專利名稱：使用等離子體加工襯底的方法和設(shè)備的制作方法
4吏用等離子體加工襯底的方法和設(shè)備
背景技術(shù)：
在加工半導(dǎo)體襯底的過(guò)程中，經(jīng)常采用等離子體加工。等離體 加工會(huì)涉及不同的等離子體發(fā)生技術(shù)，例如電感耦合型等離子體加 工系統(tǒng)、電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)、微波發(fā)生等離子體加工系 統(tǒng)等。制造商經(jīng)常在包含使用光刻膠掩模來(lái)蝕刻材料的工藝中采用 電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)。
對(duì)基底進(jìn)行等離子體加工的重要的需要考慮的事情涉及高蝕 刻速率和高光刻膠選擇比。高蝕刻速率指的是在等離子體加工過(guò)程 中蝕刻目標(biāo)材料的速率。 一般而言，下面的層蝕刻得越快，每單位 時(shí)間可以加工的晶圓的數(shù)量就越多。在同等條件下，制造商期望每 單位時(shí)間加工更多的晶圓，以提高晶圓加工效率。光刻膠選擇比指 的是蝕刻過(guò)程中在光刻膠掩模和下面的目標(biāo)層之間的區(qū)別。
隨著電路密度增加，需要制造商每個(gè)晶圓上的單位面積內(nèi)蝕刻 或形成數(shù)量更多的器件。器件密度越高，需要的光刻膠層越薄。進(jìn) 而，更薄的光刻力交層往往更容易被無(wú)意地蝕刻4卓。結(jié)果，制造商不 斷地努力，以創(chuàng)造可以以高蝕刻速率蝕刻下面的層同時(shí)避免〗吏光刻 膠掩模受損的加工制法。
用于提高蝕刻速率的一種方式是在等離子體加工過(guò)程中增大 等離子體密度。在電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)中，可以通過(guò)增大
高頻RF信號(hào)的功率來(lái)增大等離子體密度。為了有助于討論，圖l示 出了現(xiàn)有的多頻電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)100,其代表了通常被用來(lái)加工基底的等離子體處理系統(tǒng)。如圖l中所見，多頻電容耦
合型等離子體加工系統(tǒng)100包括布置在上電4及104和下電4及106之間 的室102。
在圖l的實(shí)現(xiàn)中，下電極106設(shè)置有多RF頻率，諸如2兆赫、27 兆赫和60兆赫。在圖l的實(shí)現(xiàn)中，上電極104接地。多頻電容耦合型 等離子體加工系統(tǒng)100還包括多個(gè)限制環(huán)108A、 108B、 108C和108D。 限制環(huán)108A至108D起到在等離子體加工過(guò)禾呈中在室102內(nèi)限制等
離子體的作用。
在圖l中還示出了外圍RF接地環(huán)llO，表示了用于室102內(nèi)產(chǎn)生 的等離子體的RF接地。為了將外圍RF接地110與上電才及104隔離， 通常設(shè)置了絕緣環(huán)112。還設(shè)置類似的絕緣環(huán)114以將下電才及106與 RF接地116絕緣。在等離子體加工過(guò)程中，^是供給下電才及106的RF 功率激發(fā)提供到室102內(nèi)的蝕刻氣體，由此在室102內(nèi)產(chǎn)生等離子體 來(lái)蝕刻通常布置在下電極106上的基底(為了簡(jiǎn)化圖l沒(méi)有示出基 底)。
如之前所討論的，非常期望在將基底布置在室102中時(shí)蝕刻基 底上的目標(biāo)層，而不會(huì)過(guò)度地?fù)p壞下面的光刻力交掩才莫。在現(xiàn)有4支術(shù) 中，可以通過(guò)增大室102內(nèi)的等離子體密度，實(shí)現(xiàn)目標(biāo)層的蝕刻速 率增大。 一般而言，可以通過(guò)增大提供給下電極106的高頻RF信號(hào) 的功率水平，增大等離子體密度。在本發(fā)明的上下文中，高頻RF 信號(hào)被定義為頻率高于10兆赫的信號(hào)。相反，頻率低于10兆赫的RF 信號(hào)在本文中^f皮稱作低頻信號(hào)。
然而，由于增大了高頻RF信號(hào)(例如，圖1中的27兆赫的RF信 號(hào)或60兆赫的RF信號(hào))的功率水平，對(duì)限制室102內(nèi)產(chǎn)生的等離子 體會(huì)是有挑戰(zhàn)性的。即使可以滿意地限制等離子體，在等離子體加 工過(guò)程中于上電才及的電子損失也為室102內(nèi)等離子體密度i殳定了上限。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的是,隨著等離子體密度增加，電子損失于多頻電容 耦合型等離子體加工系統(tǒng)100中的"f妻地上電才及或其它4妄i也表面，由
此造成室102內(nèi)的等離子體密度達(dá)到飽和點(diǎn)。超出飽和點(diǎn)，增大高 頻RF信號(hào)的RF頻率不會(huì)增大等離子體密度，這是由于電子損失超 過(guò)離子的產(chǎn)生。
另外，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了，對(duì)高頻RF信號(hào)增大RP頻率會(huì)對(duì)光刻膠選 ^^比產(chǎn)生不利影響。在高RF功率水平的情況下，由于增大的轟擊而 導(dǎo)致光刻膠掩模更大程度地受損，這樣造成光刻膠以更快的速率侵 蝕掉，由此對(duì)蝕刻工藝產(chǎn)生負(fù)面影響。
圖2示出一中現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)，借此向上電極104提供一個(gè)或多個(gè) 高頻RF信號(hào)202 (例如，圖2中的60兆赫的RF信號(hào))乂人而對(duì)室102內(nèi) 離子產(chǎn)生提供額外控制。然而，圖2中的實(shí)現(xiàn)沒(méi)有解決前面提到的 等離子體密度飽和點(diǎn)效應(yīng)的問(wèn)題。當(dāng)提供給上電極104的高頻信號(hào) 的RF功率水平增大時(shí)，也》見察到前面^是到的々包和點(diǎn)效應(yīng)，這限制了 等離子體密度并且因此限制了穿過(guò)目標(biāo)層的蝕刻速率，而不管怎樣 增加至高頻RF信號(hào)的RF功率水平。
另外，其它現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)嘗試通過(guò)控制電極溫度來(lái)控制光刻膠 選擇比。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，控制電極溫度的方法控制光刻膠選"^奪比的作用 微乎其微。另外，控制電極溫度的方法沒(méi)有解決前面提到的等離離 子密度々包和點(diǎn)效應(yīng)的問(wèn)題。
因此，已經(jīng)證實(shí)，上述各種現(xiàn)有4支術(shù)實(shí)現(xiàn)在以下方面是無(wú)效的 在包含使用光刻膠掩模蝕刻材料的工藝中，增大蝕刻速率而不會(huì)不 利影響或保持電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)中的高光刻膠選擇比。 在圖l的現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)中，對(duì)下電極的RF功率的增大會(huì)導(dǎo)致等離子 體的無(wú)限制、等離子體密度的飽和點(diǎn)并且對(duì)光刻膠選擇比產(chǎn)生不利 影響。相反，在圖2的現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)中，對(duì)上電極的RF功率的增大會(huì)導(dǎo)致等離子體密度的飽和點(diǎn)。另外，控制電極溫度的現(xiàn)有技術(shù)實(shí) 現(xiàn)控制光刻膠選擇比的作用微乎其微，同時(shí)也沒(méi)有提供對(duì)于等離子 體密度々包和效應(yīng)的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容
在實(shí)施例中，本發(fā)明涉及一種在電容耦合型等離子體加工系統(tǒng) 中加工基底的方法，該等離子體加工系統(tǒng)具有等離子體加工室以及 至少上電才及和下電極。在等離子體加工過(guò)程中，該基底i殳在該下電
極上。該方法包括向該下電極提供至少第一RF信號(hào)。該第一RF信 號(hào)具有第一RF頻率。該第一RF信號(hào)與該等離子體室內(nèi)的等離子體 耦合，由此在該上電才及上感生出感應(yīng)RF信號(hào)。該方法還包括:對(duì)該感 應(yīng)RF信號(hào)進(jìn)行整流(rectifying)以產(chǎn)生整流RF信號(hào)，4吏得該整流 RF信號(hào)更正偏置而非負(fù)偏置。該方法還包括在向該上電才及提供整流 RF信號(hào)的同時(shí)加工該基底。
以上概要只涉及這里/^開的本發(fā)明的許多實(shí)施例中的一個(gè)，并 不是為了本發(fā)明的范圍，該范圍在這里的權(quán)利要求中闡述。以下， 將在本發(fā)明的詳細(xì)描述中結(jié)合附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的這些和 其它特4正。


在附圖中，作為示例而不是限制來(lái)描述本發(fā)明，其中相同的參 考標(biāo)號(hào)表示類似的元件，并且其中
圖l示出了現(xiàn)有技術(shù)的多頻電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)，其 代表加工基底通常所采用的等離子體加工系統(tǒng)。
圖2示出了一種現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)，借此向上電極提供一個(gè)或多個(gè)高頻RF信號(hào)從而對(duì)室內(nèi)的離子產(chǎn)生進(jìn)行額外控制。
圖3a示出了一種實(shí)現(xiàn)，其中在等離子體加工過(guò)程中釆用整流電 ^各對(duì)上電才及上存在的感應(yīng)電壓進(jìn)行整流。
圖3b示出了示例RF信號(hào)。
圖4a示出了對(duì)于假定的等離子體蝕刻工藝y軸上的電子密度比 x軸上的電子能量的示例曲線。
圖4b示出了當(dāng)提供整流電路來(lái)在等離子加工過(guò)程中在等離子 體室內(nèi)捕獲更多電子時(shí)，具有多種不同電子能級(jí)的電子的電子密度 的示例曲線。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，將參照如在附圖中所示的本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例詳細(xì)描述 本發(fā)明。在隨后的描述中，為了提供對(duì)本發(fā)明更徹底的理解，闡述 了許多具體的細(xì)節(jié)。然而，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)it,將清楚的
是，沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)中的一些或全部也可以實(shí)施本發(fā)明。在有的 情況下，為了避免不必要地模糊本發(fā)明，沒(méi)有具體描述7>知的工藝
步-驟和/或結(jié)構(gòu)。
下文描述了各種實(shí)施例，包括方法和技術(shù)。應(yīng)該緊記的是，本 發(fā)明也涵蓋包4舌計(jì)算4幾可讀介質(zhì)的制造品，在該計(jì)算才幾可讀介質(zhì) 上，存儲(chǔ)了用于執(zhí)行該創(chuàng)新性實(shí)施例的計(jì)算機(jī)可讀指令。計(jì)算機(jī)可 讀介質(zhì)可以包括(例如)用于存儲(chǔ)計(jì)算才幾可讀^碼的半導(dǎo)體、》茲、 光石茲、光或其它形式的計(jì)算才幾可讀介質(zhì)。另外，本發(fā)明還可以覆蓋 用于實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例的設(shè)備。這類設(shè)備可以包括專用和/或可編程 的以執(zhí)行屬于本發(fā)明實(shí)施例的任務(wù)電^各。這類i殳備的示例包括通用計(jì)算才幾和/或適當(dāng)編程的專用計(jì)算機(jī)裝置，并且可以包^舌計(jì)算才幾/計(jì) 算裝置和適于與本發(fā)明實(shí)施例有關(guān)的各種任務(wù)的專用/可編程電路 的組合。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了控制于上電極的電子損失的方法 和裝置，使得可以增大等離子密度而不需要過(guò)度增大至等離子體的
功率。由于增大等離子體密度而沒(méi)有隨之而來(lái)的對(duì)RF功率需求的增
大，可以以更高的速率蝕刻目標(biāo)層，而不會(huì)過(guò)度劣化光刻月交選擇比。 在實(shí)施例中，上電極的構(gòu)造為上電極被負(fù)偏置，由此使得等離子體
體室內(nèi)。因?yàn)閹ж?fù)電的電子被捕獲較長(zhǎng)時(shí)間段，所以等離子體密度增大。
一般而言，在等離子體加工過(guò)程中，轟擊機(jī)制導(dǎo)致,人基底發(fā)射 出電子。如之前所討"i侖的，于上電極的電子損失限制了等離子體密 度增大，這是因?yàn)殡娮訐p失產(chǎn)生了々包和點(diǎn)效應(yīng)，該々包和點(diǎn)效應(yīng)限制
了等離子密度增大而不管提供到等離子體的RF功率如何。在實(shí)施例 中，上電極上的感應(yīng)RF信號(hào)被整流，因此上電極被進(jìn)一步負(fù)偏置。 因此，電子被上電極排斥，而不是快速損失于上電極，這導(dǎo)致等離 子體中電子數(shù)量更大，由此增大了等離子體密度。在另一個(gè)實(shí)施例 中，整流后的RF信號(hào)一支i文大，因此更進(jìn)一步地驅(qū)動(dòng)上電^l負(fù)向。更 高等離子體密度可以有效地蝕刻更多的目標(biāo)層，以實(shí)現(xiàn)期望的高蝕
刻速率。由于不必要增大RF功率來(lái)實(shí)現(xiàn)高等級(jí)的等離子體密度，因 此光刻膠選擇比不會(huì)受到現(xiàn)有技術(shù)中那種程度的不利影響。
以上概述只涉及本文7>開的本發(fā)明的許多實(shí)施例中的一個(gè)，并 不是為了限制本發(fā)明的范圍，該范圍在這里的權(quán)利要求中闡述。以 下在本發(fā)明的詳細(xì)描述中結(jié)合附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的這些和 其它特M正。圖3 A示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)，其中采用整流電路304對(duì) 等離子體加工過(guò)程中上電4及302上存在的感應(yīng)電壓進(jìn)4亍整流。如本 文所使用的術(shù)語(yǔ)，整流指的是減少或消除上電極302上存在的RF信
號(hào)的正周期的過(guò)禾呈。
參照?qǐng)D3B,示出了示例RF信號(hào)350。 RF信號(hào)350中的點(diǎn)線部分 352和354已經(jīng)被整流掉，留下表示RF信號(hào)的負(fù)部分的實(shí)線356和 358。由于只剩下RF信號(hào)的負(fù)部分，因此上電才及302傾向于相對(duì)于等 離子體室306內(nèi)存在的等離子體更負(fù)偏置。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，由于縱貫基底鞘或下鞘(為了簡(jiǎn)化圖3A 沒(méi)有示出下鞘)的轟擊，從設(shè)在在下電極312頂上的基底310發(fā)射出 的電子308加速離開基底310。不是立即損失于上電才及302 (例如， 如上電才及3024妄地時(shí)出現(xiàn)的情況)，負(fù)偏置的上電極302會(huì)排斥電子
間段。確信，最終，由于隨即碰撞的機(jī)制，電子308最終損失于RF 接地330。然而，電子308在等離子體室306內(nèi)較長(zhǎng)的滯留時(shí)間有助 于使等離子體密度較高，而不需要相應(yīng)增大4是供到等離子加工室 300的RF功率的量。
一般而言，可以使用任何已知的整流電路(包4舌例如功率 MOSFET)來(lái)構(gòu)造整流器304。在實(shí)施例中，整流電3各304還包括力丈 大電路，以不僅消除RF信號(hào)的正周期而JU丈大或縮小剩下的RF周 期負(fù)部分的幅度?？刂剖Ｏ碌腞F信號(hào)負(fù)部分的幅度的能力在加工過(guò) 程中為工藝工程師提供了另 一個(gè)控制4t鈕。
例如，已知的是，能量較低的電子和能量較高的電子以不同的 方式影響蝕刻工藝。在實(shí)施例中，捕獲能量較低的電子需要上電極 302被負(fù)偏置到至少負(fù)IOO伏。在實(shí)施例中，捕獲能量4支高的電子需 要上電極被偏置到較高的負(fù)值，例如負(fù)500伏或負(fù)600伏或更大。由于高密度的能量較高的電子被認(rèn)為對(duì)于光刻膠選擇比是有利的，因
此制造商在許多情況下會(huì)期望負(fù)偏置上電才及302 ，以偵J尋更多的能
量較高的電子一皮捕獲。
圖4A示出了對(duì)于假設(shè)的等離子體蝕刻工藝的y軸上的電子密度 比x軸上的電子能量的示例曲線。在通常的現(xiàn)有才支術(shù)情況下，于由 接地的上電極或如在圖2的情況提供有高頻RF信號(hào)的上電極的電子 損失機(jī)制，限制了使用給定的RF功率水平可以實(shí)現(xiàn)的等離子體密度。
在圖4A的情況下，曲線404下面的區(qū)i或表示不同能《及的電子分 布。曲線404的局部極大值402表示在具有能級(jí)406的電子的密度水 平Y(jié)1處的最大電子密度。注意的是，在等離子加工過(guò)程中，具有較 高電子能級(jí)的電子的分布(諸如圖4A中的點(diǎn)406右部的那些)不是 以高密度水平存在于等離子體室內(nèi)。圖4B示出了當(dāng)設(shè)置整流電路 304以在等離子加工過(guò)程中在等離子體室306內(nèi)捕獲更多電子時(shí)具 有各種不同電子能級(jí)的電子的電子密度的示例曲線。
與圖4A對(duì)比，能量較低的電子(例如具有由參考標(biāo)號(hào)406表示 的電子密度的那些)的電子密度，現(xiàn)在從電子密度水平Y(jié)1增大到較 高的電子密度級(jí)Y2，對(duì)應(yīng)線454的極大值452。另外，通過(guò)將上電極 302進(jìn)一 步負(fù)偏置，可以捕獲數(shù)量更大的能量較高的電子。
對(duì)于具有對(duì)應(yīng)于的電子，在圖4B中通過(guò)另 一個(gè)局部才及大值462 示出了能量更高的電子，該局部極大值對(duì)應(yīng)所捕捉或捕獲的具有與 參考標(biāo)號(hào)470對(duì)應(yīng)電子能級(jí)的電子的最大電子密度。在局部才及大值 462的情形，在等離子體加工過(guò)程中，不僅能量較^f氐的電子(與參 考標(biāo)號(hào)406相關(guān))以較高密度水平存在于室內(nèi)，而且能量較高的電 子(與參考標(biāo)號(hào)470相關(guān))也以較高的電子密度水平存在于等離子 體加工室內(nèi)。這些較高的電子密度水平有助于在等離子體加工過(guò)程中獲得更高的等離子體密度，以提高對(duì)目標(biāo)層的蝕刻速率。注意的
是，用于圖3A的提高等離子體密度的機(jī)制不需要增大提供到RF信 號(hào)(例如圖3A的示例中的2兆赫的RF信號(hào)、27兆赫的RP信號(hào)或60 兆赫的RF信號(hào))的RF功率。因此，光刻膠選l奪比沒(méi)有受到與通過(guò) 增大RF功率水平來(lái)實(shí)現(xiàn)較高等離子體密度所受到的影響程度相同 的負(fù)面影響。
如從上述內(nèi)容會(huì)清楚的，本發(fā)明的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)較高的等離體密 度水平以改進(jìn)了對(duì)電容耦合型等離子體加工室內(nèi)的目標(biāo)層進(jìn)行蝕 刻，而在蝕刻過(guò)程中沒(méi)有過(guò)度地?fù)p壞光刻膠。通過(guò)提供增大等離子 體密度而不需要隨之增大提供到等離子體加工室的RF信號(hào)的RF功 率水平大的機(jī)制，等離子密度增大，而光刻膠選擇比保持相同或者 受到微乎其微的影響。
雖然根據(jù)幾個(gè)優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是存在落入本發(fā)明 范圍的更改、變換和等價(jià)形式。另外，標(biāo)題、概要和摘要提供在本 文中是出于方〗更的目的，不應(yīng)該^皮用于解釋這里權(quán)利要求的范圍。 還應(yīng)該注意的是，存在實(shí)J見本發(fā)明的方法和"i殳備的i午多可選方式。 雖然本文提供了各種不同的示例，但是意圖是這些示例是說(shuō)明性的 而不是對(duì)于本發(fā)明的限制。因此，意圖是下面所附的4又利要求-故理 解為包括落入本發(fā)明的主旨和范圍內(nèi)的這類更改、變才奐和等同方 式。
權(quán)利要求
1.一種在電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)中加工基底的方法，所述電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)具有等離子體加工室以及至少上電極和下電極，在等離子體加工過(guò)程中，所述基底設(shè)在所述下電極上，所述方法包括向所述下電極提供至少第一RF信號(hào)，所述第一RF信號(hào)具有第一RF頻率，所述第一RF信號(hào)與所述等離子體處理室中的等離子體耦合，由此在所述上電極上感生出感應(yīng)RF信號(hào)；對(duì)所述感應(yīng)RF信號(hào)進(jìn)行整流，以產(chǎn)生整流RF信號(hào)，使得所述整流RF信號(hào)更正偏置而非負(fù)偏置；以及在向所述上電極提供所述整流RF信號(hào)的同時(shí)，加工所述基底。
2. 4艮據(jù)4又利要求1所述的方法，其中，所述整流包4舌去除所述感 應(yīng)RF j言號(hào)中的負(fù)的部分。
3. 才艮據(jù)一又利要求1所述的方法，還包括向所述下電才及提供第二 RF信號(hào)，所述第二 RF信號(hào)具有與所述第一 RF信號(hào)不同的第 二RF頻率。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第二 RF頻率是2MHz、 27MHz和60MHz中的一個(gè)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述整流還包括放大所述 感應(yīng)RF信號(hào)的幅度以產(chǎn)生所述整流RF信號(hào)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述電容耦合型等離子體 加工系統(tǒng)表示多頻電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用整流裝置來(lái)執(zhí)行所述 整流所述感應(yīng)RF信號(hào)以產(chǎn)生所述整流RF信號(hào)的步驟。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述整流裝置包括功率 MOSFET。
9. 一種具有用于加工基底的等離子體加工室的電容耦合型等離 子體加工系統(tǒng)，包4舌用于加工所述基底的至少上電才及和下電才及，在等離子體 加工過(guò)程中，所述基底設(shè)在所述下電極上；用于向所述下電極提供至少第一RF信號(hào)的裝置，所述第 一 RF信號(hào)具有第一 RF頻率，所述第一 RF信號(hào)與所述等離 子體加工室內(nèi)的等離子體耦合，由此在所述上電才及上感生出感應(yīng)RIM言號(hào)；用于對(duì)所述感應(yīng)RF信號(hào)進(jìn)4于整流以產(chǎn)生整流RF信號(hào)， 使得所述整流RF信號(hào)更正偏置而非負(fù)偏置的裝置，其中，所 述基底纟皮構(gòu)造成當(dāng)向所述上電核j是供所述整流RF信號(hào)時(shí)〗皮加 工。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)，其中， 所述整流包括去除所述感應(yīng)RF信號(hào)中的負(fù)的部分。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)，還包括 用于向所述下電極才是供第二RF信號(hào)的裝置，所述第二RF信 號(hào)具有與所述第一RF信號(hào)不同的第二RF頻率。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)，其中， 所述第二 RF頻率是2MHz、 27MHz和60MHz中的一個(gè)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)，其中， 所述整流還包括》文大所述感應(yīng)RF〗言號(hào)的幅度以產(chǎn)生所述整流 RF信號(hào)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)，其中， 所述電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)表示多頻電容耦合型等離 子體力口工系纟充。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)，其中， 使用整流裝置來(lái)執(zhí)行所述整流所述感應(yīng)RF信號(hào)以產(chǎn)生所述整 流RIM言號(hào)的步駛《。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)，其中，所述整流裝置包4舌功率MOSFET。
17. —種具有用于加工基底的等離子體加工室的電容耦合型等離 子體加工系統(tǒng)，包括用于加工所述基底的至少上電極和下電才及，在等離子體 加工過(guò)程中，所迷基底布置在所述下電才及上；用于向所述下電極提供多個(gè)RF信號(hào)的裝置，所述多個(gè) RF信號(hào)中的第一RF信號(hào)具有第一RF頻率，所述第一RF信 號(hào)與所述等離子體加工室內(nèi)的等離子體耦合，由此在所述上電 才及上感生出感應(yīng)RIM言號(hào)；整流裝置，其耦合到所述感應(yīng)RF信號(hào)以產(chǎn)生整流RF信 號(hào)，^吏得所述整流RF信號(hào)更正偏置而非負(fù)偏置；以及在向所述上電招"提供所述整流RF 4言號(hào)的同時(shí)加工所述 基底的裝置。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)，其中， 所述整流裝置包括被構(gòu)造為去除所述感應(yīng)RF信號(hào)的負(fù)的部分 的電^各。
19、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的電容耦合型等離子體加工系統(tǒng)，其中，所述整流裝置還包括;故構(gòu)造為方丈大所述感應(yīng)RIM言號(hào)以產(chǎn)生所 述整流RF信號(hào)的電路。
全文摘要
本發(fā)明提供了用于控制電子損失于上電極的方法和布置，包括用于將上電極進(jìn)一步負(fù)偏置以使得帶電物質(zhì)被捕獲在等離子體室內(nèi)較長(zhǎng)的時(shí)間而由此增大等離子體密度的技術(shù)和設(shè)備。將上電極上的感應(yīng)RF信號(hào)整流，因此將上電極進(jìn)一步負(fù)偏置。如果需要，整流RF信號(hào)還可以被放大，因此更進(jìn)一步負(fù)驅(qū)動(dòng)上電極。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK101617392SQ200780051826
公開日2009年12月30日 申請(qǐng)日期2007年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月29日
發(fā)明者哈德森·艾瑞克, 安德烈亞斯·菲舍爾, 拉金德爾·德辛德薩, 阿列克謝·馬拉赫塔諾夫 申請(qǐng)人:朗姆研究公司