專利名稱：發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在陽極和陰極之間至少存在發(fā)光層、通過電能發(fā)光的元件。
背景技術(shù)：
、、日 ,、、
電子與從陽才及注入的空穴在被兩極夾著的有機發(fā)光體內(nèi)再結(jié)合時發(fā)光 的有機薄膜發(fā)光元件的研究近年盛行。該發(fā)光元件的特征在于，薄型、 低驅(qū)動電壓下的高亮度發(fā)光、以及通過在發(fā)光層中使用各種熒光材料可 以得到各種發(fā)光色，其受到關(guān)注。
該研究自從柯達(dá)公司的C. W. Tang等人指出有機薄膜發(fā)光元件高 亮度發(fā)光以來，很多研究機關(guān)進(jìn)行了討論?？逻_(dá)公司的研究組提出的有 機薄膜發(fā)光元件的代表性的結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃基板上依次設(shè)置空穴傳 輸性的二胺化合物、作為發(fā)光層的三(8-羥基喹啉)鋁(m)、以及作為陰極 的Mg:Ag,可以在IOV左右的驅(qū)動電壓下發(fā)1000 cd/n^的綠光(參照非 專利文獻(xiàn)1)。
有機薄膜發(fā)光元件中最大的課題在于，元件的耐久性和發(fā)光效率的 提高。作為得到高效率的發(fā)光元件的方法，已知通過在主體材料中摻雜 百分之幾的摻雜劑材料來形成發(fā)光層的方法。對主體材料要求高的載流 子遷移率、均勻的成膜性等，對摻雜劑材料要求高的熒光量子收率、均 勻的分散性等。例如作為藍(lán)色發(fā)光材料，公開了使用苯乙烯基胺衍生物、 芘衍生物、芘衍生物的技術(shù)。作為綠色發(fā)光材料，公開了使用寬類化合 物、p奎啉衍生物與喹吖啶酮衍生物的組合的技術(shù)。作為紅色發(fā)光材料， 公開了氨基苯乙烯基衍生物、香豆素衍生物與二氰基亞甲基吡喃衍生物 的組合等。此外，還公開了使用吡咯曱川(pyrromethene)類金屬絡(luò)合物作 為摻雜劑材料的技術(shù)(參照專利文獻(xiàn)l)或組合并四苯衍生物和熒蒽衍生 物的技術(shù)(參照專利文獻(xiàn)2)。但是，都未表現(xiàn)出充分的發(fā)光效率和耐久 性。
非專利文獻(xiàn)1:"Applied Physics Letters"、(美國)、1987年、51巻、12號、913頁-915頁
專利文獻(xiàn)1:日本專利第3389888號公報 專利文獻(xiàn)2:日本特開2003-338377號公報

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于，提供解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，發(fā)光效 率高且耐久性優(yōu)異的發(fā)光元件。
本發(fā)明的發(fā)光元件是在陽極與陰極之間至少存在發(fā)光層，通過電能 發(fā)光的元件，其中，該發(fā)光層至少包含具有通式(l)所示的吡咯甲川骨架 的化合物或其金屬絡(luò)合物和通式(2)所示的并四苯衍生物。
其中，Ri R"可以分別相同或不同，選自氫原子、烷基、環(huán)烷基、雜環(huán) 基、烯基、環(huán)烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、
芳基、雜芳基、卣原子、氰基、羰基、羧基、氧基羰基、氨基曱?；?、 氨基、曱珪烷基、氧化膦基(phosphme oxide group)以及與相鄰取代基之 間形成的環(huán)結(jié)構(gòu)中。X為碳原子或氮原子，當(dāng)為氮原子時上述R7不存在。 金屬絡(luò)合物的金屬是選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鈷、鎳、銅、鋅和鉑中 的至少一種。 [化2]
11
R17 R1B R19 R8 R義丄丄丄上乂R9其中，R8~R19可以分別相同或不同，選自氫原子、烷基、環(huán)烷基、雜 環(huán)基、烯基、環(huán)烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、
芳基、雜芳基、鹵原子、氰基、羰基、羧基、氧基羰基、氨基甲?；?、 氨基、甲硅烷基、氧化膦基以及與相鄰取代基之間形成的環(huán)結(jié)構(gòu)中。 通過本發(fā)明可以得到發(fā)光效率高且耐久性優(yōu)異的發(fā)光元件。
具體實施例方式
本發(fā)明的發(fā)光元件包括至少陽極、陰極和夾在該陽極和陰極之間的
有機層。
陽極的材料，只要是可以有效地將空穴注入到有機層中的材料則不 特別限定，優(yōu)選使用功函數(shù)比較大的材料?？梢耘e出例如，氧化錫、氧 化銦、氧化鋅銦、氧化錫銦(ITO)等導(dǎo)電性金屬氧化物，或金、銀、鉻等 金屬，碘化銅、硫化銅等無機導(dǎo)電性物質(zhì)，聚噻吩、聚吡咯和聚苯胺等 導(dǎo)電性聚合物等。這些電極材料可以單獨使用，也可以多種材料層壓或 混合使用。
從發(fā)光元件的電力消耗方面考慮，優(yōu)選陽極的電阻低。例如，使用 ITO時，若為300D/口以下的ITO基板則發(fā)揮陽極的功能，但是由于現(xiàn) 在可以供給10Q/口左右的基板，因此特別優(yōu)選使用100Q/口以下的低 電阻基板。ITO的厚度可以根據(jù)電阻值來任意選擇，但是通常大多使用 100 - 300 nm的厚度。
此外，為了保持發(fā)光元件的機械強度，優(yōu)選將陽極形成在基板上。 作為基板，優(yōu)選使用鈉玻璃或無堿玻璃等玻璃基板。玻璃基板的厚度， 由于只要是保持機械強度所需的充分的厚度即可，若為0.5 mm以上則 是充分的。對于玻璃的材質(zhì)，由于從玻璃溶出離子少的材質(zhì)良好，優(yōu)選 為無堿玻璃，但是由于設(shè)置了 Sl02等隔離涂層的鈉鈣玻璃有市售，也可 以使用這種鈉鈣玻璃。進(jìn)一步地，只要陽極穩(wěn)定地發(fā)揮功能，則基板沒 有必要為玻璃，例如可以在塑料基板上形成陽極。陽極的形成方法，優(yōu) 選使用電子束法、濺射法和化學(xué)反應(yīng)法等。
作為陰極使用的材料，只要是可以有效地將電子注入到有機層中的 物質(zhì)則不特別限定，通常可以舉出鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鋅、鋁、 銦、鉻、鋰、鈉、鉀、銫、釣、鎂和它們的合金等。為了提高電子注入 效率、提高元件特性，選自鋰、鈉、鉀、銫、鈣和鎂中的功函數(shù)低的金屬或含有它們的合金是有效的。但是，這些功函數(shù)低的金屬通常大多在 大氣中不穩(wěn)定?？梢耘e出例如，在有機層中摻雜微量的鋰或鎂(真空氣相
沉積的膜厚計顯示中，為1 nm以下)使用穩(wěn)定性高的電極的方法作為優(yōu) 選的例子。此外，也可以使用氟化鋰等無機鹽。進(jìn)一步地，為了保護(hù)電 極，可以舉出將選自柏、金、銀、銅、鐵、錫、鋁和銦等金屬，或使用 這些金屬的合金，氧化硅、氧化鈦和氮化硅等無機物，聚乙烯醇、氯化 乙烯、烴類高分子化合物等中的材料層壓作為優(yōu)選的例子。陰極的制造 方法，優(yōu)選使用電阻加熱、電子束、濺射、離子鍍和涂布等。
夾在陽極與陰極之間的有機層至少由發(fā)光層構(gòu)成。作為有機層的結(jié) 構(gòu)例，除了僅由發(fā)光層形成的結(jié)構(gòu)之外，還可以舉出1)空穴傳輸層/發(fā) 光層/電子傳輸層、2)發(fā)光層/電子傳輸層、3)空穴傳輸層/發(fā)光層等層 壓結(jié)構(gòu)。此外，上述各層可以分別由單層構(gòu)成或由多層構(gòu)成。空穴傳輸 層和電子傳輸層由多層構(gòu)成時，有時將與電極連接一側(cè)的層分別稱為空 穴注入層和電子注入層，以下的說明中，空穴注入層包括在空穴傳輸層 中，電子注入層包括在電子傳輸層中。
空穴傳輸層含有一種或兩種以上空穴傳輸材料。含有兩種以上空穴 傳輸材料時，可以將它們層壓或混合。此外，可以將空穴傳輸材料與高 分子粘合劑混合?？昭▊鬏敳牧现灰切纬砂l(fā)光元件的制造所必需的薄 膜、可以/人陽極注入空穴、并且可以傳輸空穴的化合物即可。作為空穴 傳輸材料，優(yōu)選為4,4，-二(N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基)聯(lián)苯、4,4'-二 (N-(l-萘基)-N-苯基氨基)聯(lián)苯、4,4，,4"-三(3-甲基苯基(苯基)氨基)三苯基 胺等三苯基胺衍生物，二(N-烯丙基?？ㄟ?、二(N-烷基咔唑)等二咔唑衍 生物，吡唑啉衍生物、1類化合物、腙類化合物、苯并呋喃衍生物、噻 吩衍生物、喁二唑衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物等雜環(huán)化合物，聚 合物類中的在側(cè)鏈具有上述單體的聚碳酸酯或苯乙烯、聚噻吩、聚苯胺、 聚藥、聚乙烯基?？ㄟ蚝途酃柰榈?，但是不特別限定。
發(fā)光層可以由單層或多層構(gòu)成。各層的發(fā)光材料可以為單種材料或 多種材料的混合物，但是從效率、顏色純度和壽命方面考慮，優(yōu)選為可 以分離膜形成、空穴-電子傳輸、發(fā)光功能的的主體材料與摻雜劑材料的 混合物。各發(fā)光層中，可以僅主體材料和摻雜劑材料中的任意一種發(fā)光 或主體材料和摻雜劑材料都發(fā)光。主體材料和摻雜劑材料可以分別為一 種或多種的組合。摻雜劑材料可以包含于全部發(fā)光層或部分發(fā)光層中。
7摻雜劑材料的量由于若過多則產(chǎn)生濃度消光現(xiàn)象，因此相對于主體材
料，優(yōu)選為20重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為10重量％以下。作為摻雜劑
材料的摻雜方法，可以通過與主體材料的共氣相沉積法形成。也可以將 主體材料與摻雜劑材料預(yù)先混合后進(jìn)行氣相沉積。此外，還可以將主體
材料與摻雜劑材料以所需的比率溶解在溶劑中，然后進(jìn)行涂布。
本發(fā)明的發(fā)光層包含具有通式(l)所示的吡咯曱川骨架的化合物或 其金屬絡(luò)合物和通式(2)所示的并四苯衍生物。并四苯衍生物也可以用作 摻雜劑材料，但是并四苯衍生物由于具有高的電荷傳輸特性，優(yōu)選用作 主體材料。此外，具有吡咯甲川骨架的化合物或其金屬絡(luò)合物也可以用
作主體材料，但是由于其具有高的熒光量子收率、熒光光i普的半值寬度 窄而得到高顏色純度發(fā)光，因此優(yōu)選用作摻雜劑材料。
上述具有吡咯曱川骨架的化合物或其金屬絡(luò)合物由于具有高的熒 光量子收率，具有作為摻雜劑材料的高潛在能力。但是由于電子陷阱性 強、易產(chǎn)生與主體材料的相互作用的影響，并非在所有與主體材料的組 合中都可以實現(xiàn)高發(fā)光效率。本發(fā)明中，對各種與主體材料的組合進(jìn)行 了評價，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，并四苯衍生物作為主體材料是合適的。并四苯衍生 物與上述具有吡咯甲川骨架的化合物或其金屬絡(luò)合物的相容性(相性)優(yōu) 異，由主體材料向摻雜劑材料有效地產(chǎn)生能量遷移。因此，得到高發(fā)光 效率的元件，此外由于主體材料不會產(chǎn)生自身發(fā)光，得到高顏色純度的 發(fā)光。進(jìn)一步地，通過摻雜劑材料具有的電子陷阱性，發(fā)光層內(nèi)的發(fā)光 區(qū)域特別寬，元件壽命大幅提高。
作為摻雜劑材料，沒有必要僅限于上述具有吡咯甲川骨架的化合物 或其金屬絡(luò)合物一種，可以混合使用多種吡咯曱川化合物或?qū)⒁环N以上 已知的摻雜劑材料與吡咯曱川化合物混合使用。具體地說，可以舉出迄 今已知的蒽、芘、菲等具有稠合芳環(huán)的化合物或其衍生物，呋喃、吡咯、 漆吩、p塞咯(silole)、 9-硅雜藥、9,9，-螺二硅雜芴、苯并噻吩、苯并呋喃、 p引哚、二苯并噻吩、二苯并呋喃、咪唑并吡咬、菲咯啉、吡。泰、二氮雜 萘、會喔啉、吡咯并吡啶、噻噸等具有雜芳基環(huán)的化合物或其衍生物， 二苯乙烯基苯衍生物，氨基苯乙烯基衍生物，四苯基丁二烯衍生物，醛 連氮衍生物，香豆素衍生物，咪唑、噻唑、噻二唑、咔唑、喁唑、嚅二 唑、三唑等唑衍生物及其金屬絡(luò)合物以及以4,4，-二^-(3-甲基苯基)-:^-苯基氨基)聯(lián)苯為代表的芳族胺衍生物等，但是不限于此。作為發(fā)光材料中含有的主體材料，沒有必要僅限于 一種上述并四苯 衍生物，可以將多種并四苯衍生物混合使用或?qū)⒁环N以上已知的主體材
料與并四苯衍生物混合使用。具體地說，優(yōu)選使用4,4，-二(N-(l-萘基)-N-苯基氨基)聯(lián)苯等芳族胺衍生物，以三(8-羥基喹啉)鋁(III)為代表的金屬 螯合8-羥基喹啉化合物(oxynoid compound), 二苯乙烯基苯衍生物等二 苯乙烯基衍生物，四苯基丁二烯衍生物，茚衍生物，香豆素衍生物，哺二 哇衍生物，吡咯并吡咬衍生物，芘酮(perynone)衍生物，環(huán)戊二埽衍生 物，-惡二唑衍生物，?？ㄟ蜓苌?，吡咯并吡咯衍生物，聚合物類中的聚 亞苯基亞乙烯基衍生物、聚對亞苯基衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基咔 唑衍生物、聚p塞吩衍生物等。
接著，對具有通式(l)所示的吡咯曱川骨架的化合物或其金屬絡(luò)合物 進(jìn)4亍說明。
!^ R 可以分別相同或不同，選自氫原子、烷基、環(huán)烷基、雜環(huán)基、 烯基、環(huán)烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、 雜芳基、囟原子、氰基、羰基、羧基、氧基羰基、氨基甲酰基、氨基、 甲硅烷基、氧化膦基以及與相鄰取代基之間形成的環(huán)結(jié)構(gòu)中。X為碳原 子或氮原子，當(dāng)為氮原子時上述R"不存在。
這些取代基中，烷基例如表示曱基、乙基、丙基、丁基等飽和脂肪 族烴基，可以無取代或被取代。對被取代時的取代基不特別限定，可以 舉出例如烷基、芳基、雜芳基等。這點與以下的記載共通。此外，對烷 基的碳原子數(shù)不特別限定，但是從獲得容易性或成本方面考慮，優(yōu)選為 1 ~20。
此外，環(huán)烷基例如表示環(huán)丙基、環(huán)己基、降水片烷基(norbornyl)、
金剛烷基等飽和脂環(huán)烴基，可以無取代或被取代。對環(huán)烷基的碳原子數(shù)不特別限定，但是優(yōu)選為3~20。
此外，雜環(huán)基例如表示含有吡喃環(huán)、哌啶環(huán)、環(huán)狀酰胺等環(huán)內(nèi)具有 碳原子以外的原子的脂肪族環(huán)的基團(tuán)，可以無取代或被取代。對雜環(huán)基
的碳原子數(shù)不特別限定，但是優(yōu)選為2~20。
此外，烯基例如表示乙烯基、烯丙基、丁二烯基等含有雙鍵的不飽 和脂肪族烴基，其可以無取代或被取代。對烯基的碳原子數(shù)不特別限定， 但是優(yōu)選為2~20。
此外，環(huán)烯基例如表示環(huán)戊烯基、環(huán)戊二烯基、環(huán)己烯基等含有雙 鍵的不飽和脂環(huán)烴基，可以無取代或被取代。對環(huán)烯基的碳原子數(shù)不特 別限定，但是優(yōu)選為3~20。
此外，炔基例如表示乙炔基等含有三鍵的不飽和脂肪族烴基，其可 以無取代或被取代。對炔基的碳原子數(shù)不特別限定，但是優(yōu)選為2-20。
此外，烷氧基例如表示曱氧基等通過醚鍵結(jié)合的脂肪族烴基，脂肪 族烴基可以無取代或被取代。對烷氧基的碳原子數(shù)不特別限定，但是優(yōu) 選為1 ~20。
此外，烷硫基指的是烷氧基的醚鍵的氧原子替換成硫原子形成的基團(tuán)。
此外，芳基醚基例如表示苯氧基等通過醚鍵結(jié)合的芳烴基，芳烴基 可以無取代或被取代。對芳基醚基的碳原子數(shù)不特別限定，但是優(yōu)選為 6~40。
此外，芳硫基醚基指的是芳基醚基的醚鍵的氧原子替換成硫原子形 成的基團(tuán)。
此外，芳基例如表示苯基、萘基、聯(lián)苯基、菲基、三聯(lián)苯基、芘基 等芳烴基。芳基可以無取代或被取代。對芳基的碳原子數(shù)不特別限定， 4旦是優(yōu)選為6~40。
此外，雜芳基例如表示呋喃基、苯硫基、嗜唑基、吡啶基、喹啉基 等環(huán)內(nèi)具有碳原子以外的原子的芳族基團(tuán)，可以無取代或被取代。雜芳 基的碳原子數(shù)優(yōu)選為2 ~ 30。
面原子表示選自氟原子、氯原子、溴原子和碘原子中的原子。
羧基、氨基曱?；桶被械臍逶涌梢员蝗〈虿蝗〈Ｗ鳛槿?代基，可以舉出例如，烷基、環(huán)烷基、芳基、雜芳基等，這些取代基可 以進(jìn)一步被取代。羰基、氧基羰基和氧化膦基中與吡咯曱川骨架鍵合的鍵以外的鍵合 鍵與選自烷基、環(huán)烷基、芳基和雜芳基中的取代基鍵合。
曱硅烷基例如表示三甲基曱硅烷基等具有與硅原子相連的鍵的官 能團(tuán)，可以無取代或被取代。對曱硅烷基的碳原子數(shù)不特別限定，但是
優(yōu)選為3~20。此外，硅原子數(shù)優(yōu)選為1 ~6。
對于與相鄰取代基之間形成的環(huán)結(jié)構(gòu)，用上述通式(l)如下說明，是 選自R1 ~ R6中的任意相鄰的2個取代基(例如R1和R"相互鍵合，形成 共輒或非共軛的環(huán)結(jié)構(gòu)。這些環(huán)結(jié)構(gòu)可以在環(huán)內(nèi)結(jié)構(gòu)中含有選自氮原 子、氧原子和硫原子中的原子，進(jìn)一步地可以與其它環(huán)稠合。若構(gòu)成這 些環(huán)結(jié)構(gòu)的原子僅為碳原子和氬原子，則由于得到優(yōu)異的耐熱性而優(yōu) 選。
上述具有吡咯甲川骨架的化合物或其金屬絡(luò)合物，由于與并四苯衍 生物的相容性優(yōu)異，有效地產(chǎn)生作為主體材料的并四苯衍生物與作為摻 雜劑材料的具有吡咯曱川骨架的化合物或其金屬絡(luò)合物之間的能量遷 移。因此，可以得到兼具高發(fā)光效率和高耐久性的發(fā)光元件。
進(jìn)一步地，為了更有效地產(chǎn)生與并四苯衍生物之間的能量遷移，優(yōu) 選具有吡咯曱川骨架的化合物或其金屬絡(luò)合物為紅色發(fā)光材料。因此， 優(yōu)選通式(l)中的R1、 R3、 114和W為芳基或雜芳基。或相鄰取代基R1 和R2、 R 和116分別相互鍵合形成共軛的環(huán)結(jié)構(gòu)，從而可以得到紅色發(fā) 光。
具有吡咯曱川骨架的化合物由于其本身發(fā)熒光，可以用作摻雜劑材 料，但是從高顏色純度和高熒光量子收率方面考慮，優(yōu)選為金屬絡(luò)合物。 作為金屬絡(luò)合物的金屬，選擇與吡咯曱川骨架之間形成穩(wěn)定的配位鍵的 金屬，具體地說，可以舉出硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鉑等。
進(jìn)一步地，下述通式(3)所示的金屬絡(luò)合物由于得到更高的熒光量子 收率，在高效率發(fā)光方面是優(yōu)選的。其中，R加 R"可以分別相同或不同，選自氬原子、烷基、環(huán)烷基、雜 環(huán)基、烯基、環(huán)烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、 芳基、雜芳基、卣原子、氰基、羰基、羧基、氧基羰基、氨基甲?；?、
氨基、曱硅烷基、氧化膦基以及與相鄰取代基之間形成的環(huán)結(jié)構(gòu)中。R27 和R"可以分別相同或不同，選自囟原子、氫原子、烷基、芳基和雜環(huán) 基中。X為碳原子或氮原子，為氮原子時上述R"不存在。對于這些取 代基的說明與上述相同。
作為上述通式(3)所示的吡咯甲川金屬絡(luò)合物，不特別限定，可以舉 出以下的具體例。<formula>formula see original document page 13</formula><formula>formula see original document page 14</formula>[化6]<formula>formula see original document page 15</formula><formula>formula see original document page 16</formula>[化9][化10]
<formula>formula see original document page 18</formula><formula>formula see original document page 19</formula><formula>formula see original document page 20</formula>[化12]<formula>formula see original document page 21</formula><formula>formula see original document page 22</formula><formula>formula see original document page 23</formula>[化16]
<formula>formula see original document page 24</formula>
接著對通式(2)所示的并四苯衍生物進(jìn)行具體的說明。[化17]
<formula>formula see original document page 25</formula>其中，R8~R19可以分別相同或不同，選自氫原子、烷基、環(huán)烷基、雜環(huán)基、烯基、環(huán)烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、卣原子、氰基、羰基、羧基、氧基羰基、氨基甲酰基、氨基、甲硅烷基、氧化膦基以及與相鄰取代基之間形成的環(huán)結(jié)構(gòu)中。對于這些取代基的說明與上述相同。
通式(2)所示的并四苯衍生物中，從形成穩(wěn)定的薄膜方面考慮，特別優(yōu)選RS R"中的至少一個為芳基，由此可以提高元件的耐久性。進(jìn)一步地，從電荷傳輸方面考慮，優(yōu)選118~1119中的至少兩個為芳基。此時，優(yōu)選對R"和R13, RU和R19, 1112和1118， R12、 F^3和R18,或R12、 R13、R"和R"中的任意一個組合位置導(dǎo)入芳基。其中，從合成容易性方面考慮，優(yōu)選使用下述通式(4)所示的并四苯衍生物。 <formula>formula see original document page 25</formula>其中，R" R"可以分別相同或不同，選自氫原子、烷基、環(huán)烷基、雜環(huán)基、烯基、環(huán)烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、卣原子、氰基、羰基、羧基、氧基羰基、氨基甲?；?、氨基、甲硅烷基、氧化膦基以及與相鄰取代基之間形成的環(huán)結(jié)構(gòu)中。作為該具有芳基的并四苯衍生物，舉出以下具體例，但是不限于此。<formula>formula see original document page 27</formula><formula>formula see original document page 28</formula>
上述通式(4)中，并四苯衍生物的分子結(jié)構(gòu)膨松，分子間相互作用降低，而薄膜形成能力更優(yōu)異，得到高效率且長壽命的發(fā)光，所以更優(yōu)選使用。作為具有膨松分子結(jié)構(gòu)的化合物，可以舉出R" R"和R44 1148中的至少 一個為芳基、或與相鄰取代基之間具有共軛環(huán)結(jié)構(gòu)的衍生物。進(jìn)一步地，在膨松分子結(jié)構(gòu)方面更優(yōu)選R33~R37中的2個部位以上或R" R化中的2個部位以上選自芳基。此外，R33、 R37、 R"和R化中的至少一個選自氫原子以外的取代基的情況，或在R"和R34、 R"和R37、R"和R45、 R"和R"中的至少一個部位形成環(huán)結(jié)構(gòu)的情況，由于導(dǎo)入到并四苯骨架中的芳基與并四苯骨架形成扭轉(zhuǎn)關(guān)系，形成膨松分子結(jié)構(gòu)，
因此也可以作為優(yōu)選的例子舉出。
此外，導(dǎo)入到R33 ~ R37中的取代基和導(dǎo)入到R44 ~ R48中的取代基不同、分子結(jié)構(gòu)為非對稱的化合物由于得到與具有膨松分子結(jié)構(gòu)的化合物相同的效果，因此也優(yōu)選。
進(jìn)一步地，上述衍生物中，在發(fā)光特性重現(xiàn)性方面優(yōu)選不存在結(jié)構(gòu)異構(gòu)體的衍生物。此處所稱的結(jié)構(gòu)異構(gòu)體指的是例如導(dǎo)入二個與并四苯骨架處于扭轉(zhuǎn)關(guān)系的取代基時，導(dǎo)入取代基相對于并四苯骨架平面可以取順式和反式的關(guān)系。若舉出具體例子，是可以取以下的順式體和反式體結(jié)構(gòu)。<formula>formula see original document page 29</formula>
順式 反式
變化，發(fā)光特性的重現(xiàn)性有可能降低。為了防止該問題，有必要進(jìn)行充分純化并四苯衍生物、僅含有一種結(jié)構(gòu)異構(gòu)體等復(fù)雜的制造步驟。進(jìn)一步地，即使暫時純化后，通過異構(gòu)化，結(jié)構(gòu)異構(gòu)體的比率也有可能變化。如上所述，由于制備成本易增大，此外發(fā)光特性的重現(xiàn)性有可能降低，因此不優(yōu)選為存在結(jié)構(gòu)異構(gòu)體的衍生物。
作為這種不存在結(jié)構(gòu)異構(gòu)體的并四苯衍生物，可以舉出取代基為相對于結(jié)合軸對稱的取代基的并四苯衍生物。具體地說，可以舉出上述例子中的化合物[59]~[61]、 [65]、 [125]~[128]等。
接著，對電子傳輸層進(jìn)行說明。電子傳輸層是從陰極注入電子、并且傳輸電子的層。電子傳輸層優(yōu)選電子注入效率高、有效地傳輸注入的電子。因此，電子傳輸層優(yōu)選由電子親和力大、電子遷移率大、穩(wěn)定性優(yōu)異且在制造時和使用時不易產(chǎn)生形成陷阱的雜質(zhì)的物質(zhì)構(gòu)成。但是，考慮到空穴與電子的傳輸平衡時，電子傳輸層若主要發(fā)揮可以有效地阻止來自陽極的空穴不進(jìn)行再結(jié)合而流入到陰極側(cè)的作用，則即使由電子傳輸能力不那么高的材料構(gòu)成，提高發(fā)光效率的效果也與由電子傳輸能力高的材料構(gòu)成時同等。因此，本發(fā)明中的電子傳輸層包括可以有效地阻止空穴遷移的空穴阻止層作為相同意義的層。
作為電子傳輸層中使用的電子傳輸材料，可以舉出萘、蒽等稠合多環(huán)芳族衍生物，以4,4，-二(二苯基乙烯基)聯(lián)苯為代表的苯乙烯基類芳環(huán)衍生物，蒽醌或二苯酚合苯醌(diphenoquinone)等醌衍生物，磷氧化物衍生物，三(8-羥基會啉)鋁(III)等喹啉醇絡(luò)合物、苯并喹啉醇絡(luò)合物、羥基唑(hydroxyazole)絡(luò)合物、偶氮甲堿絡(luò)合物、環(huán)庚三烯酚酮金屬絡(luò)合物和黃酮醇金屬絡(luò)合物等各種金屬絡(luò)合物。從降低驅(qū)動電壓、得到高效率發(fā)光方面考慮，優(yōu)選使用由選自碳、氫、氮、氧、硅和磷中的元素構(gòu)成，具有包含電子接受性氮的雜芳基環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物。特別是通過與本發(fā)明的包含具有吡咯曱川骨架的化合物或其金屬絡(luò)合物和并四苯衍生物的發(fā)光層組合來使用，易保持發(fā)光元件內(nèi)的空穴、電子的平衡，此外在維持高的電荷傳輸能力的狀態(tài)下實現(xiàn)該平衡，因此可以兼具低驅(qū)動電壓與長壽命。
電子接受性氮表示與相鄰原子之間形成多重鍵的氮原子。由于氮原子具有高的電負(fù)性，該多重鍵具有接受電子的性質(zhì)。因此，含有電子接受性氮的雜芳基環(huán)具有高的電子親和性，電子傳輸能力優(yōu)異，通過用于電子傳輸層中可以降低發(fā)光元件的驅(qū)動電壓。作為含有電子接受性氮的雜芳基環(huán)，可以舉出例如，吡咬環(huán)、吡。秦環(huán)、嘧啶環(huán)、喹啉環(huán)、喹喔啉環(huán)、二氮雜萘環(huán)、嘧啶并嘧啶環(huán)、苯并喹啉環(huán)、菲咯啉環(huán)、咪唑環(huán)、嚅唑環(huán)、哺二哇環(huán)、三哇環(huán)、p塞哇環(huán)、p塞二哇環(huán)、苯并哺峻環(huán)、苯并p塞哇環(huán)、苯并咪唑環(huán)、菲并咪唑環(huán)等。
作為具有這些雜芳基環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物，可以舉出例如苯并咪唑衍生物、苯并嗝唑衍生物、苯并p塞唑衍生物、嚅二唑衍生物、瘞二唑衍生物、三唑衍生物、吡喚衍生物、菲咯啉衍生物、喹喔啉衍生物、喹啉衍生物、 苯并喹啉衍生物、聯(lián)吡啶或三聯(lián)吡啶等寡聚吡啶衍生物，喹喔啉衍生物 和二氮雜萘衍生物等作為優(yōu)選的化合物。其中，從電子傳輸能力方面考
慮優(yōu)選使用三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯等咪唑衍生物、1，3-二[(4-叔丁基 苯基)1,3,4,惡二唑基]亞苯基等嗜二唑衍生物、N-萘基J,S-二苯基-l,3,4-三唑等三唑衍生物、浴銅靈或1,3-二(1,10-菲咯啉-9-基)苯等菲咯啉衍生 物、2,2，-二(苯并[h]喹啉-2-基)-9，9，-螺二芴等苯并喹啉衍生物、2，5-二 (6，-(2，,2，，-聯(lián)吡啶基)-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯等聯(lián)吡啶衍生物、1，3-二(4，-(2,2，:6，2，，-三聯(lián)吡啶基))苯等三聯(lián)吡啶衍生物、二(1-萘基)-4-(1,8-二氮雜萘_2_基)苯基氧化膦等二氮雜萘衍生物。
上述電子傳輸材料可以單獨使用，也可以將2種以上的上述電子傳
金屬或;咸土金jf等^^屬混合使用。對電子 專輸層的電離電位i特別限 定，但是優(yōu)選為5.8eV 8.0eV，更優(yōu)選為6.0 eV ~ 7.5 eV。
構(gòu)成發(fā)光元件的上述各層的形成方法可以使用電阻加熱氣相沉積、 電子束氣相沉積、濺射、分子層壓法、涂布法、噴墨法、印刷法、激光 誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)印法等，不特別限定，但是從元件特性方面考慮優(yōu)選為電阻加 熱氣相沉積或電子束氣相沉積。
上述各層的厚度由于依賴于發(fā)光物質(zhì)的電阻值而不能進(jìn)行限定，但 是優(yōu)選為1 nm ~ 1000 nm。各層的膜厚分別更優(yōu)選為1 nm ~ 200 nm,進(jìn) 一步優(yōu)選為5腿~ 100腿。
本發(fā)明的發(fā)光元件是可以將電能轉(zhuǎn)化為光的發(fā)光元件。其中，電能 主要指的是直流電流，但是也可以使用脈沖電流或交流電流。對電流值 和電壓值不特別限定，但是若考慮到元件的電力消耗或壽命，則應(yīng)以盡 可能低的能量得到最大的亮度。
本發(fā)明的發(fā)光元件例如適合用作以矩陣和/或分段方式(七夕"乂y卜方式) 顯示的顯示器。
矩陣方式指的是用于顯示的像素二維配置成格子狀或馬賽克狀等， 通過像素的集合顯示文字或圖像的方式。像素的形狀或尺寸根據(jù)用途決 定。例如，在個人計算機、監(jiān)視器、電視的圖像和文字顯示中，通常使 用一邊為300 |um以下的四方形的像素，此外，顯示面板等大型顯示器 的情況下使用一邊為mm級的像素。單色顯示時，可以排列相同顏色的像素，彩色顯示時，使紅、綠和藍(lán)的像素并排顯示。此時，像素的排列 中，典型地存在三角型和條紋型。作為該矩陣的驅(qū)動方法，可以為逐行 驅(qū)動方法(線順次駆動方法)和有源矩陣(7夕亍^/7卜3;夕7)中的任意一種。逐 行驅(qū)動具有結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點，但是考慮到工作特性時，有時有源矩陣優(yōu) 異，因此根據(jù)用途分別使用。
分段方式指的是形成圖案以顯示預(yù)定的信息，使規(guī)定的區(qū)域發(fā)光的 方式?？梢耘e出例如，數(shù)字鐘表或溫度計中的時刻或溫度顯示，音頻儀 器或電磁烹調(diào)器等的工作狀態(tài)顯示以及車輛的面板顯示等。而且，上述 矩陣顯示和分段顯示可以共存在同一面板中。
本發(fā)明的發(fā)光元件優(yōu)選用作各種儀器等的背光源。背光源主要是為 了提高不進(jìn)行自發(fā)光的顯示裝置的視認(rèn)性而使用的，用于液晶顯示裝 置、鐘表、音頻裝置、車輛面板、顯示板和標(biāo)識等中。特別是作為液晶 顯示裝置、其中目的在于薄型化的個人計算機用途的背光源，由于現(xiàn)有 的背光源由熒光燈或?qū)Ч獍鍢?gòu)成，認(rèn)為難以使其變薄，而使用本發(fā)明中 的發(fā)光元件的背光源的特征在于薄型、輕量。
實施例
以下舉出實施例對本發(fā)明進(jìn)行說明，但是本發(fā)明不被這些實施例所 限定。而且，下述各實施例中化合物的編號指的是上述記載的化合物的 編號。
實施例1
使用并四苯[60]和吡咯甲川化合物[21]如下制造發(fā)光元件。將堆積有 150 mm的ITO透明導(dǎo)電膜的玻璃基板(GEOMATEC(株)制、lin/口、 賊射品)切斷成38 x 46 mm,進(jìn)行蝕刻。將得到的基4反用"Semico-Clean(注 冊商標(biāo))56" (Furuuchi化學(xué)(林)制)超聲洗滌15分鐘后，用超純水洗滌。 在即將制造元件之前將該基板進(jìn)行UV-臭氧處理1小時，設(shè)置在真空氣 相沉積裝置內(nèi)，進(jìn)行排氣直至裝置內(nèi)的真空度為5x 10"Pa以下。通過 電阻加熱法，首先氣相沉積10nm銅酞菁作為空穴注入材料、氣相沉積 50 nm的4,4，-二(N-(l-萘基)-N-苯基氨基)聯(lián)苯作為空穴傳輸材料。然后， 使用并四苯衍生物[60]作為主體材料、使用化合物[21]作為摻雜劑材料， 氣相沉積厚度為40 nm的發(fā)光材料使其摻雜濃度為1%。然后，作為電 子傳輸材料，層壓厚度為35 nm的如下所示的化合物H-l。然后，氣相nm鋁作為陰極，制造5x5 mm方 形元件。這里所稱的膜厚是晶體振蕩式膜厚監(jiān)測器顯示值。由該發(fā)光元 件得到發(fā)光效率為2.5 lm/W、色度CIE(x,yH;0.63,0.36)的高效率、高顏 色純度紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40mA/cn^下直流驅(qū)動時，亮度半減時 間為1500小時。
除了使用并四苯化合物[65]作為主體材料、使用吡咯甲川化合物[37] 作為摻雜劑材料之外，與實施例1同樣地操作制造發(fā)光元件。由該發(fā)光 元件得到發(fā)光效率為2.2 lm/W、色度CIE(x,y)氣0.65,0.35)的高效率、高 顏色純度紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40mA/cn^下直流驅(qū)動時，亮度半減 時間為1900小時。
除了使用上述所示的化合物H-l作為主體材料之外，與實施例1同 樣地操作制造發(fā)光元件。由該元件得到發(fā)光效率為0.5 lm/W、色度 CIE(x,y)氣0.60,0.38)的橙色發(fā)光。該發(fā)光元件在40 mA/cm2下直流驅(qū)動 時，亮度半減時間為600小時。
除了使用下述所示的化合物D-l作為摻雜劑材料之外，與實施例2 同樣地操作制造發(fā)光元件。由該元件得到發(fā)光效率為0.8 lm/W、色度 CIE(x,y)-(0.58,0.40)的橙色發(fā)光。該發(fā)光元件在40 mA/cm2下直流驅(qū)動 時，亮度半減時間為200小時。
實施例2
比專交例1
比專交例2[化學(xué)式24]
(D—1)
比專交例3
除了使用下述所示的化合物D-2作為摻雜劑材料之外，與實施例2 同樣地操作制造發(fā)光元件。由該元件得到發(fā)光效率為1.7 lm/W、色度 CIE(x,y)氣0.67,0.33)的紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40 mA/cm2下直流驅(qū)動 時，亮度半減時間為800小時。
實施例3
除了使用下述所示的菲咯啉衍生物E-1作為具有包含電子接受性氮 的雜芳基環(huán)結(jié)構(gòu)的電子傳輸材料之外，與實施例2同樣地操作制造發(fā)光 元件。由該發(fā)光元件得到發(fā)光效率為2.7 1m/W、色度CIE(x,y)-(0.68,0.32) 的高效率、高顏色純度紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40mA/cn^下直流驅(qū)動 時，亮度半減時間為2500小時。[化學(xué)式26]
(E—1)
實施例4
除了使用并四苯化合物[62]作為主體材料、使用吡咯曱川化合物[24] 作為摻雜劑材料之外，與實施例1同樣地操作制造發(fā)光元件。由該發(fā)光 元件得到發(fā)光效率為2.9 lm/W、色度CIE(x,yH;0.64,0.36)的高效率、高 顏色純度紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40mA/cn^下直流驅(qū)動時，亮度半減 時間為2500小時。
比專交例4
除了使用化合物D-2作為摻雜劑材料之外，與實施例4同樣地操作 制造發(fā)光元件。由該發(fā)光元件得到發(fā)光效率為1.7 lm/W、色度 CIE(x,y;n;0.67,0.33)的高效率、高顏色純度紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40 mA/cm2下直流驅(qū)動時，亮度半減時間為卯0小時。
實施例5
除了使用吡咯曱川化合物[24]作為摻雜劑材料之外，與實施例1同 樣地操作制造發(fā)光元件。由該發(fā)光元件得到發(fā)光效率為2.5 lm/W、色度 CIE(x,y)氣0.64,0.36)的高效率、高顏色純度紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40 mA/cm2下直流驅(qū)動時，亮度半減時間為2000小時。
比專支例5
除了使用芘酮衍生物H-2作為主體材料之外，與實施例4同樣地操 作制造發(fā)光元件。由該元件得到發(fā)光效率為0.3 lm/W、色度 CIE(x，y)-(0.64,0.36)的紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40 mA/cm2下直流驅(qū)動 時，亮度半減時間為300小時。<formula>formula see original document page 36</formula>比專交例6
除了使用喹喔啉衍生物H-3作為主體材料之外，與實施例4同樣地 操作制造發(fā)光元件。由該元件得到發(fā)光效率為0.2 lm/W、色度 CIE(x,y)氣0.64,0.36)的紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40 mA/cm2下直流驅(qū)動 時，亮度半減時間為300小時。
除了使用下述所示的化合物D-3作為摻雜劑材料之外，與實施例4 同樣地操作制造發(fā)光元件。由該元件得到發(fā)光效率為1.0 lm/W、色度 CIE(x,y)氣0.60,0.40)的紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40 mA/cm2下直流驅(qū)動 時，亮度半減時間為600小時。
比較例7[化學(xué)式29]<formula>formula see original document page 37</formula>(D — 3)
實施例6
除了使用并四苯化合物[126]作為主體材料之外，與實施例4同樣地 操作制造發(fā)光元件。由該發(fā)光元件得到發(fā)光效率為3.1 lm/W、色度 CIE(x,y)K0.64,0.36)的高效率、高顏色純度紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40 mA/cn^下直流驅(qū)動時，亮度半減時間為3200小時。
除了使用下述所示的聯(lián)吡啶衍生物E-2作為具有包含電子接受性氮 的雜芳基環(huán)結(jié)構(gòu)的電子傳輸材料之外，與實施例6同樣地操作制造發(fā)光 元件。由該發(fā)光元件得到發(fā)光效率為3.8 lm/W、色度CIE(x,y)氣O.66,0.34) 的高效率、高顏色純度紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40mA/cn^下直流驅(qū)動 時，亮度半減時間為3500小時。<formula>formula see original document page 37</formula>
實施例7
(E—2)
實施例8除了使用下述所示的咪唑衍生物E-3作為具有包含電子接受性氮的 雜芳基環(huán)結(jié)構(gòu)的電子傳輸材料之外，與實施例4同樣地操作制造發(fā)光元 件。由該發(fā)光元件得到發(fā)光效率為4.2 lm/W、色度CIE(x，y)=(0.64,0.36) 的高效率、高顏色純度紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40mA/cm2下直流驅(qū)動 時，亮度半減時間為3800小時。
除了使用吡咯甲川化合物[71]作為摻雜劑材料之外，與實施例4同 樣地操作制造發(fā)光元件。由該發(fā)光元件得到發(fā)光效率為2.5 lm/W、色度 CIE(x,y)氣0.63,0.37)的高效率、高顏色純度紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40 mA/cm2下直流驅(qū)動時，亮度半減時間為2000小時。
實施例10
除了使用吡咯曱川化合物[116]作為摻雜劑材料之外，與實施例4同 樣地操作制造發(fā)光元件。由該發(fā)光元件得到發(fā)光效率為2.2 1m/W、色度 CIE(x,y)K0.67,0.33)的高效率、高顏色純度紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40 mA/cm2下直流驅(qū)動時，亮度半減時間為2300小時。
實施例11
除了使用并四苯化合物[125]作為主體材料之外，與實施例4同樣地 操作制造發(fā)光元件。由該發(fā)光元件得到發(fā)光效率為3.0 lm/W、色度 CIE(x,y)氣0.64,0.36)的高效率、高顏色純度紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40 mA/cm2下直流驅(qū)動時，亮度半減時間為2800小時。
實施例12
實施例9除了使用并四苯化合物[127]作為主體材料之外，與實施例4同樣地 操作制造發(fā)光元件。由該發(fā)光元件得到發(fā)光效率為2.9 lm/W、色度 CIE(x,yh(0.64,0.36)的高效率、高顏色純度紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40 mA/cm2下直流驅(qū)動時，亮度半減時間為2200小時。
實施例13
除了使用并四苯化合物[136]作為主體材料之外，與實施例4同樣地 操作制造發(fā)光元件。由該發(fā)光元件得到發(fā)光效率為2.5 lm/W、色度 CIE(x，y)氣0.64，0.36)的高效率、高顏色純度紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40 mA/cm2下直流驅(qū)動時，亮度半減時間為2700小時。
實施例14
除了使用并四苯化合物[141]作為主體材料之外，與實施例4同樣地 操作制造發(fā)光元件。由該發(fā)光元件得到發(fā)光效率為3.2 lm/W、色度 CIE(x,y)氣0.64,0.36)的高效率、高顏色純度紅色發(fā)光。該發(fā)光元件在40 mA/cm2下直流驅(qū)動時，亮度半減時間為2800小時。
工業(yè)實用性 本發(fā)明的發(fā)光元件發(fā)光效率高且耐久性優(yōu)異。本發(fā)明的發(fā)光元件可 以在顯示元件、平板顯示器、背光源、照明、室內(nèi)裝飾、標(biāo)識、招牌、 電子照相機、光信號發(fā)生器等領(lǐng)域中使用。
權(quán)利要求
1.發(fā)光元件，是在陽極與陰極之間至少存在發(fā)光層，通過電能發(fā)光的元件，其特征在于，該發(fā)光層至少包含具有通式(1)所示的吡咯甲川骨架的化合物或其金屬絡(luò)合物和通式(2)所示的并四苯衍生物，[化1]其中，R1～R7可以分別相同或不同，選自氫原子、烷基、環(huán)烷基、雜環(huán)基、烯基、環(huán)烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵原子、氰基、羰基、羧基、氧基羰基、氨基甲酰基、氨基、甲硅烷基、氧化膦基以及與相鄰取代基之間形成的環(huán)結(jié)構(gòu)中，X為碳原子或氮原子，為氮原子時所述R7不存在，金屬絡(luò)合物的金屬為選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鈷、鎳、銅、鋅和鉑中的至少一種，[化2]其中，R8～R19可以分別相同或不同，選自氫原子、烷基、環(huán)烷基、雜環(huán)基、烯基、環(huán)烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵原子、氰基、羰基、羧基、氧基羰基、氨基甲?；?、氨基、甲硅烷基、氧化膦基以及與相鄰取代基之間形成的環(huán)結(jié)構(gòu)中。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，在所述通式(2)所示的并 四苯衍生物中，RS R"中的至少一個為芳基。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，所述金屬絡(luò)合物以下述通式(3)表示, [化3]<formula>formula see original document page 3</formula>其中，R加 R"可以分別相同或不同，選自氫原子、烷基、環(huán)烷基、雜 環(huán)基、烯基、環(huán)烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、面原子、氰基、羰基、羧基、氧基羰基、氨基甲酰基、 氨基、甲硅烷基、氧化膦基以及與相鄰取代基之間形成的環(huán)結(jié)構(gòu)中，R27 和R"可以分別相同或不同，選自卣原子、氬原子、烷基、芳基和雜環(huán) 基中，X為碳原子或氮原子，為氮原子時所述R"不存在。
4.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件，其中，所述并四苯衍生物以下述 通式(4)表示，<formula>formula see original document page 3</formula>其中，R" R化可以分別相同或不同，選自氬原子、烷基、環(huán)烷基、雜 環(huán)基、烯基、環(huán)烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、囟原子、氰基、羰基、羧基、氧基羰基、氨基曱?；?氨基、曱硅烷基、氧化膦基以及與相鄰取代基之間形成的環(huán)結(jié)構(gòu)中。[化4](4)
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件，其是在陽極與陰極之間至少存在發(fā)光層，通過電能發(fā)光的元件，該元件通過含有含具有特定結(jié)構(gòu)的吡咯甲川骨架的化合物或其金屬絡(luò)合物和并四苯衍生物的發(fā)光元件，提供發(fā)光效率高且耐久性優(yōu)異的發(fā)光元件。
文檔編號H01L51/50GK101529611SQ200780038599
公開日2009年9月9日 申請日期2007年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月16日
發(fā)明者富永剛, 杉本和則, 池田武史, 長尾和真 申請人:東麗株式會社