專利名稱：多功能芯片貼膜以及使用此貼膜的半導(dǎo)體封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多功能芯片貼膜(die attachment film)，具體涉及 用于半導(dǎo)體封裝過程的多功能芯片貼膜，其在晶背研磨過程中作為晶背 研磨膠帶，并且在晶背研磨過程后并不被移除，而是被用來將芯片貼合 到連接構(gòu)件；本發(fā)明還涉及使用此貼膜的半導(dǎo)體封裝方法。
背景技術(shù)：
通常，用于制造半導(dǎo)體芯片的過程包括在具有預(yù)定厚度的半導(dǎo)體 晶圓中形成精細(xì)電路圖案；對(duì)晶圓的背表面進(jìn)行晶背研磨；以及將晶圓 切割成符合預(yù)定器件標(biāo)準(zhǔn)的單獨(dú)芯片，并將這些單獨(dú)芯片封裝成半導(dǎo)體 器件。
在半導(dǎo)體芯片制造過程的晶背研磨過程中，晶背研磨膠帶被貼合到 具有精細(xì)電路圖案的晶圓的前表面，該貼有晶背研磨膠帶的表面被研磨 卡盤(grind chuck)吸住，晶圓的背表面被緊密放置于切割模具上， 當(dāng)研磨劑被噴射時(shí)，晶圓被進(jìn)行晶背研磨，以使晶圓厚度為150至 200pni。在晶背研磨過程中，巨大的壓力或機(jī)械振動(dòng)被施加到晶圓，晶 背研磨膠帶防止了在此過程中可能出現(xiàn)的晶圓損壞。
然而，常規(guī)上，在晶背研磨結(jié)束后需要將晶背研磨膠帶從晶圓前表 面移除。并且，在晶背研磨過程后，將切割膜貼合到晶圓的背表面，使 用切割膜將晶圓置于切割模具上，然后移除晶背研磨膠帶，此時(shí)，如果 貼在與貼有晶背研磨膠帶的晶圓表面相反的表面上的切割膜的粘接強(qiáng) 度弱于晶背研磨膠帶的粘接強(qiáng)度，晶圓就可能翹起。
與此同時(shí)，在切割過程中，具有精細(xì)電路圖案的晶圓的表面可能會(huì) 出現(xiàn)諸如鋸切毛刺、劃痕、裂紋等缺陷，然而在現(xiàn)有技術(shù)中，切割過程 是在沒有任何保護(hù)裝置的情況下執(zhí)行的。并且，在切割過程后，由于每 個(gè)芯片都被拾取針拾起，并被安置在物件上供封裝(例如引線框)上， 薄芯片在拾取方向上可能會(huì)發(fā)生翹曲，并且如果過度翹曲，芯片就會(huì)產(chǎn) 生意料之外的故障，從而降低所得半導(dǎo)體裝置的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明被設(shè)計(jì)以解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，因此本發(fā)明的一個(gè)目的是提
供用于半導(dǎo)體封裝過程的多功能芯片貼膜，其用作將芯片粘合到連接構(gòu) 件的芯片貼膜，同時(shí)也在芯片粘合過程之前的晶背研磨過程中用作晶背
研磨膠帶；本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供使用該貼膜的半導(dǎo)體器件封裝方 法。
為了達(dá)到上述目的，用于半導(dǎo)體封裝過程的多功能芯片貼膜包括 第一芯片貼膜，其貼合在具有精細(xì)電路圖案和焊接凸點(diǎn)圖案的晶圓的表 面，并具有第一粘接強(qiáng)度；以及第二芯片貼膜，其貼合在第一芯片貼膜 上，并具有笫二粘接強(qiáng)度；該多功能芯片貼膜在半導(dǎo)體封裝過程的晶背 研磨過程中用作晶背研磨膠帶，并且在晶背研磨過程結(jié)束后并不被移 除，而是被用來將芯片貼合到連接構(gòu)件。
優(yōu)選地，第一芯片貼膜和笫二芯片貼膜均由透明或半透明材料制成。
在本發(fā)明中，此多功能芯片貼膜具有第 一 芯片貼膜和第二芯片貼膜 的層疊結(jié)構(gòu)，并且第一芯片貼膜和第二芯片貼膜均由從以下組中任選的 一種樹脂材料制成環(huán)氧基樹脂、丙烯酸基樹脂(acryl-basedresin)、 硅基樹脂、橡膠基樹脂、聚氨酯基樹脂和彈性體基樹脂。
優(yōu)選地，基于硅晶圓表面貼合，第一粘接強(qiáng)度于25T時(shí)為10至 2000gf/cm;基于AUS308表面貼合，第二粘接強(qiáng)度于25t:時(shí)為10至 2000gf/cm。
優(yōu)選地，基于7天851C/60y。濕度的抗?jié)裥詼y(cè)試(JL2),第一芯片 貼膜和第二芯片貼膜均具有0至2%wt的吸濕率。
優(yōu)選地，第一芯片貼膜和第二芯片貼膜于50。C時(shí)均具有104至 101GPa的儲(chǔ)能模量，更加優(yōu)選地，第二芯片貼膜于50X:時(shí)具有106至 109Pa的儲(chǔ)能模量。
優(yōu)選地，第一芯片貼膜和第二芯片貼膜至少之一含有導(dǎo)電填充物， 并且該導(dǎo)電填充物的體積占樹脂材料的體積的0. 5%至70%。
此外，優(yōu)選地，具有導(dǎo)電填充物的貼膜的厚度與沒有導(dǎo)電填充物的 貼膜的厚度比為10: 1至0. 1: 1，更加優(yōu)選地是4:1至0. 5: 1。
6在本發(fā)明中，導(dǎo)電填充物由從以下組中任選的一種導(dǎo)電金屬制成 金、銀、銅和鎳，或由涂覆有導(dǎo)電金屬的核-殼結(jié)構(gòu)的有機(jī)材料制成。
在本發(fā)明中，導(dǎo)電填充物的顆粒直徑為0. 05至50jim。
優(yōu)選地，在第一芯片貼膜與第二芯片貼膜之間插入中間層，以形成 多層結(jié)構(gòu)，此中間層由從以下組中任選的一種或至少兩種制成聚酯、 聚乙烯、聚乙埽對(duì)苯二酸鹽、乙烯基樹脂(vinyl)、聚丙烯、聚苯乙 烯、聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚縮醛、聚曱醛、聚丁 烯對(duì)苯二曱酸酉旨(polybutyleneterephthalate )、丙烯腈-丁二烯-苯 乙烯、和乙烯-乙烯醇共聚物。
為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的使用多功能芯片貼膜6^ 半導(dǎo)體封裝方法包括(a)將芯片貼膜貼合到具有精細(xì)電路圖案和焊 接凸點(diǎn)圖案的晶圓的表面，使該芯片貼膜的第一芯片貼膜表面面向該晶 圓；(b)對(duì)該晶圓背表面進(jìn)行晶背研磨，然后將切割膜貼合到其上；(c) 將該具有芯片貼膜的晶圓鋸切成至少一個(gè)芯片；以及U )將該切割膜從 該芯片移除，然后使用焊接凸點(diǎn)通過倒裝互連(flip chip bonding) 將該芯片電學(xué)連接到連接構(gòu)件，使該芯片貼膜的第二芯片貼膜表面面向 該連接構(gòu)件。
為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明另 一個(gè)方面的使用多功能芯片貼膜 的半導(dǎo)體封裝方法包括(a)將芯片貼膜貼合到具有精細(xì)電路圖案和 焊接凸點(diǎn)圖案的晶圓的表面，使該芯片貼膜的第一芯片貼膜表面面向該 晶圓；(b)對(duì)該晶圓背表面進(jìn)行晶背研磨，然后將切割芯片貼膜貼合到 其上；(c)將該具有芯片貼膜的晶圓鋸切成至少一個(gè)芯片；以及(d)將 該切割芯片貼膜的一個(gè)切割膜層從該芯片移除，將該芯片貼合到該連接 構(gòu)件，然后使用焊接凸點(diǎn)通過芯片倒裝互連將另一個(gè)芯片電學(xué)連接到該 芯片，使另一個(gè)芯片面向芯片貼膜表面。
在本發(fā)明中，連接構(gòu)件是從以下組中任選的一種PCB(印制電路 板)、引線框和芯片。


圖l是圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案的芯片貼膜的橫截 面視圖。圖2是圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案的半導(dǎo)體封裝方法 的流程圖。
圖3至6是圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案的半導(dǎo)體封裝過 程的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式
此后，將參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案進(jìn)行詳細(xì)描述。 圖l是圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案的芯片貼膜的橫截 面視圖。
參照?qǐng)D1,芯片貼膜100包括第一芯片貼膜IO，其貼合到具有精 細(xì)電路圖案和焊接凸點(diǎn)圖案50的晶圓的表面；第二芯片貼膜20，其貼 合到第一芯片貼膜10;以及保護(hù)膜ll，其貼合到芯片貼膜100的兩個(gè) 表面，以保護(hù)芯片貼膜IOO。
如圖l所示，保護(hù)膜11保護(hù)芯片貼膜100的粘性表面免受雜質(zhì)污 染，并且可以由聚乙烯或聚對(duì)苯二甲酸乙二酯
(Polyethyleneterephthalate) (PET)制成。然而，本發(fā)明并不局限 于此。
芯片貼膜IOO具有第一芯片貼膜IO和第二芯片貼膜20的層疊結(jié)構(gòu)。
在此，第一芯片貼膜10以第一粘接強(qiáng)度貼合到具有精細(xì)電路圖案 和焊接凸點(diǎn)圖案50的晶圓的表面，同時(shí)是需要高粘接強(qiáng)度的材料層， 以使芯片從晶圓分離。第二芯片貼膜20以第二粘接強(qiáng)度貼合在第一芯 片貼膜10上，同時(shí)是被研磨卡盤吸住的材料層，以在晶背研磨過程中 固定晶圓?？紤]到這點(diǎn)，基于硅晶圓表面貼合，第一粘接強(qiáng)度于25匸 時(shí)為IO至2000gf/cm;基于AUS308表面貼合，第二粘接強(qiáng)度于25。C時(shí) 為10至2000gf/cm。
并且，在半導(dǎo)體封裝過程的晶圓切割過程中，從晶圓30產(chǎn)生高熱， 并使用冷卻液來冷卻晶圓30。因此，芯片貼膜IOO應(yīng)該具有抗?jié)裥裕?因此需要較低的吸濕率?？紤]到這點(diǎn)，基于7天85^:/60%濕度的抗?jié)?性測(cè)試(JL2)，芯片貼膜100具有Q至2°/。wt的吸濕率。
與此同時(shí)，在半導(dǎo)體封裝的拾取過程中，當(dāng)芯片被拾取針拾起時(shí)，
8薄芯片在拾取方向可能發(fā)生翹曲，此外，當(dāng)芯片被貼合到引線框時(shí)，芯 片可能會(huì)由于芯片安裝頭的抽吸工具而發(fā)生翹曲。為了防止這些問題，
芯片貼膜100于50。C時(shí)具有104至101QPa的儲(chǔ)能模量，更加優(yōu)選地， 第二芯片貼膜100于50。C時(shí)具有106至109Pa的儲(chǔ)能模量。
并且，芯片貼膜100在晶背研磨過程中能夠用作晶背研磨膠帶，并 且在晶背研磨過程結(jié)束后并不被移除，而是在接下來的晶圓切割過程中 保持原樣。因此，芯片貼膜100由透明或半透明材料制成，以在晶圓切 割過程中顯示具有精細(xì)電路圖案的晶圓的表面。
第一芯片貼膜IO和第三芯片貼膜20均可以由環(huán)氧基樹脂、丙烯酸 基樹脂、硅基樹脂、橡膠基樹脂、聚氨酯基樹脂和彈性體基樹脂制成。 然而，本發(fā)明并不局限于此。
并且，在第一芯片貼膜10和第二芯片貼膜20之間可以插入中間層， 以形成具有多層結(jié)構(gòu)的芯片貼膜IOO，并且該中間層由聚酯、聚乙烯、 聚乙烯對(duì)苯二酸鹽、乙烯基樹脂、聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚氯 乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚縮醛、聚甲醛、聚丁烯對(duì)苯二甲酸酯、丙 烯腈-丁二烯-苯乙烯、或乙烯-乙烯醇共聚物制成。然而，本發(fā)明并不
局限于此。
并且，芯片貼膜100的第一芯片貼膜10和第二芯片貼膜20至少之 一含有導(dǎo)電填充物21，以使當(dāng)芯片被倒裝互連到連接構(gòu)件時(shí)，芯片和 連接構(gòu)件之間具有良好的電學(xué)結(jié)合性。例如，導(dǎo)電填充物21由任一選 自金、銀、銅或鎳等導(dǎo)電金屬的材料制成，或由涂覆有導(dǎo)電金屬的核-殼結(jié)構(gòu)的有機(jī)材料制成。然而，本發(fā)明并不局限于此。并且，導(dǎo)電填充 物21的體積占第二層貼膜20的樹脂材料的體積的0. 5%至70%，同時(shí)導(dǎo) 電填充物21的顆粒直徑為0. 05至50jim。
圖2是圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案的半導(dǎo)體封裝方法 的流程圖，圖3至6是圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案的半導(dǎo)體 封裝過程的橫截面視圖。
參照?qǐng)D2至6，在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案的半導(dǎo)體封裝方 法中，如圖3所示，保護(hù)膜11被從芯片貼膜100移除，然后芯片貼膜 IOO被貼合到具有精細(xì)電路圖案和焊接凸點(diǎn)圖案50的晶圓30的表面， 使芯片貼膜100的第一芯片貼膜10的表面面向晶圓30 (S100)。接下來，晶圓30被固定，使形成于被貼合到晶圓30的第一芯片貼 膜10上的第二芯片貼膜20的表面被研磨卡盤吸住，然后執(zhí)行晶背研磨 (S200 )。
然后，如圖4所示，將切割膜40貼合到貼有芯片貼膜100的晶圓 30的已研磨的背表面(S300 )。
然后，如圖5所示，固定晶圓30,使貼到晶圓30的背表面的切割 膜40被貼合到切割臺(tái)，晶圓30被切割鋸70鋸切成獨(dú)立芯片110( S400 )。
然后，芯片IIO被拾起，切割膜40被從芯片110移除。并且，如 圖6所示，芯片110被翻轉(zhuǎn)，以使含有導(dǎo)電填充物21的第二層貼膜20 面向連接構(gòu)件60，然后執(zhí)行倒裝互連(flip chip bonding)，以使用 焊接凸點(diǎn)50在芯片IIO和連接構(gòu)件60之間建立電學(xué)連接(S500 )。此 時(shí)，導(dǎo)電填充物21使芯片IIO和連接構(gòu)件60之間的電學(xué)連接更緊密。
這里，連接構(gòu)件60是從以下組中任選的一種PCB(印制電路板)、 引線框和芯片，并且連接構(gòu)件可電學(xué)連接到芯片110。然而，本發(fā)明不 局限于特定類型的連接構(gòu)件60。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的芯片貼膜IOO執(zhí)行將芯片IIO貼合到連接 構(gòu)件60的基本功能，同時(shí)在晶背研磨過程中用作晶背研磨膠帶，并在 倒裝互連過程中用作芯片IIO和鏈接構(gòu)件60之間的底部填充物。
與此同時(shí)，替代性地，在步驟S300中可以用切割芯片貼膜(未示 出)來代替貼到晶圓30的背表面的切割膜40，在這種情況下，芯片110 的切割芯片貼膜(未示出)的表面可以被貼合到連接構(gòu)件60,并且另一 個(gè)芯片(未示出)可以被貼合到芯片110的芯片貼膜100的表面，從而 兩個(gè)不同芯片可以彼此電學(xué)連接。
如此，應(yīng)理解，詳細(xì)描述和具體實(shí)例雖然指示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施 方案，但只是舉例而已，因?yàn)榛诖嗽敿?xì)描述，本發(fā)明的精神和范圍內(nèi) 的很多改變和修改對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員都是顯而易見的。
工業(yè)適用性
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝方法可以利用芯片貼膜來將芯片貼合到 連接構(gòu)件，該芯片貼膜在晶背研磨過程中用作晶背研磨膠帶，同時(shí)在晶 圓切割過程中用作晶圓保護(hù)裝置，從而防止了可能出現(xiàn)在晶圓表面的鋸
10切毛刺、劃痕、裂紋。并且，本發(fā)明可以免除晶背研磨過程后移除晶背 研磨膠帶的需要。此外，本發(fā)明可以由晶背研磨膠帶材料和底部填充材 料形成芯片貼膜，從而降低半導(dǎo)體封裝成本。
權(quán)利要求
1.用于半導(dǎo)體封裝過程的多功能芯片貼膜，包括第一芯片貼膜，其貼合到具有精細(xì)電路圖案和焊接凸點(diǎn)圖案的晶圓的表面，并具有第一粘接強(qiáng)度；以及第二芯片貼膜，其貼合在第一芯片貼膜上，并具有第二粘接強(qiáng)度；其中該多功能芯片貼膜在半導(dǎo)體封裝過程的晶背研磨過程中用作晶背研磨膠帶，并且該多功能芯片貼膜在晶背研磨過程結(jié)束后并不被移除，而是被用來將芯片貼合到連接構(gòu)件。
2. 權(quán)利要求1所述的多功能芯片貼膜，其中第一芯片貼膜和第二芯片 貼膜均由透明或半透明材料制成。
3. 權(quán)利要求1所述的多功能芯片貼膜，其中第一芯片貼膜和第二芯片 貼膜形成層疊結(jié)構(gòu)，并且第一芯片貼膜和第二芯片貼膜均由選自以下 組中的任一種樹脂材料制成環(huán)氧基樹脂、丙烯酸基樹脂、硅基樹脂、 橡膠基樹脂、聚氨酯基樹脂和彈性體基樹脂。
4. 權(quán)利要求1所述的多功能芯片貼膜，其中基于硅芯片表面貼合，第 一粘接強(qiáng)度于25匸時(shí)為10至2000gf/cm;基于AUS308表面貼合，第 二粘接強(qiáng)度于25'C時(shí)為10至2000gf/cm。
5. 權(quán)利要求1所述的多功能芯片貼膜，其中基于7天85'C/60W濕度 的抗?jié)裥詼y(cè)試(JL2)，第一芯片貼膜和第二芯片貼膜均具有0至2 iwt 的吸濕率。
6. 權(quán)利要求1所述的多功能芯片貼膜，其中第一芯片貼膜和第二芯片 貼膜于50"時(shí)均具有104至101QPa的儲(chǔ)能模量。
7. 權(quán)利要求6所述的多功能芯片貼膜，其中第二芯片貼膜于5on時(shí) 具有106至109Pa的儲(chǔ)能模量。
8. 權(quán)利要求l所述的多功能芯片貼膜，其中第一芯片貼膜和第二芯片 貼膜至少之一含有導(dǎo)電填充物。
9. 權(quán)利要求8所述的多功能芯片貼膜，其中第一芯片貼膜和第二芯片 貼膜至少之一含有的導(dǎo)電填充物的體積占樹脂材料的體積的0. 5%至 70%。
10. 權(quán)利要求8所述的多功能芯片貼膜，其中具有導(dǎo)電填充物的貼膜 的厚度與沒有導(dǎo)電填充物的貼膜的厚度比為10: 1至0. 1: 1，優(yōu)選地是4: 1至0. 5: 1。
11. 權(quán)利要求8所述的多功能芯片貼膜，其中導(dǎo)電填充物由選自從以 下組中任選的一種導(dǎo)電金屬制成金、銀、銅和鎳，或由涂覆有導(dǎo)電 金屬的核-殼結(jié)構(gòu)的有機(jī)材料制成。
12. 權(quán)利要求8所述的多功能芯片貼膜，其中導(dǎo)電填充物的顆粒直徑 為0. 05至50]Lim。
13. 權(quán)利要求1至12之任一所述的多功能芯片貼膜，其中第一芯片貼 膜與第二芯片貼膜之間插入中間過渡層，以形成具有多層結(jié)構(gòu)的芯片 貼膜，此中間層由從以下組中任選的一種或至少兩種制成聚酯、聚 乙烯、聚乙蜂對(duì)苯二酸鹽、乙烯基樹脂、聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸 酯、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚縮醛、聚曱醛、聚丁烯對(duì)苯二 曱酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯、和乙烯-乙烯醇共聚物。
14. 使用權(quán)利要求1至12之任一所述的芯片貼膜的半導(dǎo)體封裝方法， 包括(a) 將芯片貼膜貼合到具有精細(xì)電路圖案和焊接凸點(diǎn)圖案的晶圓的 表面，使該芯片貼膜的第 一 芯片貼膜表面面向該晶圓；(b) 對(duì)該晶圓背表面進(jìn)行晶背研磨，然后將切割膜貼合到其上；(c) 將該具有芯片貼膜的晶圃鋸切成至少一個(gè)芯片；(d) 將該切割膜從該芯片移除，然后使用焊接凸點(diǎn)通過倒裝互連將 該芯片電學(xué)連接到連接構(gòu)件，使該芯片貼膜的第二芯片貼膜表面面向 該連接構(gòu)件。
15. 權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝方法，其中連接構(gòu)件是從以下組中 任選的一種PCB(印制電路板)、引線框和芯片。
16. 權(quán)利要求13所述的使用芯片貼膜的半導(dǎo)體封裝方法，包括(a )將芯片貼膜貼合到具有精細(xì)電路圖案和焊接凸點(diǎn)圖案的晶圓 的表面，使該芯片貼膜的第 一芯片貼膜表面面向該晶圓；(b) 對(duì)該晶圓背表面進(jìn)行晶背研磨，然后將切割膜貼合到其上；(c) 將該具有芯片貼膜的晶圓鋸切成至少一個(gè)芯片；(d) 將該切割膜從該芯片移除，然后使用焊接凸點(diǎn)通過倒裝互聯(lián) 將該芯片電學(xué)連接到連接構(gòu)件，使該芯片貼膜的第二芯片貼膜表面面 向該連接構(gòu)件。
17. 權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝方法，其中連接構(gòu)件是從以下組中 任選的一種PCB(印制電路板)、引線框和芯片。
18. 使用權(quán)利要求1至12之任一所述的芯片貼膜的半導(dǎo)體封裝方法， 包括(a) 將芯片貼膜貼合到具有精細(xì)電路圖案和焊接凸點(diǎn)圖案的晶圓 的表面，使該芯片貼膜的第一芯片貼膜表面面向該晶圓；(b) 對(duì)該晶圓背表面進(jìn)行晶背研磨，然后將切割芯片貼膜貼合到其上；(c) 將該具有芯片貼膜的晶圓鋸切成至少一個(gè)芯片；(d) 將該切割芯片貼膜的一個(gè)切割膜層從該芯片移除，將該芯片 貼合到連接構(gòu)件，然后使用焊接凸點(diǎn)通過倒裝互連將該芯片電學(xué)連接 到另 一芯片，使該另 一個(gè)芯片面向該芯片的芯片貼膜表面。
19. 權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝方法，其中連接構(gòu)件是從以下組中 任選的一種PCB(印制電路板)、引線框和芯片。
20. 使用權(quán)利要求13所述的芯片貼膜的半導(dǎo)體封裝方法，包括(a )將芯片貼膜貼合到具有精細(xì)電路圖案和焊接凸點(diǎn)圖案的晶圓 的表面，使該芯片貼膜的第一芯片貼膜表面面向該晶圓；(b) 對(duì)該晶圓背表面進(jìn)行晶背研磨，然后將切割芯片貼膜貼合到 其上；(c) 將該具有芯片貼膜的晶圓鋸切成至少一個(gè)芯片；(d) 將該切割芯片貼膜的一個(gè)切割膜層從該芯片移除，將該芯片 貼合到連接構(gòu)件，然后使用焊接凸點(diǎn)通過倒裝互連將該芯片電學(xué)連接 到另 一芯片，使該另 一個(gè)芯片面向該芯片的芯片貼膜表面。
21. 權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體封裝方法，其中連接構(gòu)件是從以下組 中任選的一種PCB(印制電路板)、引線框和芯片。
全文摘要
用于半導(dǎo)體封裝過程的多功能芯片貼膜，包括第一芯片貼膜，其貼合到具有精細(xì)電路圖案和焊接凸點(diǎn)圖案的晶圓的表面，并具有第一粘接強(qiáng)度；第二芯片貼膜，其貼合在第一層芯片貼膜上，并相對(duì)于晶圓、芯片、PCB和撓性板具有第二粘接強(qiáng)度；該多功能芯片貼膜在晶背研磨過程中用作晶背研磨膠帶，并且在晶背研磨過程結(jié)束后并不被移除，而是被用來將芯片貼合到連接構(gòu)件；并且，本發(fā)明在晶背研磨過程中將芯片貼膜用作晶背研磨膠帶，同時(shí)在晶圓切割過程中將芯片貼膜用作晶圓保護(hù)手段，從而防止了鋸切毛刺、劃痕或裂紋。
文檔編號(hào)H01L21/58GK101689513SQ200780052483
公開日2010年3月31日 申請(qǐng)日期2007年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月9日
發(fā)明者姜炳彥, 徐凖模, 成忠鉉, 玄淳瑩, 金載勛 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司