專利名稱：用于形成絕緣體上半導(dǎo)體(soi)體接觸器件的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體器件，更具體地，本發(fā)明涉及用于形成絕
緣體上半導(dǎo)體(SOI)體接觸器件的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
體接觸SOI晶體管典型地用多晶硅柵建立，該多晶硅柵將源/漏區(qū)
與體接觸區(qū)分開。由于該體連接而產(chǎn)生的附加電路負載容量是相當(dāng)大 的。
此外，在大電流應(yīng)用中，如在輸入/輸出(I/O)緩沖器中，需要較 大寬度的體接觸SOI晶體管。然而，隨著柵寬度增加，沿晶體管本體
到本體接觸的電阻增加。該電阻可能導(dǎo)致本體的多個部分未經(jīng)由體接 觸適當(dāng)?shù)剡B接，而經(jīng)由體接觸的適當(dāng)?shù)倪B接是正確操作所需要的。因
此，需要一種改進的體接觸SOI晶體管。


本發(fā)明通過例子圖示，且不被附圖限制，其中相同附圖標(biāo)記表示 類似的元件，以及其中-
圖1-5、 10-12以及15圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案，在形成 體接觸SOI晶體管中使用的各個步驟的剖視圖6-9、 13、 14以及16圖示了根據(jù)各個實施方案的一個實施方案， 在形成圖1-5、 10-12和15的剖視圖中圖示的體接觸SOI晶體管中使用 的各個步驟的俯視圖；以及
圖17圖示了根據(jù)各個實施方案的一個實施方案，圖16的體接觸 SOI晶體管的部分的三維視圖。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員明白，圖中的元件為簡單和清楚起見而被圖示， 并且沒有必要按比例繪制。例如，附圖中的一些元件的尺寸可以相對 于其它元件放大，以幫助改進本發(fā)明的實施方案的理解。
具體實施例方式
在一個實施方案中，形成具有第一和第二有源區(qū)的體接觸的絕緣 體上半導(dǎo)體(SOI)，第一和第二有源區(qū)具有不同的高度。此外，至少 在溝道區(qū)中，第一和第二有源區(qū)具有不同的導(dǎo)電類型。不同高度和不
同導(dǎo)電類型的這些有源區(qū)的使用可以允許提高SOI晶體管的本體的電接觸。
圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的剖視 圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)IO包括半導(dǎo)體襯底16和在半導(dǎo)體襯底16上方形成的 構(gòu)圖掩模層18。半導(dǎo)體襯底16是包括覆蓋絕緣層12的半導(dǎo)體層14的 絕緣體上半導(dǎo)體(SOI)襯底。例如，半導(dǎo)體層14可以包括任何類型 的半導(dǎo)體材料如硅、硅-鍺、鎵-砷、鎵-氮或其組合。在一個實施方案 中，半導(dǎo)體層14包括硅，在那種情況下，襯底16可以被具體地稱為 絕緣體上硅襯底。在所示的實施方案中，將描述n型器件的形成。因 此，如圖1中的標(biāo)記"P-"所示，在所示的實施方案中，例如，半導(dǎo)體 層14用p型摻雜劑如硼或BF2輕摻雜。在一個實施方案中，通過使用 約lel5至lel8/ci^范圍的摻雜劑劑量執(zhí)行p型注入，實現(xiàn)該摻雜。之 后，可以執(zhí)行退火，以更均勻地分布摻雜劑。此外，注意，由于最終 它在隨后的圖中將變?yōu)槠骷?，所以半?dǎo)體結(jié)構(gòu)IO也可以被稱為半導(dǎo)體 器件10。
絕緣層12可以包括任何類型的絕緣材料。在一個實施方案中，絕 緣層12包括氧化物并且可以被稱為掩埋氧化物。在一個實施方案中， 構(gòu)圖掩模層18是硬掩模層，以及可以使用已知的半導(dǎo)體處理技術(shù)來形 成。下面將進一步看到的構(gòu)圖掩模層18，用來限定不同高度的有源區(qū)。
圖2圖示了被構(gòu)圖掩模層18露出的半導(dǎo)體層14的多個部分被去 除之后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10。例如，可以使用各向異性蝕刻來去除半導(dǎo)體 層14的多個部分，其中該蝕刻延伸到半導(dǎo)體層14中，但是不完全延 伸透過半導(dǎo)體層14。因此，圖2的蝕刻導(dǎo)致具有高部28和低部30的 半導(dǎo)體層14。
圖3圖示了執(zhí)行向半導(dǎo)體層I4中的注入20。在所示的實施方案中， 注入20是以約lel8至le20/cn^范圍的摻雜劑濃度使用例如硼或BF2 作為摻雜劑的p型注入。因此，注意，被構(gòu)圖掩模層18保護的半導(dǎo)體 層14的高部28保持輕摻雜(如P-所示)，而被構(gòu)圖掩模層18露出的 半導(dǎo)體層14的低部30現(xiàn)在由于注入20而被重摻雜，如這些部分中的 P+所示。
圖4圖示了在形成隔離區(qū)22以將半導(dǎo)體層14與其它周圍的器件 隔離之后和在去除構(gòu)圖掩模層18之后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10。已知的構(gòu)圖和 蝕刻技術(shù)可以用來形成隔離區(qū)22。注意，在一個實施方案中，隔離區(qū) 22圍繞半導(dǎo)體層14，其中半導(dǎo)體層14提供待形成的SOI器件的有源 區(qū)域(即，有源區(qū))。也可以使用常規(guī)處理技術(shù)去除構(gòu)圖掩模層18。
圖5圖示了在半導(dǎo)體層14上方的柵電介質(zhì)24和在柵電介質(zhì)層24 上方的柵26形成之后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10。在一個實施方案中，柵電介質(zhì) 層和柵極層在襯底16上氈毯狀沉積，然后構(gòu)圖，以形成柵電介質(zhì)24 和柵26 (其中柵26也可以被稱為柵極)。將在俯視圖中看到的該構(gòu)圖， 限定橫跨半導(dǎo)體層14的中間部分的柵結(jié)構(gòu)，其中在該頁面的后面和前 面的部分柵層和柵電介質(zhì)層被去除。注意，柵26和柵電介質(zhì)24可以 一起被稱為柵結(jié)構(gòu)。在一個實施方案中，柵26是多晶硅柵，然而，在 替換性實施方案中，其它材料或不同的材料組合可以用于柵26。在一 個實施方案中，柵電介質(zhì)24包括絕緣體如氧化物或氮化物。在替換性 實施方案中，其它材料或不同的材料組合可以用于柵電介質(zhì)24。
為器件提供有源區(qū)(因此也可以被稱為有源區(qū)或有源區(qū)域)的半
導(dǎo)體層14，包括在被輕摻雜的高部28 (例如，P-)中沿柵電介質(zhì)24 形成的溝道區(qū)27。此外，半導(dǎo)體層14包括位于高部28的內(nèi)部、在溝 道區(qū)27之外的本體區(qū)29。柵26下面的低部30 (例如P+部分)在位于 每個高部28的本體區(qū)29的不同部分之間提供體連接或接觸。因此， 注意，高部28可以被稱為第一有源區(qū)，以及低部30可以被稱為第二 有源區(qū)，其中第一和第二有源區(qū)具有不同的高度和不同的導(dǎo)電類型(例 如，在所示的實施方案中，P-對P+)。溝道區(qū)27和本體區(qū)29在圖5中 用虛線圖示，并且由于這些區(qū)域的邊界沒有被清楚地限定而表示這些 區(qū)域的大概位置。然而，注意，在典型的平面器件中，本體區(qū)通常指 位于溝道區(qū)下面的有源區(qū)的區(qū)域，其中溝道區(qū)是柵下面的區(qū)域，其中 溝道在器件的工作過程中形成。
圖6圖示了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的俯視圖，其中圖5對應(yīng)于穿過柵26 的中間獲得的剖視圖，如圖6所示。從圖6的俯視圖中可以看到，半 導(dǎo)體層14從柵26的兩側(cè)下面延伸出，形成有源區(qū)36。在圖6所示的 柵26上面的有源區(qū)36的上部對應(yīng)于漏區(qū)38，以及在圖6所示的柵26 下面的有源區(qū)36的下部對應(yīng)于源區(qū)40。此外，注意，低部30比高部 28從柵26延伸出更遠。因此，上述的構(gòu)圖掩模層18這樣形成，即低 部30比高部28延伸更遠，其中當(dāng)從自上向下透視視察時，圖1中所 示上面的構(gòu)圖掩模層18的部分將具有對應(yīng)于高部28的形狀。此外， 注意，溝道區(qū)27和本體區(qū)29位于置于柵26之下的高部28的那些區(qū) 域中。在替換性實施方案中，構(gòu)圖掩模層18可以這樣形成，即低部30 未比高部28從柵26延伸更遠，或者它們僅僅在源區(qū)40中而未在漏區(qū) 38中延伸更遠。此外，與源側(cè)40中的高部28相比，延伸更遠的部分 低部30可以被稱為低部延伸區(qū)42。圖6還圖示了可以形成柵接觸的柵 26的接觸區(qū)34。
圖7圖示了覆蓋源區(qū)40的構(gòu)圖掩模層44形成之后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 10的俯視圖。構(gòu)圖掩模層44可以使用已知的半導(dǎo)體處理技術(shù)來形成。
如圖8所示，在從漏區(qū)38去除低部30的同時，構(gòu)圖掩模層44用來保 護源區(qū)40。例如，在一個實施方案中，可以執(zhí)行各向異性蝕刻，以露 出未被柵26覆蓋的漏區(qū)38中的高部28之間和周圍的底絕緣層12。
圖9圖示了構(gòu)圖掩模層44去除(其中常規(guī)半導(dǎo)體技術(shù)可以用來去 除構(gòu)圖掩模層44)之后和柵隔離片46形成之后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10。柵 隔離片46可以通過氈毯狀沉積一層或多層絕緣層，然后執(zhí)行各向異性 蝕刻而形成，以產(chǎn)生圍繞柵26的柵隔離片46。在一個實施方案中，柵 26比半導(dǎo)體層14厚，以致可.以在形成柵隔離片46中進行過蝕刻。在 從半導(dǎo)體層14的任何側(cè)壁(例如，高部28和低部30)去除隔離片材 料的同時，該過蝕刻將柵隔離片46限制為柵26的側(cè)壁。以此方式， 柵隔離片46僅僅圍繞柵26，如圖9所示。然而，在替換性實施方案中， 可以執(zhí)行柵隔離片46的形成，以便隔離片還形成在半導(dǎo)體層14的側(cè) 壁上(如在高部28和低部30的側(cè)壁上)。
圖10圖示了穿過漏區(qū)38獲得的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)IO的剖視圖，如圖9 中的截面標(biāo)志所示。因此，注意，在高部28之間露出絕緣層12，如上 面參照圖8描述。
圖11圖示了穿過源區(qū)40獲得的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)11的剖視圖，如圖9 中的另一截面標(biāo)志所示。因此，注意，在源區(qū)40中，高部28和低部 30都保留下來。
圖12圖示了執(zhí)行向半導(dǎo)體層14中的源/漏注入48。源/漏注入48 在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的源區(qū)40和漏區(qū)中都執(zhí)行。在其中形成n型器件的 所示的實施方案中，例如使用n型摻雜劑如磷或砷執(zhí)行源/漏注入48。 在一個實施方案中，使用約lel9至le21/cmS范圍的摻雜劑濃度。
圖13圖示了圖12的源/漏注入48之后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)IO的俯視圖。 因此，注意，在源區(qū)40和漏區(qū)38中，沒有被柵26覆蓋的半導(dǎo)體層14
接收n型摻雜劑，使得源區(qū)40和漏區(qū)38中被柵26露出的高部28被n 型摻雜劑(如N+所示)重摻雜。源區(qū)40中的低部30也包括n型摻雜 劑，但是也可以進一步包括p型摻雜劑(除P+之外，如N+所示)。亦 即，在低部30中，源/漏注入48的n型摻雜劑不可能完全抵消(counter) 高濃度的p型摻雜劑。因此，注意，柵26底下的高部28具有與源區(qū) 40的低部30 (不在柵26底下)不同的導(dǎo)電類型。在所示的實施方案 中，它們具有相反的導(dǎo)電類型(例如，分別為P-和P+N+，其中源區(qū) 40的低部30的N+具有與柵26底下的高部28中的P-相反的導(dǎo)電類型)。 此外，注意，在至少溝道區(qū)27中，在柵26下面，低部30和高部28 具有不同的導(dǎo)電類型(分別保持P-和P+)。
圖14圖示了硅化(siliciding)半導(dǎo)體層14以形成硅化物區(qū)50 (其 也可以被稱為硅化物層)之后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10。為了提高接觸效率和 減小電阻，可以進行硅化。圖15圖示了穿過源區(qū)40獲得的硅化之后 的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的剖視圖，如圖14中的截面標(biāo)志所示。注意，在所 示的實施方案中，進行硅化，以便硅化物區(qū)50完全延伸穿過半導(dǎo)體層 14的低部30，到達絕緣層12。亦即，該硅化完全耗盡這些低部中的半 導(dǎo)體層14。注意，硅化物區(qū)連接源區(qū)40中的高部28和低部30，因此 連接結(jié)構(gòu)10的本體和結(jié)構(gòu)10的源，以形成體連接的結(jié)構(gòu)或器件。因 此，低部30的存在允許通過硅化容易地連接結(jié)構(gòu)10的本體和源的能 力。
圖16圖示了接觸半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的源、漏、柵和本體的接觸51-57 形成之后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的俯視圖。接觸51-53可以形成重疊漏區(qū)38 中的部分高部28 (其形成結(jié)構(gòu)10的漏或漏結(jié)構(gòu))，或者可以完全形成 在漏部分上方(如接觸53)。至源區(qū)40的接觸54-56 (其形成結(jié)構(gòu)10 的源或源結(jié)構(gòu))提供沿柵26的體接觸。每個接觸51-57可以包括任何 導(dǎo)電或含金屬的材料。
注意，在所示的實施方案中，沿柵26提供多個體接觸(例如接觸
54-56)，其連接(即電連接)結(jié)構(gòu)10 (即器件10)的源和本體。這可 以提供具有較低電阻和電容的改進體連接，而不是不得不從遠離柵26 的左側(cè)或右側(cè)設(shè)置的體接觸如超出柵接觸區(qū)34，始終沿柵的長度延伸 的體連接，后者是現(xiàn)在所典型地執(zhí)行的。此外，由于不同的導(dǎo)電類型 (在當(dāng)前實施方案中，P-對N+)，柵26下面的高部28和源區(qū)40中的 高部28之間形成的結(jié)在源區(qū)40和本體區(qū)29之間提供隔離。例如，由 于由不同的導(dǎo)電類型產(chǎn)生的結(jié)，試圖從源區(qū)40中的高部28流到柵26 下面的高部28中的電流將不能流動，除非在工作過程中，由柵26產(chǎn) 生反轉(zhuǎn)區(qū)。然而，由于抵部30的硅化和導(dǎo)電類型，通過柵26下面的 低部30至源區(qū)40中的低部30，仍然可以提供體連接。
圖17圖示了穿過一個高部28 (由圖16中的截面標(biāo)志所示)獲得 的部分半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)IO的三維視圖。注意，所示的有源區(qū)的一側(cè)包括分 別在不同高度的兩個水平的有源區(qū)，低的比高的延伸出更遠。低的有 源區(qū)提供用于器件本體的接觸區(qū)，而高的有源區(qū)提供用于器件源的接 觸區(qū)。如上所述，由于低部30和高部28的硅化和導(dǎo)電類型，形成體 連接的器件，其中源和本體被電連接。以此方式，然后可以形成接觸 本體和源兩者的一個或多個接觸，以形成體接觸器件。(注意，接觸56 被顯示為僅僅覆蓋源部分；然而如圖16所示，它也可以形成為同樣重 疊在低部30上。)
注意，盡管參考形成n型器件描述了上述實施方案，但是應(yīng)當(dāng)理 解，在此描述的方法和結(jié)構(gòu)也應(yīng)用于p型器件，在p型器件中參照附 圖論述的導(dǎo)電類型被反向。
在上述說明書中，已參考具體實施方案描述了本發(fā)明。然而，本 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員理解，在不脫離所附的權(quán)利要求書所闡述的本發(fā) 明范圍的條件下，可以進行各種修改和替換。因此，說明書和附圖被 認為是說明性的而不是限制性的，所有的這種修改意在包括在本發(fā)明 的范圍內(nèi)。
上面已描述了關(guān)于具體實施方案的益處、其它優(yōu)點和問題的解決 方案。然而，益處、優(yōu)點、問題的解決方案和可能引起任何益處、優(yōu) 點、解決方案出現(xiàn)或變得更明確的要素不被認為是任何或所有權(quán)利要 求的關(guān)鍵、需要或必需的特征或要素。在此使用的術(shù)語"包括" ("comprises"、 "comprising"或其任何其它變形)是用來涵蓋非排他 性的包括，以便包括一列要素的工藝、方法、物品或設(shè)備不僅包括那
些要素，而且可以包括未清楚地列出的或這種工藝、方法、物品或設(shè) 備固有的其他要素。一
權(quán)利要求
1. 一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括構(gòu)圖覆蓋絕緣體層的半導(dǎo)體層，以產(chǎn)生第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，其中所述第一有源區(qū)具有與所述第二有源區(qū)不同的高度，并且其中至少在所述半導(dǎo)體器件的溝道區(qū)中，至少部分所述第一有源區(qū)具有第一導(dǎo)電類型，并且至少部分所述第二有源區(qū)具有不同于所述第一導(dǎo)電類型的第二導(dǎo)電類型；在至少部分所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)上方形成柵結(jié)構(gòu)；以及去除所述半導(dǎo)體器件的一側(cè)上的部分所述第二有源區(qū)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述第一導(dǎo)電類型是n型，并且 所述第二導(dǎo)電類型是p型。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述半導(dǎo)體器件的所述一側(cè)是所 述柵結(jié)構(gòu)的漏側(cè)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)利 用含金屬的材料耦合。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，進一步包括提供位于所述漏側(cè)的相對 側(cè)上的源結(jié)構(gòu)的第一接觸、漏結(jié)構(gòu)的第二接觸以及柵結(jié)構(gòu)的第三接觸。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，進一步包括掩蔽所述第一有源區(qū)和執(zhí) 行向所述第二有源區(qū)中的注入。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的方法，進一步包括在所述第一有源區(qū)和所述 第二有源區(qū)上方形成柵電介質(zhì)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7的方法，進一步包括在所述柵電介質(zhì)上方形成 柵極層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的方法，進一步包括掩蔽所述半導(dǎo)體器件的源 側(cè)和去除所述半導(dǎo)體結(jié)抅的漏側(cè)上的部分所述第二有源區(qū)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9的方法，進一步包括形成至少所述柵結(jié)構(gòu)的 里襯。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10的方法，進一步包括在所述柵結(jié)構(gòu)下面注入 與半導(dǎo)體區(qū)的導(dǎo)電類型相反的導(dǎo)電類型的摻雜劑。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11的方法，進一步包括硅化所述第一有源區(qū)和 所述第二有源區(qū)，以形成連接所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)的硅 化物區(qū)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12的方法，進一步包括在所述硅化物區(qū)上方形 成至少一個接觸，其中所述至少一個接觸重疊至少部分所述第一有源區(qū)和至少部分所述第二有源區(qū)。
14. 一種半導(dǎo)體器件，包括 絕緣體層；在所述絕緣體層頂部上形成的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上構(gòu)圖的多個第一有源區(qū)和多個第二有源區(qū)，其 中所述多個第一有源區(qū)的每一個具有與所述多個第二有源區(qū)的每一個 不同的高度，以及其中至少在所述半導(dǎo)體器件的溝道區(qū)中，所述多個 第一有源區(qū)的每一個的至少部分具有第一導(dǎo)電類型，并且所述多個第 二有源區(qū)的每一個的至少部分具有不同于所述第一導(dǎo)電類型的第二導(dǎo) 電類型；在至少部分所述多個第一有源區(qū)和所述多個第二有源區(qū)上方形成 的柵結(jié)構(gòu)；以及在所述多個第二有源區(qū)中形成的至少一個接觸，用于電連接至位 于所述柵結(jié)構(gòu)下面的多個本體區(qū)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體器件，其中所述第一導(dǎo)電類型是n 型，并且所述第二導(dǎo)電類型是p型。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體器件，其中所述柵結(jié)構(gòu)的一側(cè)是所 述柵結(jié)構(gòu)的漏側(cè)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體器件，其中所述第一有源區(qū)和所述 第二有源區(qū)利用含金屬的材料耦合。
18. —種半導(dǎo)體器件，包括 絕緣體層；在所述絕緣體層頂部上形成的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上構(gòu)圖的第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，其中所述第 一有源區(qū)具有與所述第二有源區(qū)不同的高度，以及其中至少在所述半 導(dǎo)體器件的溝道區(qū)中，至少部分所述第一有源區(qū)具有第一導(dǎo)電類型， 并且至少部分所述第二有源區(qū)具有不同于所述第一導(dǎo)電類型的第二導(dǎo) 電類型；在至少部分所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)上方形成的柵結(jié) 構(gòu)；以及用于本體區(qū)的接觸，其中該本體區(qū)位于所述柵結(jié)構(gòu)下面的所述第 一有源區(qū)中，以及其中所述接觸從所述本體區(qū)的超過兩側(cè)提供。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18的半導(dǎo)體器件，進一步包括在所述第一有源 區(qū)和所述第二有源區(qū)上方連接所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)的硅 化物層。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的半導(dǎo)體器件，其中對應(yīng)于所述第二有源區(qū) 的所述硅化物層延伸至所述絕緣層。
全文摘要
一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括構(gòu)圖覆蓋絕緣體層(12)的半導(dǎo)體層(14)，以產(chǎn)生第一有源區(qū)(28)和第二有源區(qū)(30)，其中第一有源區(qū)具有與第二有源區(qū)不同的高度，以及其中至少在半導(dǎo)體器件的溝道區(qū)中，至少部分第一有源區(qū)具有第一導(dǎo)電類型，并且至少部分第二有源區(qū)具有不同于第一導(dǎo)電類型的第二導(dǎo)電類型。該方法進一步包括在至少部分第一有源區(qū)和第二有源區(qū)上方形成柵結(jié)構(gòu)(26)。該方法進一步包括去除半導(dǎo)體器件的一側(cè)上的部分第二有源區(qū)。
文檔編號H01L27/12GK101379614SQ200780005027
公開日2009年3月4日 申請日期2007年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月8日
發(fā)明者蘇里亞·維拉拉加萬, 萊奧·馬修, 葛立新 申請人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司