專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光裝置、背光模塊裝置和照明裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置，且特別涉及一種可增加發(fā)光效率的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
在發(fā)光二極管(light emitting diode, LED)中，約有30%發(fā)光層(activelayer)產(chǎn)生的光因折射或反射留在半導(dǎo)體材料或封裝材料內(nèi)部，這些光被半導(dǎo)體材料或封裝材料吸收而成為熱能，并且造成LED發(fā)光效率的降低。因此，目前LED的制造業(yè)者相當(dāng)著重于研究提高LED發(fā)光效率的方法。
圖1繪示已知的一發(fā)光裝置(light-emitting device)100。發(fā)光裝置100包含基板(substrate)102與發(fā)光疊層(light-emitting stacked layer)l 12，其中發(fā)光疊層112包含光子晶體結(jié)構(gòu)(photonic crystals)110,可利用其所產(chǎn)生的光子能隙，將部分的波導(dǎo)模態(tài)耦合成輻射模態(tài)，再加上基板102與發(fā)光疊層U2之間的反射層結(jié)構(gòu)(圖未示)，由此提高光取出效率。
圖2繪示另一已知的發(fā)光二極管200。發(fā)光二極管200主要包括載體(submoimt)220與具有n型摻雜層(n-doped layer)234的多層結(jié)構(gòu)(multi-layerstack)222。其中，n型摻雜層234還包含一光子晶體結(jié)構(gòu)250，以提升光取出效率。
然而，就上述的已知發(fā)光裝置而言，在p型半導(dǎo)體或n型半導(dǎo)體中制作光子晶體將導(dǎo)致材料電性阻抗上升，進(jìn)而增加熱能與降低元件的可靠度。
已知技術(shù)中，另有一種增加LED發(fā)光效率的方法，以表面安裝型(surfacemounted device, SMD)封裝的LED為例，通過(guò)改變封裝材料在LED出光面的曲度，可增加光取出效率。然而，這種方法的效果有限，仍有部分的光因封裝材料與外部空氣的折射率差異而造成全反射。
再者，為了使消費(fèi)性電子產(chǎn)品薄型化，LED的封裝厚度亦必須同時(shí)縮減。然而，減少LED封裝厚度卻產(chǎn)生了一些問(wèn)題，舉例而言，由于樹(shù)脂碗杯厚度降低而造成LED漏光。因此，目前亟需發(fā)展一種可增加發(fā)光效率的發(fā)光裝置及其制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種可增加發(fā)光效率的發(fā)光裝置。
本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置，包括 一殼體，具有一側(cè)壁與一底部； 一發(fā)光元件，位于殼體底部； 一封裝材料，包覆發(fā)光元件，且至少一部分的封裝材料位于殼體之中；以及一光子晶體結(jié)構(gòu)，位于殼體的側(cè)壁上。
本發(fā)明另提供一種發(fā)光裝置的制造方法，包括提供一殼體，殼體具有一側(cè)壁；在殼體之中提供一發(fā)光元件；利用一封裝材料包覆發(fā)光元件，且至少一部分該封裝材料位于殼體之中；以及在側(cè)壁上形成一光子晶體結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明又提供一種發(fā)光裝置，包括 一殼體； 一發(fā)光元件，在殼體之中；以及一封裝材料，包覆發(fā)光元件，其中封裝材料的一表面為發(fā)光裝置的一出光面，該出光面具有一納米凹凸結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明再提供一種發(fā)光裝置的制造方法，包括提供一殼體；在殼體之中提供一發(fā)光元件；利用一封裝材料包覆發(fā)光元件，其中封裝材料的一表面為發(fā)光裝置的一出光面；以及粗糙化出光面，以使出光面具有一納米凹凸結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明另提供一種發(fā)光裝置，包括 一殼體； 一發(fā)光二極管管芯，在殼體之中； 一封裝材料，包覆發(fā)光二極管管芯；以及多個(gè)形成于發(fā)光二極管管芯的光路徑上，且互相鄰接的光纖。
本發(fā)明又提供一種發(fā)光裝置的制造方法，包括提供一殼體；在殼體之中提供一發(fā)光二極管管芯；利用一封裝材料包覆發(fā)光二極管管芯；以及在發(fā)光二極管管芯的光路徑上形成多個(gè)互相鄰接的光纖。
本發(fā)明又提供一種背光模塊裝置，包括 一光源裝置，其由上述任意的發(fā)光裝置所組成； 一光學(xué)裝置，置于光源裝置的出光路徑上；以及一電源供應(yīng)系統(tǒng)，提供光源裝置所需的電源。
本發(fā)明又提供一種照明裝置，包括 一光源裝置，其由上述的任意發(fā)光裝置所組成； 一電源供應(yīng)系統(tǒng)，其提供光源裝置所需的電源；以及一控制元件，用以控制電源輸入光源裝置。


圖1繪示已知技術(shù)的發(fā)光裝置；
圖2繪示另一已知技術(shù)的發(fā)光裝置；
圖3至IO繪示本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置剖面圖11繪示本發(fā)明實(shí)施例的背光模塊700示意圖12為本發(fā)明實(shí)施例的照明裝置800的示意圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
100、 200 發(fā)光裝置；
110 光子晶體；
220~承載；
234 -n型摻雜層；
300A、 300B、 300C、 300D、
301、302、401、402、 501、
303、403、503 --坪線；
304、404、504--發(fā)光元件;
306、406、506 --;宛杯部分;
307、407、507 ~-封裝材料;
102~基板；
112 介電質(zhì)結(jié)構(gòu)；
222~多層結(jié)構(gòu)；
250 光子晶體結(jié)構(gòu)；400、 500A、 500B、 500C 發(fā)光裝置;502 ~導(dǎo)線架；
308a、 308a'、 308b、 308b， ~光子晶體結(jié)構(gòu);408、 509~出光面；508 -光纖；700 背光模塊裝置；711 發(fā)光裝置；730 ~電源供應(yīng)系統(tǒng)；810~光源裝置；820 ~電源供應(yīng)系統(tǒng)；
510~光纖薄膜710-光源裝置720~光學(xué)裝置800~照明裝置811 發(fā)光裝置830-控制元件
具體實(shí)施例方式
以下實(shí)施例將伴隨著圖示說(shuō)明本發(fā)明的概念，在圖示或說(shuō)明中，相似或相同的部分使用相同的標(biāo)號(hào)，并且在圖示中，元件的形狀或厚度可擴(kuò)大或縮小。需特別注意的是，圖中未繪示或描述的元件，可以是本領(lǐng)域的技術(shù)人員所知的形式。圖3至圖10為繪示本發(fā)明實(shí)施例的可增加發(fā)光效率的發(fā)光裝置。本發(fā)明利用以下的數(shù)個(gè)實(shí)施例作說(shuō)明，這些實(shí)施例中的發(fā)光裝置可達(dá)到提高發(fā)光
效率或光取出(light extraction )效率的目的。第一實(shí)施例
請(qǐng)參照?qǐng)D3,其繪示本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置300A的剖面圖。在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置300A利用表面安裝型(surface mounted device, SMD )封裝的LED。發(fā)光裝置300A可包括如為L(zhǎng)ED管芯(die)的發(fā)光元件304、殼體(housing) 305、封裝材料(encapsulant) 307及光子晶體結(jié)構(gòu)308a。優(yōu)選者，發(fā)光裝置300A可還包括導(dǎo)線架(leadframe)301、 302及焊線(bondwire) 303。發(fā)光元件304為發(fā)光裝置300A的光源，可為單色光LED管芯'、白光或紫外光LED,舉例而言，發(fā)光元件304包括含氮化鎵(GaN-based )系列的LED。雖然圖中僅繪示一個(gè)LED管芯，然而發(fā)光裝置300A可包括一或多個(gè)LED管芯。
發(fā)光元件304可通過(guò)粘著(adhisive)材料或其他方法固定于導(dǎo)線架301,且利用焊線303使發(fā)光元件304與另一導(dǎo)線架302電性連接。導(dǎo)線架301、302可包括金屬，負(fù)責(zé)傳輸驅(qū)動(dòng)LED管芯304所需的電源。
發(fā)光元件304設(shè)置于殼體305之中，優(yōu)選者，殼體305為不透光材料，例如聚鄰苯二酰胺(PPA )。殼體305具有;宛杯部分306,至少一部分的封裝材料307填入殼體305的碗杯部分306，且發(fā)光元件304可由封裝材料307封裝且包覆其中。優(yōu)選者，封裝材料307為透光材料，由此，發(fā)光元件304產(chǎn)生的光可穿透封裝材料307而向外部發(fā)射。如圖所示，封裝材料307的一表面為發(fā)光裝置300A的出光面。封裝材料307可包括環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)或聚硅氧烷(silicone )，在一些例子中，封裝材料307內(nèi)可混有焚光粉體。
本實(shí)施例的特征的一為在殼體305的側(cè)壁上形成光子晶體結(jié)構(gòu)308a。如圖3所示，光子晶體結(jié)構(gòu)308a可包括位于殼體305側(cè)壁的一光子晶體層，光子晶體結(jié)構(gòu)308a可形成在殼體305與該封裝材料307的界面。舉例而言，可利用高分子自組裝法(self-assembly)制作三維光子晶體結(jié)構(gòu)308a。
請(qǐng)參照?qǐng)D5，其繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光裝置300C的剖面圖，在此，與圖3相同或類(lèi)似的元件以相同或類(lèi)似符號(hào)標(biāo)示。在此實(shí)施例中，可在殼體外部的側(cè)壁表面制造周期性微結(jié)構(gòu)，由此在殼體305外部的側(cè)壁形成光子晶體結(jié)構(gòu)308b。在此例中，可利用如納米壓印法(nano-imprinting)等塑模方式在殼體305外部的側(cè)壁上形成光子晶體結(jié)構(gòu)308b。
由于光子晶體結(jié)構(gòu)308a、 308b可改變光的行徑方向，因此，在殼體305的側(cè)壁的光子晶體結(jié)構(gòu)308a、 308b可作為反射面，由此，可將LED管芯304發(fā)射的光往出光面集中，進(jìn)而增加發(fā)光裝置的發(fā)光效率與光取出效率。
請(qǐng)參照?qǐng)D4及圖6，其繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光裝置300B及300D的剖面圖，其中與圖3相同或類(lèi)似的元件以相同或類(lèi)似符號(hào)標(biāo)示。在這些實(shí)施例中，除了在碗杯部分306中的殼體305側(cè)壁形成光子晶體結(jié)構(gòu)外，還可在發(fā)光裝置的出光面形成光子晶體結(jié)構(gòu)。可分別利用高分子自組裝法與納米壓印法形成在封裝材料307的表面形成光子晶體結(jié)構(gòu)308a，與308b，，由此，進(jìn)一步將光集中，以增加發(fā)光裝置的指向性，亦即提高集光或聚光效果。
第二實(shí)施例
請(qǐng)參照?qǐng)D7，其繪示本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置400的剖面圖。在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置400為SMD型LED。發(fā)光裝置400可包括如為L(zhǎng)ED管芯404的發(fā)光元件、殼體405、封裝材料407。優(yōu)選者，發(fā)光裝置400可還包括導(dǎo)線架401、 402及焊線403。 LED管芯404作為發(fā)光裝置400的光源，LED管芯404可為單色光、白光或紫外光LED，舉例而言，發(fā)光元件404包括含氮化鎵系列的LED。雖然圖中僅繪示一個(gè)LED管芯，然而發(fā)光裝置400可包括一或多個(gè)發(fā)光二極管管芯。
LED管芯404可固定于導(dǎo)線架401的表面，且利用焊線403使LED管芯404與另一導(dǎo)線架402電性連接。導(dǎo)線架401、 402可利用金屬材料形成，負(fù)責(zé)傳輸驅(qū)動(dòng)LED管芯404所需的電源。
LED管芯404設(shè)置于殼體405之中，優(yōu)選者，殼體405為不透光材料，例如聚鄰苯二酰胺(PPA)。殼體405具有-宛杯部分406,至少一部分的封裝材料407填入殼體405的碗杯部分406,且LED管芯404可由封裝材料407封裝且包覆其中。優(yōu)選者，封裝材料407為透光材料，由此，LED管芯404產(chǎn)生的光可穿透封裝材料407而向外部發(fā)射。封裝材料407的一表面為發(fā)光裝置400的出光面408。封裝材料407可包括環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy )或聚硅氧烷(silicone )。在一些例子中，封裝材料407內(nèi)可混有焚光粉體。
本實(shí)施例的特征的一為發(fā)光裝置400具有納米級(jí)粗糙化的出光面408，優(yōu)選者，出光面408為周期排列的納米凹凸結(jié)構(gòu)。發(fā)光裝置400的封裝方法是提供導(dǎo)線架401 、402及殼體405,并且將LED管芯404固定于導(dǎo)線架401 ，接著通過(guò)打線技術(shù)以焊線403電性連接LED管芯404與導(dǎo)線架402。之后，在殼體405中填入封裝材料407以封裝LED管芯404，并對(duì)封裝材料407的出光面408進(jìn)行粗糙化工藝。
在一例子中，形成納米級(jí)粗糙化出光面的方法可包括在殼體中灌入如聚硅氧烷的封裝材料后，在封裝材料表面散布如為二氧化硅(Si02)的納米級(jí)粒子，以使至少一部分的納米級(jí)粒子陷入封裝材料中。接著，對(duì)封裝材料進(jìn)行固化(curing)工藝以使該封裝材料固化，待封裝材料固化成形后，移除納米級(jí)粒子，由此，封裝材料的表面可形成因納米級(jí)粒子陷入所留下的不規(guī)則凹陷，而于出光面形成納米凹凸結(jié)構(gòu)的粗糙化的表面。
優(yōu)選者，出光面408的粗糙化尺寸大致上與LED管芯404所發(fā)射的光的波長(zhǎng)相等。舉例而言，出光面408粗糙化尺寸約為100納米至500納米。
在已知中，部分由LED管芯發(fā)射的光會(huì)自封裝材料的出光面全反射，而造成LED的發(fā)光效率不佳。通過(guò)本實(shí)施例，由于出光面408具有粗糙的表面，因此，有效地避免由LED管芯發(fā)射的光自封裝材料的出光面全反射，進(jìn)而增加發(fā)光裝置的發(fā)光效率與光取出效率。
第三實(shí)施例
請(qǐng)參照?qǐng)D8,其繪示本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置500A的剖面圖。在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置500A為SMD型LED。發(fā)光裝置500A可包括如為L(zhǎng)ED管芯504的發(fā)光元件、殼體505、封裝材料507。發(fā)光裝置500A可還包括導(dǎo)線架501、 502及焊線503。 LED管芯504作為發(fā)光裝置500A的光源，LED管芯504可為單色光、白光或紫外光LED,舉例而言，發(fā)光元件504包括含氮化鎵的LED。雖然圖中僅繪示一個(gè)LED管芯，然而發(fā)光裝置500A可包括一或多個(gè)發(fā)光二極管管芯。
LED管芯504可固定于導(dǎo)線架501的表面，且利用焊線503使LED管芯504與另一導(dǎo)線架502電性連接。導(dǎo)線架501、 502可利用金屬材料形成，其可提供驅(qū)動(dòng)LED管芯404所需的電源。
LED管芯504設(shè)置于殼體505之中，優(yōu)選者，殼體505為不透光材料，例如聚鄰苯二酰胺(PPA)。殼體505具有^S杯部分506,至少一部分的封裝材料507填入殼體505的碗杯部分506,且LED管芯504可由封裝材料507封裝且包覆其中。優(yōu)選者，封裝材料507為透光材料，由此，LED管芯504產(chǎn)生的光可穿透封裝材料507而向外部發(fā)射。封裝材料507的一表面為發(fā)光
9裝置500A的出光面509。封裝材料507可包括環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy )或聚硅氧 烷(silicone)在一些例子中，封裝材料507內(nèi)可混有熒光粉體。
本實(shí)施例的特征的一為在LED管芯504的光^^徑上形成多個(gè)光纖508， 這些光纖508互相鄰接。優(yōu)選者，光纖508彼此緊密排列而形成類(lèi)似光纖薄 膜510的結(jié)構(gòu)。光纖508可包括塑料光纖或玻璃光纖。如圖S所示，光纖508 可形成在封裝材料506的出光面509，且布滿整個(gè)出光面509為優(yōu)選?？赏?過(guò)接合技術(shù)將光纖508粘著于出光面509。
請(qǐng)參照?qǐng)D9,其繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光裝置500B的剖面圖，在 此，與圖8相同或類(lèi)似的元件以相同或類(lèi)似符號(hào)標(biāo)示。圖9與圖8不同的是， 由多個(gè)光纖508構(gòu)成的光纖薄膜510通過(guò)機(jī)械結(jié)構(gòu)511懸浮于出光面509上 方。
請(qǐng)參照?qǐng)D10，其繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光裝置500C的剖面圖，在 此，與圖8相同或類(lèi)似的元件以相同或類(lèi)似符號(hào)標(biāo)示。圖10與圖8不同的 是，由多個(gè)光纖508構(gòu)成的光纖薄膜510形成于LED管芯504表面。可通 過(guò)接合技術(shù)將光纖508連接于LED管芯504表面，優(yōu)選者，光纖508布滿 LED管芯504的p型及n型連接墊(圖未示)以外的區(qū)域。在LED管芯是透 明基底的例子中，還可在LED管芯的側(cè)邊或其底面的反射面上形成光纖薄 膜，以使側(cè)邊光可經(jīng)由光纖將光導(dǎo)出。
由于光纖具有導(dǎo)光及聚光的功能，因此，在圖8至圖10的實(shí)施例中， 發(fā)光裝置500A、 500B及500C可通過(guò)光纖508縮小出光角度而增加發(fā)光裝 置的指向性，進(jìn)而增加發(fā)光裝置的發(fā)光效率與光取出效率。在此需注意的是， 若光纖的厚度太薄，則其聚光效果不彰，若光纖的厚度太厚，則會(huì)發(fā)生吸光 效應(yīng)而導(dǎo)致低發(fā)光效率。在一例子中，光纖508的厚度約介于0.3mm至2mm 之間，然而并不以此數(shù)值范圍為限，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員可依據(jù)裝置的設(shè) 計(jì)或需求調(diào)整光纖508的厚度，以獲得最佳的發(fā)光效率。
圖11繪示本發(fā)明實(shí)施例的背光模塊700的示意圖。其中，背光模塊裝 置700可包括由本發(fā)明上述任意實(shí)施例的發(fā)光裝置711所構(gòu)成的光源裝置 710、置于光源裝置710的出光路徑上的光學(xué)裝置720以將光做適當(dāng)處理后 出光、以及電源供應(yīng)系統(tǒng)730以提供上述光源裝置710所需的電源。
圖12為本發(fā)明實(shí)施例的照明裝置800的示意圖。其中，照明裝置800 可為車(chē)燈、街燈、手電筒、路燈或指示燈等等。其中，照明裝置800可包括由本發(fā)明上述的任意實(shí)施例的發(fā)光裝置811所構(gòu)成光源裝置810、電源供應(yīng) 系統(tǒng)820以提供光源裝置810所需的電源、以及控制元件830用以控制電流 輸入光源裝置810。
雖然上述的實(shí)施例皆以SMD型LED為示例作i兌明，然而，本發(fā)明并不 以此為限，上述實(shí)施例的概念及實(shí)施方法亦可利用于其他發(fā)光裝置，例如炮 彈型LED、側(cè)邊型(side view)封裝LED或上部(top view )型封裝LED。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作更動(dòng)與潤(rùn)飾， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，包括一殼體，具有一側(cè)壁與一底部；一發(fā)光元件，位于該底部；一封裝材料，包覆該發(fā)光元件，且至少一部分的該封裝材料位于該殼體中；以及一光子晶體結(jié)構(gòu)，位于該側(cè)壁上。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該光子晶體結(jié)構(gòu)位于該殼體與該 封裝材料的界面。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該發(fā)光元件包括發(fā)光二極管。
4. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該封裝材料的一表面為該發(fā)光裝 置的一出光面，且該光子晶體結(jié)構(gòu)還形成在該出光面。
5. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該光子晶體結(jié)構(gòu)利用高分子自組 裝法或納米壓印法形成。
6. —種發(fā)光裝置，包括 一殼體；一發(fā)光元件，位于該殼體中；以及一封裝材料，包覆該發(fā)光元件，其中該封裝材料的一表面為該發(fā)光裝置 的一出光面，該出光面具有一納米凹凸結(jié)構(gòu)。
7. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中該發(fā)光元件所發(fā)出的光的波長(zhǎng)與 該納米凹凸結(jié)構(gòu)的粗糙化尺寸大致相等。
8. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中該發(fā)光元件包括發(fā)光二極管。
9. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中該納米凹凸結(jié)構(gòu)為周期性排列結(jié)構(gòu)。
10. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中還包含位于該殼體的外側(cè)的另 一納米凹凸結(jié)構(gòu)。
11. 如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光裝置，其中該另一納米凹凸結(jié)構(gòu)為周期性 排列結(jié)構(gòu)。
12. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中該納米凹凸結(jié)構(gòu)的形成方法包括在該封裝材料上散布多個(gè)納米級(jí)粒子，以使至少 一部分的該些納米級(jí)粒子陷入該封裝材料之中；對(duì)該封裝材料進(jìn)行烘烤以使該封裝材料固化；以及 移除該些納米級(jí)粒子。
13. 如權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置，其中該些納米級(jí)粒子包括二氧化硅。
14. 一種發(fā)光裝置，包括 一殼體；一發(fā)光元件，位于該殼體中； 一封裝材料，包覆該發(fā)光元件；以及多個(gè)光纖，該些光纖位于該發(fā)光元件的光路徑上且互相鄰接。
15. 如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其中該些光纖位于該發(fā)光元件的表面。
16. 如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其中該封裝材料的一表面為該發(fā)光 裝置的一出光面，且該些光纖位于該出光面上。
17. 如權(quán)利要求16所述的發(fā)光裝置，其中該些光纖利用一機(jī)械結(jié)構(gòu)懸浮 于該封裝材料的上方。
18. 如權(quán)利要求16所述的發(fā)光裝置，其中該些光纖粘著于該封裝材料表面。
19. 如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其中該些光纖的厚度約介于0.3mm 至2mm之間。
20. 如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其中該發(fā)光元件為一發(fā)光二極管。
21. —種背光模塊裝置，包括一光源裝置，包括如權(quán)利要求1至20所述的至少一發(fā)光裝置所組成； 一光學(xué)裝置，置于該光源裝置的出光路徑上；以及 一電源供應(yīng)系統(tǒng)，提供該光源裝置所需的電源。
22. —種照明裝置，包括一光源裝置，包括如權(quán)利要求1至20所述的至少一發(fā)光裝置所組成； 一電源供應(yīng)系統(tǒng)，其提供該光源裝置所需的電源；以及 一控制元件，用以控制該電源輸入該光源裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可增加發(fā)光效率的發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括具有一側(cè)壁的一殼體；一發(fā)光元件，在殼體之中；一封裝材料，包覆發(fā)光元件，且至少一部分的封裝材料位于殼體之中；以及一光子晶體結(jié)構(gòu)，位于殼體的側(cè)壁上，使得從發(fā)光元件所產(chǎn)生的光，可以經(jīng)由殼體側(cè)壁的光子晶體結(jié)構(gòu)的反射作用而出光，進(jìn)一步增加此發(fā)光裝置的發(fā)光效率。本發(fā)明還披露了一種具有該發(fā)光裝置的背光模塊裝置和照明裝置。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101494257SQ20081000381
公開(kāi)日2009年7月29日 申請(qǐng)日期2008年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月24日
發(fā)明者林鼎洋, 震 歐, 許嘉良, 謝明勛 申請(qǐng)人:晶元光電股份有限公司