專利名稱：能量調(diào)節(jié)裝置結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
0002本發(fā)明涉及電路的能量調(diào)節(jié)。

發(fā)明內(nèi)容
0003本發(fā)明的目的是提供電路的能量調(diào)節(jié)。
0004本發(fā)明提供一種能量調(diào)節(jié)裝置及其制造和使用方法。所述每一 個(gè)能量調(diào)節(jié)裝置包括A、 B、 G導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)。每一個(gè)A、 B和G導(dǎo)電 結(jié)構(gòu)分別具有一個(gè)或者多個(gè)A、 B和G層。A和B結(jié)構(gòu)的每一層具有至少一個(gè) 接片。G導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的每一層具有至少兩個(gè)接片。此(G導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的每一層的) 兩個(gè)接片或者相互位于能量調(diào)節(jié)裝置的同一側(cè)面上，或者相互位于能量調(diào)節(jié) 裝置的相對(duì)側(cè)面上。如果G導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的層的兩個(gè)接片相互位于能量調(diào)節(jié)裝置 的相對(duì)側(cè)面上，那么G層的這兩個(gè)接片的其中之一也位于能量調(diào)節(jié)裝置的與 A層的接片所在的同一側(cè)面上，G層的這兩個(gè)接片的其中另一個(gè)位于與B層 的接片所在的同一側(cè)面上。如果G導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的層的兩個(gè)接片相互位于能量調(diào) 節(jié)裝置的同一側(cè)面上，那么A層的接片和B層的接片二者位于能量調(diào)節(jié)裝置 的與G層的兩個(gè)接片相對(duì)的側(cè)面。在任一實(shí)施例中，A層的接片和B層的接 片之間的層的平面距離不超過G層的兩個(gè)接片之間的距離。優(yōu)選地，導(dǎo)電結(jié) 構(gòu)的層的主體為矩形。優(yōu)選地，所述A、 B和G接片從導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的層的主體 的相對(duì)較長(zhǎng)的一側(cè)延伸。
0005所述A、 B和G導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的每一個(gè)的接片部分導(dǎo)電性地連接到 同一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的層的接片部分。所述導(dǎo)電連接導(dǎo)致A導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的所有層形成 單一的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，對(duì)于B和G導(dǎo)電結(jié)構(gòu)也是這樣。在分立部件的實(shí)施例中， 所述接片的外圍末端連接到形成能量調(diào)節(jié)裝置的外表面的部分的導(dǎo)電材料。本發(fā)明人也構(gòu)思了集成部件實(shí)施例。集成部件實(shí)施例包括集成電路內(nèi)插器、 集成電路PC板和半導(dǎo)體集成電路。在所述集成實(shí)施例中，在由所述層限定
的平面內(nèi)進(jìn)一步延伸到其它電路的結(jié)構(gòu)中形成所述A、 B和G層，所述結(jié)構(gòu) 包括用于內(nèi)插器和PC斧反中的其它i殳備的其它觸頭(contact),還包括集成 電路中諸如二極管和晶體管的有源電路。在所述集成實(shí)施例中，包含導(dǎo)電材 料的通路使得A層之間互相電連接，B層之間互相電連接，G層之間互相電 連接。此外，在集成實(shí)施例中，A、 B和G導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在下述的分立實(shí)施例的接 片的位置連接到集成結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電路徑。也就是說，分立實(shí)施例的接片在集成 實(shí)施例中由引導(dǎo)A、 B和G電極的主體的層疊的導(dǎo)電路徑替代。為方便說明， 在以下說明書和權(quán)利要求書中的接片或者是指圖中所示接片，或者是指位于 所示和描述的接片位置的集成結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電路徑。
0006多個(gè)附圖示出標(biāo)以G、 A或者B的層。G層是指形成G導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 的部分的一個(gè)或者多個(gè)堆疊的層。A是指形成A導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的部分的一個(gè)或者 多個(gè)堆疊的層。B是指形成B導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的部分的一個(gè)或者多個(gè)堆疊的層。每 一結(jié)構(gòu)的層A、 B或者G對(duì)對(duì)齊，使得該結(jié)構(gòu)的層的接片的側(cè)面邊沿表面對(duì) 齊。該對(duì)齊使得沿著側(cè)面邊沿表面的導(dǎo)電材料可以接觸A、 B或者G每一導(dǎo) 電結(jié)構(gòu)的層的所對(duì)齊的側(cè)面邊沿表面，從而可以使得每一結(jié)構(gòu)僅有那些層互 相導(dǎo)電連接。
0007多個(gè)附圖示出A、 B和G層的層疊序列。本發(fā)明人構(gòu)思了在 單個(gè)器件中的層疊中重復(fù)這些序列集合。本發(fā)明人同樣構(gòu)思了在單個(gè)器件 中的層疊中重復(fù)這些序列集合，其中位于所述層疊的每一端上的一個(gè)、兩 個(gè)或者多個(gè)G導(dǎo)電層將層疊的內(nèi)部層夾在中間。發(fā)明人構(gòu)思了使用導(dǎo)電材 料導(dǎo)電性地連接到僅位于分立實(shí)施例的側(cè)面表面上的一個(gè)或者多個(gè)A、 B 或者G層的接片，該導(dǎo)電材料延伸到頂端和底部表面或者全部圍繞表面延 伸以形成封閉帶。
0008在一個(gè)方面，本發(fā)明提供能量調(diào)節(jié)裝置結(jié)構(gòu)及其制造和使用 方法，其中所述結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電層的序列，所述導(dǎo)電層包括第一A層、G層 和第一B層；其中所述第一A層、所述G層和第一B層都是導(dǎo)電性的， 并且在所述能量調(diào)節(jié)裝置結(jié)構(gòu)中互相導(dǎo)電隔離；其中所述第一 A層包括第 一 A層主體和第一 A層接片，所述第一 B層包括第一 B層主體和第一 B 層接片，所述G層包括G層主體和G層第一接片；其中，所述G層位于 包括所述第一A層的平面和包括所述第一B層的平面之間的平面中。其中，
所述第一 A層和所述第一 B層的至少一個(gè)的主體正對(duì)所述G層主體的部 分；其中，所述第一A層接片、所述第一B層接片和所述G層第一接片 的兩個(gè)位于所述能量調(diào)節(jié)裝置的第一側(cè)面，所述第一A層接片、所述第一 B層接片和所述G層第一接片的剩余一個(gè)位于所述能量調(diào)節(jié)裝置的第二側(cè) 面，所述第二側(cè)面正對(duì)所述第一側(cè)面，并且使用該結(jié)構(gòu)的方法包括將電能 施加到所述第一 A層、所述G層和所述第一 B層的其中之一。


圖1A為子組件1的頂;f見圖1B為子組件20的頂視圖2為包括子組件1和20的組件的頂一見圖3為組件或者結(jié)構(gòu)的序列導(dǎo)電層已經(jīng)在頁(yè)面的平面內(nèi)互相垂直移位的 頂視圖3A、 4A、 4B和5同樣為每一組件或者結(jié)構(gòu)的序列導(dǎo)電層已經(jīng)在頁(yè)面 的平面內(nèi)互相垂直移^f立的頂圖6為包括圖3-5所示的導(dǎo)電層的任意序列的能量調(diào)節(jié)裝置的外部透視
圖7、 7A、 8和8A同樣為每一組件或者結(jié)構(gòu)的序列導(dǎo)電層已經(jīng)在頁(yè)面的 平面內(nèi)互相垂直移^f立的頂一見圖9為包括圖7-8所示的導(dǎo)電層的任意序列的能量調(diào)節(jié)裝置的外部透視
圖10-15為包括此處公開的能量調(diào)節(jié)裝置的電路示意圖； 圖16-19同樣為每一組件或者結(jié)構(gòu)的序列導(dǎo)電層已經(jīng)在頁(yè)面的平面內(nèi)互 相垂直移位的頂一見圖。
具體實(shí)施例方式
0009圖1A示出包括介質(zhì)層3上的導(dǎo)電G層2的子組件1。為方 便起見，此處所示介質(zhì)層用于說明A、 B和G結(jié)構(gòu)的相鄰導(dǎo)電層的主體并 不和不同導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的層導(dǎo)電接觸。但是在通路中可以有導(dǎo)電材料，該通路 選擇性地導(dǎo)電連接A層到A層、B層到B層以及G層到G層。
0010導(dǎo)電G層2包括上接片4、下接片5和主體6。導(dǎo)電層上接 片4從主體6的導(dǎo)電層上側(cè)邊沿表面7延伸到導(dǎo)電層上接片上側(cè)邊沿表面10。導(dǎo)電層下接片5從主體6的導(dǎo)電層下側(cè)邊沿表面9延伸到導(dǎo)電層下接 片下側(cè)邊沿表面8。導(dǎo)電G層2位于介質(zhì)層3之上。介質(zhì)層3延伸到介質(zhì) 層上側(cè)面12、介質(zhì)層下側(cè)面13、介質(zhì)層左側(cè)面14和介質(zhì)層右側(cè)面15并 由它們限定。上接片4的上側(cè)邊沿表面IO和介質(zhì)層上側(cè)邊沿表面12的部 分對(duì)齊。下接片5的下側(cè)邊沿表面和介質(zhì)層下側(cè)邊沿表面13的部分對(duì)齊。 導(dǎo)電層上側(cè)邊沿表面7相對(duì)于介質(zhì)層上側(cè)邊沿表面12向內(nèi)縮進(jìn)。導(dǎo)電層 下側(cè)邊沿表面9相對(duì)于介質(zhì)層下側(cè)邊沿表面13向內(nèi)縮進(jìn)。導(dǎo)電層左側(cè)邊 沿表面IO相對(duì)于介質(zhì)層左側(cè)邊沿表面14向內(nèi)縮進(jìn)。導(dǎo)電層右側(cè)邊沿表面 11相對(duì)于介質(zhì)層右側(cè)邊沿表面15向內(nèi)縮進(jìn)。上接片4接近導(dǎo)電G層2的 左側(cè)。下接片5接近導(dǎo)電G層2的左側(cè)。
0011在集成實(shí)施例中，介質(zhì)層進(jìn)一步從集成結(jié)構(gòu)的層的主體區(qū)域 延伸，并且所述接片不必終止在所述介質(zhì)層的側(cè)面邊沿。例如，從A、 B 或G電極的接片的位置延伸的導(dǎo)電線可以終止于同一集成器件內(nèi)的有源 或者無源電路元件的輸入端。
0012圖1B示出包括位于介質(zhì)層22上的導(dǎo)電層21的子組件20。 導(dǎo)電層21表示A層或者B層。導(dǎo)電層21包括主體23和接片24。導(dǎo)電層 主體23包括上、左和右側(cè)邊沿表面(未編號(hào))以及下側(cè)邊沿表面9A，它 們相對(duì)于介質(zhì)層22的上、下、左和右側(cè)面向內(nèi)縮進(jìn)。接片24從導(dǎo)電層主 體23的左下側(cè)面延伸到接片側(cè)面邊沿表面25。導(dǎo)電層21 ^f又有一個(gè)接片。
0013圖1A和1B的介質(zhì)層具有同樣的尺寸和形狀，從而在層疊時(shí)， 介質(zhì)層的側(cè)面邊沿表面對(duì)齊。
0014圖2為包括子組件1和20的組件，示出介質(zhì)層的側(cè)面邊沿表 面的對(duì)齊，并且示出G和A或者B的導(dǎo)電層的主體的交迭。A或者B導(dǎo)電層 的主體23相對(duì)于G層的較大主體6向內(nèi)縮進(jìn)。如側(cè)面邊沿表面9、 9A所示， 在頁(yè)面的平面內(nèi)它們之間的水平距離限定了所縮進(jìn)的長(zhǎng)度。A和B層的任何 一個(gè)的主體的主要表面的表面區(qū)域小于G層主體的主要表面的表面區(qū)域。注 意，導(dǎo)電層主體23的上、下、左和右側(cè)表面(未編號(hào))相對(duì)于G層2的上 側(cè)邊沿表面7、下側(cè)邊沿表面9、左側(cè)邊沿表面IO和右側(cè)邊沿表面11分別 向內(nèi)縮進(jìn)。注意，接片24僅是A或者B層的一部分，其延伸超過G層的至 少一個(gè)側(cè)面邊沿表面，在此例中為延伸超過G層6的側(cè)面邊沿表面9。
0015在非優(yōu)選實(shí)施例中，G主體的尺寸等于或者小于A或者B主體 的尺寸。
0016圖2示出A或者B層的接片沒有交迭G層的接片，并且示出A 或者B層的接片延伸超過G層的側(cè)面邊沿表面。除非特別明確說明，圖2的 接片和邊沿對(duì)齊、僅與同一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的層交迭的不同A、 B或者G的接片以 及相對(duì)于G層的主體向內(nèi)縮進(jìn)的A或者B層的主體，用于表示以下所述的能 量調(diào)節(jié)裝置的導(dǎo)電層的層疊的對(duì)齊。
0017圖3示出能量調(diào)節(jié)裝置實(shí)施例300的按序列A、 G、 B的導(dǎo) 電層的層疊。在實(shí)施例300中，G導(dǎo)電層接片位于G導(dǎo)電層主體的左上側(cè) 和右下側(cè)。A和B導(dǎo)電層分別在A和B主體的右上側(cè)和左下側(cè)具有導(dǎo)電 接片。A、 B和G導(dǎo)電層的主體相對(duì)地在從左到右的方向上延伸。結(jié)果A 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的接片不和B或者G導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的接片交迭，并且B導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的 接片不和G導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的接片交迭。接片也不從左側(cè)或者右側(cè)延伸。在層疊 中，A和B導(dǎo)電層的主體相對(duì)于G導(dǎo)電層的主體向內(nèi)縮進(jìn)。
0018在可替換和非優(yōu)選實(shí)施例中，A、 B和G導(dǎo)電層的主體相對(duì) 地在頁(yè)面內(nèi)的由頂?shù)降追较蛏涎由?，使得?dǎo)電層的接片都位于能量調(diào)節(jié)裝 置的相對(duì)短的側(cè)面上。
0019圖3A示出能量調(diào)節(jié)裝置實(shí)施例300A的從頂?shù)降椎男蛄蠥、 G、 B、 G層疊的導(dǎo)電層的層疊。實(shí)施例300A具有如同實(shí)施例300的層A、 G、 B的同樣層疊，并且在B層之下還具有另一G層。兩個(gè)G層在層疊中 具有同樣的尺寸、形狀和方向。實(shí)施例300A表示能量調(diào)節(jié)裝置實(shí)施例中 的附加層的情況，本發(fā)明人也可以考慮使用其它序列，諸如A、 G、 B、 G、 A、 G、 B等等。此外，本發(fā)明人也可以考慮使用2個(gè)、3個(gè)或者更多的G 層代替一個(gè)、多個(gè)或者全部G層。
0020圖4A示出能量調(diào)節(jié)裝置實(shí)施例400A的導(dǎo)電層的層疊，該 導(dǎo)電層在同一平面內(nèi)具有A層和B層。 一個(gè)平面內(nèi)的A層的接片和另一 平面內(nèi)的A層的接片對(duì)齊。 一個(gè)平面內(nèi)的B層的接片和另一個(gè)平面內(nèi)的B 層的接片對(duì)齊。包含A和B層的每一平面^皮G層隔開。每一A層的主體 和層疊中的其它A層的主體交迭。每一 B層的主體和層疊中的其它B層 的主體交迭。在該層疊中，A層的主體不和任一B層的主體交迭。該能量 調(diào)節(jié)裝置的新穎特征是接片的布置的組合，其中，在一個(gè)側(cè)面具有兩個(gè)接 片、正對(duì)的側(cè)面具有兩個(gè)接片、同一平面中具有A和B層、并且A主體 僅和其它A主體交迭。
0021圖4B示出能量調(diào)節(jié)裝置400B的導(dǎo)電層。實(shí)施例400B包括
與實(shí)施例400A同樣的層以及還有層疊底部的第二 G導(dǎo)電層。與圖3A — 樣，圖4B示出發(fā)明人構(gòu)思在序列A、 G、 B、 G、 A、 G、 B等等之后的其 它附加層。
0022圖5示出能量調(diào)節(jié)裝置實(shí)施例500的序列G、 A、 G、 B、 G
的導(dǎo)電層的層疊。實(shí)施例500具有與實(shí)施例300同樣的A、 G、 B層的層 疊以及與實(shí)施例300A同樣的層疊A、 G、 B、 G。但還示出一個(gè)優(yōu)選特征， 在層疊的頂部和底部存在G層。
0023可替換地，在層疊的頂部和底部可以存在兩個(gè)或者多個(gè)G層。0024圖3、 3A、 4A、 4B和5的能量調(diào)節(jié)裝置實(shí)施例的新穎特征為兩 個(gè)G接片、A接片和B接片的布置，使得這些接片的兩個(gè)位于能量調(diào)節(jié)裝置 的一側(cè)，另兩個(gè)接片位于能量調(diào)節(jié)裝置的另一側(cè)，并且A接片和B接片之間 的距離小于或者等于兩個(gè)G接片之間的距離。
0025圖6示出與前述任一分立能量調(diào)節(jié)裝置實(shí)施例的A、 B和G結(jié) 構(gòu)導(dǎo)電接觸的外部布置600。在全部這些實(shí)施例中，相應(yīng)于外部布置600的 左上和右下側(cè)面上的G導(dǎo)電接觸，G導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有在層疊的左上和右下側(cè)產(chǎn) 生導(dǎo)電接觸的接片，并且能量調(diào)節(jié)裝置在頁(yè)面中的從左到右方向上相比于在 頁(yè)面中從頂?shù)降追较蛏陷^長(zhǎng)。同樣地，前述分立能量調(diào)節(jié)裝置實(shí)施例的A和 B層的接片導(dǎo)致外部右上側(cè)的A導(dǎo)電接觸和外部左下側(cè)的B導(dǎo)電接觸，如圖 6的頁(yè)面的平面中所示。優(yōu)選地，由應(yīng)用到接片暴露邊沿的材料形成導(dǎo)電接 觸，并且在足夠高的溫度加熱之后該材料形成導(dǎo)電材料，此為本領(lǐng)域公知的 常i只o
0026標(biāo)記601表示指示外部布置600的接觸的布置的可視標(biāo)記。標(biāo) 記601使得用戶了解哪一個(gè)接觸為A、 B和G接觸。如圖所示，標(biāo)記601位 于B和G接觸之間，指示右上側(cè)接觸為A接觸。介質(zhì)表面D形成外部布置600 的外表面部分。
0027圖7、 7A、 8、 8A、 16和17示出具有這樣的接片布置的能 量調(diào)節(jié)裝置的導(dǎo)電層G導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的層的兩個(gè)接片從導(dǎo)電層的層疊的一側(cè) 延伸，A和B導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的層的接片從正對(duì)具有G層接片的 一 側(cè)的層疊的一
側(cè)延伸。
0028圖9示出與A、 B和G結(jié)構(gòu)導(dǎo)電接觸的外部布置卯O的實(shí)施 例，其中兩個(gè)G導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于能量調(diào)節(jié)裝置的同一側(cè)。諸如圖7、 7A、 8、 8A、 16和17所示的實(shí)施例。在此布置中，標(biāo)記601指示哪一個(gè)導(dǎo)電接觸
為A、 B或者G。例如，標(biāo)記"B，，并且箭頭指向鄰4妄B4妄觸。關(guān)于圖16 和17, G和G，標(biāo)記601可以通過其位置或者標(biāo)號(hào)指示哪一個(gè)是G，哪一 個(gè)是G'。
0029圖16-19示出能量調(diào)節(jié)裝置的導(dǎo)電層，其中使用一對(duì)共面G 層(稱為G和G，層)代替在先實(shí)施例的單個(gè)G層。這些實(shí)施例可以包 括四個(gè)獨(dú)立導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，每一個(gè)和A、 B、 G和G，層的一個(gè)或者多個(gè)相關(guān)。 或者是，G、 G，、 A和B導(dǎo)電層的主體外部的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可將G和G，層互 相導(dǎo)電連接，如同分立實(shí)施例中的外部帶。
0030圖16和18同樣示出每一平面中存在單個(gè)A或者B層的實(shí)施 例。圖17和19示出存在共面A和B層的實(shí)施例。圖16和17示出的實(shí)施 例中，G和G，接片位于能量調(diào)節(jié)裝置的一側(cè)上，A和B電極的接片位于 能量調(diào)節(jié)裝置的相對(duì)一側(cè)上。圖19和圖20的實(shí)施例中，G或者G，接片 位于與A接片同一側(cè)，G和G，接片的另一個(gè)位于與B接片同一側(cè)，并且 G和G，接片彼此位于能量調(diào)節(jié)裝置正對(duì)側(cè)面上。
0031圖10-15示出包括前述任一能量調(diào)節(jié)裝置的電路的電路圖。 在圖10-15中，Gl和G2表示到兩個(gè)G導(dǎo)電結(jié)構(gòu)或者到G和G，導(dǎo)電結(jié) 構(gòu)的兩個(gè)導(dǎo)電4妄觸。A和B表示到A和B導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電接觸。Source (電源)、S、 Sl和S2表示電子能量的源。R表示從負(fù)載到源的回路。Load (負(fù)載)、L、 L1和L2表示電能負(fù)載。P表示系統(tǒng)地。箭頭指示從電源高 電壓端起始的導(dǎo)電通路方向。電路l-6分別指圖10-15中所示的電路和部 件。
0032在實(shí)現(xiàn)中，此處公開的能量調(diào)節(jié)裝置實(shí)施例包括在圖10-15 所示電路1-6的任-f可一個(gè)中，并且電力從一個(gè)或者多個(gè)源施加到一個(gè)或者 多個(gè)負(fù)載。能量調(diào)節(jié)裝置實(shí)際上限制大于DC頻率的電力傳輸進(jìn)出電路。
0033優(yōu)選地，A層的后移率(set back ratio )大于0.5，優(yōu)選地大 于l，更優(yōu)地大于5。后移距離(set back distance )被定義為在層的平面中
1、 1A、 2所示的邊沿表面9和9A之間的距離)，除以相鄰A和G層的表 面之間的最小距離。
0034存在于單個(gè)設(shè)備中的優(yōu)選層疊配置中，A和B導(dǎo)電層的數(shù)量和 為偶數(shù)，G導(dǎo)電層的數(shù)量和為奇數(shù)。
0035存在于單個(gè)設(shè)備中的優(yōu)選層疊配置中，A和B導(dǎo)電層的數(shù)量和
為偶數(shù)，G導(dǎo)電層的數(shù)量和為偶數(shù)。
0036存在于單個(gè)設(shè)備中的優(yōu)選層疊配置中，層疊中的所有導(dǎo)電層的 總數(shù)為奇數(shù)。
0037存在于單個(gè)設(shè)備中的優(yōu)選層疊配置中，其G導(dǎo)電層為單個(gè)設(shè)備 中的全部層疊的公共中心電極層，此層疊的中心G導(dǎo)電層一側(cè)上的A、 B和G 層的數(shù)量和為偶數(shù)。
0038存在于單個(gè)設(shè)備中的優(yōu)選層疊配置中，其A和B導(dǎo)電層的數(shù)量 為奇數(shù)和/或G導(dǎo)電層的數(shù)量為偶數(shù)。
0039存在于單個(gè)設(shè)備中的替代的層疊配置中，其G導(dǎo)電層為單個(gè)設(shè) 備中的全部層疊的公共中心電極層。在此層疊中，具有一個(gè)附加A、 B或者G 層中心G導(dǎo)電層的一側(cè)上的A、 B和G層的數(shù)量和大于在中心G導(dǎo)電層的相 對(duì)一側(cè)上的A、 B和G層的數(shù)量和。
0040存在于單個(gè)設(shè)備中的優(yōu)選層疊配置具有矩形形狀，其中，A、 B 和G導(dǎo)電層接片的所有外側(cè)邊沿位于此矩形設(shè)備的一對(duì)長(zhǎng)的、相對(duì)的一側(cè)(相 對(duì)于此矩形設(shè)備的一對(duì)短的、相對(duì)一側(cè))。
0041應(yīng)該注意到，標(biāo)記601代表用于指示外部布置600的接觸的 布置的任意類型的標(biāo)記。此標(biāo)記包括在用于讀取人視力范圍之外的標(biāo)記的 頻譜閱讀器(諸如紅外閱讀器等)下可視的標(biāo)記。
權(quán)利要求
1、一種能量調(diào)節(jié)裝置結(jié)構(gòu)，包括包括第一A層、G層和第一B層的導(dǎo)電層的序列；其中，所述第一A層、所述G層和所述第一B層每一個(gè)都導(dǎo)電，并且在所述能量調(diào)節(jié)裝置結(jié)構(gòu)中互相導(dǎo)電性隔離；其中，所述第一A層包括第一A層主體和第一A層接片，所述第一B層包括第一B層主體和第一B層接片，所述G層包括G層主體和G層第一接片；其中，所述G層位于包括所述第一A層的平面和包括所述第一B層的平面之間的平面中；其中，所述第一A層和所述第一B層的至少一個(gè)的主體正對(duì)所述G層主體的部分；其中，所述第一A層接片、所述第一B層接片和所述G層第一接片的兩個(gè)位于所述能量調(diào)節(jié)裝置的第一側(cè)面，所述第一A層接片、所述第一B層接片和所述G層第一接片的剩余一個(gè)位于所述能量調(diào)節(jié)裝置的第二側(cè)面，所述第二側(cè)面正對(duì)所述第一側(cè)面；其中，所述能量調(diào)節(jié)裝置結(jié)構(gòu)包括第四接片，并且所述第四接片為所述G層的任一部分，或者所述第四接片在所述能量調(diào)節(jié)裝置結(jié)構(gòu)中與所述第一A層、所述G層和所述第一B層導(dǎo)電性隔離；并且其中，所述第一A層接片和所述第一B層接片之間的距離小于或者等于所述G層第一接片和所述第四接片之間的距離。
2、 權(quán)利要求l的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一 A層和所述第一B層二者的 主體正對(duì)所述G層的主體部分，并且所述G層還包括G層第二接片，所 述G層第二接片為所述第四接片。
3、 權(quán)利要求2的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一A層接片、所述第一B層接 片、所述G層第一接片和所述G層第二接片中的兩個(gè)位于所述能量調(diào)節(jié) 裝置的第一側(cè)面，并且所述第一A層接片、所述第一B層接片、所述G 層第一接片和所述G層第二接片中的另外兩個(gè)位于所述能量調(diào)節(jié)裝置的 第二側(cè)面；并且所述第二側(cè)面正對(duì)所述第一側(cè)面。
4、 權(quán)利要求3的結(jié)構(gòu)，其中，所述G層第一接片和所述G層第二接 片二者都位于所述第一側(cè)面上。
5、 權(quán)利要求3的結(jié)構(gòu)，其中，所述G層第一接片位于所述第一側(cè)面 上，所述G層第二接片位于所述第二側(cè)面上。
6、 權(quán)利要求l的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一 A層主體和所述第一B層主 體交迭。
7、 權(quán)利要求l的結(jié)構(gòu)，還包括具有第二 A層主體和第二 A層接片 的第二 A層以及具有第二 B層主體和第二 B層接片的第二 B層；其中，所述第一 A層和所述第二B層相互位于同一平面內(nèi)； 其中，所述第一B層和所述第二 A層相互位于同一平面內(nèi)； 其中，所述第一 A層和所述第二 A層與所述第一 B層或者所述第二 B 層不交迭；其中，所述第一 A層接片和所述第二 A層接片互相對(duì)齊； 其中，所述第一B層接片和所述第二B層接片互相對(duì)齊。
8、 權(quán)利要求l的結(jié)構(gòu)，還包括 G，層；其中，所述G，層導(dǎo)電，并且在能量調(diào)節(jié)裝置中與所述第一 A層、所述第一B層和所述G層導(dǎo)電性隔離；其中，所述G，層包括G，主體部分和G，接片部分，并且所述G，接片部分是所述第四接片；其中，所述G，層位于與所述G層的同一平面中； 其中，所述第一 A層主體正對(duì)所述G層主體的部分； 其中，所述第一B層主體正對(duì)所述G，層主體的部分。
9、 權(quán)利要求8的結(jié)構(gòu)，其中，所述A層接片、所述B層接片、所述 G層接片和所述G，層接片中的兩個(gè)位于所述能量調(diào)節(jié)裝置的第 一側(cè)面上， 并且另外兩個(gè)位于所述能量調(diào)節(jié)裝置的第二側(cè)面上；并且所述第二側(cè)面正 對(duì)所述第一側(cè)面。
10、 權(quán)利要求9的結(jié)構(gòu)，其中，所述G層接片和所述G，層接片位于 所述能量調(diào)節(jié)裝置的第一側(cè)面上，所述A層接片和所述B層接片位于所述 能量調(diào)節(jié)裝置的第二側(cè)面上。
11、 權(quán)利要求9的結(jié)構(gòu)，其中，所述G層接片和所述A層接片位于 所述能量調(diào)節(jié)裝置的所述第一側(cè)面上，所述G，層接片和所述B層接片位 于所述能量調(diào)節(jié)裝置的所述第二側(cè)面上。
12、 權(quán)利要求8的結(jié)構(gòu)，還包括具有第二 A層主體和第二 A層接 片的第二 A層以及具有第二 B層主體和第二 B層接片的第二 B層； 其中，所述第一 A層和所述第二B層相互在同一平面內(nèi)； 其中，所述第一B層和所述第二 A層相互在同一平面內(nèi)； 其中，所述第一 A層和所述第二 A層與所述第一 B層或者所述第二 B 層不交迭；其中，所述第一 A層接片和所述第二 A層接片互相對(duì)齊； 其中，所述第一B層接片和所述第二B層接片互相對(duì)齊。
13、 權(quán)利要求l的結(jié)構(gòu)，還包括位于所述第一B層下方的第二G層。
14、 權(quán)利要求13的結(jié)構(gòu)，還包括位于所述第一 A層上方的第三G層。
15、 一種分立能量調(diào)節(jié)裝置，包括權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)。
16、 一種集成能量調(diào)節(jié)裝置，包括權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)。
17、 權(quán)利要求16的調(diào)節(jié)裝置，還包括包含導(dǎo)電材料的通路，將多個(gè)G 層互相連接。
18、 一種包括上述權(quán)利要求的結(jié)構(gòu)的能量調(diào)節(jié)裝置的電路，其中，所 述電路被配置為電路1到電路6配置的其中之一。
19、 一種制造能量調(diào)節(jié)裝置結(jié)構(gòu)的方法，包括 提供包括第一A層、G層和第一B層的導(dǎo)電層的序列；其中，所述第一A層、所述G層和所述第一B層每一個(gè)都導(dǎo)電，并且在 所述能量調(diào)節(jié)裝置結(jié)構(gòu)中互相導(dǎo)電性隔離；其中，所述第一A層包括第一A層主體和第一A層接片，所述第一B層 包括第一 B層主體和第一 B層接片，所述G層包括G層主體和G層第 一接片；其中，所述G層位于包括所述第一 A層的平面和包括所述第一 B層 的平面之間的平面中；其中，所述第一 A層和所述第一 B層的至少一個(gè)的主體正對(duì)所述G 層主體的部分；其中，所述第一A層接片、所述第一B層接片和所述G層第一接片 的兩個(gè)位于所述能量調(diào)節(jié)裝置的第一側(cè)面，所述第一A層接片、所述第一 B層接片和所述G層第 一接片的剩余一個(gè)位于所述能量調(diào)節(jié)裝置的第二側(cè) 面，所述第二側(cè)面正對(duì)所述第一側(cè)面。
20、 一種能量調(diào)節(jié)裝置結(jié)構(gòu)的使用方法，所述結(jié)構(gòu)包括 包括第一A層、G層和第一B層的導(dǎo)電層的序列；其中，所述第一A層、所述G層和所述第一B層每一個(gè)都導(dǎo)電，并且在 所述能量調(diào)節(jié)裝置結(jié)構(gòu)中互相導(dǎo)電性隔離； 其中，所述第一A層包括第一A層主體和第一A層接片，所述第一B層 包括第一 B層主體和第一 B層接片，所述G層包括G層主體和G層第一接片；其中，所述G層位于包括所述第一 A層的平面和包括所述第一 B層 的平面之間的平面中；其中，所述第一 A層和所述第一 B層的至少一個(gè)的主體正對(duì)所述G 層主體的部分；其中，所述第一A層接片、所述第一B層接片和所述G層第一接片 的兩個(gè)位于所述能量調(diào)節(jié)裝置的第一側(cè)面，所述第一A層接片、所述第一 B層接片和所述G層第一接片的剩余一個(gè)位于所述能量調(diào)節(jié)裝置的第二側(cè) 面，所述第二側(cè)面正對(duì)所述第一側(cè)面；所述方法包括供應(yīng)電能到所述第一 A層、所述G層和所述第一 B層 的其中之一。
21、 權(quán)利要求l的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一A層、所述第一B層和所述 G層的每一個(gè)具有至少一個(gè)主要表面；其中，所述至少一個(gè)主要表面的任一個(gè)具有表面區(qū)域；并且其中，所 述G層的所述至少一個(gè)主要表面的所述表面區(qū)域大于所述第一 A層的所 述至少一個(gè)主要表面或者所述第一 B層的所述至少一個(gè)主要表面的所述 表面區(qū)i或。
22、 權(quán)利要求3的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一A層主體、所述第一B層主 體和所述G層主體的每一個(gè)具有至少一個(gè)主要表面；其中，所述至少一個(gè)主要表面的任一個(gè)具有表面區(qū)域；并且 其中所述G層主體的所述至少一個(gè)主要表面的所述表面區(qū)域大于所述第一A層主體的所述至少一個(gè)主要表面或者所述第一B層主體的所述至少一個(gè)主要表面的所述表面區(qū)域。
23、 權(quán)利要求1的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一 A層和所述第一B層中夾心 所述G層。
24、 權(quán)利要求3的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一 A層主體和所述第一B層主 體夾心所述G層主體。
25、 權(quán)利要求23的結(jié)構(gòu)，其中，所述G層大于所述第一 A層或者所 述第一B層。
26、 權(quán)利要求24的結(jié)構(gòu)，其中，所述G層大于所述第一 A層或者所 述第一B層。
27、 權(quán)利要求1的結(jié)構(gòu)，其中，所述G層大于所述第一A層。
28、 權(quán)利要求3的結(jié)構(gòu)，其中,所述G層大于所述第一 B層。，
29、 權(quán)利要求23的結(jié)構(gòu)，其中，所述G層大于所述第一A層。
30、 權(quán)利要求24的結(jié)構(gòu)，其中，所述G層大于所述第一 B層。
31、 權(quán)利要求29的結(jié)構(gòu)，其中， 所述第一 A層在尺寸上與所述第一B層大體相同。
32、 權(quán)利要求30的結(jié)構(gòu)，其中， 所述第一 A層在尺寸上與所述第一B層大體相同。
33、 權(quán)利要求21的結(jié)構(gòu)，其中， 所述第一 A層在尺寸上與所述第一B層大體相同。
34、 權(quán)利要求22的結(jié)構(gòu)，其中， 所述第一 A層主體在尺寸上與所述第一B層主體大體相同。
全文摘要
本申請(qǐng)公開了一種能量調(diào)節(jié)裝置結(jié)構(gòu)及其制造和使用方法，其中，所述結(jié)構(gòu)包括具有第一A層、G層和第一B層的導(dǎo)電層的序列；其中，所述第一A層、所述G層和所述第一B層每一個(gè)都導(dǎo)電，并且在所述能量調(diào)節(jié)裝置結(jié)構(gòu)中互相導(dǎo)電性隔離；其中，所述第一A層包括第一A層主體和第一A層接片，所述第一B層包括第一B層主體和第一B層接片，所述G層包括G層主體和G層第一接片；其中，所述G層位于包括所述第一A層的平面和包括所述第一B層的平面之間的平面中；其中，所述第一A層和所述第一B層的至少一個(gè)的主體正對(duì)所述G層主體的部分；其中，所述第一A層接片、所述第一B層接片和所述G層第一接片的兩個(gè)位于所述能量調(diào)節(jié)裝置的第一側(cè)面，所述第一A層接片、所述第一B層接片和所述G層第一接片的剩余一個(gè)位于所述能量調(diào)節(jié)裝置的第二側(cè)面，所述第二側(cè)面正對(duì)所述第一側(cè)面；所述方法包括供應(yīng)電能到所述第一A層、所述G層和所述第一B層的其中之一。
文檔編號(hào)H01G4/35GK101395683SQ200780008125
公開日2009年3月25日 申請(qǐng)日期2007年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月7日
發(fā)明者D·J·安東尼 申請(qǐng)人:X2Y衰減器有限公司