專利名稱：共模扼流圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于消除傳輸線路上的共模噪聲的繞組型共模扼流圈。
背景技術(shù)：
以往，作為這種共模扼流圈，例如有專利文獻(xiàn)1或?qū)＠墨I(xiàn)2公開的 技術(shù)。
該共模扼流圈構(gòu)成如下在兩端具有凸緣部的磁芯(core)的繞芯部 上纏繞兩條繞組，并在凸緣部的電極上接合繞組的兩端的同時(shí)，將鐵氧體 (ferrite)板架在凸緣部的上面一側(cè)上。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能消除侵入到CAN (Controller Area Network)等差動(dòng) 傳輸線路上的共模噪聲。
專利文獻(xiàn)l:特開2003-168611號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:特開2000-133522號(hào)公報(bào)
但是所述的以往的共模扼流圈中存在以下的問題。
通常，在市場(chǎng)上銷售產(chǎn)品之前，將產(chǎn)品暴露在能假定的電磁干擾等條 件上，并對(duì)其進(jìn)行是否能經(jīng)受住各種電磁干擾的抗干擾性(immunity)試 驗(yàn)。
在對(duì)共模扼流圈的共模噪聲的抗干擾性試驗(yàn)中，將作為被試驗(yàn)品的共 模扼流圈通過差動(dòng)傳輸線路配置于接合在發(fā)送IC上的接收IC的前段上。 然后，通過差動(dòng)傳輸線路從發(fā)送IC向接收IC發(fā)送差動(dòng)信號(hào)的同時(shí)，例如， 在差動(dòng)傳輸線路上產(chǎn)生lMHz 400MHz的共模噪聲，并將該共模噪聲加載 在差動(dòng)信號(hào)上。在該狀態(tài)中，確認(rèn)發(fā)送IC或接收IC是否引起誤操作。
但是，在該抗干擾性試驗(yàn)時(shí)，由于被試驗(yàn)品的共模扼流圈的電感與接 收IC的輸入電容構(gòu)成諧振電路，因此會(huì)降低在該諧振電路的諧振頻率或 其附近的頻帶中控制共模噪聲的比例。這種情況下，存在發(fā)送IC或接收IC進(jìn)行誤操作且被試驗(yàn)品不能通過抗干擾性試驗(yàn)的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為解決所述問題而構(gòu)成的，其目的為提供一種將線圈結(jié)構(gòu)形
成為能防止抗干擾性試驗(yàn)時(shí)的發(fā)送IC或接收IC的誤操作的結(jié)構(gòu)，謀求抗
干擾特性的改善的共模扼流圈。
為了解決所述問題，發(fā)明l是一種共模扼流圈，包括磁芯，具有繞
芯部和在該繞芯部的兩端部設(shè)置的一對(duì)凸緣部而構(gòu)成；外部電極，形成在 所述各凸緣部上； 一對(duì)繞組，纏繞在所述繞芯部，且各端部引出并接合到 所述外部電極；和磁性板，通過粘合劑接合在所述一對(duì)凸緣部上，其中， 在所述磁性板的至少與所述凸緣部的接合部位形成金屬膜。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在磁性板的至少與凸緣部的接合部位形成了金屬 膜，因此增加了抗干擾性試驗(yàn)時(shí)的在共模扼流圈的電感與接收IC的輸入 部的電容之間構(gòu)成的諧振電路的諧振頻率和其附近頻帶內(nèi)的噪聲所對(duì)應(yīng) 的電阻成分，能抑制共模噪聲。其結(jié)果，對(duì)抗干擾性試驗(yàn)中的所有頻帶的 噪聲都會(huì)發(fā)揮良好的噪聲抑制效果。
發(fā)明2根據(jù)發(fā)明1所述的共模扼流圈，分別由鐵氧體形成所述磁芯與 所述磁性板。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能提高磁力特性。
發(fā)明3根據(jù)發(fā)明1或發(fā)明2所述的共模扼流圈，金屬膜由包括鐵、鈷、 鎳、鉻、錳及銅之中的至少任何一個(gè)的強(qiáng)磁性體形成。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能保持良好的磁力特性，并且還能增加對(duì)噪聲的電阻成分。
發(fā)明4根據(jù)發(fā)明3所述的共模扼流圈，金屬膜由鎳鉻為主成分的強(qiáng)磁 性體的合金形成。
發(fā)明5根據(jù)發(fā)明1至發(fā)明4的任一項(xiàng)所述的共模扼流圈，粘合劑中混 入了磁粉。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能更加提高磁力特性。
如上詳細(xì)說明，根據(jù)該發(fā)明的共模扼流圈，由于在磁性板的至少與凸 緣部的接合部位形成了金屬膜，因此能謀求抗干擾特性的改善，其結(jié)果，具有能對(duì)抗干擾性試驗(yàn)中的所有頻帶的噪聲實(shí)現(xiàn)良好的噪聲抑制效果的 出色的效果。
另外，根據(jù)發(fā)明2的共模扼流圈，具有能提高線圈磁力特性的效果。 并且，根據(jù)發(fā)明2至發(fā)明4的共模扼流圈，具有能進(jìn)一步增加對(duì)噪聲 的電阻成分的效果。


圖1是表示該發(fā)明的第1實(shí)施例的共模扼流圈的立體圖。
圖2是實(shí)施例的共模扼流圈的正面圖。 圖3是表示共模扼流圈的底面的立體圖。 圖4是圖1的A-A方向的剖視圖。
圖5是表示共模扼流圈的制造方法的第1工序的工序圖。 圖6是表示共模扼流圈的制造方法的第2工序的工序圖。 圖7是用于說明抗干擾性試驗(yàn)中的共模扼流圈的作用和效果的示意框圖。
圖8是未設(shè)置金屬膜時(shí)的頻率與阻抗之間的相關(guān)圖。
圖9是設(shè)置金屬膜時(shí)的頻率與阻抗之間的相關(guān)圖。
圖10是表示該發(fā)明的第2實(shí)施例的共模扼流圈的剖視圖。
圖11是表示制造第2實(shí)施例的共模扼流圈的頂板部分的工序的側(cè)視圖。
圖12是表示該發(fā)明的第3實(shí)施例的共模扼流圈的分解立體圖。
圖13是第3實(shí)施例的共模扼流圈的正面圖。
圖14是表示第3實(shí)施例的第1變形例的正面圖。
圖15是表示第3實(shí)施例的第2變形例的正面圖。
圖16是表示第3實(shí)施例的第3變形例的正面圖。
圖17是將該發(fā)明的第4實(shí)施例的共模扼流圈翻過來表示的立體圖。
圖18是第4實(shí)施例的共模扼流圈的剖視圖。
圖中l(wèi)一共模扼流圈；2 —磁芯；3-l 3-4 —外部電極；4-1、 4-2 —繞 組；4-la、 4-lb、 4-2a、 4-2b —端部;5 —頂板;5a、 21c、 22c—上表面; 5b、 6b —下表面；6 —金屬膜；7—粘合劑；8 —抗蝕膜(resist) ; 20 —繞芯部；21、 22—凸緣部;21a、 21b、 22a、 22b—底部;100 —發(fā)送IC; 101
一接收IC; 102—電容；111、 112 —差動(dòng)傳輸線路；120 —噪聲產(chǎn)生器。
具體實(shí)施例方式
以下，參照

該發(fā)明的最佳方式。 (實(shí)施例1)
圖1是表示該發(fā)明的第1實(shí)施例的共模扼流圈的立體圖，圖2是實(shí)施 例的共模扼流圈的正面圖，圖3是表示共模扼流圈的底面的立體圖。
共模扼流圈1是表面安裝型繞組線圈，如圖1和圖2所示，其具有
作為磁芯的芯部2; 4個(gè)外部電極3-1~3-4; —對(duì)繞組4-l、 4-2;作為磁性 板的頂板5。
磁芯2由Mn-Zn類鐵氧體、Ni-Zn類鐵氧體等的鐵氧體形成，且由中 央的繞芯部20與其兩端的一對(duì)凸緣部21、 22構(gòu)成。
外部電極3-1~3-4形成在凸緣部21、 22的下部。
具體而言，如圖3所示，外部電極3-l、 3-2分別形成在凸緣部21的 底部21a、 21b上，外部電極3-3、 3-4分別形成在凸緣部22的底部22a、 22b上。
一對(duì)繞組4-l、 4-2是用絕緣膜分別包住銅線而形成的線，其纏繞在磁 芯2的繞芯部20上。并且，繞組4-l、 4-2的端部4-la、 4-2a引出至外部 電極3-l、 3-2偵lJ，從而分別接合在外部電極3-l、 3-2上，并且繞組4-l、 4-2的端部4-lb、 4-2b引出至外部電極3-3、 3-4側(cè)，從而分別接合在外部 電極3-3、 3-4上。
與磁芯2同樣的，圖l所示的頂板5也由Mn-Zn類鐵氧體、Ni-Zn類 鐵氧體等的鐵氧體形成，除了其上表面5a之外，下表面5b和周圍側(cè)面5c 由金屬膜6覆蓋著。
金屬膜6由包括鐵、鈷、鎳、鉻、錳及銅之中的至少任何一個(gè)的強(qiáng)磁 性體形成。但是，最好由鎳鉻為主成分的強(qiáng)磁性體形成。另外，金屬膜6 的膜厚最好為約0.3 P m 約5 u m，最理想的是約0.5 y m 約3 P m范圍內(nèi) 的厚度。
這樣的頂板5架在凸緣部21、 22的上表面，并用粘合劑7接合在凸緣部21、 22的上表面。
粘合劑7中混入有磁粉，其不僅接合磁芯2與頂板5，而且還提高這 些部件之間的磁力特性。
圖4是圖1的A-A方向的剖視圖。
通過共模扼流圈l采用所述結(jié)構(gòu)，當(dāng)規(guī)定頻率的信號(hào)輸入到共模扼流 圈1時(shí)，如圖4的箭頭所示，沿著繞芯部20、凸緣部2K 22和頂板5產(chǎn) 生與信號(hào)對(duì)應(yīng)的磁力線H。
此時(shí)，由于金屬膜6形成在磁力線H的通過部位，因此該金屬膜6成 為共模扼流圈1的電阻成分。
圖5是表示共模扼流圈1的制造方法的第1工序的工序圖，圖6是表 示共模扼流圈1的制造方法的第2工序的工序圖。
第1工序是如圖5所示的制造共模扼流圈主體的工序。具體而言，如 圖5 (a)所示，形成磁芯2之后，如圖5 (b)所示，在磁芯2的凸緣部 21、 22的下部涂敷外部電極3-l 3-4。然后，如圖5 (c)所示，在磁芯2 的繞芯部20上纏繞繞組4-l、 4-2，將端部4-la、 4-2a與端部4-lb、 4-2b 分別接合到外部電極3-l、 3-2與外部電極3-3、 3-4上。之后，如圖5 (d) 所示，在凸緣部21、 22上表面涂敷粘合劑7。
另一方面，第2工序是如圖6所示的制造頂板5部分的工序，其與第 1工序并行執(zhí)行。
具體而言，如圖6 (a)所示形成頂板5。然后，如圖6 (b)所示，通 過電鍍等方法，在該頂板5的下表面5b與周圍側(cè)面5c上形成金屬膜6。
執(zhí)行完所述第1和第2工序之后，如圖2所示，通過在第l工序中作 成的磁芯2的凸緣部21、 22上表面上用粘合劑7粘接第1工序中作成的 附著金屬膜6的頂板5，從而能制造共模扼流圈1 。
下面，對(duì)該實(shí)施例的共模扼流圈表示的作用和效果進(jìn)行說明。
圖7是用于說明在抗干擾性試驗(yàn)中的共模扼流圈1的作用和效果的示 意框圖。
圖7中，標(biāo)記IOO、 IOI是發(fā)送IC、接收IC，這些發(fā)送IC100與接收 IC101通過差動(dòng)傳輸線路111、 112接合。并且，用于產(chǎn)生共模噪聲N的 噪聲產(chǎn)生器120配置在發(fā)送IC100側(cè)的差動(dòng)傳輸線路111、 112部位上。共模扼流圈1是在如上所述的差動(dòng)傳輸線路111、 112上，且其接合 在與接收IC101側(cè)較近的部位上。具體而言，在差動(dòng)傳輸線路lll上接合 外部電極3-2、 3-4的同時(shí)，在差動(dòng)傳輸線路112上接合外部電極3-l、 3-3。
在該狀態(tài)中，從發(fā)送ICIOO向差動(dòng)傳輸線路111、 112輸出差動(dòng)信號(hào) Sl、 Sl'，并且利用噪聲產(chǎn)生器120，在差動(dòng)傳輸線路111、 112上產(chǎn)生 規(guī)定頻率范圍的共模噪聲N。
這樣，向著共模扼流圈1側(cè)傳輸加載有共模噪聲N的差動(dòng)信號(hào)S2、 S2'，并通過外部電極3-l、 3-2輸入到共模扼流圈1內(nèi)。然后，該差動(dòng)信 號(hào)S2、 S2'通過繞組4-l、 4-2和電阻R、 R，并通過外部電極3-3、 3-4， 向差動(dòng)傳輸線路lll、 112作為差動(dòng)信號(hào)的S3、 S3'輸出。
可是，接收ICIOI的終端的電容是作為在終端中產(chǎn)成的很多電容的總 合而產(chǎn)成的。在這里，為了容易理解，將這些電容表示成電容102。這樣， 由于在接收ICIOI的終端中存在電容102，因此共模扼流圈1的繞組4-l、 4-2的電感與該電容102之間構(gòu)成了諧振電路。所以，存在該諧振電路的 諧振頻率被包括在噪聲產(chǎn)生器120中產(chǎn)生的共模噪聲N的頻率范圍內(nèi)的擔(dān) 心。在該狀態(tài)中，該諧振頻率與其附近的頻帶內(nèi)的共模噪聲N沒有被充分 抑制，因此存在輸出加載有共模噪聲N的差動(dòng)信號(hào)S3、 S3'的擔(dān)心。
但是，在該實(shí)施例的共模扼流圈1中，由于在頂板5的下表面5b與 周圍側(cè)面5c上形成了金屬膜6，并如圖4所示，構(gòu)成為磁力線H必然會(huì) 通過該金屬膜6，因此增加了對(duì)所述諧振頻率與其附近的頻帶內(nèi)的共模噪 聲N的電阻成分R，且該阻抗成分抑制共模噪聲N。其結(jié)果，對(duì)于抗干擾 性試驗(yàn)中的所有頻帶的共模噪聲N都會(huì)發(fā)揮良好的噪聲抑制效果。
為了確認(rèn)該效果，發(fā)明者進(jìn)行了如下實(shí)驗(yàn)。
在該實(shí)驗(yàn)中，例如，進(jìn)行如下抗干擾性試驗(yàn)假設(shè)將共模扼流圈l安 裝在使用于汽車內(nèi)部的電纜網(wǎng)的拐射線(Flex Ray)上，根據(jù)有無金屬膜 6，調(diào)查共模扼流圈的電阻成分如何不同。
圖8是未設(shè)置金屬膜6時(shí)的頻率與阻抗之間的相關(guān)圖，圖9是設(shè)置金 屬膜6時(shí)的頻率與阻抗之間的相關(guān)圖。
首先，將具有l(wèi)OOwH的繞組4-1、 4-2且頂板5的厚度為0.8mm的 4532 (長(zhǎng)4.5mm，寬3.2mm)的共模扼流圈安裝在圖7所示的差動(dòng)傳輸線路lll、 112上。然后，從噪聲產(chǎn)生器120產(chǎn)生lMHz 400MHz范圍的共 模噪聲N，并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。另外電容102是10pF 20pF左右。 圖8中，曲線R表示共模扼流圈的電阻成分。
在該實(shí)驗(yàn)中，如圖8的曲線R所示，電阻成分R在頻率約為25MHz 時(shí)變得最大，而在lMHz 10MHz的頻帶中非常小。
另一方面，根據(jù)共模扼流圈1的電感值為100uH、電容102的電容 量為10pF 20pF左右可知，共模扼流圈1與接收ICIOI的電容102之間的 諧振電路的諧振頻率是數(shù)MHz。
因此，在該諧振頻率與其附近的頻率的共模噪聲N被加載在差動(dòng)信號(hào) 上時(shí)，在該實(shí)驗(yàn)中使用的共模扼流圈中，由于電阻成分小，因此不能充分 抑制該共模噪聲N，所以接收IC101會(huì)引起誤操作。
其次，通過電鍍等在所述共模扼流圈的頂板5的下表面5b與周圍側(cè) 面5c上形成由鎳鉻(NiCr)為主成分的合金構(gòu)成的金屬膜6，并將具有該 金屬膜6的共模扼流圈1安裝在圖7所示的差動(dòng)傳輸線路111、 112上， 由噪聲產(chǎn)生器120產(chǎn)生lMHz 400MHz范圍的共模噪聲N。
圖9的曲線R表示共模扼流圈的電阻成分。
在該實(shí)驗(yàn)中，如圖9的曲線R所示，約lMHz 10MHz頻帶內(nèi)的電阻 成分R為1000Q左右，通過金屬膜6，電阻成分?jǐn)U大到更寬的頻率范圍并 變得非常大。
因此，即使差動(dòng)信號(hào)上加載有數(shù)MHz的諧振頻率與其附近的頻率的 共模噪聲N，由于基于金屬膜6的大電阻成分抑制了共模噪聲N，因此也 不會(huì)發(fā)生接收ICIOI的誤操作。 (實(shí)施例2)
圖10是表示該發(fā)明的第2實(shí)施例的共模扼流圈的剖視圖，圖11是表 示制造該實(shí)施例的共模扼流圈的頂板部分的工序的側(cè)視圖。
如圖IO所示，與所述第1實(shí)施例的不同點(diǎn)是該實(shí)施例的共模扼流 圈在頂板5的下側(cè)設(shè)置了抗蝕膜8。
該抗蝕膜8，例如由環(huán)氧樹脂形成，并在覆蓋頂板5的金屬膜6的下 側(cè)部分上，與繞組4-l、 4-2對(duì)置設(shè)置。
如圖11所示，進(jìn)行設(shè)置有該抗蝕膜8的頂板5的制造。艮P，如圖11 (a)所示，形成頂板5之后，如圖11 (b)所示，通過 電鍍等方法，在該頂板5的下表面5b與周圍側(cè)面5c上形成金屬膜6。之 后，如圖ll (c)所示，在頂板5的下表面5b的部位上涂敷抗蝕膜8。
進(jìn)行對(duì)共模扼流圈的靜電試驗(yàn)時(shí)，流過繞組4-l、 4-2的靜電對(duì)頂板5 的金屬膜6放電，因此存在會(huì)破壞繞組4-l、 4-2的覆蓋膜的擔(dān)心。但是， 如該實(shí)施例所示，通過在相對(duì)繞組4-1、 4-2的金屬膜6的表面上設(shè)置抗蝕 膜8，能提高繞組4-l、 4-2與金屬膜6之間的耐電壓，其結(jié)果能提高靜電 試驗(yàn)性能。
其它的結(jié)構(gòu)、作用和效果與所述第l實(shí)施例相同，因此省略其敘述。 (實(shí)施例3)
圖12是表示該發(fā)明的第3實(shí)施例的共模扼流圈的分解立體圖，圖13 是該實(shí)施例的共模扼流圈的正面圖。
如圖12所示，與所述第1和第2實(shí)施例的不同點(diǎn)是該實(shí)施例的共 模扼流圈擴(kuò)大了對(duì)凸緣部21、 22的金屬膜6的接合部位的面積。
具體而言，如圖13所示，將頂板5的下表面5b形成為三角形狀，在 該下表面5b的整個(gè)面上設(shè)置金屬膜6。因此，金屬膜6的下表面6b也是 三角形狀，即形成了截面V字狀。
在所述第1和第2實(shí)施例中，由于在水平平面上設(shè)置了頂板5的下表 面或凸緣部21 (22)的上表面，因此對(duì)應(yīng)凸緣部21 (22)上表面的金屬 膜6的接合部位形成了水平平面，但是在該實(shí)施例中，如上所述，由于將 頂板5的下表面5b與凸緣部21 (22)的上表面21c (22c)形成了截面V 字狀，因此對(duì)應(yīng)凸緣部21 (22)上表面的金屬膜6的下表面6b的接合部 位也形成了截面V字狀，與所述第1和第2實(shí)施例相比擴(kuò)大了該接合部位 的面積。
根據(jù)該構(gòu)成，增加了基于金屬膜6的電阻成分，其結(jié)果，對(duì)抗干擾性 試驗(yàn)中的共模扼流圈發(fā)揮更良好的噪聲抑制效果。
另外，擴(kuò)大相對(duì)凸緣部21、 22的金屬膜6的接合部位的面積的結(jié)構(gòu)， 不僅限于圖12和圖13所示的結(jié)構(gòu)。
圖14是表示第3實(shí)施例的第1變形例的正面圖，圖15是表示第3實(shí) 施例的第2變形例的正面圖，圖16是表示第3實(shí)施例的第3變形例的正面圖。
艮口，如圖14所示，通過將金屬膜6的下表面6b的中央部突起設(shè)置成
截面大致U字狀，并且使凸緣部21 (22)的上表面21c (22c)對(duì)應(yīng)金屬 膜6的下表面6b的形狀凹下去，也能擴(kuò)大相對(duì)凸緣部21、 22的金屬膜6 的接合部位的面積。
當(dāng)然，如圖15所示，通過將金屬膜6的下表面6b的中央部凹成截面 大致逆U字狀，并且使凸緣部21 (22)的上表面21c (22c)對(duì)應(yīng)金屬膜 6的下表面6b的形狀突起，也能擴(kuò)大相對(duì)凸緣部21、 22的金屬膜6的接 合部位的面積。
另外，如圖16所示，將頂板5整體形成截面大致逆U字狀，并在該 頂板5上設(shè)置金屬膜6，將成為頂板5內(nèi)側(cè)的下表面5b、即金屬膜6的下 表面6b通過粘合劑7粘接在凸緣部21 (22)的上表面21c (22c)和側(cè)面 21d (22d) 、 21e (22e)上，這樣的結(jié)構(gòu)也能擴(kuò)大相對(duì)凸緣部21、 22的 金屬膜6的接合部位的面積。
其它的結(jié)構(gòu)、作用和效果與所述第1和第2實(shí)施例相同，因此省略其 敘述。
(實(shí)施例4)
圖17是將該發(fā)明的第4實(shí)施例的共模扼流圈翻過來表示的立體圖， 圖18是該實(shí)施例的共模扼流圈的剖視圖。
如圖17所示，與所述第1至第3實(shí)施例的不同點(diǎn)是該實(shí)施例的共 模扼流圈在金屬膜6的下側(cè)部上設(shè)置了切口部B。
具體而言，如圖18所示，在頂板5的上表面5a上也形成金屬膜6， 但是在頂板5的下表面5b的部位中，除了金屬膜6的下側(cè)部之外，還形 成了切口部B。該切口部B的寬度(圖18的表里方向)設(shè)定得與頂板5 的寬度大致相同，其長(zhǎng)度W6 (圖18的左右方向)設(shè)定成繞組4-1、 4-2 的纏繞長(zhǎng)度W4以上。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在對(duì)共模扼流圈進(jìn)行靜電試驗(yàn)時(shí)，即使產(chǎn)生流過繞組 4-l、4-2的靜電，由于沒有靜電越過的金屬膜部分，因此能防止靜電向金 屬膜6放電的現(xiàn)象。
其它的結(jié)構(gòu)、作用和效果與所述第1至第3實(shí)施例相同，因此省略其記載。
另外，該發(fā)明并不僅限于所述的實(shí)施例，在發(fā)明要旨的范圍內(nèi)能有種 種變形或變更。
例如，在所述實(shí)施例中，分別由鐵氧體形成了磁芯2與頂板5，但這 并不意味著要從該發(fā)明的范圍中排除由鐵氧體以外的磁性體形成這些部 件的共模扼流圈。
而且，在所述實(shí)施例中，例示了粘合劑7中混入了磁粉，但這并不意
味著要從該發(fā)明的范圍中排除使用了未混入磁粉的粘合劑的共模扼流圈。
并且，在所述實(shí)施例中，在磁芯2的凸緣部21、 22上直接涂敷形成 了外部電極3-1~3-4，但這并不意味著要從該發(fā)明的范圍中排除其它方式， 例如由金屬端子在凸緣部2上形成外部電極的共模扼流圈。
權(quán)利要求
1、一種共模扼流圈，包括磁芯，具有繞芯部和在該繞芯部的兩端部設(shè)置的一對(duì)凸緣部而構(gòu)成；外部電極，形成在所述各凸緣部上；一對(duì)繞組，纏繞在所述繞芯部，且各端部引出并接合到所述外部電極；和磁性板，通過粘合劑接合在所述一對(duì)凸緣部上，其特征在于在所述磁性板的至少與所述凸緣部的接合部位形成金屬膜。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的共模扼流圈，其特征在于 所述磁芯與所述磁性板分別由鐵氧體形成。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的共模扼流圈，其特征在于 所述金屬膜由包括鐵、鈷、鎳、鉻、錳及銅之中的至少任何一個(gè)的強(qiáng)磁性體形成。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的共模扼流圈，其特征在于 所述金屬膜由鎳鉻為主成分的強(qiáng)磁性體的合金形成。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的共模扼流圈，其特征在于 在所述粘合劑中混入了磁粉。
全文摘要
本發(fā)明提供一種共模扼流圈，通過將線圈的結(jié)構(gòu)形成為能防止抗干擾性試驗(yàn)時(shí)的發(fā)送IC或接收IC的誤操作的結(jié)構(gòu)，謀求抗干擾性特性的改善。該共模扼流圈具有磁芯(2)，外部電極(3-1～3-4)，一對(duì)繞組(4-1、4-2)，頂板(5)。磁芯(2)由繞芯部(20)與其兩端的一對(duì)凸緣部(21、22)構(gòu)成，外部電極(3-1～3-4)形成在凸緣部(21、22)的下部。而且，一對(duì)繞組(4-1、4-2)纏繞在磁芯(2)的繞芯部(20)上，其端部(4-1a、4-2a)接合在外部電極(3-1、3-2)上，并且端部(4-1b、4-2b)接合在外部電極(3-3、3-4)上。另外，頂板(5)的下表面(5b)和周圍側(cè)面(5c)被金屬膜(6)覆蓋，并通過粘合劑(7)接合在凸緣部(21、22)的上面。最好在粘合劑(7)中混入磁粉。
文檔編號(hào)H01F27/36GK101529537SQ20078004030
公開日2009年9月9日 申請(qǐng)日期2007年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月1日
發(fā)明者東貴博, 后藤祥正, 平井真哉, 齋藤康志, 森長(zhǎng)哲也, 石渡祐, 西川善榮, 青木隆博 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所