專利名稱：將形成于襯底中的過孔平坦化的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平坦化形成于襯底內(nèi)的過孔(via)的方法，更具體 地，涉及平坦化嵌入晶片的襯底上的過孔的方法。
背景技術(shù)：
集成電路器件(即集成電路)形成于半導(dǎo)體襯底或者晶片之上。 然后晶片被切割成微電子管芯或者半導(dǎo)體芯片，每個(gè)晶片載有不同的 集成電路。利用引線鍵合或者"倒裝芯片，，連接，每個(gè)半導(dǎo)體芯片被安 裝于封裝、或者載體、基板。然后，在裝配于電子設(shè)備或者計(jì)算系統(tǒng) 中之前，封裝后的芯片被裝配在電路板或者母板上。
在安裝之前，通常需要形成貫穿電路板的導(dǎo)體(例如過孔)，從 而可以從電路板的一側(cè)到另一側(cè)形成電連接。在印刷電路板(PCB) 中形成導(dǎo)電過孔通常包括將有機(jī)樹脂板與銅箔層疊以及穿過銅箔和 薄板鉆孔。然后利用絲網(wǎng)印刷法(stencil printing)用厚膜骨填充過 孔。在干燥和固化之后，使用研磨設(shè)備將多余的過孔填充材料平坦化。 該平坦化通常是由相當(dāng)粗糙的研磨工藝進(jìn)行，很少顧及對(duì)電路板表面 的其他部分的影響。在研磨后，將銅箔光刻成指定圖案。
近來，技術(shù)發(fā)展到可以減少對(duì)傳統(tǒng)封裝基板的需求。技術(shù)之一包 括將微電子管芯嵌入在基板內(nèi)，使管芯的"器件"表面與基板的一個(gè)表 面大致共面?？梢酝ㄟ^形成從管芯的器件表面到基板的其他部分形成 導(dǎo)體來進(jìn)行電連接。但是，在某些應(yīng)用中，必須穿過基板形成導(dǎo)電過 孑L，以能夠形成到基板的另一側(cè)的電連接。像在電路板的情況中一樣， 這些過孔必須在其他工序進(jìn)行之前被平坦化。但是，由于管芯的器件 表面暴露在外，如果利用傳統(tǒng)的平坦化方法會(huì)損壞其中的集成電路。
因此，希望提供一種避免對(duì)嵌入在基板中的管芯的損壞風(fēng)險(xiǎn)的方
法以有效地將基板內(nèi)的過孔平坦化。此外，通過對(duì)本發(fā)明隨后的詳細(xì) 說明和附加權(quán)利要求，結(jié)合附圖以及本發(fā)明的背景，本發(fā)明的其他有 益的特征和特點(diǎn)將更為清晰。


此后將結(jié)合以下附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明，其中相同的附圖標(biāo)記代 表相同的元素。
圖1為包括基板和嵌入于其中的多個(gè)微電子管芯的器件面板的 俯S見平面圖。
圖2為更詳細(xì)說明表示了微電子管芯的圖l的器件面板的部分俯 視平面圖。
圖3為圖2的器件面板的沿3-3線截取的剖面圖。
圖4為具有形成于上下表面的保護(hù)層的圖3的器件面板的剖面圖。
圖5為具有形成于保護(hù)層上的聚合物層的圖4的器件面板的剖面圖。
圖6為具有貫穿形成的多個(gè)過孔開口的圖5的器件面板的剖面圖。
圖7為具有形成于過孔開口內(nèi)的導(dǎo)電過孔的圖6的器件面板的剖面圖。
圖8為圖7所示的器件面板的剖面圖，用于說明處于加熱工藝中 的器件。
圖9為從保護(hù)層去除了聚合物層之后的圖8所示的器件面板的剖面圖。
圖IO和圖ll為圖9所示器件面板的剖面圖，表示處于研磨工藝 中的器件。
圖12為圖ll所示器件面板的剖面圖，更詳細(xì)地說明了研磨工藝。 圖13為完成研磨工藝并去除保護(hù)層之后的圖12所示的器件面板 的剖面圖。
圖14為圖13所示的器件面板的剖面圖，更詳細(xì)地說明了一個(gè)過 孔開口。
圖15為從微電子管芯去除保護(hù)層之后的圖13所示的器件面板的 剖面圖。
圖16為圖15所示的器件面板的剖面圖，表示了處于最后的加熱 工藝中的器件面板。
具體實(shí)施例方式
以下詳細(xì)說明實(shí)質(zhì)上僅為例示，并不是對(duì)本發(fā)明或者本發(fā)明的應(yīng) 用和使用進(jìn)行限制。此外，也不由任何上述技術(shù)領(lǐng)域、背景、發(fā)明內(nèi) 容或者后述的詳細(xì)說明中的顯式或者隱含的理論所限定。還需要指出 的是，圖1 16僅為說明性質(zhì)，并非未按比例繪制。
圖1~16給出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式形成電子裝置的方 法。參照?qǐng)D1、 2和3,給出了器件面板20。器件面板20包括襯底22 和多個(gè)微電子管芯24。襯底22是圓形的，其直徑為約200或300mm, 其厚度26為約0.65mm。襯底22還具有上表面28和下表面30,且可 以由例如塑料材料或者環(huán)氧樹脂制成。如圖1和3所示，微電子管芯 24嵌入于襯底22中并在襯底22的上表面28上均勻分布。
如圖2和3所示，在一個(gè)實(shí)施方式中，管芯24大致為正方形(或 者矩形)，其邊長32為5mm ~ 20mm，其厚度34為約75pm ~ 800jrni。 每個(gè)微電子管芯24包括形成在器件表面38上的多個(gè)接觸焊盤36以 及形成于器件表面38上方的屏蔽層40。盡管未具體示出，每個(gè)微電 子管芯24還包括形成在其上的集成電路，這是本領(lǐng)域的一般常識(shí)。 如所示出的，屏蔽層40的表面與襯底22的上表面28共面或者一致。 盡管未明確示出，屏蔽層40具有小于10nm的厚度，使得微電子器件 24的器件表面38位于襯底22的上表面28下方小于lO^im的標(biāo)高 (elevation) 42處。如此，特別是在不包括屏蔽層40的實(shí)施方式中， 微電子管芯24的器件表面38可以與襯底22的上表面28大致共面。 屏蔽層40可以為光刻膠或者其他有機(jī)聚合物制成。
盡管以下的工藝步驟僅以在器件面板20的一部分上進(jìn)行的方式 示出，應(yīng)該理解為每個(gè)工序可以同時(shí)在大致整個(gè)面板20上進(jìn)行。如 圖4所示，保護(hù)層44首先形成在襯底22的上下表面28和30上方。 保護(hù)層44在襯底22的上表面28和下表面30上方具有5nm ~ 20nm 的厚度46。如圖所示，保護(hù)層44還覆蓋微電子管芯24。保護(hù)層44 可以通過將整個(gè)器件面板20浸入半導(dǎo)體處理流體容器中并該流體在 該面板20上干燥來形成。保護(hù)層44可以由可溶性材料制成。在一個(gè) 實(shí)施方式中，保護(hù)層44可以由水溶性材料諸如EMULSITONE 1146 制成。EMULSITIONE 1146可從Emulsitone Company of Whippany, NJ獲得。
然后，如圖5所示，在襯底22的上表面28和下表面30上方的 保護(hù)層44上形成聚合物層48。聚合物層48為聚酰亞胺帶，厚度為 20~200jun。在一個(gè)實(shí)施方式中，聚合物層的厚度約為35nm。
接下來，然后，如圖6所示，貫穿襯底22的上表面28上方的聚 合物層48和保護(hù)層44以及襯底22的下表面30上方的保護(hù)層44和 聚合物層48形成多個(gè)過孔開口 52。在一個(gè)實(shí)施方式中，過孔開口 52 形成于微電子管芯24的相對(duì)側(cè)上，并具有60~300nm的厚度?？梢?通過機(jī)械鉆孔或者例如紫外或者紅外激光的電磁輻射的方法形成過 孔開口 52。襯底22的厚度與過孔開口 42的寬度之比可以例如為6:1~ 10:1。
然后，參照?qǐng)D7，在過孔開口 52中形成多個(gè)導(dǎo)電過孔56(或者"通 孔，，(through-via ))。如圖所示，每個(gè)導(dǎo)電過孔填充相應(yīng)的一個(gè)過 孔開口 52，并具有上端部58和下端部60。如所示出的，導(dǎo)電過孔56 的上端部延伸至襯底22的上表面28上方的聚合物層48的上方。導(dǎo) 電過孔66的下端部60延伸至村底22的下表面30上的聚合物層48 的下方。導(dǎo)電過孔56的上下兩端部58和60可以分別位于高出于襯 底22的上下表面28和30的標(biāo)高62之處。標(biāo)高62可以近似于保護(hù) 層44和聚合物層48的組合厚度。在一個(gè)實(shí)施方式中，通過利用絲網(wǎng) 印刷在過孔開口 52內(nèi)淀積導(dǎo)電骨以形成導(dǎo)電過孔56,導(dǎo)電膠例如可
以由《艮和銅的混合物制成。
然后，如圖8所示，對(duì)器件面板20實(shí)施加熱工藝。在一個(gè)實(shí)施 方式中，器件面板20被加熱至約100°C約30分鐘以將形成過孔開口 56的導(dǎo)電骨部分地固化或干燥。加熱工藝可以在加熱爐中進(jìn)行，如同 本領(lǐng)域所/>知的。
然后參照?qǐng)D9并結(jié)合圖8，從襯底22的上下表面28和30上的 保護(hù)層44上方去除聚合物層48。如圖9中所明確示出的，在去除聚 合物層48之后，導(dǎo)電過孔的上下端部58和60基本保持不變并形成 從襯底22的上下表面28和30上方的保護(hù)層44伸出的過孔突起64。
然后，對(duì)器件面板20實(shí)施研磨工藝，如圖10和11所示。研磨 通過使用研磨頭66進(jìn)行，研磨頭66 (或者拋光元件)旋轉(zhuǎn)并在器件 面板22上移動(dòng)，同時(shí)與保護(hù)層44接觸并按壓保護(hù)層44。研磨工藝可 以是化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，諸如干法CMP或者使用非水溶劑的濕 法CMP。如圖12中明確示出的，研磨頭66可以具有柔量 (compliance )，當(dāng)與將研磨頭66按壓在器件面板20上的力結(jié)合時(shí)， 該柔量使得研磨頭66的一部分68在當(dāng)研磨頭66在器件面板20上移 動(dòng)時(shí)突出進(jìn)入過孔開口 52中。如圖12所示，研磨頭66的突出部分 68將導(dǎo)電過孔50的端部向下研磨，使得該端部不會(huì)延伸出過保護(hù)層 44。在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電過孔56在研磨工藝過程中仍然是"濕，， 的。
如圖13所示，當(dāng)研磨工藝結(jié)束時(shí)，保護(hù)層44被去除。在保護(hù)層 44為水溶性的實(shí)施方式中，可以通過將襯底22的上下表面28和30 沖洗約10分鐘的方法來去除保護(hù)層44。圖14示出了研磨工藝結(jié)束且 保護(hù)層44被去除后的一個(gè)導(dǎo)電過孔56的上端部。如圖所示，由于圖 12所示的研磨頭66的伸出部分68的作用，對(duì)導(dǎo)電過孔56的上端部 58造成了"深拉(cupping)"效應(yīng)。這樣，如圖14所示，導(dǎo)電過孔 56的上端部58具有凹陷形狀，其底部位于襯底22的上表面下方的標(biāo) 高70處。標(biāo)高70可以位于上表面28的下方小于lOfim處。盡管未具 體示出，應(yīng)該可以理解導(dǎo)電過孔56的下端部60也會(huì)經(jīng)歷相似的效應(yīng)，
其下端部60的"底"部位于襯底22的下表面30的"上方"的標(biāo)高70處。 然后，如圖15所示，從微電子管芯24的器件表面38去除屏蔽 層40。在屏蔽層40由光刻膠制成的實(shí)施方式中，如所公知的，可以 利用N-甲基吡咯烷酮(NMP)溶液或者丙酮去除屏蔽層40。在一個(gè) 實(shí)施方式中，用NMP溶液對(duì)屏蔽層40沖洗約8分鐘并^f皮加熱至約 85。C。
然后，如圖16所示，器件面板20經(jīng)過最終加熱工藝以完成導(dǎo)電 過孔56的固化。在一個(gè)實(shí)施方式中，在約160。C的溫度下將器件面 板20力口熱約60分鐘。
在可以包括在襯底22的上下表面28和30上形成各種絕緣層和 用于將如圖2所示的接觸焊盤36電連接至如圖16所示的導(dǎo)電過孔56 的導(dǎo)電路徑的最終工序后，器件面板20可被切割成單個(gè)的封裝，每 個(gè)封裝分別搭載相應(yīng)的微電子管芯24或者多個(gè)管芯24，如圖1所示。 然后單個(gè)的封裝可以被安裝在各種的電子設(shè)備和/或計(jì)算系統(tǒng)中。
上述方法的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，由于保護(hù)層44的厚度降低、研磨頭 66的柔量以及在導(dǎo)電過孔僅部分固化時(shí)進(jìn)行研磨工藝，可以更為精確 地控制導(dǎo)電過孔的限制性的端部的平坦化。其結(jié)果，導(dǎo)電過孔相對(duì)于 襯底的上下表面的平坦度得到提高。這樣，使諸如在微電子管芯和導(dǎo) 電過孔之間形成導(dǎo)電路徑的后續(xù)工序變得容易。
其他實(shí)施方式可以使用不同的材料形成保護(hù)層，例如光刻膠。保 護(hù)層的厚度可以通過改變面板被浸入其中以形成保護(hù)層的流體的粘 度來改變?？梢酝ㄟ^例如將面板再次浸入半導(dǎo)體處理流體，在最初的 保護(hù)層上方形成第二保護(hù)層。可以改變保護(hù)層的厚度以及研磨頭的柔 量，以控制導(dǎo)電過孔的端部的深拉量。以此方式，可以對(duì)于不同的具 體應(yīng)用改變平坦化的精度。例如，如果保護(hù)層的厚度進(jìn)一步減小，可 以使用柔量更小的研磨頭。器件面板可以為不同的尺寸和形狀，諸如 邊長例3。為100~500mm的正方形。
本發(fā)明提供了一種構(gòu)造電子裝置的方法。提供具有相對(duì)的第一和 第二表面、且其中形成了集成電路的襯底。在襯底的第一表面上方形
成保護(hù)層。形成穿過保護(hù)層并進(jìn)入襯底的第一表面的過孔開口。在過 孔開口中形成導(dǎo)電過孔。導(dǎo)電過孔具有位于高出于襯底的第一表面的 第一標(biāo)高的端部。研磨導(dǎo)電過孔的端部，使得導(dǎo)電過孔的端部位于高 出于村底的第一表面的第二標(biāo)高處，所述第二標(biāo)高小于第一標(biāo)高。
保護(hù)層的厚度可以小于35jun。保護(hù)層的厚度可以為約5nm~ 20,。
研磨導(dǎo)電過孔的端部的步驟可以包括研磨保護(hù)層。研磨可以利用 具有柔量的研磨元件進(jìn)行，研磨元件可以在保護(hù)層之上施加力，柔量 和力使得研磨元件的一部分在研磨期間突出進(jìn)過孔開口內(nèi)。
導(dǎo)電過孔在研磨之前可以不完全固化。集成電路可以形成于嵌入 于襯底內(nèi)的微電子管芯中。微電子管芯可以具有標(biāo)高為高出于襯底的 第一表面的10nm之內(nèi)的器件表面。
在研磨之后，導(dǎo)電過孔的端部可以具有高出于襯底的第一表面的 10jun之內(nèi)的標(biāo)高。保護(hù)層可以是水溶性的。該方法還可以包括去除 保護(hù)層的步驟。該方法還可以包括將導(dǎo)電過孔固化的步驟。
本發(fā)明還提供了 一種構(gòu)造電子裝置的方法。提供具有上表面和下 表面、且其中嵌入了微電子管芯的襯底。在微電子管芯內(nèi)形成了集成 電路。在襯底的上表面上方形成保護(hù)層。保護(hù)層的厚度為5~2(Him。 形成穿過保護(hù)層并進(jìn)入襯底的上表面的多個(gè)過孔開口。每個(gè)過孔開口 具有深度。在過孔開口中形成多個(gè)導(dǎo)電過孔。每個(gè)導(dǎo)電過孔具有位于 高出于襯底的上表面的第 一標(biāo)高的端部。利用研磨元件研磨保護(hù)層和 導(dǎo)電過孔的端部，使得導(dǎo)電過孔的端部降低至小于第一標(biāo)高的第二標(biāo) 高處。研磨元件具有柔量，且研磨元件在保護(hù)層上施加力，使得研磨 元件的 一部分在研磨期間突出進(jìn)過孔開口中。
形成導(dǎo)電過孔的步驟可以包括在過孔開口內(nèi)淀積導(dǎo)電骨。導(dǎo)電骨 在研磨前可以不完全固化。
微電子管芯可以具有標(biāo)高在高出于襯底的上表面的lOjim之內(nèi) 的器件表面。每個(gè)導(dǎo)電過孔的第二標(biāo)高可以在高出于襯底的上表面的 l(Him之內(nèi)。保護(hù)層可以是水溶性的以及該方法還可以包括去除保護(hù)
層的步驟。
本發(fā)明還提供了 一種構(gòu)造微電子裝置的方法。提供具有上表面和 下表面、且其中嵌入了微電子管芯的襯底。微電子管芯具有器件表面。
器件表面具有高出襯底上表面10nm之內(nèi)的標(biāo)高。在襯底的上表面和 下表面之上形成保護(hù)層。保護(hù)層的厚度為5~20fim。形成穿過襯底的 上表面上的保護(hù)層、襯底、以及襯底的下表面上的保護(hù)層的多個(gè)過孔 開口。在多個(gè)過孔開口中淀積導(dǎo)電骨以在每個(gè)過孔開口內(nèi)形成導(dǎo)電過 孔。每個(gè)導(dǎo)電過孔的高度大于襯底的上表面上的保護(hù)層、襯底、襯底
伸出的相對(duì)的上下端部的組合厚度。利用拋光元件對(duì)襯底的上下表面 上方的保護(hù)層以及導(dǎo)電過孔的相對(duì)的端部進(jìn)行研磨。研磨元件具有柔 量并在保護(hù)層上施加力，使得拋光元件的一部分在研磨期間突出進(jìn)過 孔開口中，以將導(dǎo)電過孔的高度降低至小于襯底的上表面上的保護(hù) 層、襯底、襯底的下表面上的保護(hù)層的組合厚度，其中導(dǎo)電過孔的相 對(duì)的上下端部分別具有高出于相應(yīng)的襯底表面的lOjim以內(nèi)的標(biāo)高。 去除襯底的上下表面上的保護(hù)層。固化導(dǎo)電過孔。
固化所述導(dǎo)電過孔的步驟可以在所述研磨步驟后進(jìn)行?？梢栽诒?護(hù)層和導(dǎo)電過孔的端部的上方形成第二保護(hù)層。保護(hù)層和第二保護(hù)層 可以是水溶性的。研磨步驟可以利用非水溶劑進(jìn)行。
盡管在對(duì)本發(fā)明的上述說明中給出了至少一個(gè)實(shí)施方式示例，應(yīng) 該認(rèn)識(shí)到，存在各種變化。應(yīng)該可以理解示例實(shí)施方式僅為示例，并 不以任何方式限定本發(fā)明的范圍、適用性或者結(jié)構(gòu)。上述詳細(xì)說明會(huì) 為本領(lǐng)域技術(shù)人員提供實(shí)施本發(fā)明的示例實(shí)施方式的捷徑，可以理解 為，在不偏離由本發(fā)明所附的權(quán)利要求及其法律等價(jià)物所限定的范圍 的前提下，可以對(duì)元件的功能和配置進(jìn)行各種改變。
權(quán)利要求
1、一種構(gòu)造電子裝置的方法，包括以下步驟提供具有相對(duì)的第一和第二表面、且其中形成了集成電路的襯底；在所述襯底的第一表面上方形成保護(hù)層；形成穿過保護(hù)層并進(jìn)入所述襯底的第一表面的過孔開口；在所述過孔開口中形成導(dǎo)電過孔，所述導(dǎo)電過孔具有位于高出于所述襯底的第一表面的第一標(biāo)高的端部；研磨所述導(dǎo)電過孔的端部，使得所述導(dǎo)電過孔的端部位于高出于所述襯底的第一表面的第二標(biāo)高處，所述第二標(biāo)高小于所述第一標(biāo)高。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中， 所述保護(hù)層的厚度小于35fim。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中， 所述保護(hù)層的厚度為約5nm ~ 20jim。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中，研磨所述導(dǎo)電過孔的端部的步驟包括研磨保護(hù)層，所述研磨利用 具有柔量的研磨元件進(jìn)行，所述研磨元件在所述保護(hù)層之上施加力， 所述柔量和力使得研磨元件的一部分在研磨期間突出進(jìn)所述過孔開 口內(nèi)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中， 所述導(dǎo)電過孔在所述研磨之前不完全固化。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中，所述集成電路形成于嵌入于所迷襯底內(nèi)的微電子管芯中。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中，所述微電子管芯具有標(biāo)高為高出于所迷襯底的第一表面的lOfim 之內(nèi)的器件表面。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中，在所述研磨之后，所述導(dǎo)電過孔的端部具有高出于所述襯底的第一表面的10pm之內(nèi)的標(biāo)高。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中， 所述保護(hù)層是為水溶性的，以及 還包括去除保護(hù)層的步驟。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9的方法，還包括 將所述導(dǎo)電過孔固化的步驟。
11、 一種構(gòu)造電子裝置的方法，包括以下步驟 提供具有上表面和下表面、且其中嵌入了微電子管芯的襯底，在所述微電子管芯內(nèi)形成了集成電路；在所述襯底的上表面上方形成保護(hù)層，所述保護(hù)層的厚度為5 20,;形成穿過保護(hù)層并進(jìn)入所述襯底的上表面的多個(gè)過孔開口，每個(gè) 過孔開口具有深度；在所述過孔開口中形成所述多個(gè)導(dǎo)電過孔，每個(gè)導(dǎo)電過孔具有位于高出于所述襯底的上表面的第一標(biāo)高的端部；利用研磨元件研磨所述保護(hù)層和所述導(dǎo)電過孔的端部，使得所述 導(dǎo)電過孔的端部降低至小于第一標(biāo)高的第二標(biāo)高處，其中所述研磨元 件具有柔量，且所述研磨元件在所述保護(hù)層上施加力，使得所述研磨 元件的 一部分在研磨期間突出進(jìn)所述過孔開口中。
12、 根據(jù)權(quán)利要求ll的方法，其中，所述形成導(dǎo)電過孔的步驟包括在所述過孔開口內(nèi)淀積導(dǎo)電骨，其 中所述導(dǎo)電骨在所述研磨前不完全固化。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中，所述微電子管芯具有標(biāo)高在高出于所述襯底的上表面的10jim 之內(nèi)的器件表面。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中，每個(gè)導(dǎo)電過孔的第二標(biāo)高在高出于所述襯底的上表面的lOpm 之內(nèi)。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中， 所述保護(hù)層是水溶性的，以及 還包括去除所述保護(hù)層的步驟。
16、 一種構(gòu)造電子裝置的方法，包括以下步驟 提供具有上表面和下表面、且其中嵌入了微電子管芯的襯底，所述^t電子管芯具有器件表面，所述器件表面具有高出所述襯底上表面 10fim之內(nèi)的標(biāo)高；在所述襯底的上表面和下表面之上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層的厚 度為5 ~ 20拜；形成穿過所述襯底的上表面上的保護(hù)層、所述襯底、以及所述襯 底的下表面上的保護(hù)層的多個(gè)過孔開口；在所述多個(gè)過孔開口中淀積導(dǎo)電骨以在每個(gè)過孔開口內(nèi)形成導(dǎo) 電過孔，每個(gè)導(dǎo)電過孔的高度大于所述襯底的上表面上的保護(hù)層、所 述襯底、所述襯底的下表面上的保護(hù)層以及分別從所迷襯底的相應(yīng)的 上下表面上的保護(hù)層伸出的相對(duì)的上下端部的組合厚度；利用拋光元件對(duì)所述襯底的上下表面上方的保護(hù)層以及導(dǎo)電過 孔的相對(duì)的端部進(jìn)行研磨，所述研磨元件真有柔量并在所述保護(hù)層上 施加力，使得拋光元件的一部分在研磨期間突出進(jìn)所述過孔開口中， 以將導(dǎo)電過孔的高度降低至小于所述襯底的上表面上的保護(hù)層、所述 村底、所述襯底的下表面上的保護(hù)層的組合厚度，其中所述導(dǎo)電過孔 的相對(duì)的上下端部分別具有高出于相應(yīng)的襯底表面的lOjim以內(nèi)的標(biāo)高；去除所述襯底的上下表面上的所述保護(hù)層；以及 固化所述導(dǎo)電過孔。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中，所述固化所述導(dǎo)電過孔的步驟在所述研磨步驟后進(jìn)行。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17的方法，還包括在所述保護(hù)層和所述導(dǎo)電過孔的端部的上方形成第二保護(hù)層的步驟。
19、 根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中， 所述保護(hù)層和所述第二保護(hù)層是水溶性的。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中， 所述研磨步驟是利用非水溶劑進(jìn)行的。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種構(gòu)造電子裝置的方法。提供具有相對(duì)的第一(28)和第二(36)表面且其中形成了集成電路的襯底(22)。在該襯底的第一表面上形成保護(hù)層(44)。貫穿保護(hù)層直至襯底的第一表面中形成過孔開口(52)。在于過孔開口中形成導(dǎo)電過孔(50)。導(dǎo)電過孔具有高出于襯底的第一表面的第一標(biāo)高的端部。導(dǎo)電過孔的端部被研磨使得導(dǎo)電過孔的端部位于高出于襯底的第一表面的第二標(biāo)高處。第二標(biāo)高小于第一標(biāo)高。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101395699SQ200780007476
公開日2009年3月25日 申請(qǐng)日期2007年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月8日
發(fā)明者C·阿姆里尼, O·費(fèi) 申請(qǐng)人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司