(dǎo)體芯片 3的電極和第二半導(dǎo)體芯片5的電極上的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但是，也可以 將它們形成在第一電路基板2的電極211和第二電路基板4的電極412上。
而且，作為突起33、 53，除球形突起以外，也可以使用其它種類(lèi)的球形突 起、鍍敷突起、軟釬料突起等。
另夕卜，在上述各實(shí)施方式中，作為密封樹(shù)脂，以貼附NCF等為例進(jìn)4亍 了說(shuō)明，但是不限定于此。例如，也可以使用非導(dǎo)電性樹(shù)脂糊劑的涂敷、 各向異性導(dǎo)電性樹(shù)脂膜、各向異性導(dǎo)電性樹(shù)脂糊劑形成密封樹(shù)脂。
另外，在上述各實(shí)施方式中，以在將第一半導(dǎo)體芯片3安裝到第一電 路基fel上后進(jìn)行第二半導(dǎo)體芯片5對(duì)第二電路基敗4的安裝為例進(jìn)行了說(shuō) 明，但并不限定于此。例如，也可以將第二半導(dǎo)體芯片5對(duì)第二電路^ 4的安裝與第一半導(dǎo)體芯片3對(duì)第一電路基&的安裝并行進(jìn)行，也可以在 第一半導(dǎo)體芯片3的安裝前進(jìn)行。同樣，第一半導(dǎo)體芯片3對(duì)第一電路基 板的安裝是否良好的檢查，可以在第二半導(dǎo)體芯片5對(duì)第二電路基板4的 安裝之前進(jìn)行，也可以與第二半導(dǎo)體芯片5的安裝并行進(jìn)行。
另外，在上述各實(shí)施方式中，用倒裝芯片安裝第一半導(dǎo)體芯片和第二 半導(dǎo)體芯片的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但是不限定于此。根據(jù)需要，也可以通過(guò) 引線(xiàn)接合法進(jìn)行第一半導(dǎo)體芯片3對(duì)第一電路M的安裝、第二半導(dǎo)體芯 片5對(duì)第二電路J414的安裝中的至少一方。但是，從提高安裝的可靠性 和提高選擇蓋部的材料、形成方法的自由度的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選通過(guò)倒裝芯 片將第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5安裝在電路141上。
另外，在上述各實(shí)施方式中，用通過(guò)熱塑性樹(shù)脂形成蓋部的例子進(jìn)行 了說(shuō)明，但是并不限定于此。根據(jù)需要，也可以通過(guò)熱固化性樹(shù)脂等的成 形來(lái)形成蓋部。但是，從進(jìn)一步簡(jiǎn)化存儲(chǔ)卡的制造這樣的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選 將蓋部設(shè)為成型部件。另外，從降低蓋部的硬度提高安全性的觀點(diǎn)出發(fā)， 優(yōu)選通過(guò)熱塑性樹(shù)脂形成蓋部。
此外，本發(fā)明的存儲(chǔ)卡，除SD卡以外，可用作例如IC卡等其它的卡 片型存儲(chǔ)介質(zhì)。
工業(yè)上的利用可能性
本發(fā)明在存儲(chǔ)信息、尤其是需要小型化及薄型化的存儲(chǔ)卡等的技術(shù)領(lǐng) 域具有實(shí)用價(jià)值。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)卡，其特征在于，具有:第一電路基板；第一半導(dǎo)體芯片，其安裝于所述第一電路基板的上面，并其下面的僅一部分區(qū)域與所述第一電路基板相對(duì)；第二電路基板，在其上面接合有所述第一電路基板的下面；第二半導(dǎo)體芯片，其安裝于所述第二電路基板的所述上面，并且至少一部分與所述第一半導(dǎo)體芯片的所述下面的所述一部分區(qū)域以外的另一部分區(qū)域相對(duì)；和蓋部，其在所述第二電路基板的所述上面?zhèn)?，覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片、所述第一電路基板和所述第二半導(dǎo)體芯片。
2. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于所述第一半導(dǎo)體芯片夾持突起安裝在所述第一電路基仗上，所述第二 半導(dǎo)體芯片夾持突起安裝在所述第二電路基昧上。
3. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于所述蓋部，由具有收納所述笫一半導(dǎo)體芯片、所述第一電路m和所 述第二半導(dǎo)體芯片的凹部、并且通過(guò)所述凹部的開(kāi)口安裝在所述第二電路皿上的成型部件構(gòu)成。
4. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于所述蓋部，由以在所述第二電路基仗上覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片、所 述第 一 電路a和所述第二半導(dǎo)體芯片的方式成形的熱塑性樹(shù)脂構(gòu)成。
5. 如權(quán)利要求l所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于還具有固定部件，其設(shè)在所述第一半導(dǎo)體芯片的所述下面和所述笫二 半導(dǎo)體芯片的上面之間，并且將所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯 片相互固定。
6. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于所述笫 一半導(dǎo)體芯片的所述下面為矩形，在所述下面上至少相互相對(duì) 的一組邊附近的區(qū)域與所述第一電路J^L相對(duì)。
7. 如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于所述第 一半導(dǎo)體芯片的所述下面的沿外周的框緣狀的區(qū)域與所述第一 電路J4l相對(duì)。
8. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于 所述第一半導(dǎo)體芯片為存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)芯片， 所述笫二半導(dǎo)體芯片為控制所述第一半導(dǎo)體芯片的控制芯片。
9. 一種存儲(chǔ)卡的制造方法，其特征在于， 包含a )使第一半導(dǎo)體芯片的下面的僅一部分區(qū)域與第一電路J^L相對(duì)并安 裝于所述第一電路I41的上面的步驟，b)將第二半導(dǎo)體芯片安裝于第二電路基昧的上面的步驟，c )使所述第二半導(dǎo)體芯片的至少一部分與所述第一半導(dǎo)體芯片的所述 下面的所述一部分區(qū)域以外的另一部分區(qū)域相對(duì)，并接合于所述第二電路 ^的所述上面的步驟，以及d )在所述第二電路M的所述上面?zhèn)?，通過(guò)蓋部覆蓋所述第一半導(dǎo)體 芯片、所述第一電路a和所述第二半導(dǎo)體芯片的步驟。
10. 如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)卡的制造方法，其特征在于 所述步驟a)具有al)在所述第一半導(dǎo)體芯片的電極或所述第一電路基板的電極上形成 突起的步驟，a2)對(duì)所述第一電路a的所述電極賦予密封樹(shù)脂的步驟，以及 a3 )將所述第一半導(dǎo)體芯片夾持所述突起電連接于所述第一電路M 的步驟；所述步驟b)包括bl)在所述第二半導(dǎo)體芯片的電極或所述第二電路J4SL的電極上形成 突起的步驟，b2)對(duì)所述笫二電路M的所述電極賦予密封樹(shù)脂的步驟，以及 b3 )將所述第二半導(dǎo)體芯片夾持所述突起電連接于所述第二電路141 的步驟。
11.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)卡的制造方法，其特征在于， 還包括在所述步驟a )和所述步驟c )之間通過(guò)所述第一電路基板電檢查所述 第一半導(dǎo)體芯片相對(duì)于所述第一電路基板的安裝是否良好的步驟，和在所述步驟b)和所述步驟c)之間通過(guò)所述第二電路基板電檢查所述 第二半導(dǎo)體芯片相對(duì)于對(duì)所述第二電路U1的安裝是否良好的步驟。
全文摘要
存儲(chǔ)卡(1)具有第一電路基板(2)；第一半導(dǎo)體芯片(3)，其安裝在第一電路基板(2)的上面(21)上，并僅其下面(32)的一部分區(qū)域與第一電路基板(2)相對(duì)；第二電路基板(4)，第一電路基板(2)的下面(22)接合在其上面(41)上；第二半導(dǎo)體芯片(5)，其安裝在第二電路基板(4)的上面(41)上，并且至少一部分與第一半導(dǎo)體芯片(3)的下面(32)的一部分區(qū)域以外的另一部分區(qū)域相對(duì)；和蓋部(7)，其在第二電路基板(4)的上面(41)側(cè)，覆蓋第一半導(dǎo)體芯片(3)、第一電路基板(2)和第二半導(dǎo)體芯片(5)。
文檔編號(hào)H01L25/18GK101375299SQ200780003180
公開(kāi)日2009年2月25日 申請(qǐng)日期2007年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月2日
發(fā)明者山田博之, 巖本篤信, 武田修一, 西川英信 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社