專利名稱：：從盤形物品的表面清除液體的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種從盤形物品的表面清除液體的裝置。更具體地說，本發(fā)明涉及一種以流體處理盤形物品而從其表面清除液體的裝置。
背景技術(shù)：
：在半導(dǎo)體工業(yè)中已知一些液體清除方法。許多液體清除方法采用限定的液體/氣體邊界層，這種液體清除方法大多稱為馬蘭葛尼干燥法。0001美國專利No.5,882,433〃^開了一種組合式馬蘭葛尼i走轉(zhuǎn)干燥法及其裝置。因此，去離子水被分配至晶片上，并同時(shí)分配氮?dú)馀c2-丙醇的混合物。氮?dú)庵械?-丙醇會影響液體/氣體邊界層，因?yàn)闀a(chǎn)生表面傾斜度，這導(dǎo)致水離開晶片，且不會在晶片上留下任何水滴的效果(馬蘭葛尼效應(yīng))。氣體分配器一直隨著液體分配器而動(dòng)，只要液體分配器從中心運(yùn)動(dòng)至晶片的邊緣而且晶片旋轉(zhuǎn)，并由此氣體一直從晶片上排出液體。然而，這種液體清除方法很難控制。例如，液體分配器至氣體分配器的距離、溫度、氣流和液流等均是關(guān)鍵參數(shù)。因此，處理窗口非常窄小，特別是對于象300mm半導(dǎo)體晶片和平板顯示器這樣的較大直徑的盤形物品以及對于具有較高集成化，例如90nm、65nm的裝置尺寸的半導(dǎo)體晶片。當(dāng)前精心設(shè)計(jì)以從盤形物品的內(nèi)部區(qū)域清除液體的現(xiàn)有裝置無法充分地從外部區(qū)域清除液體。該設(shè)計(jì)曾經(jīng)被修改成充分地從外部區(qū)域清除液體，但這種設(shè)計(jì)卻不再能充分地從內(nèi)部區(qū)域清除液體
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的是提供一種用于從大型盤形物品，例如直徑大于200mm的半導(dǎo)體晶片清除液體的方法。通過提供一種用于從盤形物品的表面清除液體的裝置達(dá)到本發(fā)明的目的，該裝置包括旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其用于保持和旋轉(zhuǎn)一個(gè)單盤形物品；液體分配機(jī)構(gòu)，其用于將液體分配至盤形物品上；第一氣體分配機(jī)構(gòu)，其包括具有孔的至少一個(gè)噴嘴，用于將氣體吹至該盤形物品上；'第二氣體分配機(jī)構(gòu)，其包括具有孔的至少一個(gè)噴嘴，用于將氣體吹至該盤形物品上；運(yùn)動(dòng)才幾構(gòu)，其用于將液體分配才;i構(gòu)和第二氣體分配才凡構(gòu)運(yùn)動(dòng)越過該盤形物品，致使第二氣體分配機(jī)構(gòu)和液體分配機(jī)構(gòu)能朝向邊緣區(qū)域運(yùn)動(dòng)；和用于控制經(jīng)過與第二氣體分配機(jī)構(gòu)分開的第一氣體分配機(jī)構(gòu)而;故分配的氣流的才幾構(gòu)；其中，第一氣體分配機(jī)構(gòu)的孔的橫剖面積總和小于第二氣體分配機(jī)構(gòu)的孔的橫剖面積總和。這種旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)可以是旋轉(zhuǎn)夾頭，比如真空夾頭、銷夾頭或伯努利夾頭，或者可以是沿圓周方向接觸盤形物品且驅(qū)動(dòng)該盤形物品的滾筒。液體分配機(jī)構(gòu)通常包括管道液體壓力機(jī)構(gòu)(例如，泵或位于較高水平的容器)和至少一個(gè)排放噴嘴，該排放噴嘴具有至少一個(gè)孔。排放噴嘴朝向盤形物品的表面。優(yōu)選地，在液體清除過程中，僅使用具有一個(gè)單孔的一個(gè)噴嘴，該噴嘴朝向所述表面，致使液體垂直地被分配到表面上。有利地，選擇平滑形狀的孔(例如，圓形或橢圓形孔)，致使液體被分配至盤形物品上，且沒有飛賊。在一個(gè)實(shí)施例中，用于單獨(dú)地控制第一和第二氣體分配機(jī)構(gòu)的氣流的機(jī)構(gòu)是螺線管閥，該閥由控制器(例如，計(jì)算機(jī))開關(guān)。這種控制器具有液體和氣體分配機(jī)構(gòu)在某一時(shí)刻所在之處的信息，并因此能決定何時(shí)可以打開第二氣體分配裝置，何時(shí)液體分配機(jī)構(gòu)通過某一位置。在另一實(shí)施例中，用于單獨(dú)控制的機(jī)構(gòu)甚至能增加和減少氣體體積流。在優(yōu)選的實(shí)施例中，用于使液體分配機(jī)構(gòu)和笫二氣體分配機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)越過盤形物品的運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)被構(gòu)造成以使第二氣體分配機(jī)構(gòu)跟隨液體分配機(jī)構(gòu)而動(dòng)。這能通過將第二氣體分配機(jī)構(gòu)和液體分配機(jī)構(gòu)都安裝在同一噴嘴組件上實(shí)現(xiàn)，或者將它們安裝在不同的媒介臂上。在不同的臂上安裝噴嘴使具有如下優(yōu)點(diǎn)在液體分配機(jī)構(gòu)與第二氣體分配機(jī)構(gòu)之間的距離在該過程期間或在過程與過程之間可有所不同。在該實(shí)施例中，第一氣體分配機(jī)構(gòu)可以固定在旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的中心，并因此第一氣體分配機(jī)構(gòu)不跟隨液體分配機(jī)構(gòu)。在又一實(shí)施例中，運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)還包括用于運(yùn)動(dòng)第一氣體分配機(jī)構(gòu)越過盤形物品的機(jī)構(gòu)，致使第一氣體分配機(jī)構(gòu)隨著液體分配機(jī)構(gòu)而動(dòng)。在這種情況下，所有三個(gè)氣體分配機(jī)構(gòu)可以安裝在不同的臂上，或者可以屬于同一噴嘴組件。第一和第二氣體分配機(jī)構(gòu)的孔的橫剖面積的總和具有i:i.i與1:20之比。優(yōu)選的比值范圍是1:2比1:10。第一氣體分配機(jī)構(gòu)的又一優(yōu)選實(shí)施例的橫剖面積總和小于20mm2，這導(dǎo)致第一氣體小的沖擊面積。優(yōu)選地，第二氣體分配機(jī)構(gòu)的橫剖面積總和大于5mm2，這使第二氣體能覆蓋巨大面積。所迷第二氣體分配機(jī)構(gòu)可以包括狹縫形噴嘴，其中，該狹縫相對于旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的半徑基本上垂直地設(shè)置，由此第二氣體分配機(jī)構(gòu)分配氣幕。在這種情況下，術(shù)語"基本上垂直，，應(yīng)表示85。至95。的范圍。當(dāng)運(yùn)動(dòng)通過旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的中心并且狹縫形噴嘴相對于線性運(yùn)動(dòng)基本上垂直安裝時(shí)可以由第二氣體分配機(jī)構(gòu)的線性運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)。如果狹縫形噴嘴被安裝在旋轉(zhuǎn)臂上，噴嘴則必須進(jìn)行反向運(yùn)動(dòng)，以便將狹縫形噴嘴保持在基本上垂直于旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的半徑的位置。作為狹縫形噴嘴的替換方案，第二氣體分配機(jī)構(gòu)可以包括一排噴嘴，這些噴嘴以基本上直線設(shè)置。該直線基本上垂直于第二氣體分配機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)方向，由此這些噴嘴分配氣幕。此外，第二氣體分配機(jī)構(gòu)和液體分配機(jī)構(gòu)可以相互固定，使第二氣體分配機(jī)構(gòu)與液體分配機(jī)構(gòu)之間具有距離d2。第一氣體分配機(jī)構(gòu)、第二氣體分配機(jī)構(gòu)和液體分配機(jī)構(gòu)的對準(zhǔn)相互固定，而第一氣體分配機(jī)構(gòu)與液體分配機(jī)構(gòu)之間具有距離dl。優(yōu)選地，距離d2與距離dl的差值(d2-dl)應(yīng)在-lcm到+lcm的范圍。本發(fā)明的第二方面是一種用于將液體從盤形物品的表面清除的方法，該方法包括以下步驟圍繞垂直于盤形物品的主要表面的軸線旋轉(zhuǎn)該盤形物品；當(dāng)旋轉(zhuǎn)時(shí)，將液體供應(yīng)至該盤形物品上，其中，該液體從供液口供應(yīng)，該供液口朝向盤形物品的邊緣越過基片運(yùn)動(dòng)；通過第一供氣口將第一氣流供應(yīng)到盤形物品至一區(qū)域，其中，該區(qū)域的中心到旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)中心的距離不超過20mm,其中，當(dāng)供應(yīng)第一氣體時(shí)，第一氣體所供應(yīng)的區(qū)域被液體層覆蓋，并且由此，液體層在不連續(xù)的區(qū)域被打開；并且當(dāng)旋轉(zhuǎn)時(shí)，通過第二供氣口將第二氣體流供應(yīng)至盤形物品上，其中，該第二氣流從第二供氣口供應(yīng)，該供氣口朝向基片的邊緣越過該基片運(yùn)動(dòng)，其中，當(dāng)供應(yīng)第二氣流和液體時(shí)，第二供氣口到中心的距離小于供液口到中心的距離。例如，可以在第一氣流已經(jīng)開始后，開始供應(yīng)第二氣流，或者如果第二氣流開始，但未在第一氣流已經(jīng)開始之后，則在第一氣流已經(jīng)開始后增加第二氣流。這意味著，第二氣流首先可能為非常小的體積流0.21/min，而在距中心例如為40mm之處增加至61/min。在優(yōu)選的方法中，當(dāng)?shù)诙饪诘耐饩壟c旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)中心的距離為至少20mm時(shí)，則開始第二氣流。優(yōu)選地，笫一氣流的氣體速度至少是第二氣流的氣體速度的兩倍。第一氣流的氣體體積流可以不超過第二氣流的氣體體積流的一半。有利地，第一氣流的氣體速度vl最小為3m/s，優(yōu)選地，第二氣流的氣體速度v2最大為5m/s。在另一實(shí)施例中，當(dāng)液體分配機(jī)構(gòu)朝向邊緣運(yùn)動(dòng)時(shí)，則旋轉(zhuǎn)速度降低。然而，如果旋轉(zhuǎn)速度例如朝向邊緣增加，這可能也是有利的。在優(yōu)選的方法中，當(dāng)液體分配機(jī)構(gòu)朝向邊緣運(yùn)動(dòng)時(shí)，該液體分配機(jī)構(gòu)朝向邊緣運(yùn)動(dòng)的運(yùn)動(dòng)速度降低。為了進(jìn)一步提高液體清除的效率，或通過清除液體、或通過至少該第二氣流、或清除液體和至少該第二氣流兩者都通過來施加減少清除液體的表面張力的物質(zhì)。這種物質(zhì)可以稱為表面活性物質(zhì)。然而，按照本文定義，表面活性物質(zhì)必須是一種能夠降低水的表面能量(表面張力)的物質(zhì)，這不一定意味著，該物質(zhì)必須是表面活性劑或象肥皂那樣的表面活性劑。這只應(yīng)意味著，這種物質(zhì)包含分子，該分子具有極性端和無極性(非極性)端(例如，任何種類的醇)。通過附圖及有關(guān)說明，本發(fā)明的更多細(xì)節(jié)與優(yōu)點(diǎn)將變得一目了然。圖1示出本發(fā)明的實(shí)施例的示意圖。圖2示出本發(fā)明第一實(shí)施例中的噴嘴結(jié)構(gòu)的底部示意圖。圖3示出本發(fā)明第二實(shí)施例的噴嘴結(jié)構(gòu)的底部示意圖。圖4示出本發(fā)明第三實(shí)施例的噴嘴結(jié)構(gòu)的底部示意圖。圖5示出本發(fā)明第四實(shí)施例的噴嘴結(jié)構(gòu)的底部示意圖。圖6示出在噴嘴開始清除半導(dǎo)體晶片(晶片)中心的液體之前本發(fā)明實(shí)施例的橫剖面示意圖。圖7示出當(dāng)?shù)谝粴怏w分配機(jī)構(gòu)的噴嘴開始清除半導(dǎo)體晶片(晶片)中心的液體時(shí)本發(fā)明實(shí)施例的橫剖面示意圖。圖8示出本發(fā)明實(shí)施例的橫剖面示意圖，正好在第一氣體分配機(jī)構(gòu)的噴嘴已經(jīng)開始清除半導(dǎo)體晶片(晶片)中心的液體之后，且由第二氣體分配機(jī)構(gòu)支撐。圖9示出本發(fā)明實(shí)施例的頂部示意圖，正好在第一氣體分配機(jī)構(gòu)的噴嘴已經(jīng)開始清除半導(dǎo)體晶片(晶片)中心的液體之后，且由第二氣體分配機(jī)構(gòu)支撐。圖IO是本發(fā)明第一實(shí)施例中的方法關(guān)于噴嘴在晶片上方的位置，和關(guān)于液體、第一氣體及第二氣體供應(yīng)到晶片上的時(shí)間顯示圖。圖11是本發(fā)明第二實(shí)施例的方法關(guān)于噴嘴在晶片上方的位置顯示圖。具體實(shí)施例方式圖1示出本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例用于從盤形物品W的表面上清除液體的裝置l。該裝置包括用于保持盤形物品W的旋轉(zhuǎn)夾頭2和臂3，在該臂3上安裝噴嘴組件4。在這種情況下，盤形物品是半導(dǎo)體晶片(晶片)。旋轉(zhuǎn)夾頭2能旋轉(zhuǎn)(如箭頭R所示)。噴嘴組件4包括多個(gè)具有面朝下孔的噴嘴。通過這些噴嘴，不同的流體朝向晶片面向上的表面排放。臂3與噴嘴組件連接至運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未示出)上，以使噴嘴組件4運(yùn)動(dòng)越過晶片的表面。臂3也能沿著直線移動(dòng)(例如，箭頭X所示越過半徑)，或者能進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。當(dāng)噴嘴組件運(yùn)動(dòng)越過晶片時(shí)，在噴嘴組件與晶片表面之間只保持固定距離al。這樣的距離根據(jù)工藝參數(shù)(例如，流體流量、夾頭速度)是最佳的選擇，且在lmm與5cm之間，優(yōu)選為3mm與2cm之間選擇。噴嘴組件的距離由此凈皮限定為最靠近晶片的噴嘴孔的距離。圖2、圖3和圖4示出用于這種噴嘴組件三個(gè)不同實(shí)施例的底部示意圖。圖2示出噴嘴組件的第一實(shí)施例，該噴嘴組件具有潤濕噴嘴10，用于在液體清除過程中供應(yīng)潤濕液體；用于第一氣流的打開噴嘴8，以將氣體吹到封閉的液體層上(當(dāng)整個(gè)晶片表面被液體覆蓋時(shí))，并且由此打開潤濕液體的液體層；及兩個(gè)用于第二氣流的簾幕噴嘴6，以形成氣體環(huán)境?？蛇x擇地，噴嘴組件4還包括沖洗噴嘴12，用于在液體清除過程開始之前，分配沖洗液體(例如，去離子水)到晶片上。這樣使具有不需要單獨(dú)媒介臂的優(yōu)點(diǎn)。打開噴嘴8的孔的橫剖面積小于簾幕噴嘴6的孔的橫剖面積總和。在所示的示例中，打開噴嘴的孔的橫剖面積為8mm2(直徑為3.2mm)，而簾幕噴嘴孔中的兩個(gè)孔的橫剖面積總和為32mm2(2x2mmx8mm)。如果第一氣體的氣體體積流(fl通過打開噴嘴8)和第二氣體的氣體體積流(o通過簾幕噴嘴10)被選擇為相等(例如，fl=f2=61/min)，則通過打開噴嘴分配的氣體的氣體速度(vl)是通過簾幕噴嘴分配的氣體的氣體速度(v2)的四倍。因此，通過打開噴嘴朝向液體層的脈沖是簾幕噴嘴產(chǎn)生的脈沖的四倍。距離dl稱為打開噴嘴的孔8與潤濕噴嘴的孔IO之間的距離。距離d2稱為簾幕噴嘴的孔6與潤濕噴嘴的孔10之間的距離，該距離d2由此被定義為直線L6與潤濕噴嘴10的輪廓之間的距離。直線L6連接簾幕噴嘴的孔的輪廓，該直線L6接觸正面向潤濕噴嘴10的孔的部分輪廓。在所示的實(shí)施例中，直線L6垂直于運(yùn)動(dòng)方向，dl小于d2(d2-dl=4mm)。兩個(gè)噴嘴(例如，dl、d2)之間的距離不應(yīng)被理解是這兩個(gè)噴嘴中心之間的距離。所述第二氣體分配機(jī)構(gòu)包括兩個(gè)狹縫形噴嘴，其中，每個(gè)狹縫基本上被設(shè)置成旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的半徑成一定角度(a)，其范圍為85°到95°(見圖9)，由此，第二氣體分配機(jī)構(gòu)分配氣幕。圖3所示噴嘴組件的第二實(shí)施例以第一實(shí)施例(圖2)為基礎(chǔ)。但是，簾幕噴嘴(直線L6)以及打開噴嘴兩種噴嘴孔與潤濕噴嘴的孔具有相同的距離(dl=d2)。圖4所示噴嘴組件的第三實(shí)施例以第一實(shí)施例(圖2)為基礎(chǔ)。但是，簾幕噴嘴(直線L6)的噴嘴孔比打開噴嘴的孔更靠近潤濕噴嘴的孑L(dl>d2;d2-dl=-4mm)。圖5所示噴嘴組件的第四實(shí)施例以第二實(shí)施例(圖3)為基礎(chǔ)。但是，沖洗噴嘴被安裝在單獨(dú)臂上。盡管這樣導(dǎo)致機(jī)械上更為復(fù)雜，但是使具有這樣的優(yōu)點(diǎn)，即沖洗噴嘴能從晶片上方的空間移開，因此，沖洗噴嘴不會妨礙液體清除過程。如果d2同dl至少一樣大，則距離dl應(yīng)在0.5cm至3cm的范圍內(nèi)。如果dl同d2至少一樣大，則距離d2應(yīng)在0.5cm至3cm的范圍內(nèi)。根據(jù)噴嘴組件的第一實(shí)施例，將參照圖2、圖6、圖7、圖8和圖9說明清除液體的過程。這里將烘干300mm直徑的晶片。在清潔過程之后，通過沖洗噴嘴12，將沖洗液體(以101/min)施加至晶片表面上，同時(shí)沖洗噴嘴可以掃描越過晶片表面。沖洗液體在中心Z(圖6)停止，由此使晶片表面保持充分潮濕。在噴嘴組件4的這一位置，潤濕噴嘴10的中心處于位置A。相對于噴嘴組件4的移動(dòng)方向，位置A在中心Z的前面20mm處。下面潤濕噴嘴10的中心P被用來作為基準(zhǔn)位置。在位置A，通過潤濕噴嘴10以0.41/min的體積流施加潤濕液體(例如，去離子水)。4mm2的橫剖面積產(chǎn)生2.5m/s的潤濕液體速度。當(dāng)潤濕液體在位置A被打開時(shí)，則關(guān)掉沖洗液體(見圖6)。噴嘴組件在旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)(R)的中心Z上方運(yùn)動(dòng)，以大約5mm/s的速度越過晶片，使得噴嘴被保持在打開噴嘴已經(jīng)通過中心Z之后打開噴嘴8更靠近中心Z的位置。在打開噴嘴8已經(jīng)到達(dá)中心Z之前，但在潤濕噴嘴10已經(jīng)通過中心Z之后，打開第一氣流，由此，在中心周圍開始打開液體層L(見圖7)。通過打開噴嘴分配的氣體體積流為fl61/min(100cm3/s)。為了進(jìn)一步支持液體層的打開，fl可以被選擇成在開始階段5秒鐘內(nèi)甚至稍高一些(例如，101/min)(在圖11中看到)。噴嘴組件4進(jìn)一步朝向晶片邊緣運(yùn)動(dòng)。潤濕液體的液流和第一氣流保持不變，因此形成平滑的液體/氣體邊界層，該邊界層隨著噴嘴組件的運(yùn)動(dòng)而緩慢地朝向晶片表面運(yùn)動(dòng)。當(dāng)潤濕噴嘴P的中心與旋轉(zhuǎn)中心Z的距離為50mm時(shí)(見圖8，位置C)，打開簾幕噴嘴6，由此，將氣體供應(yīng)給更廣大面積的邊界層?？蛇x擇地，可以停止或降低打開噴嘴的氣流。當(dāng)降低時(shí)，可以降低到第二氣流的氣體體積流的四分之一的氣體體積流。因此，第一氣流的氣體速度會更加與第二氣流的氣體速度匹配。當(dāng)潤濕噴嘴到達(dá)位置D時(shí)，其距中心Z為140mm，便關(guān)掉潤濕液體(這時(shí)打開噴嘴位于距離中心Z為130mm的地方)。當(dāng)潤濕噴嘴到達(dá)位置E時(shí)，其距中心Z為160mm，兩個(gè)氣流均關(guān)掉(這時(shí)打開噴嘴位于距離中心一晶片的邊緣為150mm的地方)。為了進(jìn)一步支持平滑邊界層的形成，或通過氣流中的一個(gè)(或兩個(gè)氣流)、或通過潤濕液體、或潤濕液體和氣流(一個(gè)或多個(gè))兩者都通過，能將表面能量影響介質(zhì)(例如，2-丙醇)輸入到該系統(tǒng)內(nèi)。表l與表2概略示出圖10中所見的描述過程示例。(表0001)表1<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>為了進(jìn)一步支持液體清除過程，最好將潤濕液體沖擊點(diǎn)處的圓周速度保持不變。例如，從中心直到位置C(在上述示例中，ZC為50mm)旋轉(zhuǎn)速度以300rpm保持不變。因此，在潤濕液體沖擊點(diǎn)P的圓周速度(vc(r))從Om/s增加至2.36m/s。此后，應(yīng)根據(jù)潤濕噴嘴10的中心位置P的距離r來調(diào)整旋轉(zhuǎn)速度，用以下公式描述w(r)=wl*rl/r，式中，wl是基本旋轉(zhuǎn)速度；rl是沖擊點(diǎn)到旋轉(zhuǎn)中心的距離，從該處向前圓周速度應(yīng)保持不變。這意味著，當(dāng)潤濕噴嘴到旋轉(zhuǎn)中心的距離為100mm時(shí)，旋轉(zhuǎn)速度應(yīng)為150rpm,而在邊緣處(r-150mm)，旋轉(zhuǎn)速度則應(yīng)為100rpm。而且，最好是噴嘴向外運(yùn)動(dòng)得越遠(yuǎn)，運(yùn)動(dòng)速度m則應(yīng)減速。例如，從中心到位置C的運(yùn)動(dòng)速度為12mm/s，此后^更下降。例如r=100mm時(shí)，應(yīng)下降為m=6mm/s，而在r-150mm時(shí)，m=4mm/s。圖9示出本發(fā)明實(shí)施例的頂部示意圖，正好在第一氣體分配機(jī)構(gòu)的噴嘴已經(jīng)開始清除半導(dǎo)體晶片(晶片)中心的液體之后，且由第二氣體分配機(jī)構(gòu)支撐。在旋轉(zhuǎn)中心用虛線所示的噴嘴組件表示噴嘴組件已經(jīng)開始運(yùn)動(dòng)(箭頭X所示)的地方。對于上面所述的示例，將表面活性物質(zhì)以作為載氣的氮?dú)庵械?500ppm2-丙醇的濃度添加至第二氣流中。另一種作法是，將表面活性物質(zhì)(2-丙醇)可以以重量計(jì)的20%的濃度添加至潤濕液體(去離子水)中。在這種情況下，噴嘴組件的移動(dòng)速度m選擇為2mm/s。在可替換的示例中，晶片倒置地被保持在旋轉(zhuǎn)夾頭上，這意味著，液體和氣體從下面向晶片供給。另一種作法是，采用例如0002美國專利No.6，536，454B公開的旋轉(zhuǎn)夾頭的相同方法可同時(shí)烘干晶片的兩側(cè)。權(quán)利要求1.一種用于從盤形物品的表面清除液體的裝置，其包括旋轉(zhuǎn)夾頭，其用于保持和旋轉(zhuǎn)一個(gè)單盤形物品；液體分配機(jī)構(gòu)，其用于將液體分配至該盤形物品上；第一氣體分配機(jī)構(gòu)，其包括至少一個(gè)具有孔的噴嘴，用于將氣體吹至該盤形物品上；第二氣體分配機(jī)構(gòu)，其包括至少一個(gè)具有孔的噴嘴，用于將氣體吹至該盤形物品上；運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)，其用于使該液體分配機(jī)構(gòu)和該第二氣體分配機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)越過該盤形物品，從而使第二氣體分配機(jī)構(gòu)和液體分配機(jī)構(gòu)朝向邊緣區(qū)域運(yùn)動(dòng)；和用于控制通過與第二氣體分配機(jī)構(gòu)分開的第一氣體分配機(jī)構(gòu)而被分配的氣體流的機(jī)構(gòu)，其中，第一氣體分配機(jī)構(gòu)的孔的橫剖面積的總和小于第二氣體分配機(jī)構(gòu)的孔的橫剖面積的總和。2.如權(quán)利要求l所述的裝置，其中，所述用于使液體分配機(jī)構(gòu)和第二氣體分配機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)越過盤形物品的運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)被構(gòu)造成使得第二氣體分配機(jī)構(gòu)跟隨著液體分配機(jī)構(gòu)。3.如權(quán)利要求l所述的裝置，其中，運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)還包括用于使第一氣體分配機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)越過盤形物品的機(jī)構(gòu)，使得第一氣體分配機(jī)構(gòu)跟隨液體分配4幾構(gòu)。4.如權(quán)利要求l所述的裝置，其中，第一和第二氣體分配機(jī)構(gòu)的孔的橫剖面積總和具有1:1.1與1:20之比。5.如權(quán)利要求l所述的裝置，其中，第一氣體分配機(jī)構(gòu)的橫剖面積總和小于20mm2。6.如權(quán)利要求l所述的裝置，其中，第二氣體分配機(jī)構(gòu)的橫剖面積總和大于5mm2。7.如權(quán)利要求l所述的裝置，其中，第二氣體分配機(jī)構(gòu)包括狹縫形噴嘴，該狹縫相對于旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的半徑基本上垂直地設(shè)置，由此第二氣體分配機(jī)構(gòu)分配氣幕。8.如權(quán)利要求l所述的裝置，其中，第二氣體分配機(jī)構(gòu)包括一排噴嘴，這些噴嘴被設(shè)置在基本上直的線上，所述直的線基本上垂直于第二氣體分配機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)方向，由此這些噴嘴分配氣幕。9.如權(quán)利要求l所述的裝置，其中，第二氣體分配機(jī)構(gòu)和液體分配機(jī)構(gòu)相互固定，且第二氣體分配機(jī)構(gòu)與液體分配機(jī)構(gòu)之間具有距離d2。10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中，第一氣體分配機(jī)構(gòu)、第二氣體分配機(jī)構(gòu)和液體分配機(jī)構(gòu)相互固定，且第一氣體分配機(jī)構(gòu)與液體分配機(jī)構(gòu)之間具有距離dl。11.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中，距離d2與距離dl的差(d2-dl)在-lcm到+lcm之間。12.—種用于將液體從盤形物品的表面清除的方法，該方法包括以下步驟圍繞垂直于盤形物品的主表面的軸線旋轉(zhuǎn)該盤形物品；當(dāng)盤形物品械j走轉(zhuǎn)時(shí)，將液體供應(yīng)至該盤形物品上，其中，該液體從供液口供應(yīng)，該供液口朝向盤形物品的邊緣運(yùn)動(dòng)越過基片；通過第一供氣口將第一氣流供應(yīng)到盤形物品至一區(qū)域，其中，該區(qū)域的中心到旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)中心的距離不超過20mm，其中，當(dāng)供應(yīng)第一氣體時(shí)，第一氣體被供應(yīng)到的區(qū)域被液體層覆蓋，并且由此在不連續(xù)的區(qū)域打開液體層；以及當(dāng)盤形物品旋轉(zhuǎn)時(shí)，通過第二供氣口將第二氣流供應(yīng)至盤形物品上，其中，該第二氣流從第二供氣口供應(yīng)，該第二供氣口朝向基片的邊緣運(yùn)動(dòng)越過該基片，其中，當(dāng)供應(yīng)所述第二氣流和所述液體時(shí)，第二供氣口到所述旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)中心的距離小于供液口到所述旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)中心的距離。13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，在第一氣流已經(jīng)開始后，開始供應(yīng)第二氣流。14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，當(dāng)?shù)诙饪诘耐饩壟c旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的中心的距離為至少20mm時(shí)，則開始第二氣流。15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，第一氣流的氣體速度是第二氣流的氣體速度的至少兩倍。16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，第一氣流的氣體體積流不超過第二氣流的氣體體積流的一半。17.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，第一氣流的氣體速度vl最小為3m/s。18.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，第二氣流的氣體速度v2最大為5m/s。19.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，當(dāng)液體分配機(jī)構(gòu)朝向所述邊緣運(yùn)動(dòng)時(shí)，則旋轉(zhuǎn)速度降低。20.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，當(dāng)液體分配機(jī)構(gòu)朝向所述邊緣運(yùn)動(dòng)時(shí)，該液體分配機(jī)構(gòu)朝向邊緣運(yùn)動(dòng)的運(yùn)動(dòng)速度降低。21.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，或通過清除液體、或通過至少該第二氣流、或通過清除液體和至少該第二氣流來施加減少清除液體的表面張力的物質(zhì)。全文摘要本發(fā)明公開一種用于將液體從盤形物品的表面清除的方法，該方法包括以下步驟圍繞垂直于盤形物品的主要表面的軸線旋轉(zhuǎn)該盤形物品；當(dāng)旋轉(zhuǎn)時(shí)，將液體供應(yīng)至盤形物品上，其中，液體從供液口供應(yīng)，該供液口朝向盤形物品的邊緣越過基片運(yùn)動(dòng)；通過第一供氣口將第一氣流供應(yīng)到盤形物品至一區(qū)域，其中，該區(qū)域的中心到旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)中心的距離不超過20mm，其中，當(dāng)供應(yīng)第一氣體時(shí)，第一氣體所供應(yīng)的區(qū)域被液體層覆蓋，由此在不連續(xù)的區(qū)域打開液體層；并且當(dāng)旋轉(zhuǎn)時(shí)，通過第二供氣口將第二氣流供應(yīng)至盤形物品上，其中，該第二氣流從第二供氣口供應(yīng)，該供氣口朝向基片的邊緣越過該基片運(yùn)動(dòng)，其中，當(dāng)供應(yīng)第二氣流和液體時(shí)，第二供氣口到中心的距離小于供液口到中心的距離。此外，還公開了一種實(shí)施該方法的裝置。文檔編號H01L21/00GK101542684SQ200780042211公開日2009年9月23日申請日期2007年10月16日優(yōu)先權(quán)日2006年10月2日發(fā)明者A·維特爾斯海姆,H·克勞斯申請人:Sez股份公司