專利名稱：堆疊結(jié)構(gòu)及其圖案化方法以及有機(jī)薄膜晶體管及其陣列的制作方法
堆疊結(jié)構(gòu)及其圖案化方法以及有機(jī)薄膜晶體管及其陣列方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種堆疊結(jié)構(gòu)及其圖案化方法，且特別涉及一種可溶性有 機(jī)半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)，和以濕式蝕刻的方式來(lái)圖案化可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材 料的方法，以及有機(jī)薄膜晶體管及其陣列。
背景技術(shù)：
有機(jī)薄膜晶體管(Organic Thin Film Transistor, OTFT )是由有機(jī)共軛高 分子或寡聚分子材料所制成的晶體管，與傳統(tǒng)的無(wú)機(jī)晶體管相比，有機(jī)薄 膜晶體管可在低溫下制作，因此在基板選擇上可采用較輕、薄且便宜的塑 料取代玻璃。此外，有機(jī)薄膜晶體管相對(duì)而言制程簡(jiǎn)單，故極具發(fā)展?jié)摿Α?在制程方面，大多通過(guò)蔭罩(shadow mask)的方式，以圖案化有機(jī)半導(dǎo)體 材料。然而，以蔭罩的方式制作出的最小線寬遠(yuǎn)大于一般以曝光顯影的方 式制作出的最小線寬，而且遮蔽效應(yīng)會(huì)造成圖案邊緣(edge)較為粗糙，且 不適于大面積的制程。另外，掩模與元件接觸時(shí)容易在掩?；蛟袭a(chǎn)生 刮痕或其它缺陷，使得蔭罩使用壽命短，進(jìn)而提高制作成本。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提出一種堆疊結(jié)構(gòu)，其具有可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料以及水溶性 感光材料，其中水溶性感光材料配置于可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料的表面上。
本發(fā)明提出一種圖案化的方法。首先，在基材上形成可溶性有機(jī)半導(dǎo) 體材料，接著，在可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料上形成水溶性感光材料。之后， 圖案化水溶性感光材料，并以圖案化的水溶性感光材料層作為蝕刻掩模進(jìn) 行濕式蝕刻制程，以圖案化可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料。
本發(fā)明提出一種有機(jī)薄膜晶體管，其具有柵極、柵極絕緣層、源極、 漏極、有源層以及保護(hù)層。其中有源層具有可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料。保護(hù)
層配置于有源層的表面上，而且保護(hù)層具有水溶性感光材^K
本發(fā)明提出一種有機(jī)薄膜晶體管陣列，其具有多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及多個(gè)有機(jī)薄膜晶體管，而這些有機(jī)薄膜晶體管與這些掃描線和這些 數(shù)據(jù)線電牲連接，且每個(gè)有機(jī)薄膜晶體管具有柵極、柵極絕緣層、源極、 漏極、有源層以及保護(hù)層。其中有源層具有可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料。保護(hù) 層配置于有源層的表面上，而且保護(hù)層具有水溶性感光材料。
綜上所述，由于本發(fā)明可采用濕式蝕刻的方式來(lái)圖案化可溶性有機(jī)半 導(dǎo)體材料，且由于本發(fā)明采用可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料，可通過(guò)涂布的方式 來(lái)形成大面積的可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料，因此制作成本較低。
為讓本發(fā)明能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō) 明如下。


圖1A至圖1D繪示本發(fā)明一實(shí)施例的圖案化有機(jī)半導(dǎo)體材料的方法。
圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的一種有機(jī)薄膜晶體管的剖面圖。
圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的另一種有機(jī)薄膜晶體管的剖面圖。
圖4A為一底部接觸型有機(jī)薄膜晶體管的電性測(cè)試圖，其中此有機(jī)薄膜
晶體管的有源層并未圖案化。
圖4B為另一底部接觸型有機(jī)薄膜晶體管的電性測(cè)試圖，其中此有機(jī)薄
膜晶體管的有源層是圖案化的。
圖5A及圖5B為頂部接觸型有機(jī)薄膜晶體管的電性測(cè)試圖。 圖6為包含本發(fā)明的有機(jī)薄膜晶體管陣列的像素陣列示意圖。主要附圖標(biāo)記說(shuō)明
110:圖案化的可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料234、234a:漏極
l衡:可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料240、240a:有源層
120:基材250、250a:保護(hù)層
130:圖案化的水溶性感光材料260:基層
130a:水溶性感光材料502、502a、 504、 504a:曲線
200、300、 626:有機(jī)薄膜晶體管600:像素陣列
210:柵極610:像素電極
220:柵極絕緣層622:掃描線
232、232a:源極624:數(shù)據(jù)線具體實(shí)施方式
圖1D為依照本發(fā)明 一 實(shí)施例的堆疊結(jié)構(gòu)的剖面圖。此堆疊結(jié)構(gòu)包括配
置于基材120上的可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料110以及水溶性感光材料130。其 中水溶性感光材料130配置于可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料110的表面上。在一 實(shí)施例中，水溶性感光材料130的圖案與可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料110的圖 案相同。
基材120的材質(zhì)例如是玻璃、塑料、金屬或其它適合的材料。 可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料110例如是可溶性高分子半導(dǎo)體材料或是可溶 性小分子半導(dǎo)體材料，而可溶性高分子半導(dǎo)體材料可以選自聚噻吩 (Polythi叩hene)、 聚己噻吩(Polyhexylthiophene)、 聚(3-己噻 吩)(Poly(3陽(yáng)hexylthiophene))、 聚(對(duì)-亞苯基乙烯基)(Poly(p-phenylene vinylene))、 聚(二辛基藥-共-苯并漆二口坐)(Poly(dioctylfluorene-co-benzothiadiazole))、 聚乙炔(Polyacetylene)、 聚處略(Polyprrole)、 聚苯胺 (Polyaniline)或其衍生物之 一 ；可溶性小分子半導(dǎo)體材料可為并五苯 (Pentacene)的衍生物，其可選自下列化學(xué)式之一
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水溶性感光材料130可以是重鉻酸鹽聚乙烯醇(Dichromated Polyvinyl Alcohol, DCPVA)或水性光致抗蝕劑。
而圖ID所繪示的堆疊結(jié)構(gòu)可利用下述方法制成。圖1A至圖1D繪示本發(fā)明一實(shí)施例的圖案化的方法。請(qǐng)參照?qǐng)D1A,首先在基材120上形成可 溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料110a,其中形成可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料110a的方法可 為旋轉(zhuǎn)涂布法、刮刀涂布法或是浸泡涂布法?；?20以及可溶性有機(jī)半 導(dǎo)體材料110a的材質(zhì)已經(jīng)描述如上，在此不再贅述。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1B,在可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料110a上形成水溶性感 光材料130a。水溶性感光材料130a的材質(zhì)已經(jīng)描述如上，在此不再贅述。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D1C，圖案化水溶性感光材料130a以形成圖案化的水 溶性感光材料130,其中圖案化水溶性感光材料130a的方法例如是曝光顯 影。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D1D，利用圖案化的水溶性感光材料130作為蝕刻掩模 進(jìn)行濕式蝕刻制程，以圖案化可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料110a并形成圖案化的 可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料110。濕式蝕刻制程中所使用的蝕刻液例如是極性溶 劑或是非極性溶劑，蝕刻液可以選自異丙醇(Isopr叩yl Alcohol, IPA)、正己 烷(n-Hexane)、 正辛烷(n-Octane)、 姿烷(Decane)、 十二烷(Dodecane)、 水 (Water)、乙醇(Ethanol)、 丁醚(Butyl Ether)、曱苯(Toluene)、 二曱苯(Xylene)、 四氫呋喃(Tetrahydrofuran, THF)、曱乙酮(Ethyl Methyl Ketone, MEK)、乙酸 乙酯(Ethyl Acetate, EA)、丙酮(Acetone)、 二曱基乙酰胺(Dimethylacetamide， DMAC)之一。濕式蝕刻制程的蝕刻速率例如是1 ~ 1000埃/秒。
承上所述，由于本發(fā)明以圖案化的水溶性感光材料130為蝕刻掩模， 進(jìn)行濕式蝕刻來(lái)圖案化可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料110,因此可提高所制得的圖 案的分辨率且制作成本較低。另外，由于本發(fā)明采用可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材 料110a,因此可通過(guò)涂布的方式來(lái)形成大面積的可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料 llOa，并且制程溫度低。再者，本發(fā)明所采用的可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料llOa、 水溶性感光材料130a以及濕式蝕刻制程的蝕刻液的材質(zhì)可使所形成的圖案 化的可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料的功效提高。此外，在形成圖案化的可溶性有 機(jī)半導(dǎo)體材料之后，其上的圖案化的水溶性感光材料130可作為保護(hù)層。
圖2為本發(fā)明 一 實(shí)施例的 一種有機(jī)薄膜晶體管的剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2, 本發(fā)明的有機(jī)薄膜晶體管200具有柵極210、柵極絕緣層220、源極232、漏 極234、有源層240以及保護(hù)層250。柵極210可配置在基層260上，而柵極絕 緣層220覆蓋柵極210,且源極232以及漏極234配置于柵極210兩側(cè)的柵極絕 緣層220上。柵極絕緣層220的材質(zhì)可以是硅氧化物、硅氮化物、聚酰亞胺(Polyimide, PI)、聚乙烯酚(Polyvinyl Phenol, PVP)或是其它絕緣材料，而柵 極210、源極232與漏極234的材質(zhì)例如是鋁、氧銦錫(Indium Tin Oxide, ITO) 或其它導(dǎo)電材料。
有源層240位于柵極210的上方并且配置于源極232與漏極234之間，而 且有源層240可以位于源極232與漏極234的上方。有源層240包括可溶性有 機(jī)半導(dǎo)體材料，其可例如是可溶性高分子半導(dǎo)體材料或是可溶性小分子半 導(dǎo)體材料，其中可溶性高分子半導(dǎo)體材料例如選自聚噻吩、聚己噻吩、聚(3-己噻吩)、聚(對(duì)-亞苯基乙烯基)、聚(二辛基芴-共-苯并噻二唑)、聚乙炔、聚 吡咯、聚苯胺或其衍生物之一?？扇苄孕》肿影雽?dǎo)體材料例如為并五苯的 衍生物，可以選自下列化學(xué)式之一
保護(hù)層250配置于有源層240的表面上，而保護(hù)層250包括水溶性感光材 料，且水溶性感光材料例如是重鉻酸鹽聚乙烯醇(Dichromated Polyvinyl Alcohol, DCPVA)或水性光致抗蝕劑。上述有源層240以及保護(hù)層250可利用 圖1A至圖1D所示的步驟所形成。由于有源層240的圖案是利用位于其上方的 水溶性感光材料作為蝕刻掩模而轉(zhuǎn)移過(guò)來(lái)的，故有源層240與保護(hù)層250具 有相同的圖案，而且在進(jìn)行蝕刻步驟之后可以不需要移除水溶性感光材料， 因此所留下來(lái)的感光性材料可以作為保護(hù)層250。 _
上述圖2所繪示的實(shí)施例中的有機(jī)薄膜晶體管的有源層240位于源極232以及漏極234的上方。在其它實(shí)施例中，有機(jī)薄膜晶體管的有源層也可 以位于源極以及漏極的下方。如圖3所示，有機(jī)薄膜晶體管300的源極232a 與漏極234a位于有源層240a的上方，且保護(hù)層250a覆蓋部分或全部的源極 232a與漏極234a以及源極232a與漏極234a之間的有源層240a。
以下將舉幾個(gè)實(shí)例來(lái)說(shuō)明利用本發(fā)明的圖案化方法來(lái)形成有機(jī)薄膜晶 體管，能使此薄膜晶體管具有較佳的工作效能。
圖4A為 一底部接觸型(bottom contact)有機(jī)薄膜晶體管的電性測(cè)試圖，其 中此有機(jī)薄膜晶體管的有源層并未圖案化。圖4B為另一底部接觸型有機(jī)薄 膜晶體管的電性測(cè)試圖，其中此有機(jī)薄膜晶體管的有源層是圖案化的。底 部接觸型有機(jī)薄膜晶體管指的是有源層位于源極與漏極的上方的形式。圖 4A與圖4B的有機(jī)薄膜晶體管寬長(zhǎng)比(W/L)皆為500pm/10(^m。另外，在 圖4A與圖4B中，Vg代表于柵極所施加的電壓，Id表示在其漏極所產(chǎn)生的相 對(duì)應(yīng)電流，1(11/2表示在其漏極所產(chǎn)生的相對(duì)應(yīng)電流的平方根。在圖4A中，曲 線502是對(duì)有機(jī)薄膜晶體管柵極所施加的電壓與在其漏極所產(chǎn)生的相對(duì)應(yīng) 電流的關(guān)系曲線；曲線504是對(duì)有機(jī)薄膜晶體管柵極所施加的電壓與在其漏 極所產(chǎn)生的相對(duì)應(yīng)電流的平方根的關(guān)系曲線。另外，在圖4B中，曲線502a 則是對(duì)有機(jī)薄膜晶體管柵極所施加的電壓與在其漏極所產(chǎn)生的相對(duì)應(yīng)電流 的關(guān)系曲線；曲線504a是對(duì)有機(jī)薄膜晶體管柵極所施加的電壓與在其漏極 所產(chǎn)生的相對(duì)應(yīng)電流的平方根的關(guān)系曲線。
由圖4A與圖4B可得知，圖4A的有機(jī)薄膜晶體管的電子遷移率為 5.9xl(T3cm2/V.s，且其開(kāi)關(guān)比為4Jx104。而圖4B的有機(jī)薄膜晶體管的電子遷 移率為3.1xl(^cmS/V.s,且其開(kāi)關(guān)比為3.9x105。因此，可知圖4B的有機(jī)薄膜 晶體管的效能比圖4A的有機(jī)薄膜晶體管的效能佳，即有源層已圖案化的有 機(jī)薄膜晶體管的效能比有源層尚未圖案化的有機(jī)薄膜晶體管的效能佳。
圖5A及圖5B為 一頂部接觸型(top contact)有機(jī)薄膜晶體管的電性測(cè)試 圖。頂部接觸型有機(jī)薄膜晶體管指的是源極與漏極位于有源層的上方的形 式。在圖5A與圖5B中，Vg代表在柵極所施加的電壓，Id表示在其漏極所產(chǎn) 生的相對(duì)應(yīng)電流，1(11/2表示在其漏極所產(chǎn)生的相對(duì)應(yīng)電流的平方根，Vd代表 于漏才及所施加的電壓。
在圖5A中，左邊曲線是對(duì)有機(jī)薄膜晶體管柵極所施加的電壓與在其漏 極所產(chǎn)生的相對(duì)應(yīng)電流的關(guān)系曲線；右邊曲線是對(duì)有機(jī)薄膜晶體管柵極所施加的電壓與在其漏極所產(chǎn)生的相對(duì)應(yīng)電流的平方根的關(guān)系曲線。另外，
在圖5B中，各曲線則是表示有機(jī)薄膜晶體管柵極在施加不同電壓的條件下，
其漏極電壓與在其漏極所產(chǎn)生的相對(duì)應(yīng)電流的關(guān)系曲線。
由圖5A與圖5B可得知，此頂部接觸型有機(jī)薄膜晶體管的電子遷移率為 0.34cm2/V.s，且其開(kāi)關(guān)比為1.70x108。因此，由圖5A與圖5B可得知，此頂部 接觸型有機(jī)薄膜晶體管亦具有絕佳的效能。
在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，有機(jī)薄膜晶體管大多排列成陣列的方式，以應(yīng)用于顯 示面板的制作中。以下將對(duì)有機(jī)薄膜晶體管應(yīng)用于液晶顯示器中的有機(jī)薄 膜晶體管陣列的實(shí)施例作介紹。
圖6為包含本發(fā)明的有機(jī)薄膜晶體管陣列的像素陣列的示意圖。請(qǐng)參 照?qǐng)D6,像素陣列600具有多個(gè)像素電極610以及本發(fā)明的有機(jī)薄膜晶體管 陣列。有機(jī)薄膜晶體管陣列包括多條掃描線622、多條數(shù)據(jù)線624以及多個(gè) 有機(jī)薄膜晶體管626,而有機(jī)薄膜晶體管626可為上述的有機(jī)薄膜晶體管 200(如圖2所示)或是有機(jī)薄膜晶體管300(如圖3所示)。有機(jī)薄膜晶體管626 與掃描線622以及數(shù)據(jù)線624電性連接。掃描線622與數(shù)據(jù)線624的材質(zhì) 可為鋁、鋁釹合金、鋁鍺釓合金、鉬、氮化鉬、鈦、金、銅或其它適當(dāng)材 料。
通常，上述的有機(jī)薄膜晶體管陣列可與多個(gè)像素電極610構(gòu)成像素陣 列，其中有機(jī)薄膜晶體管626與像素電極610電性連接。像素電極610的 材質(zhì)可為氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO )、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide, IZO)或其它適當(dāng)材料。
上述的有機(jī)薄膜晶體管陣列不僅可以應(yīng)用于液晶顯示器，其還可以應(yīng) 用于有機(jī)發(fā)光二極管顯示器、聚合物分散液晶(Polymer dispersed liquid crystal)顯示器等等。由于有機(jī)薄膜晶體管各膜層的形成可以在低溫條件下 進(jìn)行，因此適合應(yīng)用于柔性顯示面板的制作中。
另外，本發(fā)明的有機(jī)薄膜晶體管陣列還可以應(yīng)用于有機(jī)太陽(yáng)能電池 (Organic solar cell)、感應(yīng)器(sensor)、射頻識(shí)別標(biāo)簽(RFID-Tag)等等。
由于本發(fā)明以圖案化的水溶性感光材料為蝕刻掩模，進(jìn)行濕式蝕刻來(lái) 圖案化可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料，因此可提高所制得的圖案的分辨率且制作 成本較低。另外，本發(fā)明采用可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料，故可通過(guò)涂布的方 式來(lái)形成大面積的可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料，并且制程溫度低。再者，本發(fā)明所采用的可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料、水溶性感光材料以及濕式蝕刻制程的 蝕刻液可使所形成的圖案化可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料的功效提高。此外，在 形成圖案化的可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料之后，其上的圖案化水溶性感光材料 可作為保護(hù)層。
雖然本發(fā)明已以這些實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任 何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)可作任意的更改 與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種堆疊結(jié)構(gòu)，包括可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料；以及水溶性感光材料，配置于該可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料的表面上。
2. 如權(quán)利要求1所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料包括可溶性高分子半導(dǎo)體材料或是可溶性小分子半導(dǎo)體材料。
3. 如權(quán)利要求2所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該可溶性高分子半導(dǎo)體材料選 自聚噻吩、聚己噻吩、聚(3-己噻吩)、聚(對(duì)-亞苯基乙烯基)、聚(二辛基芴-共-苯并漆二唑)、聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺，或其衍生物之一。
4. 如權(quán)利要求2所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該可溶性小分子半導(dǎo)體材料包 括并五苯的衍生物，其選自下列化學(xué)式之一
5. 如權(quán)利要求1所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該水溶性感光材料包括重鉻酸 鹽聚乙烯醇或水性光致抗蝕劑。
6. 如權(quán)利要求1所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料的圖 案與該水溶性感光材料的圖案相同。
7. —種圖案化的方法，包括 形成可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料；圖案化該水溶性感光材料；以及以圖案化的該水溶性感光材料層作為蝕刻掩模進(jìn)行濕式蝕刻制程，以 圖案化該可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料。
8. 如權(quán)利要求7所述的圖案化的方法，其中該可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料 包括可溶性高分子半導(dǎo)體材料或可溶性小分子半導(dǎo)體材料。
9. 如權(quán)利要求8所述的圖案化的方法，其中該可溶性高分子半導(dǎo)體材 料選自聚噻吩、聚己噻吩、聚(3-己噻吩)、聚(對(duì)-亞苯基乙烯基)、聚(二辛基 芴-共-笨并噻二唑)、聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺、或其衍生物之一。
10. 如權(quán)利要求8所述的圖案化的方法，其中該可溶性小分子半導(dǎo)體材 料包括并五苯的衍生物，其選自下列化學(xué)式之一
11. 如權(quán)利要求7所述的圖案化的方法，其中該水溶性感光材料包括重 鉻酸鹽聚乙烯醇或水性光致抗蝕劑。
12. 如權(quán)利要求7所述的圖案化的方法，其中該濕式蝕刻制程的蝕刻液 為極性溶劑或是非極性溶劑。
13. 如權(quán)利要求12所述的圖案化的方法，其中該濕式蝕刻制程的蝕刻 液選自異丙醇、正己烷、正辛烷、癸烷、十二烷、水、乙醇、丁醚、甲苯、 二曱苯、四氬呋喻、曱乙酮、乙酸乙酯、丙酮、二曱基乙酰胺之一。
14. 如權(quán)利要求7所述的圖案化的方法，其中該濕式蝕刻制程的蝕刻速率為1~1000埃/秒。
15. 如權(quán)利要求7所述的圖案化的方法，其中形成該可溶性有機(jī)半導(dǎo)體 材料的方法包括旋轉(zhuǎn)涂布法、刮刀涂布法或是浸泡涂布法。
16. —種有機(jī)薄膜晶體管，包括 柵極；柵極絕緣層，覆蓋該柵極； 源極以及漏極，配置于該柵極絕緣層上；有源層，位于該柵極絕緣層的上方并且配置于該源極與該漏極之間， 其中該有源層包括可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料；以及保護(hù)層，配置于該有源層的表面上，其中該保護(hù)層包括水溶性感光材料。
17. 如權(quán)利要求16所述的有機(jī)薄膜晶體管，其中該有源層位于該源極 與該漏極的上方。
18. 如權(quán)利要求16所述的有機(jī)薄膜晶體管，其中該源極與該漏極位于 該有源層的上方。
19. 如權(quán)利要求16所述的有機(jī)薄膜晶體管，其中該可溶性有機(jī)半導(dǎo)體 材料包括可溶性高分子半導(dǎo)體材料或是可溶性小分子半導(dǎo)體材料。
20. 如權(quán)利要求19所述的有機(jī)薄膜晶體管，其中該可溶性高分子半導(dǎo) 體材料選自聚噻吩、聚己噻吩、聚(3-己噻吩)、聚(對(duì)-亞苯基乙烯基)、聚(二 辛基芴-共-苯并噻二唑)、聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺或其衍生物之一。
21. 如權(quán)利要求19所述的有機(jī)薄膜晶體管，其中該可溶性小分子半導(dǎo) 體材料包括并五苯的衍生物，其選自下列化學(xué)式之一 <formula>formula see original document page 4</formula><formula>formula see original document page 5</formula>(C)
22. 如權(quán)利要求16所述的有機(jī)薄膜晶體管，其中該水溶性感光材料包 括重鉻酸鹽聚乙烯醇或水性光致抗蝕劑。
23. —種有機(jī)薄膜晶體管陣列，包括 多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線；多個(gè)有機(jī)薄膜晶體管，其與該掃描線與該數(shù)據(jù)線電性連接，其中每個(gè) 有機(jī)薄膜晶體管包括 柵極；柵極絕緣層，覆蓋該柵極； 源極以及漏極，配置于該柵極絕緣層上；有源層，位于該柵極絕緣層的上方并且配置于該源極與該漏極之間， 其中該有源層包括可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料；以及保護(hù)層，配置于該有源層的表面上，其中該保護(hù)層包括水溶性感光材料。
24. 如權(quán)利要求23所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列，其中每個(gè)有機(jī)薄膜晶 體管的有源層位于該源極與該漏極的上方。
25. 如權(quán)利要求23所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列，其中每個(gè)有機(jī)薄膜晶 體管的源極與漏極位于所述有源層的上方。
26. 如權(quán)利要求23所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列，其中該可溶性有機(jī)半 導(dǎo)體材料包括可溶性高分子半導(dǎo)體材料或可溶性小分子半導(dǎo)體材料。
27. 如權(quán)利要求26所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列，其中該可溶性高分子 半導(dǎo)體材料選自聚p塞吩、聚己噻吩、聚(3-己噻吩)、聚(對(duì)-亞苯基乙烯基)、 聚(二辛基芴-共-苯并噻二唑)、聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺或其衍生物之一。
28. 如權(quán)利要求26所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列，其中該可溶性小分子半 導(dǎo)體材料包括并五苯的衍生物，其選自下列化學(xué)式之一<formula>formula see original document page 6</formula>
29 如權(quán)利要求23所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列，其中該水溶性感光材料包括重鉻酸鹽聚乙烯醇或水性光致抗蝕劑。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種堆疊結(jié)構(gòu)及其圖案化方法以及有機(jī)薄膜晶體管及其陣列，該堆疊結(jié)構(gòu)具有可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料以及水溶性感光材料，其中水溶性感光材料配置于可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料的表面上。
文檔編號(hào)H01L51/00GK101494274SQ20081000376
公開(kāi)日2009年7月29日 申請(qǐng)日期2008年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月22日
發(fā)明者何家充, 余建賢, 王怡凱, 陳雅璉 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院