專利名稱：半導(dǎo)體存儲器件及其制造方法、封裝樹脂形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器件及其制造方法，尤其是涉及具有鐵電電容器 的半導(dǎo)體存儲器件及其制造方法，更具體地說，涉及一種形成用于保護半導(dǎo)
體存儲器件的最終鈍化膜(passivation film)的保護膜形成技術(shù)。
背景技術(shù)：
近年來正在進行對鐵電存儲器(FeRAM)的開發(fā)，該鐵電存儲器利用鐵 電體的極化反轉(zhuǎn)(polarizationreversal)，使鐵電電容器保存信息。鐵電存儲 器是一種非易失性存儲器，其保存的信息在切斷電源后也不會消失，由于能 夠?qū)崿F(xiàn)高集成度、高速驅(qū)動、高耐用性、低消耗功率，所以得到特別的關(guān)注。
作為用于構(gòu)成鐵電電容器的鐵電膜的材料，主要采用剩余極化(remanent polarization)值達到10 30pC/cm2左右的PZT (Pb (Zr， Ti) 03)膜、SBT (SrBi2Ta209)膜等具有鈣鈦礦晶體(perovskite crystal)結(jié)構(gòu)的鐵電體氧化 物。關(guān)于這樣的鐵電膜，從以前開始就公知鐵電體的特性會因從外部經(jīng)由硅 氧化膜等與水的親和性高的層間絕緣膜侵入的水分而劣化。即，在形成層間 絕緣膜、金屬配線時的高溫工藝處理中，所侵入的水分被分解為氫和氧，從 而使氫侵入至鐵電膜中。這樣，氫與鐵電膜的氧發(fā)生反應(yīng)，使得在鐵電膜上 發(fā)生氧缺陷，從而使結(jié)晶度(crystallinity)降低。另外，鐵電存儲器的長期 使用，也會導(dǎo)致同樣的現(xiàn)象的發(fā)生。其結(jié)果，鐵電電容器的性能會劣化，如 鐵電膜的剩余極化值或介電常數(shù)降低等。另外，不僅使鐵電電容器的性能劣 化，而且也會使晶體管等的性能劣化。
為了解決這樣的劣化問題，從以前開始就采用用于防止氫或水分侵入的 氧化鋁(A1203)。例如，形成氧化鋁膜來包住鐵電電容器，以保護鐵電電容 器，不使氫或水分侵入到鐵電體內(nèi)部。另外，在第一配線的上部(正上方) 形成氧化鋁作為阻擋膜，以防止從半導(dǎo)體元件上部侵入的水分或氫進一步浸 透到下層。在此，第一配線是指，在配線層中位于最下層的配線層，即，在 配線層中與晶體管或鐵電電容器的層最靠近的配線層。而且，關(guān)于鐵電電容器，公知若在多層工序中長時間進行高溫加熱， 則鐵電特性會被劣化。作為該長時間的高溫加熱的工序，有形成作為最終鈍
化膜的聚酰亞胺(polyimide)膜的工序。在該工序中，以往例如在攝氏310-350 度的溫度下進行烘烤(bake)時間為60分鐘左右的處理。此時，鐵電特性受 到形成聚酰亞胺膜時所產(chǎn)生的熱、氫或水分的影響而被劣化。因此，提出了 在包括焊盤電極(pad electrode)的最上位的配線層和位于該配線層的下層的 配線層之間配置平坦的氧化鋁膜(alumina film)的提案。通過該氧化鋁膜來 阻擋在聚酰亞胺膜所生成的氫還有水分進入到半導(dǎo)體元件中。
專利文獻1:JP特開2006-66906號公報。
專利文獻2:JP特許3029316號公報。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，無法減輕在對鈍化膜所含有的聚酰亞胺進行熱處 理時產(chǎn)生的熱所帶來的影響，所以無法完全消除鐵電電容器特性被劣化的問 題。該劣化的程度小于氫或水分所帶來的影響。但是，由于受到熱的影響， 所以例如還會發(fā)生在鐵電特性中滯后(hysteresis)成分(剩余極化成分)減 少的問題。
于是，為了回避上述問題，做了例如將聚酰亞胺的固化溫度降低至攝氏 230度的實驗，但聚酰亞胺的酰亞胺化率(交聯(lián)率)有時不是很充分，以使 膜的可靠性降低。進而，也有時聚酰亞胺和封裝樹脂之間的緊貼性會降低， 使得在聚酰亞胺和封裝樹脂之間的界面發(fā)生膜的剝離。
本發(fā)明的目的在于，提供一種在半導(dǎo)體存儲器件中能夠在降低因熱而引 起的存儲特性的劣化的同時形成可靠性高的鈍化膜的技術(shù)。
用于解決課題的手段
本發(fā)明是為了解決上述課題而提出的。即，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體存儲 器件，其特征在于，具有晶體管層，其形成在半導(dǎo)體襯底上；鐵電電容器 層，其形成在晶體管層的上方；配線層，其形成在鐵電電容器層的上方；以 及鈍化膜。本發(fā)明的特征在于，進而，在鐵電電容器層和上述鈍化膜之間，形成有至少一層阻擋膜，該阻擋膜用于抑制水分以及氫向下層滲透，鈍化膜 含有酚醛清漆樹脂。
即使在比以往的鈍化膜的固化溫度更低的溫度下對酚醛清漆樹脂進行 熱處理，也能夠確保足夠的可靠性。因此，不僅能夠維持及確保鈍化膜的可 靠性，而且能夠抑制鐵電電容器特性受到熱量而被劣化。
發(fā)明效果
若采用本發(fā)明，則在半導(dǎo)體存儲器件中，能夠在降低因熱而引起的記憶 特性劣化的同時，形成可靠性高的鈍化膜。


圖1A是示出了通過本發(fā)明實施方式的工序來制造的鐵電存儲器的結(jié)構(gòu) 的概略的圖。
圖1B是示出了通過本發(fā)明實施方式的工序來制造的其他鐵電存儲器的 結(jié)構(gòu)的概略的圖。
圖2A是示出了晶體管的形成工序的圖。
圖2B是示出了層間絕緣膜的形成工序的圖。
圖2C示出了氧化鋁膜的形成工序。
圖3A是示出了鐵電電容器的成膜工序的圖。
圖3B是示出了鐵電電容器的圖案形成工序的圖。
圖4A是示出了層間絕緣膜的形成工序的圖。
圖4B是鐵電電容器的放大圖。
圖5是示出了插塞的形成工序的圖。
圖6A是示出了與電容器接觸的接觸塞的形成工序的圖(之一)。
圖6B是示出了電容器接觸的接觸塞的形成工序的圖(之二)。
圖7A是示出了第一配線層的形成工序的圖。
圖7B是示出了第二配線層的形成工序的圖。
圖8是示出了第一配線層的氧化鋁膜形成工序的圖。
圖9是示出了層間絕緣膜以及平坦的氧化鋁膜的形成工序的圖。
圖IO是示出了第三配線層上的氮化膜形成工序的圖。圖IIA是示出了酚醛清漆樹脂(novolacresin)膜的形成工序的俯視圖。 圖11B是示出了酚醛清漆樹脂膜的形成工序的剖視圖。 圖12是示出了氧阻擋膜的形成工序的圖。
圖13A是示出了進行了氧阻擋膜蝕刻后，除去了抗蝕劑后的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖13B是示出了進行了氧阻擋膜蝕刻后，除去了抗蝕劑后的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖14是示出了PT測試后的金屬膜形成工序的圖。 圖15A是示出了金屬膜的蝕刻后的形狀的俯視圖。 圖15B是示出了金屬膜的蝕刻后的形狀的剖視圖。 圖16A是示出了金屬凸塊的形成工序的圖。 圖16B是示出了變形例的金屬凸塊的形成工序的圖。 圖17是示出了鐵電存儲器的制造工序的概要的圖。 圖18是示出了探針測試以后的工序的圖。
圖19是示出了本發(fā)明第二實施方式的鐵電存儲器及其制造工序的概要 的圖。
圖20是示出了本發(fā)明第三實施方式的鐵電存儲器及其制造工序的概要 的圖。
圖21是示出了本發(fā)明第三實施方式的金屬凸塊的形成工序的圖。 圖22是示出了本發(fā)明第四實施方式的鐵電存儲器的制造工序的圖。
具體實施例方式
《實施方式的要點》
下面,參照附圖，對本發(fā)明實施方式的鐵電存儲器(下面，稱之為FeRAM) 及其制造工序進行說明。在該制造工序中，在制造FeRAM器件時，形成酚 醛清漆樹脂膜以替代聚酰亞胺膜，將其作為聚酰亞胺鈍化膜的代用品。由于 以酚醛清漆樹脂為主成分的鈍化膜在比聚酰亞胺的固化溫度更低的低溫熱 處理中發(fā)生交聯(lián)(通常為從攝氏200度起230度為止的范圍)，所以有利于 制造FeRAM。
但是，若使用酚醛清漆樹脂形成鈍化膜，則會發(fā)生下述問題?；旧?，在使用酚醛清漆樹脂形成了鈍化膜之后，若置于高溫狀態(tài)的氧環(huán)境中，則會 發(fā)生樹脂的結(jié)合斷開的問題。另外，即使未置于氧環(huán)境中，但若施加進一步
高的高溫，例如進行加熱，使FeRAM達到攝氏300度以上，則會發(fā)生樹脂 的結(jié)合斷開的問題。
(1) 已明確如下事實以酚醛清漆樹脂為主成分形成鈍化膜，之后將 該鈍化膜置于氧環(huán)境中，則其膜強度會被劣化。
(2) 在制造工序中，對鐵電電容器進行保存測試(retention test)(用 于確認數(shù)據(jù)是否能夠正確地記錄及讀取的測試)數(shù)次。此時，作為負載，在 攝氏200度下進行4小時的熱老化處理。此時，酚醛清漆樹脂的鈍化膜受到
空氣環(huán)境所含有的氧的影響而被劣化。
(3) 經(jīng)過測試后，對FeRAM器件進行切割(dicing)處理，以1個芯 片為單位利用封裝樹脂來進行封裝。此時，由于在加熱封裝模具時與空氣環(huán) 境接觸，所以膜強度被劣化。
如上所述，若利用酚醛清漆樹脂來形成鈍化膜，則會發(fā)生多種新的問題， 從而導(dǎo)致長時間可靠性降低的問題。
于是，本發(fā)明的目的在于，為了解決上述問題，提供一種雖使用以酚醛 清漆樹脂為主成分的鈍化膜但能夠維持充分的鐵電電容器特性的結(jié)構(gòu)、制造 流程以及制造裝置。
艮P,在本制造方法中，具有鐵電電容器且具有形成在配線層的上方的鈍 化膜的半導(dǎo)體裝置采用如下結(jié)構(gòu)在鐵電電容器和鈍化膜之間形成有1層平 坦的氫/水分阻擋膜，而且具有由酚醛清漆樹脂構(gòu)成的鈍化膜。
圖1A示出了通過該工序制造的FeRAM的結(jié)構(gòu)的概略。該FeRAM具有 包括通過LOCOS (Local Oxidation of Silicon:硅的局部氧化)工序而形成的 元件分離區(qū)域、阱(在圖1A中舉例示出了 P-well)、源極、漏極以及柵極 等的晶體管層，晶體管層的上層的鐵電電容器，鐵電電容器的上層的配線層 (M1L、 M2L以及M3L)，覆蓋最下層的配線層M1L的氧化鋁膜(在圖1A 中標注為ALO 20nm)，在配線層MIL上的層間膜SIO的上層所形成的至少 1層平坦的氧化鋁膜(在圖1A中標注為ALO 50nm)，在與最上層的配線層 M3L相同的層上所形成的焊盤電極(在圖1A中標注為PAD)，覆蓋配線層 M3L的上層的氮化膜(P-SIN)，位于最表面且覆蓋氮化膜(P-SIN)的鈍化膜。在此，最表面的鈍化膜是以酚醛清漆樹脂為主成分的樹脂膜。樹脂的比
率為酚醛清漆樹脂占50%以上，在攝氏200度以下的固化溫度下進行熱處理， 優(yōu)選在從攝氏170度起攝氏190度為止的范圍的固化溫度下進行熱處理。
另外，設(shè)置有至少1層的平坦的氧化鋁膜，發(fā)揮氫/水分阻擋膜的功能。 之所以形成氫/水分阻擋膜，是出于如下的理由。也就是說，在對酚醛清漆樹 脂進行熱處理中生成乙醇。雖然乙醇的分子結(jié)構(gòu)大，但也會浸透至半導(dǎo)體元 件的內(nèi)部。另外，乙醇分解時生成水分和氫。乙醇中的氫、水分中的氫、或 者它們分解時所生成的氫，會使構(gòu)成鐵電膜的PZT還原。g卩，若在鐵電電容 器的周圍存在具有氫基的物質(zhì)且處于高溫狀態(tài)，則會促進PZT的還原作用。 于是，為了減弱這樣的還原作用，至少需要1層平坦的氫/水分阻擋膜。另一 方面，由于酚醛清漆樹脂在低溫區(qū)域發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，所以若采用上述工序， 則鐵電電容器不會受到熱損傷。因此，若采用本工序，則能夠抑制乙醇、水 分、氫等的侵入，進而能夠降低對鐵電電容器的熱的影響。
圖1B示出了 FeRAM的結(jié)構(gòu)的其他例子。在圖1B中，最表面的鈍化膜 被氧阻擋膜覆蓋。之所以采用該結(jié)構(gòu)，是出于以下的目的。即，若在存在氧 的環(huán)境中進行攝氏IOO度以上的加熱，則酚醛清漆樹脂的樹脂結(jié)合會斷開。 于是，為了防止酚醛清漆樹脂與氧環(huán)境接觸，在形成了酚醛清漆樹脂后形成 氧阻擋膜。
然而已確認如下事實即使在不存在氧的狀態(tài)下，若使酚醛清漆樹脂處 于攝氏300度的狀態(tài)，則酚醛清漆樹脂的樹脂結(jié)合也會斷開。在這樣的情況 下，熱量所導(dǎo)致的結(jié)合破壞可能從攝氏280度左右起發(fā)生。因此，優(yōu)選地， 在使用酚醛清漆樹脂來形成了鈍化膜之后，將溫度控制為不到攝氏280度以 上。
采用如上所述的工序，由此雖利用以酚醛清漆樹脂為主成分的鈍化膜， 但也能夠維持充分的鐵電電容器特性。
若采用本工序，則不形成超過限度的氫/水分阻擋膜也能夠抑制鐵電特性 被劣化。另外，由于能夠通過低溫熱處理來形成鈍化膜，所以能夠防止?jié)撛?的鐵電特性的劣化，從而能夠改善保存(retention)不良。進而，能夠克服 因?qū)⒎尤┣迤針渲糜阝g化膜而新發(fā)生的上述問題，從而能夠提高鐵電電容 器的長時間可靠性?！兜谝粚嵤┓绞健?br> 圖17以及圖18示出了本發(fā)明第一實施方式的FeRAM的制造工序的概 要。圖17是示出了到形成焊盤電極的開口為止的工序的流程圖。首先，在 半導(dǎo)體襯底(也稱之為晶片)上形成晶體管層(Sl)。
接下來，形成層間絕緣膜(S2)。然后，形成鐵電電容器。鐵電電容器 包括下部電極(例如Pt)、介電膜(例如PZT)、上部電極(例如Ir02)。 進而，形成覆蓋鐵電電容器的氫/水分阻擋膜(A1203) (S3)。
接下來，在鐵電電容器的上層形成層間絕緣膜，進而形成與其上層的配 線層連接的鎢的插塞層(S4)。進而形成與插塞層連接的第一配線層。例如， 用A1-Cu來填埋溝槽部，以此形成第一配線層。然后，在第一配線層的上層， 用Al203來形成用于阻擋氫或水分的侵入的阻擋膜(S5)。接下來，形成第 一配線層的上層的層間絕緣膜，并進行平坦化處理。進而，用八1203來形成 用于阻擋氫或水分的侵入的平坦的阻擋膜(S6)。然后，將從S4起S6為止 的工序重復(fù)進行與所需的配線層的層數(shù)相同的次數(shù)。然后，形成最上位的絕 緣膜以及插塞層，并形成與插塞層連接的焊盤電極(S7)。
接下來，形成用于覆蓋焊盤電極的氧化膜(S8)。進而，形成氮化膜SiN (S9)。然后，利用抗蝕劑圖案，在焊盤電極的上部形成開口 (S10)。進 而，對形成在焊盤電極之上的氧化膜、氮化膜進行蝕刻(S11)。由此，使 焊盤電極的上表面露出。
接下來，用酚醛清漆樹脂形成鈍化膜(S12)。進而，在攝氏200度以 下的溫度下，例如在從攝氏170度起190度為止的溫度范圍下，通過加熱爐 進行40分鐘左右的固化(熱處理)(S13)。將固化時的加熱爐內(nèi)的環(huán)境均 設(shè)定為氮氣環(huán)境(或非活性氣體環(huán)境)。
圖18是示出了在形成了焊盤電極的開口后的從初步測試(PrimaryTest: 下面稱之為PT測試)工序起封裝后的最終動作檢査工序為止的工序的流程 圖。在圖18中，以記號A示出的工序相當于探針測試。
在此，首先，使探針接觸至焊盤電極，并作為PT1測試，檢查通過焊盤 電極的輸入輸出動作。然后，進行第一次數(shù)據(jù)寫入(S17A)。
在作為初始測試的PT1測試中，使晶片卡盤(wafer chuck)的載物臺(stage)溫度上升至90°C，并實施PT1測試。這是為了在比常溫更苛刻的 條件下進行測試。
若極其簡單地說明PT1測試，則首先施加電源電壓確認電路是否正確響 應(yīng)。接下來，例如在電源電壓動作范圍內(nèi)的多個點進行動作確認等。接著實 施各種各樣的測試模式，以此確認該電路的確正確動作，最后寫入數(shù)據(jù)。
接著，由于FRAM是非易失性存儲器，所以通過PT2測試、PT3測試來 測試能否正確讀取已寫入的數(shù)據(jù)、或者能否寫入。
接下來，拿掉探針，將半導(dǎo)體襯底導(dǎo)入至處于充滿氮氣(或者氬氣等非 活性氣體)的環(huán)境的加熱爐中，并通過加熱實施老化測試(S17B)。這是因 為，在將酚醛清漆樹脂膜作為鈍化膜的情況下，若在空氣環(huán)境中進行老化， 則最表面的酚醛清漆樹脂會被劣化。在進行老化測試時，例如將攝氏200度 的狀態(tài)維持4小時左右。
然后，從加熱爐取出半導(dǎo)體襯底，執(zhí)行PT2測試。gp，使探針再次接觸 至焊盤電極，進行數(shù)據(jù)讀取以及第二次數(shù)據(jù)寫入(S17C)。
然后，拿掉探針，實施第二次老化測試(S17D)。第二次老化測試的條 件與第一次老化測試相同。然后，從加熱爐取出半導(dǎo)體襯底，并執(zhí)行PT3測
試。即，使探針再次接觸至焊盤電極，進行數(shù)據(jù)讀取以及第三次數(shù)據(jù)寫入。 通過這樣的方法，檢査通過焯盤電極的鐵電電容器的動作(S17E)。
接下來，切割芯片(S31)。然后，分別利用封裝樹脂來對通過切割而 切出的芯片進行封裝(S32)。此時，在具有酚醛清漆樹脂作為鈍化膜的芯 片的情況下，若在空氣環(huán)境中進行加熱，則最表面的酚醛清漆樹脂被劣化。 尤其是在封裝樹脂的模具溫度為攝氏IOO度以上時，酚醛清漆樹脂容易被劣 化。因此， 一邊將氮氣環(huán)境或者氬氣環(huán)境注入封裝模具一邊形成封裝樹脂。
接下來，對封裝樹脂進行干燥處理(S33)。此時，由于酚醛清漆樹脂 不與空氣中的氧直接接觸，所以芯片最表面的酚醛清漆樹脂不被劣化。但是， 即使在酚醛清漆樹脂不與氧接觸的情況下，也將干燥溫度設(shè)定為攝氏280度 以下。這是為了抑制高溫下的酚醛清漆樹脂的劣化以及鐵電體的劣化。
然后，對FeRAM芯片進行最終動作檢查(S34)。
第一實施例。圖2A是 示出了在FeRAM器件的最下層形成晶體管的工序的圖。首先，在硅等的半 導(dǎo)體襯底10上形成用于劃分元件區(qū)域的元件分離區(qū)域12。接下來，在形成 有元件分離區(qū)域12的半導(dǎo)體襯底10內(nèi)，通過注入雜質(zhì)來形成阱13。在形成 有阱13的半導(dǎo)體襯底10上，隔著未圖示的柵極絕緣膜形成柵電極15。進而， 在柵電極15的側(cè)壁部分形成側(cè)壁絕緣膜16。在形成有側(cè)壁絕緣膜16的柵電 極15的兩側(cè)，形成有源極/漏極擴散層17。
圖2B示出了層間絕緣膜的形成工序。在此，在形成有晶體管的半導(dǎo)體 襯底上，通過CVD(Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)形成有200nm 的層間絕緣膜P (等離子體)-SION (氮氧化硅)。進而，在P-SION膜上， 通過CVD形成有600nrn的P (磷)-TEOS (tetraethoxysilane:硅酸四乙酯) -NSG (nondoped silicate glass:無參入雜質(zhì)硅酸鹽玻璃)膜。然后，通過CMP (Chemical Mechanical Polishing:化學(xué)機械拋光)處理來將P-TEOS-NSG膜 研磨200nm左右，使其表面平坦。
圖2C示出了八1203膜的形成工序。在此，在P-TEOS-NSG膜之上，例 如通過CVD形成100nm的P-TEOS-NGS膜。然后，為了對P-TEOS-NSG膜 進行脫水處理，例如在攝氏650度、N2流量為1升/分鐘的條件下進行30分 鐘左右脫水處理。進而，在P-TEOS-NSG膜上，例如通過PVD(Physical Vapor Deposition:物理氣相沉積)形成20nrn的八1203膜(氧化鋁膜，在圖2C中 標注為ALO FILM)。然后，在形成了 Ah03膜后，例如利用RTA (Rapid Thermal Anneal:快速退火)裝置，在攝氏650度、02流量1升/分鐘的條件 下進行60秒鐘左右的熱處理。
圖3A示出了鐵電電容器的成膜工序。在此，在Al203膜上，例如通過 PVD形成155nm的Pt膜作為下部電極。
在所形成的Pt膜之上，例如通過PVD形成150 200nm的PZT (鋯鈦 酸鉛)膜。在形成了PZT膜后，例如通過RTA (Rapid Thermal Annealing: 快速退火)進行退火處理。退火條件例如為攝氏585度、02流量0.025升/ 分鐘、處理時間為90秒鐘。
接下來，在PZT膜之上，例如通過PVD形成50nm的Ir02 (氧化銥) 膜作為上部電極。在形成了 IrOj莫后，例如通過RTA進行退火處理。退火條件例如為攝氏725度、02流量0.025升/分鐘、處理時間為20秒鐘。接下 來，在IrOj莫之上，例如通過PVD再次形成200nm的IrOj莫。
圖3B示出了鐵電電容器的圖案形成工序。在此，為了形成上部電極的 圖案l,使用光致抗蝕劑(photoresist)形成圖案，并對Ir02膜進行蝕刻。
然后，為了對PZT膜進行還原退火，例如通過縱型爐進行熱處理。通常 的熱處理條件例如為攝氏650度、02流量20升/分鐘、處理時間為60分鐘。
然后，為了形成鐵電電容器的圖案2，形成光致抗蝕劑，并對PZT膜進 行蝕刻。
進而，為了對PZT膜進行還原退火，例如通過縱型爐進行熱處理。熱處 理條件例如為350°C、 02流量20升/分鐘、處理時間為60分鐘。
然后，為了保護PZT膜，在晶片的整個面上，例如通過PVD形成50nm
的八1203膜(未圖示)。在形成了Al203膜后，例如通過縱型爐進行熱處理。
熱處理條件例如為攝氏550度、02流量20升/分鐘、處理時間為60分鐘。 圖4A示出了層間絕緣膜的形成工序。在此，為了形成下部電極的圖案
3，使用光致抗蝕劑形成圖案，并對Pt膜進行蝕刻。
接下來，為了對PZT膜進行還原退火，例如通過縱型爐進行熱處理。標
準的熱處理條件例如為攝氏650度、02流量20升/分鐘、處理時間為60分鐘。
然后，為了保護鐵電電容器，在晶片的整個面上，例如通過PVD形成 20nm的Al2O3膜(未圖示)。在形成了^203膜后，例如通過縱型爐進行熱 處理。熱處理條件為攝氏550度、02流量20升/分鐘、處理時間為60秒鐘。
接下來，為了完全覆蓋鐵電電容器，例如通過CVD形成1500nm的 P-TEOS-NSG膜。在形成了 P-TEOS-NSG膜后，通過CMP處理對其表面進 行平坦化處理。
圖4B示出了鐵電電容器(圖4A中的虛線圓C1部分)的方文大圖。鐵電 電容器具有形成在八1203膜之上的下部電極、下部電極上的鐵電體(PZT)、 上部電極。進而，下部電極(圖案3)、鐵電體(圖案2)的側(cè)面以及上部 電極(圖案l)的側(cè)面、上表面被Al203膜覆蓋。
圖5 (15)示出了插塞(整體接觸塞(bulk contact))的形成工序。在 此，為了對P-TEOS-NSG的表面進行氮化處理，例如通過CVD裝置進行等離子體退火。熱處理條件為在攝氏350度的N20等離子體環(huán)境中進行2分鐘 的熱處理。進而，為了形成整體接觸塞，形成抗蝕劑圖案，并對層間絕緣月莫 進行蝕刻。
圖6A、圖6B示出了與電容器接觸的接觸塞的形成工序。在此，為了形 成整體接觸塞的阻擋金屬(barrier metal)，在晶片的整個面上，例如通過 PVD形成Ti 20nm+TiN 50nm (未圖示)。然后，在形成了阻擋金屬后，例 如通過CVD形成500nm的W膜。進而，為了除去整體接觸塞以外的W膜， 例如通過CMP處理對W膜進行研磨。接下來，為了對P-TEOS-NSG的表面 進行氮化處理，例如通過CVD裝置進行等離子體退火。熱處理條件例如為 在攝氏350度的N20等離子體環(huán)境中進行2分鐘的熱處理。進而，在 P-TEOS-NSG之上，例如通過CVD形成lOOnm的P-SION膜。
接下來，為了形成上部電極和下部電極的接觸塞，在P-SION膜上形成 抗蝕劑圖案(未圖示)。然后，如圖6B所示，將抗蝕劑圖案作為掩模，通 過蝕刻形成上部電極和下部電極的接觸孔。進而，為了對PZT膜進行還原退 火，例如通過縱型爐進行熱處理。熱處理條件例如為攝氏500度、02流量 20升/分鐘、處理時間為60分鐘。
圖7A、圖7B示出了第一配線層的形成工序。在此，為了除去P-SION 膜，例如通過蝕刻處理對P-SION膜的整個面進行回蝕(etch back)。
接下來，如圖7B所示，為了形成第一配線層，例如通過PVD形成TiN 150nm+Al-Cu 550nm+Ti 5nm+TiN 150歸的層疊膜。
其中，在圖7B中，省略了層疊膜的圖示，將上述層疊膜圖示為第一配 線層L1 (未形成圖案)。
圖8示出了第一配線層的Al203膜形成工序。在此，為了形成第一配線 層Ll的圖案，形成抗蝕劑圖案，并將抗蝕劑圖案作為掩模對第一配線層進 行蝕刻。進而，在形成了第一配線層Ll的圖案后，例如利用縱型爐，在攝 氏350度、N2流量20升/分鐘的條件下，進行30分鐘的熱處理。進而，在 第一配線層和P-TEOS膜上，例如通過PVD形成20nm的"203膜。A1203 膜發(fā)揮用于阻擋氫或水分的阻擋膜的功能。
圖9示出了層間絕緣膜和平坦的Al20j莫的形成工序。在此，在A1203 膜之上，例如通過CVD形成2600nm的P-TEOS-NSG膜，并為了對整體進行平坦化處理，例如通過CMP處理對P-TEOS-NSG膜進行研磨，使晶片表 面變得平坦。
進而，為了對P-TEOS-NSG的表面進行氮化處理，例如通過CVD裝置 進行等離子體退火。退火條件例如為在攝氏350度的N20等離子體環(huán)境中進 行4分鐘。然后，例如通過CVD再次形成100nm的P-TEOS-NSG膜。
進而，在P-TEOS-NSG膜之上，例如通過PVD形成50nm的Al20j莫。 在八1203膜之上，例如通過CVD形成100nm的P-TEOS-NSG膜。為了對 P-TEOS-NSG的表面進行氮化處理，例如通過CVD裝置進行等離子體退火 處理。退火條件為在攝氏350度的N20等離子體環(huán)境中進行2分鐘。
下面，同樣地，經(jīng)過插塞(層間的接觸孔)形成工序、第二配線層形成 工序、層間膜及Al203形成工序、插塞形成工序、第三配線層形成工序，形 成第三配線層的配線圖案和與該配線圖案連接的焊盤電極。進而，在其上層 形成圖10所示的氮化膜(P-SIN)。
更具體地說，首先，例如通過CVD，在第三配線層L3之上形成100nm 的P-TEOS-NSG膜作為鈍化膜。進而，為了對P-TEOS-NSG的表面進行氮化 處理，例如通過CVD裝置進行等離子體退火處理。退火條件例如為在攝氏 350度的N20等離子體環(huán)境中進行2分鐘。進而，例如通過CVD，在 P-TEOS-NSG膜之上形成350nm的P (等離子體)-SIN (氮化硅)膜作為鈍 化膜。
圖11A以及圖11B示出了酚醛清漆樹脂膜的形成工序。在此，圖11A 是從上方觀察形成有酚醛清漆樹脂膜的襯底的俯視圖，圖IIB是此時的剖視 圖。
為了形成焊盤部，在P-SIN膜上形成抗蝕劑圖案。然后，將抗蝕劑圖案 作為掩模，對焊盤部進行蝕刻。在蝕刻時，對P-TEOS-NSG膜和P-SIN膜進 行蝕刻，同時對第三配線的層疊膜的上部TiN膜150nm也進行蝕刻。
在形成了焊盤部后，涂敷感光性酚醛清漆樹脂作為保護膜，用于保護焊 盤部以外的部分。在形成了酚醛清漆樹脂后，例如通過橫型爐(相當于本發(fā) 明的加熱爐)進行熱處理，在攝氏180度、N2流量100升/分鐘的條件下進 行40分鐘的處理，使得酚醛清漆樹脂固化。將該酚醛清漆樹脂膜也稱為覆 蓋膜(緩沖材料膜或器件保護膜)。在這樣的情況下，本實施方式中的酚醛酚醛清漆樹脂具有在涂敷樹脂后不被顯 影液溶解的特性。若在涂敷了該酚醛清漆樹脂后被曝光用光照射，則酚醛清 漆樹脂(實際上是溶液)所含有的感光劑被分解，由于所分解的感光劑，酚 醛清漆樹脂不被顯影液溶解的特性會消失。因此，在涂敷了酚醛清漆樹脂后 被曝光用光照射的部位，會被顯影液溶解。
酚醛清漆樹脂的保護膜的形成步驟如下。艮P， (1)涂敷酚醛清漆樹脂、(2)預(yù)烘烤(低溫固化)、(3)曝光處理、
(4)后烘烤(低溫固化)、(5)顯影處理、(6)脫水烘烤(低溫固化)、 (7)酚醛清漆樹脂的交聯(lián)(正式固化)。
艮卩，在本實施方式中，隔著曝光掩模向焊盤部進行光的投影，并利用顯 影液進行顯影，由此形成酚醛清漆樹脂的開口部。
此外，在酚醛清漆樹脂由不含有感光劑的材料構(gòu)成的情況下，在酚醛清 漆樹脂的上層形成抗蝕劑圖案，在焊盤部形成開口。然后，利用可溶解酚醛 清漆樹脂的溶劑來除去未被抗蝕劑圖案覆蓋的開口部即可。
然后經(jīng)過測試工序、封裝工序，完成鐵電存儲器(FeRAM)芯片的制造。
如上所述，若采用本實施方式的FeRAM的制造工序，則在鐵電電容器 和含有酚醛清漆樹脂的鈍化膜之間，形成至少1層的平坦的通過^203來阻 擋氫或氧的侵入的阻擋膜(參照圖9中的ALO)。然后，在氧被抑制的氮氣 環(huán)境中或者Ar等的非活性氣體環(huán)境中，以比現(xiàn)有的聚酰亞胺的固化溫度更 低的攝氏200度以下的溫度進行熱處理。其結(jié)果，能夠在降低了對鐵電體的 熱影響的前提下形成覆蓋膜。另外，在氮氣環(huán)境中實施熱處理，所以能夠減 弱酚醛清漆樹脂的劣化。
《第二實施方式》
圖19示出了第二實施方式的FeRAM及其制造工序的概要。在上述第一 實施方式中，先在鐵電電容器的上層形成了至少1層用于阻擋氫以及水分的 阻擋膜，然后在氮氣環(huán)境中，以攝氏200度以下(典型的溫度為180度)的 固化溫度形成了酚醛清漆樹脂的膜作為鈍化膜(覆蓋膜)。在本實施方式中，
在含有該酚醛清漆樹脂的鈍化膜的上層形成氧阻擋膜。本實施方式的其他工 序與第一實施方式相同。于是，省略對于到形成酚醛清漆樹脂為止的工序的說明。因此，在圖19中，到步驟S13為止的步驟與第一實施方式的情況(圖 17)相同。另外，在圖19中，省略了S1-S6的工序。
艮口，在本實施方式中，在對酚醛清漆樹脂進行了熱處理(S13)后，形 成氧阻擋膜(S14)。然后，形成在焊盤部的上層開口的抗蝕劑圖案(S15)。 進而，通過蝕刻處理來除去焊盤電極上的氧阻擋膜，使焊盤部開口 (露出)。
第二實施例
基于圖12以及圖13，對本發(fā)明的FeRAM及其制造工序的實施例進行 說明。
圖12示出了在形成了酚醛清漆樹脂膜后的氧阻擋膜形成工序。在此， 在所固化的酚醛清漆樹脂之上，例如通過PVD濺射形成ALO、 TiOx等的氧 阻擋膜。膜厚例如為從20nm起50nm左右。接下來，在氧阻擋膜之上形成 抗蝕劑圖案。然后，將抗蝕劑圖案作為掩模，除去形成在PAD上的ALO、 TiOx等的氧阻擋膜。進而，除去抗蝕劑。圖13A以及圖13B分別以俯視圖 和剖視圖示出了在除去了抗蝕劑后的結(jié)構(gòu)。
然后，經(jīng)過測試工序、封裝工序，完成鐵電存儲器(FeRAM)芯片的制造。
如上所述，若采用本實施方式，則在使用酚醛清漆樹脂形成了最表面的 鈍化膜(覆蓋膜)后，進而形成用于阻擋氧的阻擋膜。
《第三實施方式》
圖20以及圖21示出了第三實施方式的FeRAM及其制造工序的概要。 在上述第一實施方式中，使用酚醛清漆樹脂形成了覆蓋膜。另外，在第二實 施方式中，在使用該酚醛清漆樹脂所形成的覆蓋膜的上層形成了氧阻擋膜。 在本實施方式中，進而在通過焊盤電極的測試工序后，形成2層的金屬膜。 本實施方式的其他工序與第一實施方式及第二實施方式相同。
艮P，在本實施方式中，對于在鈍化膜上形成有到達焊盤電極的開口的 FeRAM的半導(dǎo)體襯底實施PT (初步測試)測試(S9)，進而，在焊盤電極 上形成包括Ti膜和Pd膜的金屬膜(S20)。然后，形成用于覆蓋焊盤電極 的上層的抗蝕劑圖案(S21)，并對焊盤電極的上層以外的金屬膜進行蝕刻(S22)。圖21示出了進而形成金屬凸塊的工序(S23)。
通過這樣的工序，即使在PT測試中探針與焊盤電極接觸而使焊盤電極 受到損傷的情況下，也能夠抑制氫的侵入。即，通過Ti膜，能夠提高Pd膜 及金凸塊與焊盤電極的緊貼性。進而，Pd膜具有貯氫效果。若焊盤電極受到 損傷，則很可能使金凸塊的緊貼性劣化，但通過Ti膜和Pd膜，能夠抑制氫 從這樣的損傷部分侵入。
第三實施例
基于圖14 16B，對本發(fā)明的FeRAM及其制造工序的第三實施例進行 說明。圖14A示出了通過焊盤電極進行了PT測試后的金屬膜形成工序。在 PT測試中，由于焊盤電極與探針接觸，所以有時會使焊盤電極受到損傷。于 是，在本實施方式中，在測試工序后，例如通過濺射法，在包括焊盤電極的 開口部的芯片的整個面上濺射形成作為第一金屬膜的Ti膜。進而，濺射形成 作為第二金屬膜的Pd膜。然后形成抗蝕劑圖案。如圖14所示，抗蝕劑圖案 只覆蓋焊盤部、開口至焊盤部的酚醛清漆樹脂膜、以及氧阻擋膜的開口附近。
圖15A、圖15B分別示出了對金屬膜進行蝕刻后的俯視圖以及剖視圖。 即，將抗蝕劑圖案作為掩模，對Ti膜和Pd膜進行蝕刻。此時，作為蝕刻阻 止膜的氧阻擋膜被蝕刻。因此，應(yīng)該事先將氧阻擋膜形成得較厚。這樣，即 使在蝕刻后，在酚醛清漆樹脂膜上也會殘留有氧阻擋膜。
圖16A示出了金屬凸塊的形成工序。在焊盤電極上，通過電鍍工藝形成 金凸塊。此外，在此雖示出了金凸塊，但凸塊也可以是金以外的其他貴金屬。
由于Pd膜具有貯氫特性，所以即使在測試工序中焊盤電極受到損傷， 也能夠抑制氫從其損傷部位侵入。另外，Ti會使與金屬的焊盤電極的緊貼性 提高。因此，利用Ti膜以及Pd膜來覆蓋焊盤電極，由此能夠通過Pd膜來 發(fā)揮氫侵入防止效果。另外，通過這樣的結(jié)構(gòu)來使Pd膜以及金屬凸塊緊貼 于焊盤電極，由此還能夠抑制水分的侵入。
變形例
圖16B示出了第三實施方式的變形例。如圖16B所示，也可以在除了焊 盤電極的外環(huán)部之外的所有的區(qū)域形成Ti膜和Pd膜。在此，外環(huán)部是指，形成在焊盤電極上的P-TEOS-NSG膜、P-SiN膜的開口區(qū)域、且從酚醛清漆 樹脂膜和氧阻擋膜的開口部起具有規(guī)定寬度的切邊區(qū)域。在除了該外環(huán)部之 外的所有區(qū)域配置上述金屬保護膜。
在這樣的情況下，作為用于蝕刻Ti膜和Pd膜的抗蝕劑圖案，只要形成 只有外環(huán)部未被覆蓋的、剪切成環(huán)狀部分的抗蝕劑圖案即可。即，只要形成 能夠保護焊盤電極部以及外環(huán)部外側(cè)的FeRAM單元部、邏輯電路部、其他 周邊電路部從而使他們不被蝕刻的抗蝕劑圖案，由此對外環(huán)部的Ti膜和Pd 膜進行蝕刻即可。
通過這樣的結(jié)構(gòu)，Pd膜具有貯氫特性，從而抑制氫從芯片表面侵入，最 終能夠抑制氫侵入至芯片內(nèi)的鐵電電容器。例如，即使在鐵電電容器和最表 面的鈍化膜之間設(shè)置了平坦的氫/水分阻擋膜，但有時在平坦的氫/水分阻擋 膜上會存在小的被剝離部位。另外，由于存在通過CMP對層間絕緣膜等進 行的平坦化工序中所留下的小的塵埃，有時氫/水分阻擋膜的緊貼性會被劣 化。
最表面的鈍化膜正下方的氮化膜能夠抑制水分的侵入，但對于氫的侵入 的抑制效果很弱。因此，在設(shè)置于襯底內(nèi)的氫/水分阻擋膜上存在小的被剝離 部位或者發(fā)生了緊貼性劣化的情況下，氫有可能隨著時間的流逝逐漸侵入至 鐵電電容器內(nèi)。于是，通過Ti膜和Pd膜來保護襯底的最上層，由此能夠利 用Pd膜的貯氫效果來抑制氫侵入至鐵電電容器內(nèi)。
另外，也可以不對除了如上所述的外環(huán)部之外的襯底的大致整個面覆蓋 金屬膜，而是例如對限定于焊盤電極的開口部、鐵電電容器正上方以及其周 邊的部位覆蓋金屬膜。
《第四實施方式》
圖22示出了本發(fā)明第四實施方式的FeRAM的制造工序。本實施方式示 出了芯片切割以及封裝的工序。因此，在圖22中，省略了關(guān)于第一實施方 式至第三實施方式中所說明的前工序的說明。
在該工序中，將形成在半導(dǎo)體襯底上的半導(dǎo)體裝置切割成各個芯片 (S30)。
接下來，在所切割的半導(dǎo)體裝置的芯片上形成封裝樹脂以進行封裝處理(S31)。在將酚醛清漆樹脂作為鈍化膜的情況下，若在空氣環(huán)境中進行老
化處理，則最表面的酚醛清漆樹脂被劣化。尤其是，若封裝樹脂的模具溫度
達到攝氏100度以上，則容易受到氧的影響。于是， 一邊向封裝模具注入氮 氣環(huán)境或氬氣環(huán)境一邊形成封裝樹脂。
接下來，對封裝樹脂進行干燥處理(S32)。在這樣的情況下，酚醛清 漆樹脂不與空氣直接接觸，所以最表面的酚醛清漆樹脂不被劣化。其中，在 攝氏280度以下的干燥溫度下進行干燥處理。由此，能夠抑制酚醛清漆樹脂 因熱量而劣化。
如上所說明，若采用本發(fā)明，則即使不形成超過限度的氫/水分阻擋膜， 也能夠抑制鐵電特性被劣化。另外，由于能夠通過低溫固化來形成鈍化膜， 能夠防止?jié)撛诘蔫F電特性的劣化，從而能夠改善保存不良。進而，通過將酚 醛清漆樹脂用于鈍化膜，都能克服新發(fā)生的一些問題，從而能夠提高鐵電電 容器的長時間可靠性。
《其他變形例》
在上述第一實施方式至第四實施方式中，說明了PZT的鐵電膜。但是， 鐵電膜并不僅限定于PZT，而也可以是SBT膜。具體地說，這例如被記述為 PbZr卜xTix03膜、PbLxLaxZrLyTiy03膜、SrBi2(TaxNbLx)209膜、或者Bi4Ti2012 膜(其中，X以及Y為實數(shù))。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于，具有晶體管層，其形成在半導(dǎo)體襯底上，鐵電電容器層，其形成在上述晶體管層的上方，配線層，其形成在上述鐵電電容器層的上方，鈍化膜；在上述鐵電電容器層和上述鈍化膜之間，形成有至少一層阻擋膜，該阻擋膜用于抑制水分以及氫向下層滲透，上述鈍化膜含有酚醛清漆樹脂。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于， 還具有焊盤電極，該焊盤電極用于將上述配線層連接至外部電路， 含有上述酚醛清漆樹脂的鈍化膜未形成在上述焊盤電極上的開口區(qū)域。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于， 還具有氧阻擋膜，該氧阻擋膜覆蓋含有上述酚醛清漆樹脂的鈍化膜，用于抑制氧向下層滲透。
4. 如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于，還具有覆蓋上述焊盤電極的金屬保護膜。
5. 如權(quán)利要求2 4中任一項所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于， 在上述焊盤電極上還具有金屬凸塊。
6. 如權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于， 上述金屬保護膜形成在鐵電電容器部、邏輯電路部以及周邊電路部的各區(qū)域中的至少一個區(qū)域的上方。
7. 如權(quán)利要求4 6中任一項所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于， 上述金屬保護膜配置在上述焊盤電極上所形成的除了切邊區(qū)域以外的所有區(qū)域，所述切邊區(qū)域是指，從上述鈍化膜的開口部起以規(guī)定寬度對上述 開口部進行了切邊的區(qū)域。
8. 如權(quán)利要求4 7中任一項所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于， 上述金屬保護膜是由兩種以上的膜構(gòu)成的層疊金屬膜。
9. 如權(quán)利要求4 8中任一項所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于， 上述層疊金屬膜中的一種膜為鈀膜。
10. 如權(quán)利要求1 9中任一項所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于，上述阻擋膜是含有A1203、 AlxOy、 Ti02、 TiOx、 ZrOx、 MgOx以及MgTiOx 中的任意一種以上物質(zhì)的膜，其中，x為正整數(shù)。
11. 如權(quán)利要求1 10中任一項所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于， 上述阻擋膜是在鐵電電容器和酚醛清漆樹脂之間的區(qū)域以20nm以上的膜厚所形成的平坦的膜。
12. 如權(quán)利要求1 11中任一項所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于， 上述氧阻擋膜是含有SION、 SIN、 A1203、 AlxOy、 Ti02、 TiOx、 ZrOx、MgOx、 MgTiOx中的任意一種以上物質(zhì)的膜，其中，x以及y為正整數(shù)。
13. 如權(quán)利要求1 12中任一項所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于， 上述氧阻擋膜至少具有20nm以上的膜厚。
14. 如權(quán)利要求1 13中任一項所述的半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于， 上述酚醛清漆樹脂是在非活性氣體環(huán)境或者氮氣環(huán)境中以從攝氏170度到190度為止的范圍內(nèi)的固化溫度進行40分鐘的熱處理而形成的。
15. —種半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，其特征在于，包括 在半導(dǎo)體襯底上形成晶體管層的工序， 在上述晶體管層的上方形成鐵電電容器層的工序， 在上述鐵電電容器層的上方形成配線層的工序， 在配線層的上方成含有酚醛清漆樹脂的鈍化膜的工序； 該半導(dǎo)體存儲器件的制造方法還具有形成阻擋膜的工序，在該形成阻擋膜的工序中，在上述鐵電電容器層和含有上述酚醛清漆樹脂的鈍化膜之間， 形成至少一層阻擋膜，該阻擋膜用于抑制水分以及氫向下層滲透。
16. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，其特征在于， 在上述形成含有酚醛清漆樹脂的鈍化膜的工序包括熱處理工序，在該熱處理工序中，在非活性氣體環(huán)境中以從攝氏170度到190度為止的范圍內(nèi)的 固化溫度進行40分鐘的熱處理。
17. 如權(quán)利要求15或16所述的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，其特征在于，上述非活性氣體為氮氣或氬氣。
18. —種半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，該半導(dǎo)體存儲器件含有酚醛清漆 樹脂，其特征在于，包括將加熱爐設(shè)定為氮氣環(huán)境或者非活性氣體環(huán)境的工序，向含有酚醛清漆樹脂的半導(dǎo)體存儲器件寫入數(shù)據(jù)的工序，利用上述加熱爐加熱半導(dǎo)體存儲器件的工序，在進行了上述加熱后，從上述半導(dǎo)體存儲器件中讀取數(shù)據(jù)的工序。
19. 一種封裝樹脂形成方法，其特征在于，包括 將密閉空間設(shè)定為氮氣環(huán)境或者非活性氣體環(huán)境的工序， 上述密閉空間，向封裝模具插入具有鈍化膜的半導(dǎo)體存儲器件的工序，其中，該鈍化膜含有酚醛清漆樹脂，向上述封裝模具供給封裝材料的工序。
20. 如權(quán)利要求19所述的封裝樹脂形成方法，其特征在于， 還包括以攝氏280度以下的溫度使上述封裝材料干燥的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供半導(dǎo)體存儲器件及其制造方法、封裝樹脂形成方法。本發(fā)明的鐵電電容器具有晶體管層，其形成在半導(dǎo)體襯底上；鐵電電容器層，其形成在晶體管層的上方；配線層，其形成在鐵電電容器層的上方；以及鈍化膜。該鐵電電容器的特征在于，在鐵電電容器層和鈍化膜之間，形成有至少一層阻擋膜，該阻擋膜用于抑制水分以及氫向下層滲透，鈍化膜含有酚醛清漆樹脂。
文檔編號H01L21/8246GK101617399SQ20078005175
公開日2009年12月30日 申請日期2007年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月27日
發(fā)明者永井孝一 申請人:富士通微電子株式會社