專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，更為具體地說，涉及具有屏蔽結(jié) 構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
在布線基板上裝載半導(dǎo)體元件并將其嵌入電子設(shè)備而進(jìn)行使用時(shí)，該半 導(dǎo)體元件所放射的電磁波會(huì)導(dǎo)致附近的電子部件或電路發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作，有可 能對(duì)人體帶來壞影響。特別近年來電子設(shè)備向數(shù)字方式發(fā)展，其信號(hào)源采用 脈沖信號(hào)，因此其高頻成分容易成為噪聲源。另外，高頻化、高速信號(hào)化的 發(fā)展也加劇了其影響度。
另一方面，有可能因相鄰的電子部件以及/或電路或外部環(huán)境所產(chǎn)生的電 磁波，而使該半導(dǎo)體元件受到壞影響。
因此，需要將半導(dǎo)體元件與周圍的環(huán)境實(shí)施電磁屏蔽(遮蔽)，例如， 提出了圖l所示的實(shí)施方式。
參照?qǐng)Dl，半導(dǎo)體器件10是所謂的BGA (Ball Grid Array:球門陣列) 型半導(dǎo)體器件，在布線基板2的下表面設(shè)有多個(gè)外部連接用的球狀凸塊1， 并且在布線基板2上隔著省略圖示的管芯焊接膜(die bonding film)等管芯 焊接構(gòu)件而載置并固定有半導(dǎo)體元件3。該半導(dǎo)體元件3的電極(未圖示) 通過接合線(bonding wire) 4而連接至布線基板2上的電極(未圖示)。并 且，半導(dǎo)體元件3和接合線4等被封裝樹脂5氣密地封裝。
在布線電路基板(母插件)11上，通過焊料等裝載了該半導(dǎo)體器件10， 并且該半導(dǎo)體器件10連接至布線電路基板11的布線部。例如，配置在布線 基板2的下表面的球狀凸塊1 (圖1所示的例子中的兩個(gè)球狀凸塊1)連接 至該布線基板2內(nèi)的接地導(dǎo)電層12，并且該球狀凸塊1連接至該布線電路基 板ll的接地布線圖案13。
在這種結(jié)構(gòu)中，需要阻止由半導(dǎo)體元件l產(chǎn)生的電磁波放射到外部，并 且需要阻斷來自外部環(huán)境的電磁波的影響，但是在該半導(dǎo)體器件IO結(jié)構(gòu)中，沒有對(duì)電磁波實(shí)施屏蔽(遮蔽)的效果。
因此，在布線電路基板11上設(shè)有金屬制屏蔽構(gòu)件14，該金屬制屏蔽構(gòu) 件14覆蓋包括半導(dǎo)體器件10的裝載位置的該布線電路基板11的表面，并 且剖面為大致"- "字形。該屏蔽構(gòu)件14通過焊料等連接至電極15，其中， 該電極15設(shè)在布線電路基板11的上表面上，并且連接至該布線電路基板11 的接地布線圖案13。
并且，在將半導(dǎo)體器件10裝載在該布線電路基板11上之后，再執(zhí)行將 屏蔽構(gòu)件12配置在布線電路基板11上的處理。
另外，為了力求作業(yè)的效率化，并且為了削減屏蔽構(gòu)件14的數(shù)目，采 用了這樣的方式在布線電路基板11上安裝了多個(gè)半導(dǎo)體器件10之后，在 該布線電路基板11上配置屏蔽構(gòu)件來一并覆蓋這些個(gè)半導(dǎo)體器件，從而進(jìn) 行屏蔽。
另外還提出了高頻模塊部件，該高頻模塊部件具有樹脂覆蓋構(gòu)件和屏蔽 金屬膜，其中，該樹脂覆蓋構(gòu)件具有導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔到達(dá)成為電子部件的 接地電位的端子電極，該屏蔽金屬膜覆蓋上述樹脂覆蓋構(gòu)件(例如，參照專 利文獻(xiàn)1)。另外，還提出了這樣的半導(dǎo)體器件，在該半導(dǎo)體器件中，在半 導(dǎo)體基板的主面上有元件電極，并且在半導(dǎo)體基板的背面粘合有板(例如， 參照專利文獻(xiàn)2)。進(jìn)一步，提出了這樣的半導(dǎo)體元件封裝在基板的導(dǎo)線 圖案形成面的相反一側(cè)的面上設(shè)置有電磁屏蔽用的屏蔽金屬層(例如，參照 專利文獻(xiàn)3)。
專利文獻(xiàn)1: JP特開2001-244688號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2: JP特開2001-7252號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3: JP特開平3-120746號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題
然而，在上述圖1所示的結(jié)構(gòu)中，需要在布線電路基板11上確保屏蔽 構(gòu)件14的連接固定區(qū)域，即，需要確保配置電極15的區(qū)域，其中，該電極 15通過焊料而與屏蔽構(gòu)件14的端部連接，因此，難以使布線電路基板11小 形化，導(dǎo)致難以使嵌入有該布線電路基板的電子設(shè)備小型化。
7另外，在布線電路基板11上裝載半導(dǎo)體器件10之后再用屏蔽構(gòu)件14 對(duì)裝載在布線電路板11上的半導(dǎo)體器件10進(jìn)行覆蓋，導(dǎo)致組裝工序繁雜。
進(jìn)一步，在布線電路基板11上安裝多個(gè)半導(dǎo)體器件10，并且利用屏蔽 構(gòu)件一并覆蓋了這些多個(gè)半導(dǎo)體器件的情況下，在該屏蔽構(gòu)件所覆蓋的多個(gè) 半導(dǎo)體器件IO之間有時(shí)會(huì)產(chǎn)生電磁波的影響，導(dǎo)致產(chǎn)生錯(cuò)誤動(dòng)作。
本發(fā)明是鑒于上述問題點(diǎn)而做出的發(fā)明，目的在于，提供一種半導(dǎo)體器 件及其制造方法，在不導(dǎo)致布線電路基板(母插件)大形化的前提下，能夠 利用簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)來可靠地屏蔽(遮蔽)電磁波。
用于解決問題的方法
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)觀點(diǎn)，提供一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具有布 線基板；半導(dǎo)體元件，其裝載在該布線基板上；封裝用樹脂，其用于覆蓋該 半導(dǎo)體元件；接地用電極，其一端連接至上述布線基板的布線層，并且該接 地用電極一部分從上述封裝用樹脂的表面露出；屏蔽構(gòu)件，其用于覆蓋上述 封裝用樹脂，并與上述接地用電極連接。
上述接地用電極的上述一部分可以從上述樹脂的側(cè)面露出，與上述屏蔽 構(gòu)件相接觸。上述接地用電極是設(shè)在上述布線基板的上表面上的接合線，上 述接地用電極的側(cè)面可以從上述樹脂的上述側(cè)面露出，與上述屏蔽構(gòu)件相接 觸。上述接地用電極也可以從上述樹脂的上表面露出，與上述屏蔽構(gòu)件相接 觸。
根據(jù)本發(fā)明的其他觀點(diǎn)，提供一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具有布 線基板；半導(dǎo)體元件，其裝載在該布線基板上；封裝用樹脂，其用于覆蓋該 半導(dǎo)體元件；接地用電極，其一端連接至上述布線基板的布線層，并且該接 地用電極的一部分從上述封裝用樹脂的表面露出。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)其他觀點(diǎn)，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特 征在于，包括在基板上裝載多個(gè)半導(dǎo)體元件的工序；在相鄰的半導(dǎo)體元件 的布線基板區(qū)域之間跨越配設(shè)接地電極用構(gòu)件的工序；利用封裝用樹脂來覆 蓋上述半導(dǎo)體元件以及接地電極用構(gòu)件的工序；使上述布線基板、封裝用樹 脂以及上述接地電極用構(gòu)件分離，從而形成被分離成單個(gè)的半導(dǎo)體器件的工 序；覆蓋被分離成單個(gè)的半導(dǎo)體器件的上述封裝用樹脂來配設(shè)屏蔽構(gòu)件的工
8序。
根據(jù)本發(fā)明的另外的其他觀點(diǎn)，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特 征在于，在配置有多個(gè)半導(dǎo)體元件的基板上，在相鄰的半導(dǎo)體元件之間的分
離線上設(shè)置接地電極用構(gòu)件；用樹脂來對(duì)上述接地電極用構(gòu)件與上述半導(dǎo)體 元件進(jìn)行封裝；在對(duì)配置有多個(gè)半導(dǎo)體元件的上述基板進(jìn)行分離時(shí)，沿著上 述分離線來切斷上述接地電極用構(gòu)件，使上述接地電極用構(gòu)件的一部分從上 述樹脂的側(cè)面露出；將用于覆蓋上述樹脂的金屬構(gòu)件設(shè)置成與從上述樹脂的 側(cè)面露出的上述接地用電極的一部分相接觸。
根據(jù)本發(fā)明的另外的其他觀點(diǎn)，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特 征在于，在配置有多個(gè)半導(dǎo)體元件的基板上，從上述基板向大致鉛直方向設(shè) 置規(guī)定長(zhǎng)度的接地用電極構(gòu)件；用樹脂來對(duì)上述接地電極用構(gòu)件與上述半導(dǎo) 體元件進(jìn)行封裝；對(duì)上述樹脂的表面進(jìn)行研磨，使上述接地電極用構(gòu)件的一 部分從上述樹脂的上表面露出；對(duì)配置有多個(gè)半導(dǎo)體元件的上述基板進(jìn)行分 離；將用于覆蓋上述樹脂的金屬構(gòu)件設(shè)置成與從上述樹脂的上表面露出的上 述接地用電極相接觸。
根據(jù)本發(fā)明的另外的其他觀點(diǎn)，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特
征在于，包括在基板上裝載多個(gè)半導(dǎo)體元件的工序；在相鄰的半導(dǎo)體元件
的布線基板區(qū)域之間跨越配設(shè)接地電極用構(gòu)件的工序；利用封裝用樹脂來覆 蓋上述半導(dǎo)體元件以及接地電極用構(gòu)件的工序；對(duì)上述布線基板、封裝用樹
脂以及上述接地電極用構(gòu)件進(jìn)行切斷，從而形成被切斷成單個(gè)的半導(dǎo)體器件 的工序。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，能夠在不導(dǎo)致布線電 路基板的大形化的狀態(tài)下，以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)可靠地屏蔽(遮蔽)電磁波。
圖1是表示對(duì)裝載在布線電路基板上的半導(dǎo)體器件進(jìn)行屏蔽的以往的結(jié) 構(gòu)的剖面圖。
圖2是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的外觀立體圖。圖3是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的剖面圖。 圖4是表示在本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件上配設(shè)了屏蔽構(gòu)件的 狀態(tài)的剖面圖。
圖5是表示將配設(shè)了屏蔽構(gòu)件的本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件安
裝在布線電路基板上的狀態(tài)的剖面圖。
圖5A是表示對(duì)安裝在布線電路基板上的多個(gè)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的
半導(dǎo)體器件配設(shè)用于共同覆蓋這些半導(dǎo)體器件的屏蔽構(gòu)件的狀態(tài)的剖面圖。 圖6是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的外觀立體圖。 圖7是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的剖面圖。 圖8是表示在本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件配設(shè)了屏蔽構(gòu)件的狀
態(tài)的剖面圖。
圖9是表示將配設(shè)了屏蔽構(gòu)件的本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件安
裝在布線電路基板上的狀態(tài)的剖面圖。
圖10是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的外觀立體圖。
圖11是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖12是表示在本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件上配設(shè)了屏蔽構(gòu)件
的狀態(tài)的剖面圖。
圖13是表示將配設(shè)了屏蔽構(gòu)件的本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件 安裝在布線電路基板上的狀態(tài)的剖面圖
圖14是說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其一)。
圖15是說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其二)。
圖16是說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其三)。
圖17是說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其四)。
圖18是說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其五)。
圖19是說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖面圖(其六)。
圖20是說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其七)。
圖21是說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其八)。
圖22是說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其九)。
圖23是說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其十)。
圖24是說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其一)。
圖25是說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其二)。
圖26是說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其三)。
圖27是說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其四)。
圖28是說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其一)。
圖29是說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其二)。
圖30是說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其三)。
圖31是說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其四)。
圖32是說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖 面圖(其五)。
附圖標(biāo)記的說明
30、30S、30SS、 50、 70、 70S半導(dǎo)體器件32布線基板 33半導(dǎo)體元件 36樹脂
38、38A、38B接地用電極
39屏蔽構(gòu)件
40粘合構(gòu)件
41布線電路基板
88切割機(jī)(Dicing Saw)
89粘合劑
91砥石
具體實(shí)施例方式
以下，針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。為了方便說明，先對(duì)本發(fā) 明的半導(dǎo)體器件的實(shí)施方式進(jìn)行說明，再對(duì)該半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說 明。
l.半導(dǎo)體器件的第一實(shí)施方式
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第一實(shí)施方式如圖2所示。另外，該半導(dǎo)體器件 的剖面如圖3所示。該剖面是圖2所示的線A-A'處的剖面。
該第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件30是所謂的BGA (Ball Grid Array:焊球 陣列)型半導(dǎo)體器件。
如圖3所示，在布線基板32的下表面形成有多個(gè)外部連接端子，即， 形成有多個(gè)球狀凸塊31，并且在該布線基板32上隔著省略圖示的管芯焊接 膜等管芯焊接構(gòu)件(未圖示)而載置有半導(dǎo)體元件33。
該半導(dǎo)體元件33的電極襯墊(未圖示)通過由金(Au)線或銅(Cu) 線等構(gòu)成的接合線34而連接至布線基板32上的電極(未圖示)。該接合線 34的直徑約為18|am乃至3(Him。
在這種結(jié)構(gòu)中，在布線基板32的表面以及/或內(nèi)部配設(shè)有接地布線圖案 35，形成在布線基板32的下表面的多個(gè)球狀凸塊31中的一部分(圖3所示的例子中的兩個(gè)球狀凸塊)連接至該接地布線圖案35。
并且，該半導(dǎo)體元件33、接合線34等在布線基板32的一側(cè)的主面(上 表面)上例如被由硅系樹脂、丙烯酸系樹脂或環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的封裝用樹 脂36氣密地封裝。
在該半導(dǎo)體器件30中，作為其特征結(jié)構(gòu)，在上述布線基板32的上表面， 分別在該布線基板32的四邊，在沒有配置半導(dǎo)體元件33和接合線34的區(qū) 域，也就是在該布線基板32的周緣部附近，配設(shè)有與上述接地布線圖案35 連接的電極襯墊37。
并且，在該電極襯墊37上，通過引線接合法(Wire bonding method)連 接有線狀的接地用電極38的一端。并且，該接地用電極38的另一端38-1 延伸到上述封裝用樹脂36的外側(cè)面，并從該外側(cè)面露出。該接地用電極38 與上述接合線34同樣由金(Au)線、銅(Cu)線等形成。
在該第一實(shí)施方式中，在上述布線基板32的各邊分別配置設(shè)定三根(個(gè)) 該接地用電極38，這些接地用電極38從上述電極襯墊37向上方延伸，并緩 緩向遠(yuǎn)離半導(dǎo)體元件33的方向彎曲，從而達(dá)到上述封裝用樹脂36的外側(cè)面。
該接地用電極38的粗度(直徑)為與上述接合線34的直徑相同或同等 以上的粗度，例如設(shè)定為約100pmO)至50(^mO。
艮P,在基于本發(fā)明思想得半導(dǎo)體器件的第一實(shí)施方式中， 一端與接地電 位連接的導(dǎo)體從封裝用樹脂36的側(cè)面露出，B卩，接地用電極38的另一端從 封裝用樹脂36的側(cè)面露出。
因此，覆蓋該封裝用樹脂36的外表面而配設(shè)電磁屏蔽構(gòu)件(導(dǎo)電體、以 下稱為屏蔽構(gòu)件)封裝用樹脂，并使該屏蔽構(gòu)件與上述接地用電極38的端 部連接，從而，在半導(dǎo)體器件30工作時(shí)，該半導(dǎo)體器件30被上述屏蔽構(gòu)件 有效地電磁屏蔽(遮蔽)。
這樣，覆蓋封裝用樹脂36的外表面而配設(shè)屏蔽構(gòu)件，由此能夠在不導(dǎo) 致該半導(dǎo)體器件30的外形尺寸無謂增加的狀態(tài)下，進(jìn)行有效的電磁屏蔽(遮
作為覆蓋上述封裝用樹脂36的外表面的屏蔽構(gòu)件，可預(yù)先準(zhǔn)備形成為 箱形(剖面為-字形)的金屬體或在樹脂體的表面覆蓋了導(dǎo)電層的構(gòu)件，將 所準(zhǔn)備的構(gòu)件嵌入配設(shè)在半導(dǎo)體器件30上，覆蓋封裝用樹脂36部分。
13另外，作為屏蔽構(gòu)件及其配設(shè)手段，可以采用粘貼箔狀的金屬等來進(jìn)行 安裝的方法或通過涂敷法等有選擇地覆蓋導(dǎo)電性樹脂的方法。
因此，能夠在將半導(dǎo)體器件裝載在電子設(shè)備的布線基板(所謂的母插件) 上之前的階段，或在將該半導(dǎo)體器件裝載在布線基板(母插件)上之后，根 據(jù)需要來配設(shè)這種屏蔽構(gòu)件。
另一方面，該屏蔽構(gòu)件可以與適用于該半導(dǎo)體器件散熱的散熱體
(heatsink:散熱片)相熱結(jié)合。進(jìn)一步，可以擴(kuò)大該屏蔽構(gòu)件的外表面的面 積，使得該屏蔽構(gòu)件自身可用作散熱體。
在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件30上配設(shè)了屏蔽構(gòu)件的狀態(tài)如圖4所示。 將這種形態(tài)作為半導(dǎo)體器件30S。
艮P，配設(shè)箱形(剖面為大致"- "字形)的電磁屏蔽(遮蔽)構(gòu)件39， 將其覆蓋在上述半導(dǎo)體器件30上的封裝用樹脂36上。該電磁屏蔽構(gòu)件39 由銅(Cu)或鋁(Al)等的金屬板形成，當(dāng)然也可以用其它材料，例如由樹 脂形成，并在其表面實(shí)施金屬覆蓋。
該屏蔽構(gòu)件39的內(nèi)側(cè)面以及/或內(nèi)部底面與封裝用樹脂36的表面通過粘 合劑(未圖示)來固定。
并且，該屏蔽構(gòu)件39的內(nèi)側(cè)面與導(dǎo)出到上述半導(dǎo)體器件30的封裝用樹 脂36的側(cè)面的接地用電極38的端部38-1通過由焊料或銀(Ag)膏等導(dǎo)電 性粘合劑構(gòu)成的粘合構(gòu)件40來相連接，從而實(shí)現(xiàn)電性導(dǎo)通。并且，在該屏 蔽構(gòu)件39的內(nèi)側(cè)面，與接地用電極38的端部38-l對(duì)應(yīng)地配設(shè)有凸部。
通過這種結(jié)構(gòu)，至少在該半導(dǎo)體器件30工作時(shí)對(duì)該屏蔽構(gòu)件39賦予接 地電位。
這樣，圖5表示將覆蓋配設(shè)了屏蔽構(gòu)件39的半導(dǎo)體器件30安裝在布線 基板(母插件)上的狀態(tài)。
參照?qǐng)D5，在通過球狀凸塊31安裝于布線電路基板(母插件)41上的 半導(dǎo)體器件30S上，覆蓋半導(dǎo)體器件30而配設(shè)的屏蔽構(gòu)件39與布線電路基 板41上的接地布線圖案42電連接。
艮P，在這種結(jié)構(gòu)中，在配設(shè)于半導(dǎo)體器件30的布線基板32的下表面的 多個(gè)球狀凸塊31中，與該布線基板32的接地布線圖案35連接的球狀凸塊 32連接至設(shè)在布線電路基板41上的接地布線圖案42。其結(jié)果，覆蓋半導(dǎo)體器件32而配設(shè)的屏蔽構(gòu)件39通過粘合構(gòu)件40、接 地用電極38、電極襯墊37、布線基板32的接地布線圖案35以及球狀凸塊31 ， 而連接至布線電路基板41的接地布線圖案42，從而被賦予接地電位。因此， 能夠阻止該半導(dǎo)體元件33所產(chǎn)生的電磁波放射至外部，另外，能夠阻斷來 自外部環(huán)境的電磁波對(duì)該半導(dǎo)體器件30的影響。
在這樣的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件30中，覆蓋半導(dǎo)體元件33的封裝 用樹脂36的表面而配設(shè)箱形(剖面為大致"- "字形)的屏蔽構(gòu)件39。因 此，不會(huì)因配設(shè)該屏蔽構(gòu)件39而導(dǎo)致占有面積增加，而能夠?qū)崿F(xiàn)上述布線 電路基板(母插件)41的小形化。
分別對(duì)各半導(dǎo)體器件30配設(shè)該屏蔽構(gòu)件39。即，能夠提供分別逐個(gè)被 屏蔽的半導(dǎo)體器件，從而無需對(duì)裝載在布線電路基板41上的多個(gè)半導(dǎo)體器 件一并實(shí)施屏蔽。因此，能夠提高布線電路基板41的設(shè)計(jì)自由度，能夠?qū)?現(xiàn)電子設(shè)備的小型化。
進(jìn)一步，能夠通過接地用電極38和由金屬構(gòu)成的屏蔽構(gòu)件39，將隨著 半導(dǎo)體器件30的動(dòng)作而產(chǎn)生的熱放散到外部，從而能夠?qū)崿F(xiàn)該半導(dǎo)體器件 30的動(dòng)作的穩(wěn)定化。
并且，根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)然也能夠?qū)ρb載在布線電路基板41上的多個(gè)半 導(dǎo)體器件30 —并配設(shè)屏蔽(遮蔽)結(jié)構(gòu)，即，配設(shè)共同的屏蔽(遮蔽)結(jié) 構(gòu)。
有時(shí)也根據(jù)電子設(shè)備的形態(tài)和電子電路結(jié)構(gòu)來選擇這種結(jié)構(gòu)。
艮P，如圖5A所示，能夠利用一個(gè)箱形(剖面為大致字形)的屏 蔽構(gòu)件39來共同覆蓋在布線電路基板41上靠近裝載的多個(gè)半導(dǎo)體器件30， 例如共同覆蓋兩個(gè)的半導(dǎo)體器件30。將這種形態(tài)作為半導(dǎo)體器件30SS。
在這種結(jié)構(gòu)中，至少在一個(gè)半導(dǎo)體器件30中，屏蔽構(gòu)件39通過粘合構(gòu) 件40而連接至端部38-l，從而被賦予接地電位，其中，該端部38-l是導(dǎo)出 到該半導(dǎo)體器件30的封裝用樹脂36的外側(cè)面的接地用電極38的端部。并 且，在此，在該屏蔽構(gòu)件39的內(nèi)側(cè)面沒有設(shè)置與接地用電極38的端部38-l 對(duì)應(yīng)的凸部，但也可以如上述圖4所示的結(jié)構(gòu)那樣按需要配設(shè)。
另外，在這種結(jié)構(gòu)中，該屏蔽構(gòu)件39 —并(共同)覆蓋多個(gè)半導(dǎo)體器 件30，因此以與這些半導(dǎo)體器件30的外形尺寸大致相等的外形尺寸配設(shè)該屏蔽構(gòu)件39。因此，應(yīng)用這種結(jié)構(gòu)也幾乎不會(huì)因配設(shè)該屏蔽構(gòu)件39而導(dǎo)致 布線電路基板41大型化。
進(jìn)一步，在這種結(jié)構(gòu)中，該屏蔽構(gòu)件39所覆蓋的多個(gè)半導(dǎo)體器件30相 互之間的間隔可以按需要進(jìn)行選擇。由此，在這些半導(dǎo)體器件30相互之間 設(shè)置間隙，從而能夠使將屏蔽構(gòu)件39的一部分在橫方向或垂直方向上延長(zhǎng) 到該間隙。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)該屏蔽構(gòu)件39所覆蓋的半導(dǎo)體器件相互間的電 磁屏蔽(遮蔽)。
另一方面，在第一實(shí)施方式中，接地用電極38從上述電極襯墊37部向
上方(大致垂直方向)延伸之后，向遠(yuǎn)離半導(dǎo)體元件33的方向緩緩彎曲， 但本發(fā)明并不限于這種結(jié)構(gòu)。
該接地用電極38由金屬線或金屬板構(gòu)成，其端部38-l導(dǎo)出到封裝用樹
脂36的側(cè)面并從封裝用樹脂36露出，其中，該金屬線或金屬板的形狀為，
從上述電極襯墊37向大致垂直方向延伸之后，向遠(yuǎn)離半導(dǎo)體元件33的方向
折彎為大致直角。
另外，在上述實(shí)施方式中，在布線基板32的上表面上，在其四邊分別 配設(shè)了三個(gè)接地用電極38，但該接地用電極38的設(shè)置數(shù)目沒有限制。只要 至少一個(gè)接地用電極38在封裝用樹脂36的側(cè)面露出，并連接至屏蔽構(gòu)件39 即可。只要該接地用電極38與屏蔽構(gòu)件39在多個(gè)位置連接，就能夠減小電 阻，從而能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的電連接，進(jìn)一步散熱效果也明顯。
2.半導(dǎo)體器件的第二實(shí)施方式
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第二實(shí)施方式如圖6所示。另外，該半導(dǎo)體器件 的剖面如圖7所示。該剖面是圖6所示的線A-A'處的剖面。
該第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件50也是所謂的BGA (Ball Grid Array)型 半導(dǎo)體器件。
并且，以下的說明中，對(duì)于與上述第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的位置，賦 予相同附圖標(biāo)記，省略其說明。
在該半導(dǎo)體器件的第二實(shí)施方式中，如圖6和圖7所示，在一個(gè)布線基 板32上連接至接地布線圖案35的兩個(gè)電極襯墊37之間，通過由金(Au) 線或銅(Cu)線等構(gòu)成的接地用電極38A進(jìn)行連接。該接地用電極38A具 有大致圓弧狀的線環(huán)，連接兩個(gè)電極襯墊37之間。該接地用電極38A例如
16由直徑約為300pmO)至400pmO的線或?qū)挾扰c其相等的帶狀體形成。
沿著布線基板32的四邊中的每條邊，分別配設(shè)有一個(gè)這種環(huán)狀的接地 用電極38A。并且，在封裝用樹脂36的側(cè)面，該接地用電極38A的圓弧狀 部的側(cè)面部露出到外部。并且，為了針對(duì)屏蔽構(gòu)件38A表示沿著布線基板 32的邊而延伸為圓弧狀的狀態(tài)，在圖7中，表示了含有在其高度方向延伸的 部分。另外，關(guān)于用于使該接地用電極38A的圓弧狀部在封裝用樹脂36的 側(cè)面上露出到外部的方法，在后面敘述。
在該第二實(shí)施方式中，端部與接地電位連接的導(dǎo)體在封裝用樹脂36的 側(cè)面上露出，所露出的形狀為圓弧狀，即，接地用電極38A露出為圓弧狀。
因此，覆蓋該封裝用樹脂36的外表面而配設(shè)屏蔽構(gòu)件，并使該屏蔽構(gòu) 件與露出為圓弧狀的接地用電極38A連接，從而在半導(dǎo)體器件50工作時(shí)， 該半導(dǎo)體器件50能夠被上述屏蔽構(gòu)件有效地電磁屏蔽(遮蔽)。
這樣，覆蓋封裝用樹脂36的外表面而配設(shè)屏蔽構(gòu)件，由此能夠在不導(dǎo) 致該半導(dǎo)體器件50的外形尺寸無謂的大形化的狀態(tài)下，實(shí)現(xiàn)有效的電磁屏 蔽(遮蔽)。
此時(shí)，屏蔽構(gòu)件的形態(tài)、覆蓋時(shí)間、以及與散熱片的對(duì)應(yīng)，可以采用與 上述第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。
圖8表示在具有這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件50上配設(shè)了屏蔽構(gòu)件39的狀態(tài)。 將這種形態(tài)作為半導(dǎo)體器件50S。
并且，為了針對(duì)屏蔽構(gòu)件38A表示沿著布線基板32的邊而延伸為圓弧 狀的狀態(tài)，在圖8中也表示了含有在其高度方向延伸的部分。
艮P，覆蓋半導(dǎo)體器件50的封裝用樹脂36而配設(shè)箱形(剖面為大致"- " 字形)的屏蔽(遮蔽)構(gòu)件39封裝用樹脂。
如上所述，該屏蔽構(gòu)件39由銅(Cu)或鋁(Al)等的金屬板形成，當(dāng) 然也可以由其它材料形成，例如由樹脂形成，并在其表面實(shí)施金屬覆蓋。
該屏蔽構(gòu)件39的內(nèi)部底面以及/或內(nèi)側(cè)面和封裝用樹脂36的表面通過粘 合劑(未圖示)來固定。
并且，該屏蔽構(gòu)件39的內(nèi)側(cè)面與導(dǎo)出到上述半導(dǎo)體器件50的封裝用樹 脂36的側(cè)面的接地用電極38A的圓弧狀部，通過由焊料或銀(Ag)膏等導(dǎo) 電性粘合劑構(gòu)成的粘合構(gòu)件40來進(jìn)行連接導(dǎo)通。艮P，該屏蔽構(gòu)件39在該半導(dǎo)體器件50工作時(shí)被賦予接地電位。
在這種結(jié)構(gòu)中，接地用電極38A以其圓弧狀部來與屏蔽構(gòu)件39接觸或 連接。因此，該接地用電極38A與屏蔽構(gòu)件39能夠以更廣闊的接觸面積進(jìn) 行接觸，從而實(shí)現(xiàn)良好的電連接。
圖9表示將覆蓋配設(shè)了該屏蔽構(gòu)件39的半導(dǎo)體器件50安裝在布線基板 (母插件)上的狀態(tài)。
如上所述，為了針對(duì)屏蔽構(gòu)件38A表示沿著布線基板32的邊而延伸為 圓弧狀的狀態(tài)，在圖9中也表示了含有在其高度方向延伸的部分。
參照?qǐng)D9，在布線電路基板(母插件)41上，在通過球狀凸塊31安裝 的半導(dǎo)體器件50S上，覆蓋半導(dǎo)體器件50而配設(shè)的屏蔽構(gòu)件39與布線電路 基板41上的接地布線圖案42電連接。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在配設(shè)于半導(dǎo)體器件50的布線基板32的下表面的多個(gè) 球狀凸塊31中，與該布線基板32的接地布線圖案35連接的球狀凸塊31連 接至設(shè)在布線電路基板41上的接地布線圖案42。
艮P，覆蓋半導(dǎo)體器件50而配設(shè)的屏蔽構(gòu)件39通過粘合構(gòu)件40、圓弧狀 的接地用電極38A、電極襯墊37、布線基板32的接地布線圖案35以及球狀凸 塊31，而連接至布線電路基板(母插件)41的接地布線圖案42，從而被賦 予接地電位。因此，能夠阻止該半導(dǎo)體元件50所產(chǎn)生的電磁波放射至外部， 另外，還能夠阻斷來自外部環(huán)境的電磁波對(duì)該半導(dǎo)體器件50的影響。
在這樣的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件50中，也覆蓋封裝用樹脂36的表 面而配設(shè)箱形(剖面為大致"-"字形)的屏蔽構(gòu)件39。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)上 述布線電路基板41的進(jìn)一步的小形化。
另外，分別對(duì)各半導(dǎo)體器件50配設(shè)該屏蔽構(gòu)件39。即，由于能夠提供 分別逐個(gè)被屏蔽的半導(dǎo)體器件，所以無需對(duì)裝載在布線電路基板41上的多 個(gè)半導(dǎo)體器件一并實(shí)施屏蔽，而且能夠提高布線電路基板41的設(shè)計(jì)自由度，
從而能夠?qū)崿F(xiàn)電子設(shè)備的小型化。
進(jìn)一步，能夠通過以更廣闊的接觸面積進(jìn)行連接的接地用電極38A和屏 蔽構(gòu)件39，將隨著半導(dǎo)體器件50的動(dòng)作而產(chǎn)生的熱有效地放散到外部，從 而能夠?qū)崿F(xiàn)該半導(dǎo)體器件50的動(dòng)作的穩(wěn)定化。
另外，如上所述，在該半導(dǎo)體器件50中，接地用電極38A與屏蔽構(gòu)件39能夠以廣闊的接觸面積進(jìn)行連接，因此，將一個(gè)圓弧狀接地用電極38A 連接至屏蔽構(gòu)件39就能夠達(dá)到屏蔽效果。因此，與上述第一實(shí)施方式的半 導(dǎo)體器件30相比，能夠以較少的工序來制造大致相同屏蔽效果的半導(dǎo)體器 件。其中，只要配設(shè)多個(gè)接地用電極38A，當(dāng)然就能夠減小電阻，從而實(shí)現(xiàn) 穩(wěn)定的電連接，另外，能夠?qū)崿F(xiàn)更好的散熱性。
并且，與上述圖5A所示的結(jié)構(gòu)同樣地，該第二實(shí)施方式也能夠?qū)ρb載 在布線電路基板41上的多個(gè)半導(dǎo)體器件50 —并配設(shè)屏蔽構(gòu)件39(未圖示)。
3.半導(dǎo)體器件的第三實(shí)施方式
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第三實(shí)施方式如圖10所示。另外，該半導(dǎo)體器 件的剖面如圖11所示。該剖面是圖IO所示的線A-A'處的剖面。
該第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件70也是所謂的BGA (Ball Grid Array)型
半導(dǎo)體器件。
并且，以下的說明中，對(duì)于與上述第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的位置，賦 予相同附圖標(biāo)記，省略其說明。
在該第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件70中，如圖10和圖11所示，在布線 基板32的各邊的大致中央配設(shè)有與接地布線圖案35連接的電極襯墊37，在 該電極襯墊37上配置連接有柱狀的接地用電極38B，該接地用電極38B的 另一個(gè)端部38B-1從封裝用樹脂36的上表面露出。
艮P，由金(Au)線或銅(Cu)線等構(gòu)成的柱狀的接地用電極38B在電 極襯墊37上大致垂直地延伸，其前端部38B-1從封裝用樹脂36的上表面露 出。
例如通過引線接合法來配設(shè)該接地用電極38B,并使其成為從半導(dǎo)體器 件70的封裝用樹脂36的上表面露出的長(zhǎng)度。
作為該接地用電極38B的形成方法，除了該引線接合法之外，還可以將 具有規(guī)定長(zhǎng)度的柱狀(棒狀)金屬銷插立在電極襯墊37上，另外，也可以 堆積多個(gè)球狀凸塊，使最上層的球狀凸塊從封裝用樹脂36的上表面露出。
在該第三實(shí)施方式中， 一端與接地電位連接的導(dǎo)體從封裝用樹脂36的 上表面露出，即，接地用電極38B的端部38B-1從封裝用樹脂36的上表面露出。
因此，覆蓋該封裝用樹脂36的外表面而配設(shè)屏蔽構(gòu)件，并使該屏蔽構(gòu)件與上述接地用電極38B連接，從而，在半導(dǎo)體器件50工作時(shí)，該半導(dǎo)體 器件50被上述屏蔽構(gòu)件有效地電磁屏蔽(遮蔽)。
這樣，覆蓋封裝用樹脂36的外表面而配設(shè)屏蔽構(gòu)件，由此能夠在不導(dǎo) 致該半導(dǎo)體器件50的外形尺寸無謂增加的狀態(tài)下，進(jìn)行有效的電磁屏蔽(遮 蔽)。
并且，屏蔽構(gòu)件的形態(tài)、覆蓋時(shí)間、以及與散熱片的對(duì)應(yīng)，可以采用與 上述第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。
圖12表示在該半導(dǎo)體器件70上配設(shè)了屏蔽構(gòu)件的狀態(tài)。將這種形態(tài)作 為半導(dǎo)體器件70S。
艮P，覆蓋半導(dǎo)體器件70的封裝用樹脂36而配設(shè)箱形(剖面為大致"- " 字形)的屏蔽(遮蔽)構(gòu)件39封裝用樹脂。
如上所述，該屏蔽構(gòu)件39由銅(Cu)或鋁(Al)等的金屬板形成，當(dāng) 然也可以由其它材料形成，例如由樹脂形成，并在其表面實(shí)施金屬覆蓋。
該屏蔽構(gòu)件39的內(nèi)側(cè)面以及/或底面和封裝用樹脂36的表面通過粘合劑 (未圖示)來固定。
并且，該屏蔽構(gòu)件39的內(nèi)表面與導(dǎo)出到上述半導(dǎo)體器件70的封裝用樹 脂36的上表面的接地用電極38B的端部38B-1,通過由焊料或銀(Ag)膏 等導(dǎo)電性粘合劑構(gòu)成的粘合構(gòu)件40來進(jìn)行連接導(dǎo)通。
艮P，該屏蔽構(gòu)件39在該半導(dǎo)體器件70工作時(shí)被賦予接地電位。
在這種結(jié)構(gòu)中，接地用電極38B以其端部38B-1來與屏蔽構(gòu)件39連接。
這樣，圖13表示將覆蓋配設(shè)了屏蔽構(gòu)件39的半導(dǎo)體器件70安裝在布 線基板(母插件)上的狀態(tài)。
參照?qǐng)D13，在布線電路基板(母插件)41上，在通過球狀凸塊32安裝 的半導(dǎo)體器件70S上，覆蓋半導(dǎo)體器件70而配設(shè)的屏蔽構(gòu)件39與布線電路 基板41上的接地布線圖案42電連接。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在配設(shè)于半導(dǎo)體器件70的布線基板32的下表面的多個(gè) 球狀凸塊31中，與該布線基板32的接地布線圖案35連接的球狀凸塊31連 接至設(shè)在布線電路基板41上的接地布線圖案42。
即，覆蓋半導(dǎo)體器件70而配設(shè)的屏蔽構(gòu)件39通過粘合構(gòu)件40、接地用 電極38B、電極襯墊37、布線基板32的接地布線圖案35以及球狀凸塊31，
20而連接至布線電路基板(母插件)41的接地布線圖案42，從而被賦予接地 電位。因此，能夠阻止該半導(dǎo)體元件70所產(chǎn)生的電磁波放射至外部，另外， 還能夠阻斷來自外部環(huán)境的電磁波對(duì)該半導(dǎo)體器件70的影響。
在這樣的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件70中，也覆蓋封裝用樹脂36的表 面而配設(shè)箱形(剖面為大致"- "字形)的屏蔽構(gòu)件39。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)上 述布線電路基板41的進(jìn)一步的小形化。
另外，分別對(duì)各半導(dǎo)體器件70配設(shè)該屏蔽構(gòu)件39。即，能夠提供分別 逐個(gè)被屏蔽的半導(dǎo)體器件，從而無需對(duì)裝載在布線電路基板41上的多個(gè)半 導(dǎo)體器件一并實(shí)施屏蔽，能夠提高布線電路基板41的設(shè)計(jì)自由度，能夠?qū)?現(xiàn)電子設(shè)備的小型化。
進(jìn)一步，能夠通過直線狀的接地用電極38B，將隨著半導(dǎo)體器件70的 動(dòng)作而產(chǎn)生的熱有效地傳遞至屏蔽構(gòu)件39，有效地向外部散熱，從而能夠?qū)?現(xiàn)該半導(dǎo)體器件70的動(dòng)作的穩(wěn)定化。
另外，在該第三實(shí)施方式中，在布線基板32的上表面上，在其四邊分 別配設(shè)了接地用電極38B，但該接地用電極38B的設(shè)置數(shù)目沒有限制。只要 至少一個(gè)接地用電極38 B在封裝用樹脂36的側(cè)面露出，并連接至屏蔽構(gòu)件 39即可。其中，只要該接地用電極38B與屏蔽構(gòu)件39在多個(gè)位置連接，就 能夠減小電阻，從而能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的電連接，進(jìn)一步散熱效果也明顯。
并且，與上述圖5A所示的結(jié)構(gòu)同樣地，該第三實(shí)施方式也能夠?qū)ρb載 在布線電路基板41上的多個(gè)半導(dǎo)體器件70 —并配設(shè)屏蔽構(gòu)件39(未圖示)。
并且，在上述第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件30以及第三實(shí)施方式的半導(dǎo) 體器件70中，根據(jù)半導(dǎo)體元件的電路結(jié)構(gòu)以及/或功能來配置接地電極用電 極襯墊37，使其與連接有接合線34的電極襯墊列排列在同一線上(未圖示)。
只要是這種電極襯墊配置結(jié)構(gòu)，就能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體元件的小形化，進(jìn)而 實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件小形化。
接著，對(duì)上述本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件30、50和70的制造方法 進(jìn)行說明。并且，在以下說明所參照的附圖中，省略表示布線基板32和布 線電路基板(母插件)41的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。l.半導(dǎo)體器件的制造方法的第一例
參照?qǐng)D14至圖23，對(duì)上述本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第一實(shí)施方式的半導(dǎo) 體器件的制造方法進(jìn)行說明。
首先，通過吸附筒82對(duì)背面粘貼有管芯焊接膜等管芯焊接構(gòu)件81的半 導(dǎo)體元件33的主面(電子電路元件、電子電路等的形成面) 一側(cè)進(jìn)行吸附 保持，然后通過(隔著)上述管芯焊接構(gòu)件81而將該半導(dǎo)體元件33裝載并 固定在以后成為布線基板32的大張基板83上(參照?qǐng)D14- (a))。
在該基板83上裝載并固定多個(gè)半導(dǎo)體元件。
接著(參照?qǐng)D14- (b))，利用接合線34來連接上述半導(dǎo)體元件33的 電極襯墊與基板83上的對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體元件33的電極襯墊而配設(shè)的電極襯 墊(未圖示)。
此時(shí)，在該基板83的上表面的、與上述接合線34連接的電極襯墊的外 側(cè)的區(qū)域，即距離半導(dǎo)體元件33遠(yuǎn)的位置，將接合線84A配設(shè)為環(huán)狀，從 而在連接至接地布線圖案35的電極襯墊(未圖示)，與在相鄰的其它半導(dǎo) 體元件33的裝載區(qū)域內(nèi)連接至接地布線圖案35的電極襯墊(未圖示)之間， 利用該接合線84A進(jìn)行連接(參照?qǐng)D15- (c))。
在該環(huán)狀接合線84A與上述接合線34直徑相同、材料相同的情況下，可 以在相同的弓I線接合工序中進(jìn)行連接。
在之后的工序中，該環(huán)狀接合線84A在半導(dǎo)體器件之間被切斷并分離， 進(jìn)而成為接地用電極38。
該接地用電極38除了可以由上述接合線來形成以外，還可以使用以下 方式使用具有大致"-"字形的金屬棒或金屬板等導(dǎo)電性構(gòu)件85，通過導(dǎo) 電性粘合劑86，將與上述接地布線圖案35連接的電極襯墊間連接為橋梁狀 (參照?qǐng)D15- (c)')。
任何情況下，上述接合線34的直徑都例如約18pmO>至30pmO)，與此相 對(duì)，接地用電極38的直徑的粗度大于或等于該接合線34的直徑，例如約 100pmO至500pm(Do
接著，利用封裝用樹脂36A，對(duì)裝載在上述基板83上的多個(gè)半導(dǎo)體元 件33、與各半導(dǎo)體元件連接的接合線34以及接地用電極38等進(jìn)行封裝(參 照?qǐng)D16- (d))。此時(shí)，對(duì)裝載并固定在基板83的主面上的多個(gè)半導(dǎo)體元件33、與該半導(dǎo)體元件33連接的接合線34以及環(huán)狀接合線84A等一并進(jìn)行 樹脂封裝。
可將使用了金屬模87 (上金屬模87A，下金屬模87B)的所謂的傳遞模塑 法、或壓縮成型法應(yīng)用于該樹脂封裝處理。
然后，在上述基板83的另一側(cè)的主面(背面)上，分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)半 導(dǎo)體元件33，配設(shè)作為外部連接端子的悍球31 (參照?qǐng)D16- (e))。
接著，將在該基板83 —側(cè)的主面上被封裝用樹脂36A樹脂封裝了的半 導(dǎo)體元件33和連接至該半導(dǎo)體元件33的接合線34等作為一個(gè)單位，在上 述環(huán)狀接合線84A (或具有大致"- "字形的金屬棒或金屬板等導(dǎo)電性構(gòu)件 85)的長(zhǎng)度方向的大致中央部，將上述基板83和封裝用樹脂36A在其厚度 方向上切斷(參照?qǐng)D17- (f))。
作為切斷并分離的方法，可以是使用了切割機(jī)88的刀具切割法(Blade Dicing Method)。另外，也可以適用所謂的激光切割法。
其結(jié)果，形成如下的半導(dǎo)體器件30，該半導(dǎo)體器件30是指，在布線基 板32的主面上配設(shè)有半導(dǎo)體元件33、與該半導(dǎo)體元件33連接的接合線34、 接地用電極38等，并利用封裝用樹脂36進(jìn)行樹脂封裝，然后被分離成單個(gè) 的導(dǎo)體器件(參照?qǐng)D17- (g))。
在該半導(dǎo)體器件30中，在封裝用樹脂36的側(cè)面露出接地用電極38的 端部38-l，該接地用電極38是接合線84A被切斷的結(jié)果。另一方面，在布 線基板32的另一側(cè)的主面，配設(shè)有作為外部連接端子的焊球31。
對(duì)具有這樣結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件30配設(shè)屏蔽構(gòu)件。
對(duì)在上述封裝用樹脂36的側(cè)面露出的接地用電極38的端部38-1 ，通過 分配法(Dispense Method)或絲網(wǎng)印刷法等，有選擇地覆蓋由焊料或銀(Ag) 膏等導(dǎo)電性粘合劑構(gòu)成的粘合構(gòu)件40 (參照?qǐng)DIS- (h))。
接著，覆蓋上述封裝用樹脂36而配設(shè)箱形(剖面為大致"- "字形) 的由金屬構(gòu)成的屏蔽構(gòu)件39封裝用樹脂(參照?qǐng)D18- (i))。此時(shí)，在屏蔽 構(gòu)件39的內(nèi)側(cè)底面預(yù)先配設(shè)粘合劑89，從而通過該粘合劑89將屏蔽構(gòu)件 39固定在封裝用樹脂36上。
當(dāng)然，可以預(yù)先將該粘合劑89配置在封裝用樹脂36的上表面上。
接著，在這種狀態(tài)下進(jìn)行加熱處理，利用粘合構(gòu)件40來連接接地用電極38的端部38-l和屏蔽構(gòu)件39 (參照?qǐng)D19- (j))
在此，作為加熱方法之一，能夠在屏蔽構(gòu)件39的側(cè)面對(duì)接地用電極38 的端部38-l所處的位置有選擇地實(shí)施加熱。另外，在粘合劑40由焊料構(gòu)成 的情況下，可以通過回流來進(jìn)行加熱；在粘合部劑40由銀(Ag)膏等導(dǎo)電 性粘合劑構(gòu)成的情況下，可以使用高溫槽來使其加熱固化。
這樣，形成了覆蓋封裝用樹脂36而配設(shè)了屏蔽構(gòu)件39的半導(dǎo)體器件
30S。
在該半導(dǎo)體器件30S中，屏蔽構(gòu)件39能夠通過粘合構(gòu)件40、接地用電極 38、電極襯墊37、布線基板32的接地布線圖案34和球狀凸塊31，而與布線 電路基板(母插件)41的接地布線圖案42等導(dǎo)通。因此，半導(dǎo)體器件30被 有效地屏蔽(遮蔽)。
對(duì)該半導(dǎo)體器件30配設(shè)屏蔽構(gòu)件39的方法并不限于上述方法，例如可 以應(yīng)用圖20至圖21所示的方法，能夠形成半導(dǎo)體器件30S。
艮P，在上述圖17- (g)所示的工序之后，通過分配法或絲網(wǎng)印刷法等， 將焊料或銀(Ag)膏等導(dǎo)電性粘合劑等的粘合構(gòu)件40覆蓋在從封裝用樹脂 36的側(cè)面露出的接地用電極38的端部38-1上(參照?qǐng)D20- (h)')。
接著，在半導(dǎo)體器件的封裝用樹脂36的上表面，配置大致十字形的板 狀或箔狀的金屬制屏蔽構(gòu)件39A (參照?qǐng)D20- (0 ')。此時(shí)，在要與封裝用 樹脂36的上表面相接觸的屏蔽構(gòu)件39A上預(yù)先有選擇地配設(shè)有粘合劑89， 從而通過該粘合劑89將屏蔽構(gòu)件39A固定在封裝用樹脂36的上表面上。
接著，沿著封裝用樹脂36的外側(cè)面折彎板狀或箔狀的屏蔽構(gòu)件39A， 使該屏蔽構(gòu)件39A與該側(cè)面平行(參照?qǐng)D21- (i)")。其結(jié)果，屏蔽構(gòu)件 39的剖面成為大致"- "字形。
然后，對(duì)覆蓋并固定了該屏蔽構(gòu)件39的半導(dǎo)體器件實(shí)施加熱處理(參 照?qǐng)D21- (j)'參照)。其結(jié)果，通過粘合構(gòu)件40使接地用電極38的端部38-1 與屏蔽構(gòu)件39相連接。在此，作為加熱方法，可以采用與參照上述圖19-(j)說明的方法相同的方法。
對(duì)該半導(dǎo)體器件30配設(shè)屏蔽構(gòu)件39的方法并不限于上述方法，還可以 應(yīng)用圖22至圖23所示的方法形成半導(dǎo)體器件30S。
艮P，在上述圖17- (g)所示的工序之后，從半導(dǎo)體器件30的封裝用樹
24脂36的上表面覆蓋剖面為大致"- "字形的金屬制的屏蔽構(gòu)件39 (參照?qǐng)D 22)。
此時(shí)，在該屏蔽構(gòu)件39的內(nèi)側(cè)面，在從封裝用樹脂36的側(cè)面露出的接 地用電極38的端面38-1所對(duì)應(yīng)的位置，設(shè)有有連接用突起部39B。另外， 將相對(duì)置的連接用突起部39B間的距離L設(shè)定為與半導(dǎo)體器件30的外形尺 寸P大致相同或比該外形尺寸P短一些。進(jìn)一步，在屏蔽構(gòu)件39的內(nèi)側(cè)底 面配設(shè)有粘合部劑40。
從半導(dǎo)體器件30的封裝樹脂36的上方覆蓋這樣的屏蔽構(gòu)件39，從而， 在封裝用樹脂36的側(cè)面，上述接地用電極38的端部面38-1與屏蔽構(gòu)件39 的連接用突起部39B相抵接進(jìn)而相連接。
另外，屏蔽構(gòu)件39通過預(yù)先配設(shè)在其內(nèi)側(cè)底面上的粘合劑89而被固定 在封裝用樹脂36的上表面上(圖23參照)。
并且，在本例中，使接地用電極38的端部38-l與設(shè)在屏蔽構(gòu)件39的內(nèi) 側(cè)面的連接用突起部39B機(jī)械性接觸，但除此之外也可以通過分配法或絲網(wǎng) 印刷法等將焊料或銀(Ag)膏等導(dǎo)電性粘合劑等的粘合構(gòu)件40配設(shè)在接地 用電極38的端部38-1，從而能夠通過該粘合構(gòu)件40來強(qiáng)化連接。
另外，如上所述，也可以將板狀的屏蔽構(gòu)件39折彎為與封裝樹脂30的 側(cè)面大致平行，使接地用電極38的端部38-1與屏蔽構(gòu)件39的連接用突起部 39B機(jī)械性連接。
這樣，根據(jù)本例的制造方法，能夠通過簡(jiǎn)單的工序來配設(shè)接地用電極38， 并且容易連接該接地用電極38和屏蔽構(gòu)件39。
特別地，在通過引線接合法形成接地用電極38的情況下，能夠通過與 接合線34的配設(shè)工序相同的工序來配設(shè)該接地用電極31，從而簡(jiǎn)化制造工 序。
2.半導(dǎo)體器件的制造方法的第二例
接著，參照?qǐng)D24至圖27,對(duì)上述本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第二實(shí)施方式 的半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說明。
并且，對(duì)于與上述圖14至圖23所示的制造方法中所示的部位對(duì)應(yīng)的部 位，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略其說明。
首先，通過吸附筒82對(duì)背面粘貼有管芯焊接膜等的管芯焊接構(gòu)件81的半導(dǎo)體元件33的主面(電子電路元件、電子電路等的形成面) 一側(cè)進(jìn)行吸 附保持，然后通過(隔著)上述管芯焊接構(gòu)件81而將該半導(dǎo)體元件33裝載 并固定在以后成為布線基板32的大張基板83上(參照?qǐng)D24- (a))。 在該基板83上裝載并固定多個(gè)半導(dǎo)體元件。
接著(參照?qǐng)D24- (b))，利用接合線34來連接上述半導(dǎo)體元件33的 電極襯墊與基板83的電極襯墊(未圖示)。
此時(shí)，在該基板83的上表面的與上述接合線34連接的電極襯墊的外側(cè) 的區(qū)域，即距離半導(dǎo)體元件33遠(yuǎn)的位置，與布線基板32的四邊平行地將接 合線84A配設(shè)為環(huán)狀，從而在與連接至接地布線圖案35的兩個(gè)電極襯墊(未 圖示)之間，利用該接合線84A進(jìn)行連接(參照?qǐng)D24- (b) -1)。
艮P，這樣配設(shè)該環(huán)狀接合線84A，使其與布線基板32的四邊相對(duì)應(yīng)， 且位于與所相鄰的其它半導(dǎo)體元件33的裝載區(qū)域的邊界上，以平行于該邊 界的方式延伸(參照?qǐng)D24- (b) -2)。
在該環(huán)狀接合線84A與上述接合線34直徑相同、材料相同的情況下，可 以在相同的引線接合工序中進(jìn)行連接。
在之后的工序中，該環(huán)狀接合線84A在半導(dǎo)體器件之間被切斷并分離， 進(jìn)而成為接地用電極38。
該接地用電極38除了可以由上述接合線84A來形成以外，還可以使用 以下方式使用具有大致"-"字形的金屬棒或金屬板等導(dǎo)電性構(gòu)件85，通 過導(dǎo)電性粘合劑86，將與上述接地布線圖案35連接的電極襯墊間連接為橋 梁狀。
任何情況下，上述接地用電極38的直徑或?qū)挾榷歼x擇為切割刀具的粗 度的1.5至2倍以上，例如約300|miO至500pmO。
接著，利用封裝用樹脂，對(duì)裝載在上述基板83上的多個(gè)半導(dǎo)體元件33 、與各半導(dǎo)體元件連接的接合線34以及接地用電極38等，進(jìn)行氣密封裝(參 照?qǐng)D25- (c))。此時(shí)，對(duì)裝載并固定在基板83的主面上的多個(gè)半導(dǎo)體元 件33、與該半導(dǎo)體元件33連接的接合線34以及接地用電極部31等一并進(jìn)行 樹脂封裝。
可將使用了金屬模87 (上金屬模87A，下金屬模87B)的所謂的傳遞模塑 法、或壓縮成型法應(yīng)用于該樹脂封裝處理。然后，在上述基板83的另一側(cè)的主面(背面)上，分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)半 導(dǎo)體元件33，配設(shè)作為外部連接端子的焊球31 (參照?qǐng)D25- (d))。
接著，將在該基板83 —側(cè)的主面上被封裝用樹脂進(jìn)行了樹脂封裝的半 導(dǎo)體元件33和連接至該半導(dǎo)體元件33的接合線34等作為一個(gè)單位，將上 述基板83和封裝用樹脂36A在其厚度方向上切斷(參照?qǐng)D26- (e))。
作為切斷并分離的方法，可以是使用了切割機(jī)88的刀具切割法(Blade Dicing Method)。另外，也可以適用所謂的激光切割法。
此時(shí)，對(duì)配置了相鄰的半導(dǎo)體元件33的電路基板的邊界部實(shí)施該切割 處理。因此，配設(shè)在該邊界部的環(huán)狀接合線84B (或具有大致"-"字形的 金屬棒或金屬板等導(dǎo)電性構(gòu)件85)沿著其長(zhǎng)度方向在其寬度(直徑)方向的 大致中央部被分離。
其結(jié)果，形成如下的半導(dǎo)體器件50:在布線基板32的主面上配設(shè)半導(dǎo) 體元件33、與該半導(dǎo)體元件33連接的接合線34、接地用電極38A等，并利用 封裝用樹脂36進(jìn)行了樹脂封裝(參照?qǐng)D26- (f))。
在該半導(dǎo)體器件50中，在封裝用樹脂36的側(cè)面部配置有接地用電極38， 該接地用電極38所露出的其寬度剖面為環(huán)狀，該接地用電極38是上述接合 線84A在其長(zhǎng)度方向上被切斷的結(jié)果。另一方面，在布線基板32的另一側(cè) 的主面，配設(shè)有作為外部連接端子的焊球31。
接著，覆蓋上述封裝用樹脂36而配設(shè)箱形(剖面為大致"- "字形) 的由金屬構(gòu)成的屏蔽構(gòu)件39封裝用樹脂(參照?qǐng)D27)。
這樣，形成了覆蓋封裝用樹脂36而配設(shè)了屏蔽構(gòu)件39的半導(dǎo)體器件
50S。
在此所示的方式中，與上述圖22所示的結(jié)構(gòu)同樣地，在該屏蔽構(gòu)件39 的內(nèi)側(cè)面，在從封裝用樹脂36的側(cè)面露出的接地用電極38所對(duì)應(yīng)的位置， 設(shè)有連接用突起部39B。將相對(duì)置的連接用突起部39B間的距離L設(shè)定為與 半導(dǎo)體器件30的外形尺寸大致相同或比該外形尺寸短一些。
并且，此時(shí)，預(yù)先在屏蔽構(gòu)件39的內(nèi)側(cè)底面配設(shè)粘合劑(未圖示)， 通過該粘合劑將屏蔽構(gòu)件39固定在封裝用樹脂36的上表面。
當(dāng)然，也可以預(yù)先在封裝用樹脂36的上表面配置該粘合劑。
這樣，根據(jù)本例的制造方法，能夠通過比較簡(jiǎn)單的工序來配設(shè)接地用電極38。
特別地，在通過引線接合法形成接地用電極38的情況下，能夠通過與 接合線15的形成工序相同的工序來配設(shè)該接地用電極38，從而簡(jiǎn)化制造工 序。
進(jìn)一步，根據(jù)本例的制造方法，接地用電極38沿著其長(zhǎng)度方向露出， 即，以環(huán)狀或-字狀的方式從封裝用樹脂36的側(cè)面露出。
因此，能夠增大與屏蔽構(gòu)件39接觸的接觸面積。由此，從封裝用樹脂 36的側(cè)面露出的接地用電極38的數(shù)目可以較少，從而能夠簡(jiǎn)化接地用電極 38的配設(shè)工序。因此，能夠用更少的工序和時(shí)間來制造半導(dǎo)體器件。當(dāng)然， 只要配設(shè)多個(gè)接地用電極38A就能夠減小電阻，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電連接，另外， 能夠?qū)崿F(xiàn)更好的散熱性。
3.半導(dǎo)體器件的制造方法的第三例
接著，參照?qǐng)D28至圖32，對(duì)上述本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第三實(shí)施方式 的半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說明。
并且，在此，對(duì)于與上述圖14至圖27所示的制造方法中所示的部位對(duì) 應(yīng)的部位，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略其說明。
首先，通過吸附筒82對(duì)背面粘貼有管芯焊接膜等管芯焊接構(gòu)件81的半 導(dǎo)體元件33的主面(電子電路元件、電子電路等的形成面) 一側(cè)進(jìn)行吸附 保持，然后通過(隔著)上述管芯焊接構(gòu)件81而將該半導(dǎo)體元件33裝載并 固定在以后成為布線基板32的大張基板83上(參照?qǐng)D28- (a))。
在該基板83上裝載并固定多個(gè)半導(dǎo)體元件。
接著(參照?qǐng)D28- (b))，利用接合線34來連接上述半導(dǎo)體元件33的 電極襯墊與基板83的電極襯墊(未圖示)。
此時(shí)，在該基板83的上表面的、與上述接合線34連接的電極襯墊的外 側(cè)的區(qū)域，即距離半導(dǎo)體元件33遠(yuǎn)的位置，利用接合工具90將在大致垂直 方向延伸的接合線84C配設(shè)在與接地布線圖案35連接的電極襯墊(未圖示) 上(參照?qǐng)D29- (c))。
在大致垂直方向延伸的該接合線84C與上述接合線34直徑相同、材料相 同的情況下，可以在相同的引線接合工序中進(jìn)行配設(shè)。即，對(duì)于電極襯墊37 (例如參照?qǐng)D3)，應(yīng)用公知的接合工具進(jìn)行引線接合，并在垂直方向上提拉該接合工具，在比上述接合線34的線環(huán)的最上部高的位置切斷該線，從 而形成該接合線84C。
在后續(xù)的工序中，將在垂直方向延伸的該接合線84C作為接地用電極38。
并且，作為這種接地用電極38，可以取代上述接合線而應(yīng)用由金屬構(gòu)成 的規(guī)定長(zhǎng)度(高度)的柱狀銷。
或者，在上述電極襯墊37上層疊多個(gè)所謂的球狀凸塊84D，使最上層 的球狀凸塊的上表面位于規(guī)定的高度，從而能夠形成接地用電極38 (參照?qǐng)D
29- (c)')。
任何情況下，接地用電極38的高度(長(zhǎng)度)都設(shè)定為能夠從該半導(dǎo)體 器件的封裝用樹脂36的外表面露出的高度。
接著，利用封裝用樹脂來對(duì)裝載在上述基板83上的多個(gè)半導(dǎo)體元件33 、與各半導(dǎo)體元件連接的接合線34以及接地用電極38等進(jìn)行封裝(參照?qǐng)D
30- (d))。
此時(shí)，對(duì)裝載并固定在基板83的主面上的多個(gè)半導(dǎo)體元件33、與該半導(dǎo) 體元件33連接的接合線34以及接地用電極部31等一并進(jìn)行樹脂封裝。
可將使用了金屬模87 (上金屬模87A,下金屬模87B)的所謂的傳遞模塑 法、或壓縮成型法應(yīng)用于該樹脂封裝處理。
接著，對(duì)上述封裝用樹脂實(shí)施研磨處理，使得上述接地用電極38從該 封裝用樹脂的上表面露出(參照?qǐng)D30- (e))。
能夠使用砥石91來進(jìn)行該研磨處理。
然后，在上述基板83的另一側(cè)的主面(背面)上，分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)半 導(dǎo)體元件33，配設(shè)作為外部連接端子的焊球31 (參照?qǐng)D31- (f))。
接著，將在該基板83 —側(cè)的主面被封裝用樹脂進(jìn)行了樹脂封裝的半導(dǎo) 體元件33和連接至該半導(dǎo)體元件33的接合線34等作為一個(gè)單位，將上述 基板83和封裝用樹脂36A在其厚度方向上切斷(參照?qǐng)D31- (g))。
作為切斷并分離的方法，可以是使用了切割機(jī)88的刀具切割法(Blade Dicing Method)。另外，也可以適用所謂的激光切割法。其結(jié)果，形成如下 的半導(dǎo)體器件70:在布線基板32的主面上配設(shè)半導(dǎo)體元件33、與該半導(dǎo)體 元件33連接的接合線34、接地用電極38等，并利用封裝用樹脂36進(jìn)行了樹脂封裝(參照?qǐng)D31- (g))。
在該半導(dǎo)體器件70中，接地用電極38的端部38-1從上述封裝用樹脂 36的上表面露出。另一方面，在布線基板32的另一側(cè)的主面配設(shè)有作為外 部連接端子的焊球31 (參照?qǐng)D31- (h))。
接著，覆蓋上述封裝用樹脂36而配設(shè)箱形(剖面為大致"- "字形) 的由金屬構(gòu)成的屏蔽構(gòu)件39封裝用樹脂。
艮P,在從上述封裝用樹脂36的上表面露出的接地用電極38的端部38-1 部，覆蓋由導(dǎo)電性粘合劑構(gòu)成的粘合構(gòu)件40。
然后，覆蓋該半導(dǎo)體器件70的封裝用樹脂36上而配設(shè)箱形(剖面為大 致"zr"字形)的屏蔽(遮蔽)構(gòu)件39封裝用樹脂(參照?qǐng)D32)。
這樣，形成了覆蓋封裝用樹脂36而配設(shè)了屏蔽構(gòu)件39的半導(dǎo)體器件
70S。
其結(jié)果，通過由焊料或銀(Ag)膏等導(dǎo)電性粘合劑構(gòu)成的粘合構(gòu)件40， 使該屏蔽構(gòu)件39的內(nèi)表面與導(dǎo)出到上述半導(dǎo)體器件70的封裝用樹脂36的 上表面的接地用電極38B的端部38B-1相連接導(dǎo)通。
艮P，在該半導(dǎo)體器件70工作時(shí)，該屏蔽構(gòu)件39被賦予接地電位。
在這種結(jié)構(gòu)中，接地用電極38B以其端部38B-1來與屏蔽構(gòu)件39連接。
并且，通過粘合劑(未圖示)來固定該屏蔽構(gòu)件39的內(nèi)側(cè)面以及/或底 面和封裝用樹脂36的表面。
根據(jù)這樣的制造方法，能夠以簡(jiǎn)單的工序來配設(shè)接地用電極38。特別地， 通過引線接合法來配設(shè)接地用電極38，從而能夠通過與接合線34的形成工 序相同的工序來形成接地用電極31,能夠簡(jiǎn)化制造工序。
并且，如上所述，在第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件30以及第三實(shí)施方式 的半導(dǎo)體器件70中，可以根據(jù)半導(dǎo)體元件的電路結(jié)構(gòu)和功能，配設(shè)接地電 極用電極襯墊37，使其與連接有接合線34的電極襯墊列排列在同一線上。
因此，在上述半導(dǎo)體器件的制造方法的第一例以及第三例中，有時(shí)也根 據(jù)這種結(jié)構(gòu)來配設(shè)電極襯墊、接合線、接地用電極。
如上所述，通過實(shí)施例來說明了本發(fā)明，但本發(fā)明并不被上述實(shí)施例限 定，可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變形及改良。
例如，也可以應(yīng)用于LGA (Land Grid Array:柵格陣列封裝)型半導(dǎo)體器件中。
工業(yè)上的可利用性
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，更為具體地說，可適用于能夠具 有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件、具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件以及該半導(dǎo)體器件的 制造方法。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具有布線基板；半導(dǎo)體元件，其裝載在該布線基板上；封裝用樹脂，其用于覆蓋該半導(dǎo)體元件；接地用電極，其一端連接至上述布線基板的布線層，并且該接地用電極的一部分從上述封裝用樹脂的表面露出；屏蔽構(gòu)件，其用于覆蓋上述封裝用樹脂，并與上述接地用電極連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述屏蔽構(gòu)件與上 述接地用電極的上述一部分通過焊料或?qū)щ娦哉澈蟿┻B接在一起。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述接地用電 極的上述一部分從上述樹脂的側(cè)面露出，并與上述屏蔽構(gòu)件相接觸。
4. 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 上述接地用電極是被設(shè)置為從上述布線基板向上側(cè)延伸的接合線， 上述接地用電極的延伸方向在中途向設(shè)有上述半導(dǎo)體元件的一側(cè)的相反方向彎曲，上述接地用電極的端面從上述樹脂的上述側(cè)面露出，并與上述 屏蔽構(gòu)件相接觸。
5. 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述接地用電極是被設(shè)置為從上述布線基板向大致鉛直方向延伸的金 屬板，上述接地用電極的延伸方向在中途向既是設(shè)有上述半導(dǎo)體元件的一側(cè) 的相反方向又是大致水平方向的方向折彎，上述接地用電極的端面從上述樹 脂的上述側(cè)面露出，并與上述屏蔽構(gòu)件相接觸。
6. 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 上述接地用電極是設(shè)在上述布線基板的上表面的接合線， 上述接地用電極的側(cè)面從上述樹脂的上述側(cè)面露出，并與上述屏蔽構(gòu)件相接觸。
7. 如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述接地用電 極從上述樹脂的上表面露出，并與上述屏蔽構(gòu)件相接觸。
8. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述接地用電極被設(shè)置為從上述布線基板向大致鉛直方向延伸。
9. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述接地用電極由 接合線構(gòu)成。
10. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述接地用電極由 層疊為多層的球狀凸塊構(gòu)成。
11. 一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具有 布線基板；半導(dǎo)體元件，其裝載在該布線基板上； 封裝用樹脂，其用于覆蓋該半導(dǎo)體元件；接地用電極，其一端連接至上述布線基板的布線層，并且該接地用電極 的一部分從上述封裝用樹脂的表面露出。
12. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括 在基板上裝載多個(gè)半導(dǎo)體元件的工序；在相鄰的半導(dǎo)體元件的布線基板區(qū)域之間跨越配設(shè)接地電極用構(gòu)件的 工序；利用封裝用樹脂來覆蓋上述半導(dǎo)體元件以及接地電極用構(gòu)件的工序； 對(duì)上述布線基板、封裝用樹脂以及上述接地電極用構(gòu)件進(jìn)行分離，從而形成被分離成單個(gè)的半導(dǎo)體器件的工序；覆蓋被分離成單個(gè)的半導(dǎo)體器件的上述封裝用樹脂來配設(shè)屏蔽構(gòu)件的工序。
13. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在配置有多個(gè)半導(dǎo)體元件的基板上，在相鄰的半導(dǎo)體元件之間的分離線上設(shè)置接地電極用構(gòu)件，用樹脂來對(duì)上述接地電極用構(gòu)件與上述半導(dǎo)體元件進(jìn)行封裝， 在對(duì)配置有多個(gè)半導(dǎo)體元件的上述基板進(jìn)行分離時(shí)，沿著上述分離線來切斷上述接地電極用構(gòu)件，使上述接地電極用構(gòu)件的一部分從上述樹脂的側(cè)面露出，將用于覆蓋上述樹脂的金屬構(gòu)件設(shè)置成與從上述樹脂的側(cè)面露出的上 述接地用電極的一部分相接觸。
14. 一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在配置有多個(gè)半導(dǎo)體元件的基板上，從上述基板向大致鉛直方向設(shè)置規(guī) 定長(zhǎng)度的接地用電極構(gòu)件，用樹脂來對(duì)上述接地電極用構(gòu)件與上述半導(dǎo)體元件進(jìn)行封裝，對(duì)上述樹脂的表面進(jìn)行研磨，使上述接地電極用構(gòu)件的一部分從上述樹 脂的上表面露出，對(duì)配置有多個(gè)半導(dǎo)體元件的上述基板進(jìn)行分離，將用于覆蓋上述樹脂的金屬構(gòu)件設(shè)置成與從上述樹脂的上表面露出的 上述接地用電極相接觸。
15. 如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 上述接地電極用構(gòu)件是接合線，對(duì)上述基板進(jìn)行接合并在大致鉛直方向上提拉上述線，以此使上述線從 上述基板伸出上述規(guī)定長(zhǎng)度，然后切斷上述線，從而形成上述接地用電極構(gòu) 件，對(duì)上述樹脂的表面進(jìn)行研磨，直到上述接地用電極構(gòu)件的上表面露出為止。
16. 如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 層疊多層球狀凸塊，使最上層的球狀凸塊的上表面位于與上述基板相距上述規(guī)定長(zhǎng)度的位置，以此形成上述接地電極用構(gòu)件，對(duì)上述樹脂的表面進(jìn)行研磨，直到上述接地用電極構(gòu)件的上表面露出為止。
17. 如權(quán)利要求12至16中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其 特征在于，在從上述樹脂的側(cè)面露出的上述接地電極用構(gòu)件的一部分上設(shè)置焊料 或?qū)щ娦哉澈蟿股鲜鼋饘贅?gòu)件通過上述導(dǎo)電粘合劑與上述接地用電極的一部分相接觸，通過對(duì)上述金屬構(gòu)件進(jìn)行加熱，使上述金屬構(gòu)件與上述接地用電極的一 部分相連接。
18. 如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 上述金屬構(gòu)件是板狀構(gòu)件，通過折彎上述金屬構(gòu)件，使上述金屬構(gòu)件通過上述導(dǎo)電粘合劑與上述接 地用電極的一部分相接觸。
19. 如權(quán)利要求12至16中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其 特征在于，在上述金屬構(gòu)件上的與上述接地用電極的一部分相接觸的位置，形成有 突起部，利用上述金屬構(gòu)件來覆蓋上述樹脂，使上述接地用電極的一部分與上述 金屬構(gòu)件的上述突起部相連接。
20. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括-在基板上裝載多個(gè)半導(dǎo)體元件的工序；在相鄰的半導(dǎo)體元件的布線基板區(qū)域之間跨越配設(shè)接地電極用構(gòu)件的 工序；利用封裝用樹脂來覆蓋上述半導(dǎo)體元件以及接地電極用構(gòu)件的工序； 對(duì)上述布線基板、封裝用樹脂以及上述接地電極用構(gòu)件進(jìn)行切斷，從而 形成被切斷成單個(gè)的半導(dǎo)體器件的工序。
全文摘要
提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。半導(dǎo)體器件(30)具有布線基板(32)；半導(dǎo)體元件(33)，其裝載在該布線基板(32)上；封裝用樹脂(36)，其用于覆蓋上述半導(dǎo)體元件(33)；接地用電極(38)，其一端與上述布線基板的布線層(32)相連接，并且該接地用電極的一部分從上述封裝用樹脂(36)的表面露出；屏蔽構(gòu)件(39)，其用于覆蓋上述封裝用樹脂(36)，并與上述接地用電極(38)相連接。
文檔編號(hào)H01L23/28GK101617400SQ200780049019
公開日2009年12月30日 申請(qǐng)日期2007年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月31日
發(fā)明者森屋晉 申請(qǐng)人:富士通微電子株式會(huì)社