專利名稱：：半導(dǎo)體器件及用于制造具有改善的散熱能力的半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明的各個(gè)方面總體上涉及一種半導(dǎo)體器件及用于制造半導(dǎo)體器件的方法，且更具體地講，涉及一種封裝在具有減小的厚度的外殼中的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
：諸如整流器的半導(dǎo)體器件的效率降低的主要原因是在正常操作期間不充分的冷卻。減輕該問(wèn)題的兩個(gè)方式包括使用熱沉以及減少密封半導(dǎo)體器件的外殼的壁厚。圖la和lb分別是由VishayIntertechnology，Inc.制造的內(nèi)部具有四個(gè)半導(dǎo)體管芯(未示出)的VishaySemiconductor牌單相內(nèi)橋式整流器器件(singlephaseinlinebridgerectifierdevice)10的透視圖和側(cè)視圖。器件10經(jīng)由引線14可通孔安裝，并且包含外部環(huán)氧樹(shù)脂外殼12，該外部環(huán)氧樹(shù)脂外殼12在器件10的操作期間保護(hù)半導(dǎo)體管芯，由半導(dǎo)體管芯產(chǎn)生的熱通過(guò)引線14和外殼12傳遞。圖IB是器件10的側(cè)視圖，示出將器件IO安裝到基板11(例如，電路板)的通孔安裝(through-holemounting),并且還示出熱沉(諸如帶散熱片的鋁板)如何可以用于提高外殼12的散熱性能-由外殼12內(nèi)的管芯產(chǎn)生的熱經(jīng)由引線M傳遞到基板11并且通過(guò)外殼12傳遞到熱沉13和/或周圍環(huán)境。使用諸如自然對(duì)流或空氣強(qiáng)制對(duì)流的冷卻技術(shù)來(lái)冷卻器件10、基板11以及熱沉13。然而，環(huán)氧樹(shù)脂外殼12的熱傳導(dǎo)率比熱沉13的熱傳導(dǎo)率小得多，這往往導(dǎo)致器件10具有差的散熱性能。不幸地，外殼12對(duì)于保護(hù)半導(dǎo)體器件防止?jié)駳庖约把b配工藝及其他環(huán)境污染物是必需的。通常通過(guò)將半導(dǎo)體器件密封到通過(guò)傳遞模塑工藝施加的諸如熱固性塑料的模塑化合物中來(lái)形成外殼12。在用于半導(dǎo)體工業(yè)的典型傳遞模塑機(jī)中，安裝在引線框架上的薄的電子工件被夾在分開(kāi)的塑模的兩個(gè)一半之間。塑模以充分的間隙限定圍繞器件的塑模腔，以允許模塑化合物被注入并且在器件周圍流動(dòng)從而密封器件。在模塑工藝期間，模塑化合物被注入到進(jìn)口中并且塑模內(nèi)部的空氣從出口逸出?；钊麑⒁夯哪Ｋ芑衔矧?qū)使到塑模腔中。模塑化合物被允許固化并且塑模被打開(kāi)，從而釋放密封的半導(dǎo)體器件。如前所述，為增加散熱，器件制造商意欲減少封閉每個(gè)器件的模塑化合物的密封層的厚度。較薄的密封層還有助于改善器件性能或關(guān)于對(duì)熱應(yīng)力下的涂層損壞的抵抗力和其他參數(shù)的可靠性。期望較薄的密封層的另一原因是，一般而言，相對(duì)于較大的器件，更期望較小的半導(dǎo)體器件。然而，因?yàn)樵趦?nèi)部塑模表面與電子工件之間的距離被減小，所以變得更加難以獲得圍繞整個(gè)器件的高質(zhì)量無(wú)空隙的密封劑。為獲得無(wú)空隙的密封，在模塑化合物流動(dòng)前沿到達(dá)塑模排放口之前，液化的模塑化合物必須進(jìn)入塑模進(jìn)口并且完全填充塑模腔中的空間。如果在完全地填充塑模之前模塑化合物到達(dá)排放口，則氣泡被陷入在塑模中，從而產(chǎn)生空隙。為完全地填充塑模腔，模塑化合物必須在上塑模表面與器件的上表面之間、在下塑模表面與器件的下表面之間流動(dòng)，并且流入到圍繞器件的外周長(zhǎng)的空間中。然而，因?yàn)樵谏纤苣１砻婧拖滤苣１砻嬷g的距離被減小以致于使得密封涂層更薄，所以模塑化合物變得更加難以穿透這些區(qū)域。如果該距離被減小得太多，則在模塑化合物流動(dòng)前沿排出器件上和下的空間中的空氣之前，模塑化合物將在器件的外周長(zhǎng)周圍流動(dòng)。因?yàn)樵谄骷闹行臄D壓有氣泡，所以結(jié)果是密封材料中有空隙。結(jié)果，具有常規(guī)裝置的半導(dǎo)體器件的傳遞模塑要求從內(nèi)部塑模表面到器件的距離為至少約200-250微米。這保證將在塑模中及器件周圍有模塑化合物的層流。當(dāng)然，精確的最短距離限制是所使用的具體的模塑化合物、其包含的填料以及諸如溫度的工藝參數(shù)的函數(shù)，但一般而言，將從內(nèi)部塑模表面到器件的距離減小到小于某一最短距離，由于空隙的形成而導(dǎo)致不可接受的制造損失。圖2是諸如圖la及l(fā)b中描繪的半導(dǎo)體器件10的截面圖。類似于圖1中的器件，器件IO經(jīng)由引線112可通孔安裝，并且包含外部環(huán)氧樹(shù)脂外殼110,該外部環(huán)氧樹(shù)脂外殼110保護(hù)半導(dǎo)體管芯106—一在器件10的操作期間，由半導(dǎo)體管芯106產(chǎn)生的熱通過(guò)引線112和外殼110傳遞。環(huán)氧樹(shù)脂外殼110的熱傳導(dǎo)率往往導(dǎo)致器件10具有差的散熱性能。諸如整流器的半導(dǎo)體器件的效率降低的主要原因是在正常操作期間的不充分冷卻。不幸地，如上討論的，如果外殼的厚度被減小以獲得較好的導(dǎo)熱性，諸如IPE的模塑故障或空隙130(參見(jiàn)圖2)趨于增加，從而導(dǎo)致問(wèn)題，諸如高電勢(shì)(hipot)測(cè)試或電強(qiáng)度測(cè)試的故障，其由絕緣體中的擊穿引起。因此，它期望容納熱沉以及較薄的外殼壁，以便充足地消散諸如橋式整流器的半導(dǎo)體器件中的熱。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明，提供一種可安裝到基板的半導(dǎo)體器件。該器件包含半導(dǎo)體管芯和導(dǎo)電性附接區(qū)，所述導(dǎo)電性附接區(qū)具有第一附接表面和第二附接表面。第一附接表面被布置用于與半導(dǎo)體管芯電連通。外殼至少部分地封閉半導(dǎo)體管芯和夾層材料。外殼具有通過(guò)導(dǎo)電的附接區(qū)域的第二附接表面而設(shè)置的凹進(jìn)部。電介質(zhì)導(dǎo)熱性?shī)A層材料位于凹進(jìn)部中并且固定到外殼。金屬板位于凹進(jìn)部中并且固定到夾層材料。根據(jù)本發(fā)明的一方面，半導(dǎo)體器件包括功率半導(dǎo)體器件。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，功率半導(dǎo)體器件包括整流器。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，功率半導(dǎo)體器件包括橋式整流器。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，功率半導(dǎo)體器件包括可表面安裝的器件。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，功率半導(dǎo)體器件包括可通孔安裝的器件。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，功率半導(dǎo)體器件包括集成電路。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，集成電路包括芯片級(jí)封裝。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，導(dǎo)電性附接區(qū)包括銅焊盤(pán)、焊球、引線、引線框架和引線框架端子中的一個(gè)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，夾層材料是導(dǎo)熱性粘合劑。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，夾層材料包括絲網(wǎng)印刷層。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，外殼包括模塑化合物。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，制造可安裝到基板的半導(dǎo)體器件的方法通過(guò)布置半導(dǎo)體管芯用于與導(dǎo)電性附接區(qū)的第一附接區(qū)域電連通而開(kāi)始。將電介質(zhì)導(dǎo)熱性?shī)A層材料施加到導(dǎo)電性附接區(qū)的第二附接區(qū)域。將熱沉施加到夾層材料。提供外殼，所述外殼至少部分地封閉管芯、夾層材料和熱沉。圖la以及l(fā)b分別是用于常規(guī)的可通孔安裝的半導(dǎo)體器件的封裝的透視圖和側(cè)視圖。圖2是用于常規(guī)的可通孔安裝的半導(dǎo)體器件的封裝的截面圖。圖3是用于根據(jù)本發(fā)明的一方面構(gòu)造的可通孔安裝的半導(dǎo)體器件的截面圖。圖4-7示出在制造工藝期間的圖3所示的可通孔安裝的半導(dǎo)體器件的截面圖。圖8是用于制造根據(jù)本發(fā)明的方面的半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。具體實(shí)施例方式圖3是根據(jù)本發(fā)明特定方面的可通孔安裝的半導(dǎo)體器件200的內(nèi)部截面的側(cè)視圖。為了示例性的目的，雖然器件200可以完全具有不同的外部尺寸或幾何形狀，但是半導(dǎo)體器件200具有相似的芯片空間(footprint)和管芯布置作為可通孔安裝的半導(dǎo)體器件10(圖1中所示的)。半導(dǎo)體器件200可以是功率半導(dǎo)體器件，諸如整流器或另一類型的集成電路。諸如銅焊盤(pán)、焊球、引線、引線框架或引線框架端子的導(dǎo)電性附接區(qū)202每個(gè)都具有布置成提供與半導(dǎo)體管芯206電連通的一個(gè)表面203(雖然為了示例性的目的僅僅涉及一個(gè)管芯，但是三個(gè)管芯是可見(jiàn)的)。管芯206可以是例如二極管、MOSFET或另一類型的管芯/集成電路。諸如通過(guò)軟焊，表面203可以以任何適當(dāng)?shù)胤绞礁浇拥焦苄?06?？赏装惭b的引線212(—個(gè)是可見(jiàn)的)也可以處于與半導(dǎo)體管芯206和/或?qū)щ娦愿浇訁^(qū)202電連通。外殼210至少部分地封閉管芯206和導(dǎo)電性附接區(qū)202。外殼210可以是模塑到導(dǎo)熱的元件202和/或夾層材料206的、諸如塑料的模塑化合物。通過(guò)各種公知的方法，諸如包覆模塑(overmolding)或注射模塑，外殼210可以以任何期望的結(jié)構(gòu)/形狀形成。如所示的，外殼210大致3.5mm厚，具有類似于半導(dǎo)體器件10的外部外殼12(圖1中所示)的部分的結(jié)構(gòu)。然而，位于在導(dǎo)電性附接區(qū)202和夾層材料208(下面討論的)之間的外殼210的部分230在厚度方面減小。也就是說(shuō)，在導(dǎo)電性附接區(qū)202的面205上的外殼210的厚度基本上比管芯206位于其上的導(dǎo)電性附接區(qū)202的面203上的外殼210的厚度薄。如圖3進(jìn)一步示出的，夾層材料208被涂覆或以其他方式施加到外殼部分230的暴露表面(即，外殼210的在導(dǎo)電性附接區(qū)202的面205上的部分)。夾層材料208具有高介電常數(shù)及高導(dǎo)熱率。夾層材料208可以采取導(dǎo)熱的硅樹(shù)脂彈性體材料、潤(rùn)滑脂、環(huán)氧樹(shù)脂、模塑化合物、彈性焊盤(pán)、熱膠帶、液體或凝膠的形式。例如，夾層材料208可以是商業(yè)上可利用的導(dǎo)熱性粘合劑，諸如由DOWCORNING制造的SE4486及SE4450、由Emerson&Cuming制造的282以及由BERGQUIST制造的SA2000。最后，諸如金屬板220的金屬熱沉固定到夾層材料208。金屬板220可以通過(guò)任何適當(dāng)?shù)姆绞絹?lái)固定。例如，如果夾層材料208由粘合劑形成，則夾層材料208它本身可以用以固定金屬板220。因而，圖3所示的半導(dǎo)體器件容納熱沉以及較薄的外殼壁，由此增加器件的散熱使得器件可以傳送較高的電流。圖4-7示出圖3所示的可通孔安裝的半導(dǎo)體器件的在制造工藝期間的截面圖。圖4示出安裝到導(dǎo)電性附接區(qū)202的上表面的管芯206。在圖5中，以包覆模塑工藝形成外殼210。外殼210包括圍繞管芯206的上部及與導(dǎo)電性附接區(qū)202的面205接觸的下部。在容納夾層材料208及金屬板220的外殼部分230中形成凹進(jìn)部240。圖6示出位于凹進(jìn)部240中的夾層材料208，并且圖7示出插入在凹進(jìn)部240并且與夾層材料208接觸的金屬板220。在許多情況下，在將金屬板220插入到凹進(jìn)部240之前，夾層材料208可以首先被施加到金屬板220。同樣，如前所述，夾層材料208可以用作在凹進(jìn)部240中固定金屬板220的粘合劑。通過(guò)使用夾層材料208，從導(dǎo)電性附接區(qū)202的表面延伸的外殼厚度d(參見(jiàn)圖3)可以被有利地減小，同時(shí)仍然避免由IPE(內(nèi)部部件暴露)或空隙引起對(duì)半導(dǎo)體器件200的有害影響。在一些情況下，外殼厚度d可以減小50%或更多。例如，外殼厚度d可以從l.Omm減小到0.5mm厚。特別是，甚至在這樣減小外殼厚度的情況下，半導(dǎo)體器件200也可以避免hipot測(cè)試故障。夾層材料208在hipot測(cè)試期間有效地用作提供高介電強(qiáng)度的屏蔽，同時(shí)由于它的高導(dǎo)熱率也允許好的導(dǎo)熱性。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，使用絲網(wǎng)印刷工藝將夾層材料208涂覆或施加到導(dǎo)電性附接區(qū)202。絲網(wǎng)印刷技術(shù)已經(jīng)廣泛地用于圖形藝術(shù)領(lǐng)域以制作藝術(shù)作品并且已經(jīng)發(fā)現(xiàn)用于在生產(chǎn)印刷電路板以將較大尺寸的掩模圖案轉(zhuǎn)印到印刷電路板上。絲網(wǎng)印刷技術(shù)包括使用模板以將圖像有選擇性的轉(zhuǎn)印到基板上。通常通過(guò)模板的多孔部分(例如，網(wǎng)格)借助于機(jī)械按壓指定材料而將圖像轉(zhuǎn)印到基板上，而模板的鄰近的非多孔部分不允許印刷材料。在圖形藝術(shù)作品的生產(chǎn)中使用的絲網(wǎng)印刷材料包括涂料和/或油墨，而在電路板生產(chǎn)中轉(zhuǎn)印掩模圖案時(shí)使用的材料包括掩蔽材料。往往通過(guò)激光將圖案加工到模板上或者通過(guò)照片顯影(photodevelopment)工藝來(lái)生成用于絲網(wǎng)印刷的模板，其中圖像是轉(zhuǎn)印到模板的未顯影的照片，并且模板隨后被顯影以顯示圖像。未顯影的模板通常包括涂覆有非多孔材料的絲網(wǎng)。當(dāng)顯影時(shí)，非多孔材料的部分被去除從而在構(gòu)造照片轉(zhuǎn)印的圖像時(shí)產(chǎn)生模板的多孔部分或產(chǎn)生模板中的孔。當(dāng)圖像有效地轉(zhuǎn)印到顯影后的模板時(shí)，然后如上所逸的使用模1歡相風(fēng)的恩像轉(zhuǎn)印溯墓板|—絲網(wǎng)印刷技術(shù)和在這種印刷中使用的模板是公知的，因此將不討論任何更多的細(xì)節(jié)。因而，已經(jīng)描述的半導(dǎo)體器件包括通過(guò)減小外殼的厚度以及提供金屬熱沉來(lái)創(chuàng)建增強(qiáng)的熱移除路徑，所述外殼密封管芯或多個(gè)管芯。在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中期望傳導(dǎo)的熱遠(yuǎn)離安裝基板，并且因而通過(guò)電隔離半導(dǎo)體封裝本身來(lái)補(bǔ)充在針對(duì)基板提供冷卻的每個(gè)基板上增加的熱通量密度，其通常致使較大大的表面面積提供單一的工作溫度。半導(dǎo)體器件可工作在更理想的溫度而對(duì)它們的芯片空間沒(méi)有顯著改變，和/或沒(méi)有附加的隔離要求，從而減少產(chǎn)品再設(shè)計(jì)的需要。關(guān)于可通孔安裝的半導(dǎo)體器件的上述的本發(fā)明的一些方面也適用于可表面安裝(surface-mountable)的半導(dǎo)體器件，例如，諸如在2007年7月9日所提交的共同未決的美國(guó)專利申請(qǐng)No.11/827，041的圖8所示出的。圖8是用于制造根據(jù)本發(fā)明的一些方面的諸如圖3中所示出的半導(dǎo)體器件200的半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。該方法從塊902開(kāi)始，其中將半導(dǎo)體管芯布置用于與導(dǎo)電性附接區(qū)的第一個(gè)附接區(qū)域電連通，如銅焊盤(pán)、引線框架或它的端子。接下來(lái)，在塊904，將電介質(zhì)導(dǎo)熱性?shī)A層材料施加到用作熱沉的金屬板。夾層材料可以涂覆到金屬板上并且可以用作粘合劑。在步驟906，將金屬板附接到導(dǎo)電性附接區(qū)的第二附接區(qū)域，使得夾層材料接觸第二附接區(qū)域。如果夾層材料是粘合劑，則它可以用以將金屬板固定到第二附接區(qū)域。在塊908,將可由諸如塑料的材料組成的外殼設(shè)成至少部分地封閉管芯、夾層材料、金屬板和導(dǎo)電性附接區(qū)。(例如，通過(guò)模塑)以通過(guò)外殼提供半導(dǎo)體器件的外部封裝的方式來(lái)固定該外殼。從導(dǎo)電性附接區(qū)延伸的外殼厚度可以小于以其他方式可能形成的外殼厚度，同時(shí)如果不施加夾層材料和金屬板仍然避免了由空隙所造成的問(wèn)題等。顯然，可以設(shè)計(jì)在此所描述的本發(fā)明的方面的其他和進(jìn)一步形式，而不背離所附權(quán)利要求書(shū)的精神和范圍，并且將理解的是，本發(fā)明的方面不應(yīng)該僅限于上述特定實(shí)施例。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體器件，其可安裝到基板，該半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體管芯；導(dǎo)電性附接區(qū)，具有第一附接表面和第二附接表面，所述第一附接表面被布置用于與所述半導(dǎo)體管芯電連通；外殼，至少部分地封閉所述半導(dǎo)體管芯和夾層材料，所述外殼具有通過(guò)所述導(dǎo)電性附接區(qū)的第二附接表面而設(shè)置的凹進(jìn)部；電介質(zhì)導(dǎo)熱性?shī)A層材料，位于所述凹進(jìn)部中并且固定到所述外殼；以及金屬板，位于所述凹進(jìn)部中并且固定到所述夾層材料。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件包括功率半導(dǎo)體器件。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述功率半導(dǎo)體器件包括整流器。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述整流器包括橋式整流器。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件包括可表面安裝的器件。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件包括可通孔安裝的器件。7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中,所述半導(dǎo)體器件包括集成電路。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述集成電路包括芯片級(jí)封裝。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電性附接區(qū)包括銅焊盤(pán)、焊球、引線、引線框架和引線框架端子之一。10.根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述夾層材料是導(dǎo)熱性粘合劑。11.根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述夾層材料包括絲網(wǎng)印刷層。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述外殼包括模塑化合物。13.—種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述半導(dǎo)體器件可安裝到基板，所述方法包括布置半導(dǎo)體管芯以與導(dǎo)電性附接區(qū)的第一附接區(qū)域電連通；將電介質(zhì)導(dǎo)熱性?shī)A層材料施加到所述導(dǎo)電性附接區(qū)的第二附接區(qū)域；將熱沉固定到所述夾層材料；以及將外殼設(shè)成至少部分地封閉所述管芯、所述夾層材料和所述熱14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述熱沉是金屬板。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，將所述夾層材料施加到所述板以將所述板固定到所述夾層材料。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，在將所述夾層材料施加到所述第二附接區(qū)域之前，將所述夾層材料施加到所述板。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述夾層是將用于所述板固定到所述附接區(qū)域的粘合劑。18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，進(jìn)一步包括模塑所述外殼以形成所述半導(dǎo)體器件的外部封裝。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，通過(guò)絲網(wǎng)印刷工藝來(lái)施加所述夾層材料。20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述半導(dǎo)體器件包括可表面安裝的器件。21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述半導(dǎo)體器件包括可通孔安裝的器件。22.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述導(dǎo)電性附接區(qū)包括銅焊盤(pán)、焊球、引線、引線框架和引線框架端子之一。23.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述半導(dǎo)體器件包括功率半導(dǎo)體器件。全文摘要一種可安裝到基板的半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體管芯和導(dǎo)電性附接區(qū)，所述導(dǎo)電性附接區(qū)具有第一附接表面和第二附接表面。第一附接表面被布置用于與半導(dǎo)體管芯電連通。外殼至少部分地封閉半導(dǎo)體管芯和夾層材料。外殼具有通過(guò)導(dǎo)電性附接區(qū)的第二附接表面而設(shè)置的凹進(jìn)部。電介質(zhì)導(dǎo)熱性?shī)A層材料位于凹進(jìn)部中并且固定到外殼。金屬板位于凹進(jìn)部中并且固定到夾層材料。文檔編號(hào)H01L23/34GK101595557SQ200780029970公開(kāi)日2009年12月2日申請(qǐng)日期2007年8月10日優(yōu)先權(quán)日2006年8月11日發(fā)明者海付,周大德,張雄杰,晛李,田永琦申請(qǐng)人:威世通用半導(dǎo)體公司