專利名稱：發(fā)光裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種根據(jù)權利要求1的前序部分所述的發(fā)光裝置。
背景技術：
這種發(fā)光裝置廣泛地應用在多種應用領域中，并且特征在于具有適用
于各應用領域的連接燈頭(Anschlufisockel)，所述連接燈頭可與相應的 燈座/管座(Fassung)協(xié)同工作。
在饋電線的接觸區(qū)域之間，通常觸點接通/接觸一發(fā)光元件例如螺旋燈絲。
這種發(fā)光裝置通常具有以下缺點，即這種類型的發(fā)光裝置雖然有時購 買成^Jf艮高但僅具有相對較短的使用壽命，因為所述發(fā)光元件容易損壞， 并且在例如1000工作小時后已經(jīng)不再能起作用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，創(chuàng)造一種提高了使用壽命的開頭所述類型的發(fā)光 裝置。
這在開頭所述類型的發(fā)光裝置中如此實現(xiàn)，使得饋電線的接觸區(qū)域觸 點接通發(fā)光芯片單元/布置，所述發(fā)光芯片單元包括至少一個發(fā)光半導體結 構。
考慮將具有pn結的半導體晶體作為發(fā)光半導體結構，所述半導體晶 體在施加有電壓時發(fā)射光。這種半導體晶體的特征在于既具有高的能量輸 出又具有長的使用壽命。
本發(fā)明的有利的改進方案在從屬權利要求中給出。通過根據(jù)權利要求2所述的措施，通過饋電線除了為發(fā)光芯片單元供 給電壓之外，還可確保從在施加有電壓的情況下發(fā)熱的發(fā)光芯片單元中將 熱散出。
如果饋電線與發(fā)光單元如在權利要求3中所迷的那樣觸點接通，則能 有利地應用已知的觸點接通方法。
可選地，形成如在權利要求4中所述的觸點接通是有利的，以避免發(fā) 光芯片單元上的較高的溫度應力。
發(fā)光裝置的較高的光功率可有利地通過根據(jù)權利要求5或權利要求6 所述的措施來獲得。
如果多個半導體結構結合在一個發(fā)光芯片單元中，則當所述多個半導 體結構根據(jù)權利要求7彼此導電連接時，是有利的。這種連接比借助如其 在半導體結構中通常常見的接合(絲)(B(mden)而形成的連接更穩(wěn)定。
權利要求8帶來了這樣的優(yōu)點，即雖然所述連接必須克服芯片上的高 度差，但氣相處理/氣相沉積的連接部具有均勻的厚度。
如果發(fā)光芯片單元如在權利要求9中所述的那樣設計，則光輻射可在 基本全部空間方向上實現(xiàn)。
根據(jù)權利要求9所述的本發(fā)明的改進方案的優(yōu)點在于，可獲得較高的 光量，并且同時發(fā)光裝置的工作電壓可達到標準電壓源如蓄電池、電源單 元/線路段和標準電網(wǎng)導線所能提供的較高的范圍。
根據(jù)權利要求IO,發(fā)光裝置的工作電壓可適配于公用電壓源的輸出電壓。
根據(jù)權利要求11所述的發(fā)光裝置向前和向后發(fā)射光。 用于載體基板/載體基片的有利的材料在權利要求12中給出。 通過根據(jù)權利要求13給出的措施實現(xiàn)了 ，通過發(fā)光裝置的內(nèi)腔從發(fā)光 芯片單元中很好地向外散熱。
如果由發(fā)光芯片單元發(fā)射的光的波長未與所希望的波長一致，則可通 過根據(jù)權利要求14所述的措施來調(diào)節(jié)。熒光體顆粒吸收射到該焚光體顆粒 上的輻射，并發(fā)射至少一個另外的波長的輻射。通過合適地選擇熒光體顆?；驘晒怏w顆?；旌衔?，由發(fā)光芯片單元發(fā)射的輻射可轉換為具有另 一光 諳的輻射。
根據(jù)權利要求15，可以以簡單的方式確保熒光體顆粒的均勻分布。 根據(jù)權利要求16和17，熒光體顆粒在其均勻分布方面是穩(wěn)定的。 根據(jù)權利要求18，改善了光通過熒光體顆粒表色(Farbvorgabe )的效率。
可根據(jù)權利要求19可靠且持久地設定在熒光體顆粒和發(fā)光半導體之 間的所希望的間距。
根據(jù)權利要求20,承載半導體結構的、在任何情況下都要設置的透光 基板可同時確保在發(fā)光芯片單元的 一側上的所希望的間距。
在根據(jù)權利要求21所述的發(fā)光裝置中，發(fā)光半導體結構通過平行于基 板平面延伸的印制線路/印制導線(Leiterbahn)連接。這些印制線路可特 別好且特別均勻地通過氣相處理得到(金屬蒸氣沒有被遮蔽)。
下面借助附圖詳細闡述本發(fā)明的實施例。附圖示出 圖1A是具有半導體結構的發(fā)光芯片單元的側^L圖； 圖1B是根據(jù)圖1A的發(fā)光芯片單元的俯視圖； 圖2A是具有三個半導體結構的改變了的發(fā)光芯片單元； 圖2B是根據(jù)圖2A的改變了的發(fā)光芯片單元的俯視圖； 圖3是在圖2A中由一個橢圓圏出的在兩個半導體結構之間的區(qū)域的 詳細一見圖4是具有標準的卡口燈頭的發(fā)光裝置，其中饋電線觸點接通發(fā)光芯 片單元，并示出了與卡口燈頭分開的透明的燈泡；
圖5是才艮據(jù)圖4的發(fā)光裝置的放大的詳細視圖，其中饋電線觸點接通 根據(jù)圖1A和1B的發(fā)光芯片單元；
圖6是與圖5相應的附圖，其中發(fā)光芯片單元由具有熒光體顆粒的材 料包??；
7圖7是根據(jù)圖4的改變了的發(fā)光裝置與圖5相應的附圖，其中根據(jù)圖 2A和2B的發(fā)光芯片單元觸點接通饋電線；
圖8是具有并聯(lián)的發(fā)光半導體結構的發(fā)光芯片單元；和
圖9是具有串聯(lián)的半導體結構的、變化了的發(fā)光芯片單元的剖視圖。
具體實施例方式
在圖1A和1B中總體以IO標注發(fā)光芯片單元，所述發(fā)光芯片單元包 括由藍寶石玻璃制成的載體基板12。藍寶石玻璃也凈皮稱為氧化鋁玻璃/剛玉 玻璃(Al203玻璃)。在發(fā)光芯片單元10中，載體基板12具有約400jim 的厚度，然而其也可具有例如5fim和600jtm之間的其它厚度。作為藍寶 石玻璃的替代，也可將耐高溫玻璃、例如派萊克斯玻璃(Pyrexglas)形式 的更為廉價的材料用于載體基板12。
載體基板12承載半導體結構14,該半導體結構本身包括三個層。
處于由藍寶石玻璃制成的載體M 12上的下部層16是由n - GaN或 n-InGaN制成的n型層。
中間層18是MQW層。MQW是"Multiple Quantum Well (多量子 阱)，，的縮寫。MQW材料為超晶格，所述超晶格具有根據(jù)超晶格結構改 變的電子能帶結構并相應地在不同波長時發(fā)射光。通過選擇MQW層可影 響由pn型半導體結構14發(fā)出的輻射的光鐠。
上部層20由p型III - V半導體材料制成，例如由p - GaN制成。
半導體結構14具有一在俯^f見圖中為U形的、環(huán)繞的臺階部22，其臺 階面24在高度方面處于載體基板12和MQW層18之間。以這種方式，n 型層16在臺階面24的區(qū)域中在側面突出超過MQW層18和p型層20。 臺階面24由相應地為U形的氣相處理的印制線路26覆蓋，所述印制線路 包括兩條平行延伸的印制線路26a和26b以及與它們垂直延伸的印制線路 26c。印制線路26c形成用于n型層16的接觸連接部(KontaktanschluB )。
為了也觸點接通p型層20,在p型層20的上側上、在從上方看U形 印制線路26置于其兩側的區(qū)域28旁邊，氣相處理以形成導電面30,所述導電面形成用于p型層20的接觸連接部。三根首先平行延伸的印制線路 32a、 32b、 32c從導電面30開始在p型層20的表面上延伸到p型層20的 區(qū)域28中。如在圖1A中可容易地看到的，兩根外部的印制線路32a和32c 的自由端部分別向中間印制線路32b的方向彎曲了 90° 。
半導體結構14的區(qū)域28的面積為280x280 jim至1800 x 1800 ja m。 印制線路26a、 26b、 26c和32a、 32b、 32c以及導電面30通過氣相處 理/氣相沉積銅金合金獲得?？蛇x擇地，還可使用銀合金或鋁合金。在接觸 連接部26c和30的區(qū)域中可設置有金，其被以本身已知的方式摻雜到p型 層或n型層上，用以連接。
在圖2A和2B中分別示出改變了的發(fā)光芯片單元10'。與根據(jù)圖1A 和1B的發(fā)光芯片單元10的部件相應的部件具有加撇號的相同的附圖標 記。
在發(fā)光芯片單元l(K中，在載體基板12'上設置有三個半導體結構 14、、 14'b和14'c,這里的三個半導體結構與才艮據(jù)圖1A和1B的半導體 結構14基本一致。半導體結構14'a、 14'b和14'c串聯(lián)連接，其中，中間 半導體結構K b的導電面3(T與半導體結構14' a的印制線路26' c連接， 而半導體結構14' b的印制線路26' c與半導體結構14、的導電面30'連接。
例如以半導體結構14'b和14'c之間的連接(參見圖2A)為例，放大 地在圖3中較為詳細地示出了印制線路26'c與導電面30'之間的連接的優(yōu) 選設計方案。
在半導體結構if b和14' c之間設置有斜坡形的絕緣體34。對此例如 可在相應的半導體結構14'之間濺射電絕緣材料。兩個半導體結構14'(在 圖3中為半導體結構14'b和14'c)之間的間距為100jim的量級。
在斜坡形的絕緣體34上氣相處理以形成印制線路36 ，該印制線路36 例如可由上述與印制線路26和32、導電面30相關的相同材料制成。
由于斜坡的形狀，確保了氣相處理的印制線路的厚度均勻。沒有例如 在印制線路部段垂直于載體基板12的平面延伸時所預料的被遮蔽的區(qū)域。
通過印制線路36確保了在半導體結構14'之間的可靠且耐久的導電連接。傳統(tǒng)使用的、具有極細的接合絲的接合結構對熱應力和/或機械應力的 耐受能力較差。
如在圖3中可看到的，在那里半導體結構14'c進行了少許改變，在印 制線路36下面設置有用斜坡34的絕緣材料填充的凹部38。
在圖4中示出了發(fā)光裝置40，其具有標準的卡口燈頭作為連接燈頭42。 作為卡口燈頭(例如GU10燈頭等)的替代，還可提供標準的愛迪生燈頭 (例如E12、 E26等)、標準的插式燈頭或者標準的楔形燈頭。
由連接燈頭42的在此未特別用附圖標記標注出的、本身已知的外部連 接區(qū)域開始，兩根饋電線44a、 44b在該連接燈頭內(nèi)部延伸。所述饋電線在 連接燈頭42上方橫穿一由電絕緣材料制成的間隔件46。通過所述間隔件 防止了饋電線44a、 44b接觸，這種接觸會導致短路。
饋電線44a和44b的自由端部48a和48b形成了接觸區(qū)域，所述接觸 區(qū)域觸點接通發(fā)光芯片單元10或1(K，這僅在圖4中示出。
發(fā)光裝置40包括由可透光材料制成的燈泡50，所述燈泡在安裝狀態(tài) 下與連接燈頭42 —起限定發(fā)光裝置40的內(nèi)腔52。
燈泡50例如由玻璃或環(huán)氧樹脂制成，此外如果希望的話還可實現(xiàn)聚光 系統(tǒng)功能。
內(nèi)腔52填充有硅油(Silikon61) 54，由發(fā)光芯片單元10或l(T產(chǎn)生的 熱經(jīng)由所述珪油散至燈泡50的在徑向上位于外部的區(qū)域。
同樣為了散熱目的，饋電線44a、 44b除導電性外還具有好的導熱性， 所述導熱性優(yōu)選至少要與銅的導熱性相當。
因此令人滿意的散熱可通過饋電線44a、 44b來發(fā)生，所述饋電線的直 徑在0.3 mm至2 mm 之間，優(yōu)選在0.5 mm和1.0 mm之間，特另'優(yōu)選約 為0.7 mm。
在圖5中以放大圖示出，發(fā)光芯片單元10是怎樣用僅有的一半導體結 構14在饋電線44a、 的接觸區(qū)域48a、 48b之間觸點接通的。如在那 里可看出的，饋電線44a的接觸區(qū)域48a通過借助銀焊料56a進行的硬釬 焊而觸點接通到半導體結構14的印制線路26c上。該半導體結構14的導電面30同樣也通過用56b標注的銀焊料與發(fā)光裝置40的第二饋電線44b 的接觸區(qū)域48b連接。
作為用于觸點接通發(fā)光芯片單元10的銀焊料56a、 56b的替代，饋電 線44a、 44b的接觸區(qū)域48a、 4Sb還可借助于導電粘4、劑與半導體結構14 的相應的印制線路26c或導電面30導電連接。
在圖6中示出的變化形式中，發(fā)光芯片單元10附加地利用透明材料 58包住，其中均勻地分布有通過點畫出的熒光體顆粒60。材料58例如可 以是透明的雙組分粘接劑。材料58以一掀開的視圖示出。然而發(fā)光芯片單 元10事實上完全由材料58包住。
半導體結構14在施加有電壓時發(fā)射出紫外光以及在420 nm至480 nm 的波長范圍內(nèi)的藍光。通過包住發(fā)光芯片單元10的、具有熒光體顆粒60 的材料層58可獲得白光LED。適合的熒光體顆粒60由具有各種色心的透 明固體材料制成。為將由半導體結構14發(fā)出的紫外光和藍光轉變?yōu)榘坠猓?使用三種類型的熒光體顆粒60,這三種類型的熒光體顆粒部分地吸收紫外 光和藍光，而本身發(fā)出黃光和紅光。另外，如果希望的話，還可額外地混 入發(fā)射藍光的顆粒。
通過使半導體結構14包括以不同于在此給出材料的已知材料制成的 層16、 18、 20，可改變由發(fā)光裝置40產(chǎn)生的光的光語。
作為具有熒光體顆粒60的材料58的可選方案，所述熒光體顆粒還可 均勻分布地設置在發(fā)光裝置40的內(nèi)腔52中的硅油54中。
在發(fā)光裝置40的一變化形式中，還可不用硅油54。在這種情況下， 燈泡50的內(nèi)腔52的內(nèi)表面例如可涂上上述類型的具有熒光體顆粒60的材 料58的層。
熒光體顆粒60或者容納該熒光體顆粒的材料58還可在外部施加在透 明的塑料外殼或玻璃外殼上，所述外殼設計成使得所述材料在全部空間方 向上以基本上相同的間距包圍裝入該外殼中的發(fā)光芯片單元10或l(T的半 導體結構14。
其中均勻分布有熒光體顆粒60的材料58與半導體結構14之間的有利的間距處于約0.3 mm和3.0 mm之間，優(yōu)選在0.5 mm和1.5 mm之間， 尤其優(yōu)選約為1 mm。
在圖7中放大地示出了具有三個半導體結構14、、 14'b和14'c的發(fā) 光芯片單元10''通過饋電線44a、 44b的觸點接通。除了是將發(fā)光芯片單元 IO'設置在該處以外，上述對發(fā)光芯片單元10的觸點接通的描述，如作適 當變動，也相應地適用。發(fā)光芯片單元IO'也可由其中均勻地分布有熒光 體顆粒60的材料58包住，以便獲得白光輻射。所述材料58在圖7中以虛 線畫出。
這樣形成的、具有發(fā)光芯片單元10或10'的發(fā)光裝置40利用其連接 燈頭42旋入或插入相應設計的、與連接燈頭匹配的燈座中以進行工作。通 過該連接燈頭42將一工作電壓施加^t電線44a、 44b和相應的發(fā)光芯片 單元10或10'，由此激發(fā)相應的半導體結構14或14'以發(fā)光。
所述半導體結構14或14'和相應的發(fā)光芯片單元10或10'的突出優(yōu)點 在于在具有高的光功率的同時還具有長的使用壽命。以這種方式實現(xiàn)了耐 用的發(fā)光裝置，其可替換標準的、使用壽命較短的已知發(fā)光裝置，而無需 例如改變所配屬的燈座中進行的結構。
每個半導體結構14或14'以約3.5至4V的工作電壓工作，從而使由 三個半導體結構lta、 If b和14'c形成的發(fā)光芯片單元10可在12V下 工作。這特別是對于機動車領域大大有利。
在連接燈頭42的內(nèi)腔中必要時可設置額外的電子部件如一個或多個 相應的串聯(lián)電阻等，其連接在連接燈頭42的外部連接區(qū)域和饋電線44a、 44b之間，并在半導體結構14或14'上確保了基本上恒定的工作電流強度。 此外，在連接燈頭42的內(nèi)腔中可設置這樣的電子部件，使得通過所述電子 部件可將與半導體結構14或14'所需的工作電壓不同的外部供電電壓例如 電源電壓轉換為所需的工作電壓。
在耗用功率為1W時，每個半導體結構14或14'獲得約40Lumen (流 明)的光功率。
在根據(jù)圖8的發(fā)光芯片單元中，在一個載體^ 12上設置有六個發(fā)光半導體結構14,所述各個半導體結構由于通過接觸部36形成的觸點接通而彼此并聯(lián)地電連接。
在根據(jù)圖9的發(fā)光芯片單元10中，在一個載體基板12上設置有六個半導體結構14,所述六個半導體結構交替地利用其n型層或其p型層鄰接于載體基板12,所述n型層或p型層均承載兩個透明電極。因此六個半導體結構可通過平行于基板平面延伸的印制線路70和72串聯(lián)連接，所述印制線路可容易地通過氣相處理形成所需的厚度和均勻性。
處于半導體結構14之間的空間通過透明的絕緣材料體74填充。這些絕緣材料體可通過篩選玻璃料、然后使玻璃料熔合或燒結來獲得。
1權利要求
1.一種發(fā)光裝置，特別是用于機動車，該發(fā)光裝置具有a)連接燈頭(42)；b)由透光材料制成的燈泡(50)，所述燈泡至少部分地限定一內(nèi)腔(52)和由所述連接燈頭(42)支承；c)第一饋電線(44a)和第二饋電線(44b)，能夠通過所述連接燈頭(42)為所述饋電線施加工作電壓，所述饋電線以接觸區(qū)域(48a、48b)插入所述內(nèi)腔(52)中，其特征在于，d)所述饋電線(44a、44b)的接觸區(qū)域(48a、48b)與一發(fā)光芯片單元(10、110)連接，所述發(fā)光芯片單元包括至少一個發(fā)光半導體結構(14、114)。
2. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述饋電線(44a、 44b)的直徑在0.3 mm和2 mm 之間，優(yōu)選地在0.5 mm和1.0 mm之間， 特別優(yōu)選約為0.7 mm,所述饋電線由導熱性好的導電材料制成。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述饋電線 (44a、 44b)的接觸區(qū)域分別通過硬釬焊接觸部(56a、 56b)，特別是通過銀焊料接觸部，與發(fā)光芯片單元(IO、 110)連接。
4. 根據(jù)權利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述饋電線 (44a、 44b)的接觸區(qū)域通過導電粘合劑與發(fā)光芯片單元(10、 110 )連接。
5. 根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所 述發(fā)光芯片單元(110)包括至少兩個發(fā)光半導體結構(114a、 114b、 114c)。
6. 根據(jù)權利要求5所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光芯片單 元包括三個發(fā)光半導體結構Ul4a、 114b、 114c)。
7. 根據(jù)權利要求5或6所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述半導體 結構(114a、 114b、 114c)借助氣相處理的印制線路(136)彼此導電連接。
8. 根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，多個發(fā)光半導體結構(144a、 114b、 114c)串聯(lián)地電連接。
9. 根據(jù)權利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述半導體結構(114a、 1114b )以相同的層指向一承載所述半導體結構的載體M (12 )，并通過由斜坡(34)承載的印制線路(36)連接。
10. 根據(jù)權利要求8或9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，如此選擇串聯(lián)連接的發(fā)光半導體結構(114a、 114b、 114c)的數(shù)目，使得總電壓降為12V、 24V、 1匿或220V。
11. 根據(jù)權利要求1至10中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光芯片單元(10、 110 )包括一由透明材料制成的載體基板(12、 112 ),所述載體基板承載所述發(fā)光半導體結構(14、 114)。
12. 根據(jù)權利要求11所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述載體基板(12、 112)的透明材料是藍寶石玻璃或者耐高溫玻璃。
13. 根據(jù)權利要求1至12中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述內(nèi)腔(42)填充有導熱且電絕緣的液體例如硅油(54)。
14. 根據(jù)權利要求1至13中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光芯片單元(10、 110)至少局部地由基本上均勻分布的熒光體顆粒包圍，所述熒光體顆粒這樣吸收由所述發(fā)光半導體結構(14)發(fā)出的光并部分地轉換成互補光，使得所述發(fā)光裝置總體上基本發(fā)出白光。
15. 根據(jù)權利要求14所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述熒光體顆粒中的至少一部分基本上均勻地分布在一載體介質(zhì)中，優(yōu)選在液態(tài)載體介質(zhì)例如硅油(54)中。
16. 根據(jù)權利要求14或15所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述熒光體顆粒的至少一部分由所述發(fā)光芯片單元(10)承載。
17. 根據(jù)權利要求14至16中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述焚光體顆粒的至少一部分由所述燈泡(50)承載，優(yōu)選施加到該燈泡的內(nèi)表面上。
18. 根據(jù)權利要求14至17中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，在所述基本上均勻分布的熒光體顆粒和發(fā)光半導體結構(14、 114)之間保留約0.3 mm至3.0 mm，優(yōu)選約0.5 mm至1.5 mm,尤其優(yōu)選約為1 mm的間距。
19. 根據(jù)權利要求18所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光半導體結構(14、 114)設置在兩個透光的基板之間，所述基板的厚度與所述發(fā)光半導體結構(14、 114)和熒光體顆粒之間的所希望的間距相當。
20. 根據(jù)權利要求19所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述透光的基板中的一個通過一承栽所述發(fā)光半導體結構(14、 114)的透明板形成。
21. 4艮據(jù)權利要求8至20中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光半導體結構(14)中的至少一部分設置成成對地以不同的側指向載體基板(12)，并通過平行于載體基板平面延伸的印制線路(36、 37)串聯(lián)連接。
22. 根據(jù)權利要求1至21中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光半導體結構(14)中的至少一部分設置成成對地以相同的層指向載體基板，并通過平行于載體基板平面延伸的印制線路(36、 37)連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置(40)，該發(fā)光裝置具有標準的連接燈頭(42)和由透光材料制成的、限定一內(nèi)腔(52)的遮蓋物(50)。在至少兩根饋電線(44a、44b)的接觸區(qū)域(48a、48b)之間觸點接通一發(fā)光芯片單元(10、110)，所述發(fā)光芯片單元包括至少一個半導體結構(14、114)。
文檔編號H01L25/075GK101681908SQ200780052513
公開日2010年3月24日 申請日期2007年10月11日 優(yōu)先權日2007年2月23日
發(fā)明者F·通霍弗爾, G·迪亞曼蒂迪斯 申請人:諾克特龍金融控股有限公司