專利名稱：：利用彎液面的蝕刻后晶片表面清潔的制作方法利用彎液面的蝕刻后晶片表面清潔
背景技術(shù)：
：半導體芯片加工是一個包括一系列協(xié)同的精確操作的復雜過程。眾所周知，在所述這些操作的不同步驟中，半導體基層(例如半導體晶片)的表面形成包含微粒、有機材料、金屬雜質(zhì)(例如銅、鋁、鈦、鴒等)和本征氧化物(例如二氧化硅)的殘留層污染。作為制造過程的結(jié)果所導致的晶片污染的一個例子可以從圖1A中看出，該圖顯示了運用在半導體晶片100上的等離子蝕刻過程。半導體晶片100位于等離子蝕刻腔內(nèi)。半導體晶片100的表面覆蓋光致抗蝕劑材料104,以阻止晶片表面的區(qū)域一皮蝕刻。蝕刻是一種公知的方法，用于從晶片表面去除材料以產(chǎn)生與集成電路(IC)設計一致的微細圖案。等離子體110被引導到半導體晶片IOO的表面以在晶片上啟動蝕刻。晶片表面未被光致抗蝕劑材料104保護的區(qū)域被等離子體110蝕刻以在半導體基層的氧化層中形成溝槽結(jié)構(gòu)。未被光致抗蝕劑材料104保護的區(qū)域顯示作為等離子蝕刻的結(jié)果，蝕刻材料102的羽狀物形成。所述羽狀物傾注蝕刻材料到晶片表面和被蝕刻的溝槽的側(cè)部。該材料然后能與晶片上的其4也污染物相互作用來形成污染膜(即蝕刻后殘余)。在等離子蝕刻后，光致抗蝕劑材一'+104通過稱為灰化的步驟被去除，從而剝?nèi)ゾ韺拥墓庵驴刮g劑材料。圖1B顯示了晶片表面上的污染物，作為等離子蝕刻后和完成灰化操作的結(jié)果。如圖1B所示，晶片具有各種污染材料120,包括蝕刻后殘余，剩余的光致抗蝕劑材料，濺射金屬以及金屬氧化物。這些污染物的去除是生產(chǎn)IC中的重大步驟，這是因為晶片表面的污染物引起IC缺陷從而導致IC可靠性的降低甚至失效。因此，從晶片表面去除污染物對于每個晶片所存在的裝置產(chǎn)生最高效益是非常必要的。專有的化學配方可用來去除蝕刻后殘余。然而，足額購買這些配方用于大規(guī)模晶片生產(chǎn)是昂貴的。另外，這些專有化學物通常要經(jīng)過幾分鐘才能有效去除晶片表面上的污染物。這一延誤會導致較低的晶片產(chǎn)出，從而增加在上下文提到的大規(guī)模晶片生產(chǎn)中使用這些配方的費用。過去也4吏用過非專有的清洗化學制品來清洗晶片。然而，保留在晶片表面上的污染物的數(shù)量仍然高得無法接受，除非對清潔晶片表面提供長加工時間。這同樣與達到高產(chǎn)能晶片生產(chǎn)的目的是相反的。因此如前所述，需要提供一種去除蝕刻后殘余化學物質(zhì)的方法，能及時有效清洗晶片的表面。
發(fā)明內(nèi)容寬泛地說，本發(fā)明提供了一種用以從晶片表面去除污染物的改進的清洗方法來滿足上述需要。應當意識到，本發(fā)明可通過多種手革爻實現(xiàn)，包括系統(tǒng)、裝置和方法。下面將描述本發(fā)明的幾個創(chuàng)新的實施方式。在一個方案中設計了一種清洗半導體晶片的方法。先提供包括多個源入口和多個源出口的接近頭。接著將接近頭設在靠近晶片表面處。將接近頭設在靠近晶片表面處之后，通過多個源入口將氧化劑溶液^是供到晶片表面。氧化劑溶液在晶片表面上的一種或多種污染物材沖十上形成氧化層。通過所述多個源出口將所述氧化劑溶液從晶片表面去除。然后，通過所述多個源入口4是供清洗;容液到晶片表面。該清洗溶液配置為能將晶片表面上的所述氧化層隨同一種或多種污染物材料充分去除。通過所述多個源出口將清洗溶液乂人7晶片表面去除。在另一個方案中的清洗半導體晶片的方法，先提供用于去除晶片表面上的一種或多種污染物材料的第一清洗溶液到晶片表面。從晶片表面去除所述第一清洗溶液隨同一種或多種污染物材料的至少一部分。接下來，提供氧化劑溶液到晶片表面。氧化劑溶液在殘留污染物材料上形成氧化層。氧化劑溶液再,人晶片表面去除掉。接著，提供第二清洗溶液到晶片表面。所述第二清洗溶液配置為能充分去除氧化層與殘留污染物材料。將第二清洗溶液從晶片表面去除。在另一個方案中設計了另一種清洗半導體晶片的方法。4是供包括多個源入口和多個源出口的4妾近頭。將4妻近頭i殳在靠近晶片表面處。接著，通過所述多個源入口提供用以去除晶片表面上的一種或多種污染物材料的第一清洗溶液到晶片表面。通過所述多個源出口將所述第一清洗溶液隨同所述一種或多種污染物材料的至少一部分去除。然后，通過所述多個源入口將氧化劑溶液提供到晶片表面。氧化劑溶液在殘留污染物材料上形成氧化層。氧化劑溶液通過多個源入口#皮去除沖卓。通過所述多個源入口4尋第二清洗;容'液才是供到晶片。該第二清洗溶液配置為能將晶片表面上的所述氧化層隨同殘留的污染物材料充分去除。通過所述多個源出口將第二清洗溶液/人晶片表面去除。下面將通過實施例并結(jié)合附圖來幫助理解本發(fā)明。附圖中采用同樣的標號表示同樣的結(jié)構(gòu)。圖IA顯示了半導體晶片上的半導體等離子蝕刻加工過程。圖IB描繪了典型的等離子蝕刻程序完成后殘留在半導體晶片上的污染物。圖2A描繪了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的將清洗溶液加到晶片的4妄近頭。圖2B顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的將氧化劑溶液加到晶片的接近頭。圖2C顯示了才艮據(jù)本發(fā)明的一個實施例的將第二清洗溶液加到晶片的接近頭。圖3A描繪了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有兩工位晶片表面清洗操作的晶片清洗站。圖3B描繪了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有三工位晶片清洗操作的晶片清洗站。圖4描繪了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的帶有相關(guān)群配件的多室、自動化晶片清洗站。圖5A是采用根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的氧化劑和清洗溶液的晶片清洗過程的流程圖。圖5B采用才艮據(jù)本發(fā)明的一個實施例的第一清洗溶液、氧化劑和第二清洗溶液的晶片清洗過程的流程圖。具體實施例方式以下將要描述本發(fā)明的用于清洗半導體基層表面的裝置、系統(tǒng)和方法。顯然對于本領(lǐng)域的人員來說，沒有部分或者全部9這些特定的詳述也可以實施本發(fā)明。在其他例子中，7>知的力口工過程沒有詳細描述，這是為了突出本發(fā)明的實質(zhì)特征。任何石圭基材料可以用來制造半導體基層。在一個示例中，基層是半導體晶片，也就是半導體材料的薄片，例如硅晶體，通過擴散和沉積各種材料在所述半導體晶片上來構(gòu)建微電路。在本文中，術(shù)語半導體基層和半導體晶片可以互換使用。這里的實施例所揭示的本質(zhì)上是半導體基層清洗方法，該方法與接近頭或其他設備的專用配置一起^f吏用來經(jīng)濟有步文率地^人基層的表面去除污染物?！猑l而言，在晶片被蝕刻后或者其他制造過程污染后，向晶片提供一種氧化劑溶液。選擇的氧化劑溶液使得形成于晶片表面上的氧化層捕獲位于晶片表面上和布圖結(jié)構(gòu)中的污染物。一旦氧化層形成，可通過纟是供清洗溶液來去除該氧化層。由此該氧化層結(jié)構(gòu)給清洗溶液提供了一種協(xié)同清洗機構(gòu)來從晶片表面去除污染物。然后可以選4奪合適的氧化劑和清洗溶液以4吏得氧化劑和清洗溶液的化合物協(xié)同工作來從晶片表面去除污染物。只要知道晶片表面的污染物材料，就能容易地確定特定氧化劑和清洗溶液的選^%。實際經(jīng)驗已經(jīng)顯示，會出現(xiàn)初始氧化層結(jié)構(gòu):故污染物材料抑制的情況。一旦遭遇該情況，就有必要使用高達5%重量百分比濃度的氧化劑并經(jīng)歷長達幾分鐘的處理時間。由于氧化劑溶液相對昂貴，使用私有清洗配方或單獨使用清洗溶劑的初始問題的存在使得該問題無法接受?，F(xiàn)在要討論這兩種操作清洗加工的改進。通過在提供氧化劑溶液之前使用初始清洗步驟，可獲得在兩個運4于清洗處理上的改進。在第一清洗〉容液一是供到晶片表面后，第一清洗溶液就攜帶抑制氧化層生長的污染物被去除。氧化劑溶液然后被提供到晶片表面使氧化層形成。通常，初始清洗處理去除將會抑制氧化層結(jié)構(gòu)的污染物。該清洗方法然后采用如上所述的相同的氧化劑和清洗〉容液處理。^^得該處理能適于大規(guī)j才莫晶片制造經(jīng)歷的時間要殺豆。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例中所采用的典型氧化劑的示例列于表1中。過fU匕氬，纟容角罕于7JC中的臭氧，以及》肖酸作為可應用于本發(fā)明中的典型的氧化劑示例列出。額外的氧化劑可以容易地選擇和制作來形成晶片表面上污染物材料之上的氧化層。應當指出，這些化學品可以批量和適當純度荻得以用于大規(guī)模晶片制造。另外采用將在下面探討的現(xiàn)有加工裝備技術(shù)，列于表l中的氧化劑能用于水溶液中。表l:l喿作濃度的氧化劑溶液示例<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>根據(jù)本發(fā)明的一個實施例中采用的酸性清洗溶液示例清單列在表2中。列出的氫氟酸，乙酸，確S臾和石克S吏，草酸^f義作為本發(fā)明所采用的典型酸性清洗溶液的示例。其他清洗溶液也可以根據(jù)晶片表面上要溶解的氧化劑和污染物材料的特性來選擇。示例的酸性;容液應當具有小于7的pfKi。雖然表2的示例是酸性清洗溶液，合適的石咸性清洗溶液也可4吏用于本發(fā)明，其要么作為與氧化劑溶液一起^吏用的唯一清洗溶液，要么與先前或后續(xù)清洗步驟4吏用的酸性清洗溶液結(jié)合。石咸性清洗溶液的例子包括ST250和ST255(由ATMI股4分有限7>司制造的商業(yè)清洗配方)，以及Rezi-38(MallinckrodtBaker股4分有限/>司的J.T.Baker制造的商業(yè)清洗配方)。因此石成性溶'液是PH4直大于7或者^咸性的溶液。需要指出，這些特定配方基于氨，且在晶片表面上的銅基污染物的清洗中很好的起反應。制造者推薦的濃度與1秒-120秒范圍內(nèi)的處理時間一起使用，以獲得有效的清洗效果。返回到表2，列出的清洗溶液均具有可以批量和適當純度獲得以用于大規(guī)4莫晶片制造的益處。這些清洗〉容液也可以在使用現(xiàn)有晶片清洗技術(shù)的水溶液中傳輸。表2:操作濃度的清洗溶液的示例<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>分比50%分比0.01%分比5%2-10秒硫酸重量百分比50%重量百分比0.01%重量百分比5%重量百分比5%0.1-60移、優(yōu)選2-10秒草酸重量百分比50%重量百分比0.01%重量百分比5%重量百分比5%0.1-60秒，優(yōu)選2-10秒使用上述所列清洗溶液和氧化劑的晶片清洗4支術(shù)的例子是由本發(fā)明的受讓人LamResearch研制出來的接近頭。圖2A描述了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例中將清洗溶液用于晶片210的接近頭200。接近頭200具有設為靠近晶片210頂表面和底表面的上部和下部。連4姿到接近頭200的是入口202和出口204。入口202和出口204與位于接近頭內(nèi)部的內(nèi)管流體連接。內(nèi)管依次通向4妻近頭表面上的多個源入口和多個源出口，^妄近頭靠近晶片表面。這些入口和出口i殳置為傳輸和去除流體，由此在晶片表面和4妾近頭表面之間的間隙中形成彎液面。這表現(xiàn)為形成于晶片210頂表面和底表面和接近頭200之間的彎液面206。圖2A顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的提供到晶片210的清洗溶液。接近頭可相對晶片表面移動，這樣晶片210的整個表面可用清洗溶液處理。對于熟知本領(lǐng)域的才支術(shù)人員來說，顯然也可以用晶片移動代替接近頭的移動從而使得整個晶片表面能用清洗溶液處理。同樣，圖2B顯示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例提供到晶片的氧化劑溶液。傳送和去除氧化劑溶液到晶片表面采用4妄近頭。圖2C例舉了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例所提供的清洗溶液。應當理解，圖2A的入口和出口也出現(xiàn)在圖2B和圖2C中，^旦為了方1"更沒有顯示。13圖3A和圖3B描繪了采用接近頭的晶片清洗寺支術(shù)的進一步的實施例。圖3A描繪了才艮據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有兩工位晶片表面清洗:操作的晶片清洗站。在清洗位置300,通過采用接近頭，氧化劑溶液同時提供到品片表面并從晶片表面一皮去除。在氧化層形成于晶片表面之后，晶片一皮移到清洗^立置302，此處第二4妄近頭同時一是供并去除清洗溶液。應當理解，4妻近頭所去除的清洗溶液中包括溶解的氧化層和污染物。晶片在清洗位置302^皮清洗后，移轉(zhuǎn)到下一步力C7工過;f呈。圖3B描《會了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有三工位晶片表面清洗操作的晶片清洗站。在清洗位置310,初始清洗步驟采用接近頭來傳送和去除清洗溶液。被接近頭去除的清洗溶液是臟的，含有被本發(fā)明的清洗溶液從晶片表面溶解或散開的污染物。晶片然后一皮移到清洗位置312,此處第二接近頭提供并去除氧化劑溶液。經(jīng)過足夠的時間讓氧化層形成后，晶片被移到清洗位置314。在清洗位置314，第三4妄近頭提供清洗溶液到晶片。晶片在清洗位置314^皮清洗后，可移轉(zhuǎn)到下一步加工過程。應當理角年，圖3A和圖3B所描繪的并非清洗站的唯一可能配置。其他采用物理清洗和超聲清洗裝置的配置也是可以的。圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的制造單元400,其包括帶有相連的群配件420的多腔室、自動化晶片清洗位置410。清洗位置410包含中心腔室和該中心腔室外圍的多個腔室，中心腔室包含晶片轉(zhuǎn)移機械手419。加載鎖422將清洗位置410連接到群配件420,群配件420包含中心腔室和該中心腔室外圍的多個腔室，中心腔室包含晶片轉(zhuǎn)移機器人425。連接到群配件420的中心腔室的多個腔室專門用于晶片處理工作。例如，腔室424采用等離子加工在晶片表面上的溝槽進行等離子蝕刻。如果需要，晶片在群配件420中完成一個或多個處理工作后，晶片轉(zhuǎn)移機器人425將轉(zhuǎn)移被污染的14晶片使其在清洗位置410被清洗。晶片穿過加載鎖422，并根據(jù)是采用兩工位表面清洗處理還是三工位表面清洗處理，由晶片轉(zhuǎn)移才幾器人419將晶片傳送到清洗腔或氧化腔。晶片轉(zhuǎn)移才幾器人419將完成清洗的晶片傳送到晶片存儲單元418，在此晶片可被人工或自動傳送到下一個制造工序。應當理解，圖4僅舉例i兌明了制造單元的一個可4亍配置，其他組合與本發(fā)明的工序一致。圖5A是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例釆用氧化劑和清洗溶液的晶片清洗過程的流程圖。在步驟500中，氧化劑:容液采用4妻近頭提供給晶片表面。由于該接近頭的構(gòu)造，氧化劑溶液將同時提供到晶片表面和從晶片表面去除。當步驟500經(jīng)歷足夠的時間使得氧化層形成于晶片表面上，開始步驟502。此處完成可選4奪的去離子水沖洗過程。該可選步驟可提供后續(xù)步驟的更有效的處理。在步-驟502,采用4妄近頭將清洗溶液提供到晶片表面并將清洗溶液隨同污染物從晶片表面去除。由于該接近頭的構(gòu)造，所述提供和去除行為同時發(fā)生。清洗溶液既可以是石咸性液也可以是酸性液體，這依據(jù)所選的氧化劑和存在于晶片上的污染物的種類。圖5B是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例采用第一清洗溶液，氧化劑和第二清洗溶液的清洗過程的流程圖。在步驟510中，清洗;容液提供到晶片表面。清洗溶液既可以是堿性液也可以是酸性液體，這依據(jù)存在于晶片上的污染物的種類。在步驟512中，清洗溶液隨同污染物從晶片表面去除。然后氧化劑溶液提供到晶片表面。優(yōu)選地，氧化劑溶液是如表l所示的稀釋溶液。一旦經(jīng)歷足夠的時間使得氧化層形成于晶片表面，氧化劑溶液在步-驟516中/人晶片表面去除。步驟516完成后，第二清洗溶液在步驟518中被提供。應當理解，該清洗溶液可以與步驟510中使用的清洗溶液相同或者不同。只要一種清洗溶液將^皮用來清洗晶片表面，不同濃度級別的清洗;容液可用在步驟510和518中。清洗溶液在步驟518中4皮提供后，步驟520通過乂人晶片表面去除清洗;容液和污染物來完成清洗過,呈。有關(guān)4妄近頭的進一步的情況，可以參考2003年9月9曰7>布的名稱為"晶片近接清洗和烘干的方法"的6，616，772號美國專利中描述的4妄近頭。該美國專利申#1轉(zhuǎn)讓纟會LamResearchCorporatkm，也就是本發(fā)明的受讓人，在此結(jié)合參考該申請。有關(guān)上部和下部彎液面的情況，可以參考2002年12月24日申請的名稱為"彎液面、真空、異丙醇氣體、干燥歧管"的10/330,843號美國專利申請所揭示的示例性彎液面。該美國專利申^i皮4爭it纟合LamResearchCorporation,也才尤是本發(fā)明的受it人，在it匕結(jié)合參考該申請。這里雖然描述了本發(fā)明的一些實施例，應當理解，對于熟知本領(lǐng)域技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的原則或范圍的情況下，還可以表現(xiàn)為多種其他特定形式。因此，本發(fā)明的例子和實施方式被理解為說明性的而非限制性的，本發(fā)明不以這里提供的具體方式為限，但可以在附加的權(quán)利要求的范圍內(nèi)變化和實行。另外，這里的方法權(quán)利要求中揭示的操作步驟并沒有任何預定的順序，可以任何適應于特定應用的順序?qū)?亍。權(quán)利要求1.一種清洗半導體晶片的方法，包括提供包括多個源入口和多個源出口的接近頭；將接近頭設在靠近晶片表面處；通過所述多個源入口將氧化劑溶液提供到晶片表面，所述氧化劑溶液在晶片表面上的一種或多種污染物材料上形成氧化層；通過所述多個源出口將氧化劑溶液從晶片表面去除；實施去離子水沖洗作業(yè)；通過所述多個源入口將清洗溶液提供到晶片表面；以及通過所述多個源出口將清洗溶液從晶片表面去除，該清洗溶液限定為能將晶片表面上的所述氧化層隨同一種或多種污染物材料充分去除。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化劑溶液是濃度范圍為大約0.01%至大約30%重量百分比的過氧化氫。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化劑溶液是溶解于水的臭氧，所述臭氧的濃度范圍為百萬分之一至4:包和。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化劑溶液是硝酸，其濃度范圍為大約5%至大約90%重量百分比。5.如沖又利要求1所述的方法，其特^正在于，所述清洗:容液是以下至少一種濃度范圍為大約0.01%至49%重量百分比的氫氟酸或者濃度范圍為大約0.01%至大約50%重量百分比的乙酸，石克酸和草酸。6.—種清洗半導體晶片的方法，包括提供用以去除晶片表面上的一種或多種污染物材料的第一清洗〉容液到晶片表面；將所述第一清洗溶液隨同所述一種或多種污染物材料的至少一部分去除；提供氧化劑溶液到晶片表面，該氧化劑溶液在殘留的污染物材料上形成氧化層；/人晶片表面去除所述氧化劑溶液；將第二清洗溶液提供到晶片表面；以及將所述第二清洗溶液從晶片表面去除，該第二清洗溶液配置為能將晶片表面上的所述氧化層隨同殘留污染物材料充分去除。7.如權(quán)利要求6所述的方法，進一步包括在將氧化劑溶液從晶片表面去除之后以及在將第二清洗溶液提供到晶片表面之前，實行去離子水沖洗作業(yè)。8.如一又利要求6所述的方法，其特4正在于，所述氧^i劑溶液是濃度范圍為大約0.01%至大約30%重量百分比的過氧化氫。9.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述氧化劑溶液是溶解于水的臭氧，所述臭氧的濃度范圍為百萬分之一至飽和。10.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述氧化劑溶液是硝酸，其濃度范圍為大約5%至大約90%重量百分比。11.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一清洗溶液和第二清洗溶液均是以下至少一種濃度范圍為大約0.01%至49%重量百分比的氫氟酸或者濃度范圍為大約0.01%至大約50%重量百分比的乙酸，硫酸和草酸。12.如斥又利要求6所述的方法，其特;f正在于，所述第一清洗〉容液是酸性溶液，所述第二清洗溶液是石咸性溶液。13.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一清洗溶液是堿性溶液，所述第二清洗溶液是酸性溶液。14.一種清洗半導體晶片的方法，包括4是供包4舌多個源入口和多個源出口的4妾近頭；將接近頭設在靠近晶片表面處；通過所述多個源入口才是供用以去除晶片表面上的一種或多種污染物材料的第一清洗溶液到晶片表面；通過所述多個源出口^!尋所述第一清洗:容液隨同所述一種或多種污染物材料的至少一部分去除；在將所述第一清洗溶液隨同所述一種或多種污染物材料的至少一部分從晶片表面去除之后，實施去離子水沖洗作業(yè)；通過所述多個源入口提供氧化劑溶液到晶片表面，該氧化劑溶液在殘留的污染物材津+上形成氧化層；通過所述多個源出口/人晶片表面去除所述氧化劑溶液；在/人晶片表面去除氧化劑溶液后施加去離子水；通過所述多個源入口將第二清洗溶液才是供到晶片表面；以及通過所述多個源出口將第二清洗溶液從晶片表面去除，該第二清洗溶液配置為能將晶片表面上的所述氧化層隨同殘留的污染物材^r+充分去除。15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述氧化劑溶液是濃度范圍為大約0.01%至大約30%重量百分比的過氧化氫。16.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述氧化劑溶液是溶解于水的臭氧，所述臭氧的濃度范圍為百萬分之一至飽和。17.如纟又利要求14所述的方法，其特征在于，所述IUb劑〉容液是硝酸，其濃度范圍為大約5%至大約90%重量百分比。18.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一清洗溶液和第二清洗溶液均是以下至少一種濃度范圍為大約0.01%至50%重量百分比的氫氟酸，乙酸，好u酸和草酸。19.如纟又利要求14所述的方法，其特4正在于，所述第一清洗;容'液是酸性纟容液，所述第二清洗卩容液是石咸性:容液。20.如一又利要求14所述的方法，其特;[正在于，所述第一清洗;容液是堿性溶液，所述第二清洗溶液是酸性溶液。全文摘要本發(fā)明揭示了一種半導體晶片表面清洗方法。提供用于去除晶片表面上的污染物的第一清洗溶液到晶片表面。去除晶片表面上的所述第一清洗溶液和一些污染物。接下來，提供氧化劑溶液到晶片表面。氧化劑溶液在殘留污染物材料上形成氧化層。氧化劑溶液再從晶片表面去除掉，接著，提供第二清洗溶液到晶片表面。第二清洗溶液從晶片表面去除。所述第二清洗溶液配置為能充分去除氧化層與殘留污染物。文檔編號H01L21/00GK101479831SQ200780024615公開日2009年7月8日申請日期2007年6月28日優(yōu)先權(quán)日2006年6月28日發(fā)明者尹秀敏,吉朱,約翰·M·德拉里奧斯,馬克·威爾科克森申請人:朗姆研究公司