專利名稱：：有機薄膜場效應(yīng)晶體管及其封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種有機薄膜場效應(yīng)晶體管及其封裝方法。技術(shù)背景半導(dǎo)體材料是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一類材料，以硅、鍺、密度信息存儲器件、光電器件等領(lǐng)域。隨著人們對物質(zhì)世界認(rèn)識的逐步深入，近期開發(fā)了一批具有類似半導(dǎo)體特性的有機功能材料，并且正在嘗試將其應(yīng)用于傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料所應(yīng)用的領(lǐng)域。有機半導(dǎo)體(organicsemiconductor)材料的出現(xiàn)，極大地豐富了人們的視野，激發(fā)了廣泛的研究興趣，已經(jīng)成為當(dāng)今的研究熱點之一。1986年，A.Ts鵬uraetal.(A.Tsumura，H.Koezuka，andT.ando，Appl.Phys.Lett.，49(18)，1210，1986)首次用聚噻吩作為半導(dǎo)體材料制備得到有機薄膜場效應(yīng)晶體管(OrganicThin-FilmField-EffectTransistors,以下簡稱OTFFETs),自此以后有機晶體管技術(shù)得到不斷的發(fā)展。1997年，Y.Y.Linetal.(Y.Y.Lin,D.J.Gundlach,S.F.Nelsonetal.，IEEEElectronDeviceLetters,18(12)，606,1997)制備得到了空穴載流子遷移率高于1.7cmVV.s的OTFFETs,這樣的性能完全可以與現(xiàn)在使用的無定型硅晶體管相媲美，而且在制造成本、制備工藝條件上遠(yuǎn)遠(yuǎn)勝于無定型硅晶體管，從此，打開了OTFFETs工業(yè)4b應(yīng)用的道^各。研究表明，當(dāng)有機半導(dǎo)體器件(包括有機發(fā)光二極管和OTFFETs)放置在空氣中時，它們的性能很容易衰減。當(dāng)OTFFETs的有機半導(dǎo)體層處于與空氣直接接觸的情況下(包括如附圖la源漏在頂?shù)慕Y(jié)構(gòu)和附圖lb源漏在底的結(jié)構(gòu))，這種性能衰減情況就非常明顯，這將大大影響OTFFETs的應(yīng)用。f"致0TFFETs性能衰減的原因可能包括化學(xué)衰減、由空氣引發(fā)的缺陷和有機半導(dǎo)體層表面吸附的水氧等，其中在有機半導(dǎo)體層表面吸附的水汽和氧氣是造成0TFFETs性能衰減的一個重要原因。我們研究發(fā)現(xiàn)對器件采用封裝的方法可以有效地隔絕水汽和氧氣，對于延長器件壽命也有相當(dāng)大的好處。美國發(fā)明US20020155729A1(公開日2002年10月24日)提到通過封裝的方法可以提高有機晶體管的性能，該發(fā)明采用無機氮化硅和二氧化硅作為封裝材料，通過等離子增強型化學(xué)氣相淀積(plasmaenhancedchemicalvaporexposition,以下簡稱PECVD)的方法制備了封裝層，經(jīng)過封裝以后的器件載流子遷移率和開關(guān)電流比都得到了大幅度的提高。然而該發(fā)明沒有涉及封裝對于器件壽命的影響，而且這個技術(shù)方案存在以下缺點①PECVD法的工作溫度比較高，最高超過150。C,這么高的溫度對于熱穩(wěn)定性比較差的有機功能材料來說，會導(dǎo)致薄膜形貌產(chǎn)生變化甚至破壞有機材料結(jié)構(gòu)；②在等離子條件下，氣體環(huán)境中的某些氣體可能會和某些有機功能材料發(fā)生發(fā)應(yīng)，從而改變有機材料的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致器件性能下降。因此，我們需要尋找一個能夠在較低工作溫度下實施，并且不會對有機材料的表面形成破壞的封裝方法。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種有機薄膜場效應(yīng)晶體管的封裝方法。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種有機薄膜場效應(yīng)晶體管，包括用作為場效應(yīng)溝道層的有機半導(dǎo)體層和用于密封至少所述有機半導(dǎo)體層的封裝層，其特征在于所述封裝層由一層聚合物材料厚膜層組成，所述厚膜層的厚度為100~1000微米。本發(fā)明提供了另一種有機薄膜場效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括用作為場效應(yīng)溝道層的有機半導(dǎo)體層和用于密封至少所述有機半導(dǎo)體層的封裝層，所述封裝層包括聚合物材料薄膜層，其膜層厚度為50~1000納米；和形成在所述聚合物材料薄膜層上的陶瓷材料薄膜層，所述聚合物材料薄膜層和所.述陶瓷材料薄膜層以一定周期數(shù)n交替重疊組成，n為1~10的整數(shù)。本發(fā)明提供了一種封裝方法，其中由一層聚合物材料厚膜層組成封裝層的制備方法為在有機薄膜場效應(yīng)晶體管的正面(基片上制備有有機薄膜場效應(yīng)晶體管的一面)采用刮膜法或涂覆法制備一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)膜。本發(fā)明提供了又一種封裝方法，其中由聚合物材料薄膜層和陶資材料薄膜層以一定周期數(shù)n交替重疊組成封裝層的制備方法包括以下步驟在有機薄膜場效應(yīng)晶體管的正面蒸鍍一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)薄膜；在上述聚合物材料層上淀積一層陶瓷材料薄膜層；重復(fù)上述步驟①②，在上述陶瓷材料層上再制備(n-l)周期的聚合物材料薄膜層和陶瓷材料薄膜層。上述技術(shù)方案中被封裝的有機薄膜場效應(yīng)晶體管可以包括源漏在頂和源濕在底的兩種結(jié)構(gòu)，對于不同結(jié)構(gòu)的晶體管，它們的封裝方法一致。上述技術(shù)方案中被封裝的有機薄膜場效應(yīng)晶體管的基片為玻璃或塑料，塑料基片可由聚酯類或聚酰亞胺類化合物中一種材料組成，如聚對苯二曱酸乙二酯(以下簡稱PET)等。本發(fā)明提供的有機薄膜場效應(yīng)晶體管的封裝方法，具有以下優(yōu)點由該封裝方法制備的封裝層可以有效阻隔水氧，從而大大提高了有機薄膜場效應(yīng)晶體管的性能，還大大提高了器件的穩(wěn)定性；無論封裝層采用上述技術(shù)方案中的何種結(jié)構(gòu)，都是首先制備一層聚合物.材料層，這種材料可以在常溫下采用筒單的刮膜法、涂覆法或者真空淀積法覆蓋到器件正面，可以簡化封裝層的制備工藝，而且由于采用紫外線固化成膜，避免了化學(xué)反應(yīng)和高溫對有機半導(dǎo)體層的破壞；如果封裝層采用上述技術(shù)方案中有機無機交替多層結(jié)構(gòu)，無機陶瓷材料層是淀積在聚合物材料層上面，這樣避免了在有機功能層表面直接淀積無機材料層而破壞有機半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)。下面結(jié)合附圖通過具體實施方式、實施例加以說明，本發(fā)明可變得更加圖1是本發(fā)明提出的進(jìn)行封裝的有機薄膜場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，其中IO是有機薄膜場效應(yīng)晶體管，由11、12、13、14、15、16共同構(gòu)成，ll是基片，12是柵極，13是絕緣層，14是有機半導(dǎo)體層，15和16分別是源極和漏極，20是封裝層；圖la為晶體管源漏在頂?shù)慕Y(jié)構(gòu)；圖lb為晶體管源漏在底的結(jié)構(gòu)。圖2是本發(fā)明提出的有機薄膜場效應(yīng)晶體管的封裝層的結(jié)構(gòu)示意圖，其中IO是有機薄膜場效應(yīng)晶體管，20是封裝層；圖2a的封裝層20由一層聚合物材料厚膜層組成，21同20;圖2b的封裝層20是由聚合物材料薄膜層211和陶瓷材料薄膜層212以一定周期數(shù)n交替重疊組成。圖3是本發(fā)明實施例1中放置在空氣中的未封裝的有機薄膜場效應(yīng)晶體管的特性曲線和開關(guān)電流曲線隨時間變化的情況；圖3a是特性曲線隨時間變化的情況；圖3b是開關(guān)電流曲線隨時間變化的情況。圖4是本發(fā)明實施例1中放置在空氣中的封裝的有機薄膜場效應(yīng)晶體管的特性曲線和開關(guān)電流曲線隨時間變化的情況；圖4a是特性曲線隨時間變化的情況；圖4b是開關(guān)電流曲線隨時間變化的情況。下面結(jié)合附圖和具體實施方式詳細(xì)闡述本發(fā)明的內(nèi)容，應(yīng)該理解本發(fā)明'并不局限于下述優(yōu)選實施方式，優(yōu)選實施方式僅僅作為本發(fā)明的說明性實施方案。具體實施方式圖2a是本發(fā)明提出的有機薄膜場效應(yīng)晶體管的封裝層20由一層聚合物材料厚膜層21組成的結(jié)構(gòu)示意圖，其中10為有機薄膜場效應(yīng)晶體管，由11、12、13、14、15、16共同構(gòu)成(見圖1)，ll是基片，12是柵極，13是絕緣層，14是有機半導(dǎo)體層，15和16分別是源極和漏極。20為本發(fā)明提出的有機薄膜場效應(yīng)晶體管的封裝層，該封裝層由一層聚合物材料厚膜層21組成，可采用聚曱基丙烯酸曱酯、聚曱基丙烯酸乙酯、UV固化膠中的一種聚合物，膜厚為100~1000(am。結(jié)合圖2a，本發(fā)明提出的由一層聚合物材料厚膜層21組成封裝層20的制備方法詳細(xì)闡述如下將有機薄膜場效應(yīng)晶體管置于干燥的手套箱中，手套箱中用氮氣進(jìn)行保護，在上述器件的正面采用刮膜法或涂覆法制備一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，用紫外線照射使其固化，照射時間根據(jù)所采用材料、制備厚度的不同而不同，通常為l30min,液態(tài)的單體層經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)膜，膜厚為1001000jam。圖2b是本發(fā)明提出的有機薄膜場效應(yīng)晶體管的封裝層20由聚合物材料薄膜層211和陶瓷材料薄膜層212以一定周期數(shù)n交替重疊組成的結(jié)構(gòu)示意圖，其中聚合物材料薄膜層211的膜厚為50~1000nm,可采用聚曱基丙烯酸曱酯、聚曱基丙烯酸乙酯、UV固化膠中的一種聚合物；陶瓷材料薄膜層212具有很高的水氧阻隔性能，膜厚為10~1000nm，可采用氮化物、氧化物或氮氧化物中的一種材料，氮化物一般為氮化硅、氮化鋁、氮化鈦等，氧化物一般為氧化硅、氧化鋁、氧化鈦等，氮氧化物一般為氮氧化硅、氮氧化鋁、氮氧化鈦等。結(jié)合圖2b，本發(fā)明提出的由聚合物材料薄膜層211和陶瓷材料薄膜層212'以一定周期數(shù)n交替重疊組成封裝層20的制備方法詳細(xì)闡述如下①將有機薄膜場效應(yīng)晶體管置于真空鍍膜機中，抽真空度至10"~1(r3Pa,在上述器件的正面蒸鍍一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，用紫外線照射使其固化，照射時間根據(jù)所采用材料、蒸鍍厚度的不同而不同，通常為l30min,液態(tài)的單體層經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)薄膜，膜厚為50l謂nm;②在上述聚合物材料層上利用直流磁控濺射或射頻磁控賊射的方法制備陶瓷材料薄膜層，在背景壓強為1(Tl(r卞a條件下通入氮氣或氧氣，控制反應(yīng)起來的氣體流量比，調(diào)節(jié)真空室的氣壓為0.l~10Pa，采用鈦、鋁、硅、氮化硅或者二氧化硅等靶材在0.550W/cm2的直流功率密度下濺射，通過冷卻系統(tǒng)控制上述器件溫度在4(TC以下，賊射時間為10s60min,賊射的膜厚為10~1000nm;③重復(fù)上述步驟①②，在上述陶瓷材料層上再制備(n-l)周期的聚合物材料薄膜層和陶瓷材料薄膜層。實施例1:本實施例OTFFETs結(jié)構(gòu)如下Glass(基片)/ITO(柵極)/P醒A(絕緣層)/并五苯(半導(dǎo)體層)/Au(源、漏電極)(1)其中，P應(yīng)A為聚曱基丙烯酸曱酯的縮寫，溝道長度為100Mm，溝道寬度為5mm，溝道寬長比為50。將上述式(1)所示的一個器件置于干燥的手套箱中，手套箱中用氮氣進(jìn)行保護。在上述器件的正面采用刮膜法覆蓋一層液態(tài)的未聚合的UV固化膠(UVSTRCTL352,樂泰公司)，用紫外線照射5min使其聚合，UV固化膠經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)膜，膜厚為100wm,封裝完畢。放置在空氣中的.未封裝和封裝的OTFFETs的特性曲線和開關(guān)電流曲線隨時間變化的情況分別見附圖3a、3b、4a、4b,數(shù)據(jù)比較見下表l。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>由表l可以看出，未封裝的器件在500h以后載流子遷移率下降了30%,開關(guān)電流比下降了一個數(shù)量級。而封裝后器件的穩(wěn)定性大大提高，在500h以后晶體管的性能變化不大。實施例2:將上述式(l)所示的另一個器件置于干燥的手套箱中，手套箱中用氮氣進(jìn)行保護。在上述器件的正面采用涂覆法覆蓋一層液態(tài)的未聚合的UV固化膠(UVSTRCTL352，樂泰公司)，用紫外線照射30min使其聚合，UV固化膠經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)膜，膜厚為1000jam,封裝完畢。未封裝和封裝的OTFFETs的數(shù)據(jù)比較見下表2。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>由表2可以看出，未封裝的器件在500h以后載流子遷移率下降20%,開關(guān)電流比下降到原來的五分之一。而封裝以后晶體管的穩(wěn)定性大大提高，在500h后載流子遷移率基本不變，開關(guān)電流比僅僅下降了20%。實施例3:將上述式(1)所示的另一個器件置于真空鍍膜機中，抽真空至5x10—4Pa。在上述器件的正面蒸鍍一層液態(tài)的UV固化膠(UVSTRCTL352,樂泰公司)，用紫外線照射使其固化，照射時間為5min,UV固化膠經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)薄膜，膜厚為300mn。在背景壓強為10—4~10—3Pa條件下通入氮氣，調(diào)節(jié)真空室的氣壓為0.40Pa,采用高純鈦靶在96W的直流功率下向UV固化膠上濺射，基片溫度控制在40。C以下，生長時間為10min，氮化鈥薄膜膜厚為50im。重復(fù)上述步驟再制備1個周期的(UV固化膠/氮化鈦)復(fù)合薄膜層，得到雙周期的封裝層。未封裝和封裝的OTFFETs的數(shù)據(jù)比較見下表3。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>由表3可以看出，未封裝的器件在500h以后載流子遷移率下降33%,開關(guān)電流比下降到原來的五分之一。而封裝以后晶體管的穩(wěn)定性大大提高,在500h后載流子遷移率只降低了不到10%,開關(guān)電流比僅僅下降了33%。實施例4:對于采用聚合物材料層和陶瓷材料層交替結(jié)構(gòu)封裝的器件，不同的周期數(shù)n對于封裝以后的晶體管的性能有比較大的影響，我們考察了不同封裝周期n對于器件穩(wěn)定性的影響。本實施例OTFFETs結(jié)構(gòu)同式(1)封裝層結(jié)構(gòu)為OTFFETs/(UV固化膠〈IOO腿〉/氮化鈦〈80nm〉)n我們測定了剛封裝、封裝后lOOh、300h和500h后的晶體管的載流子遷移率和開關(guān)電流比，數(shù)據(jù)比較見下表4。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>由表4可以看出，我們發(fā)現(xiàn)，周期數(shù)從1開始增加的時候，隨著周期數(shù)的增加，器件的穩(wěn)定性也不斷提高，但是當(dāng)交替周期數(shù)達(dá)到4層以后，器件的性能在500h內(nèi)幾乎不發(fā)生衰減，而由于周期數(shù)增加，器件封裝的過程將大大復(fù)雜化。實施例5:將上述式(l)所示的另一個器件置于真空鍍膜機中，抽真空至5xlO"Pa。在上述器件的正面蒸鍍一層液態(tài)的UV固化膠(UVSTRCTL352,樂泰公司)，用紫外線照射使其固化，照射時間為5min,UV固化膠經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)薄膜，膜厚為150nm。將鍍有UV固化膠的OTFFET送入真空室，抽真空至1xl(T3Pa,通入氮氣控制氣壓為0.4Pa,反應(yīng)室溫度控制在5(TC,在100W的射頻功率下生長lOOnm的氮化硅，生長時間為2min。重復(fù)上述步驟再制備2個周期的(UV固化膠/氮化硅)復(fù)合薄膜層。未封裝和封裝的OTFFETs的數(shù)據(jù)比較見下表5。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>由表5可以看出，未封裝的器件在500h以后載流子遷移率下降20%,'開關(guān)電流比下降到原來的五分之一。而封裝以后晶體管的穩(wěn)定性大大提高，在50Gh后載流子遷移率基本不發(fā)生下降現(xiàn)象，開關(guān)電流比僅僅下降了10%。實施例6:本實施例OTFFET結(jié)構(gòu)如下PET(基片)/IT0(柵極)/P畫A(絕緣層)/并五苯(半導(dǎo)體層)/Au(源、漏電極)(2)其中，P醒A為聚甲基丙烯酸曱酯的縮寫，溝道長度為100um，溝道寬度為5mm,溝道寬長比為50。將上述式(2)所示的一個器件置于干燥的手套箱中，手套箱中用氮氣進(jìn)行保護。在上述器件的正面采用刮膜法覆蓋一層液態(tài)的未聚合的UV固化膠(UVSTRCTL352，樂泰公司)，用紫外線照射20min使其聚合，UV固化膠經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)膜，膜厚為50(Min,封裝完畢。未封裝和封裝.的OTFFETs的數(shù)據(jù)比較見下表6。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>由表6可以看出，未封裝的器件在500h以后載流子遷移率下降62%,.開關(guān)電流比下降到原來的二十分之一。而封裝以后晶體管的穩(wěn)定性大大提高,在500h后載流子遷移率下降了13%,開關(guān)電流比僅僅下降了40%。實施例7:將上述式(2)所示的另一個器件置于真空鍍膜機中，抽真空至5x10—4Pa。在上述器件的正面蒸鍍一層液態(tài)的UV固化膠(UVSTRCTL352,樂泰公司)，用紫外線照射使其固化，照射時間為5min，UV固化膠經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)薄膜，膜厚為400nm。在背景壓強為l(T4~l(TPa條件下通入氮氣，調(diào)節(jié)真空室的氣壓為0.35Pa,采用二氧化硅靶在96W的直流功率下向UV固化膠上濺射，基片溫度控制在4(TC以下，生長時間為10min，二氧化硅薄膜膜厚為50nm。重復(fù)上述步驟再制備1個周期的(UV固化膠/二氧化硅)復(fù)合薄膜層，得到雙周期的封裝層。未封裝和封裝的OTFFETs的數(shù)據(jù)比較見下表7。表7未封裝封裝后空氣中放置時間/h載流子遷移率/cm2/Vs開關(guān)電流比載流子遷移率/cmVV-s開關(guān)電;;虎比00.0211x1050.0352xio51000.0153x1040.0342xio53000.011x1040.0321xio55000.0085xio30.0311xio5由表7可以看出，未封裝的器件在500h以后載流子遷移率下降62%,開關(guān)電流比下降到原來的二十分之一。而封裝以后晶體管的穩(wěn)定性大大提高,在5QQh后載流子遷移率下降了11%,開關(guān)電流比僅僅下降了50%。實施例8:本實施例OTFFETs結(jié)構(gòu)如下Glass(基片)/IT0(柵極)/P顧A(絕緣層)/Au(源、漏電極)/并五苯(半導(dǎo)體層)(3)其中，P應(yīng)A為聚甲基丙烯酸甲酯的縮寫，溝道長度為100pm，溝道寬度為5mm，溝道寬長比為50。將上述式(3)所示的一個器件置手套箱中，用氮氣進(jìn)行^床護。在上述器件的正面采用涂覆法覆蓋一層液態(tài)的未聚合的UV固化膠(UVSTRCTL352,樂泰公司)，用紫外線照射30min使其聚合，UV固化膠經(jīng)紫外線照射原位聚合.成平整的固態(tài)膜，膜厚為lOOOpm,封裝完畢。未封裝和封裝的OTFFETs的數(shù)據(jù)比較見下表2。表8<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>由表8可以看出，未封裝的器件在500h以后載流子遷移率下降33%,開關(guān)電流比下降一個數(shù)量級。而封裝以后晶體管的穩(wěn)定性大大提高，在500h后載流子遷移率基本不變，開關(guān)電流比僅僅下降了25%。實施例9:將上述式(3)所示的另一個器件置于真空鍍膜機中，抽真空至5xl(TPa。在上述器件的正面蒸鍍一層液態(tài)的UV固化膠(UVSTRCTL352,樂泰公司)，用紫外線照射使其固化，照射時間為5min,UV固化膠經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)薄膜，膜厚為300nm。在背景壓強為l(T~l(T3Pa條件下通入氮氣，調(diào)節(jié)真空室的氣壓為0.40Pa,采用二氧化硅靶在96W的直流功率下向UV固化膠上濺射，基片溫度控制在40。C以下，生長時間為10min，二氧化硅薄膜膜厚為50nm。重復(fù)上述步驟再制備4個周期的(UV固化膠/二氧化硅)復(fù)合薄膜層，得到雙周期的封裝層。未封裝和封裝的OTFFETs的數(shù)據(jù)比較見下表3。表9<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>由表9可以看出，未封裝的器件在500h以后載流子遷移率下降33%開關(guān)電流比下降一個數(shù)量級。而封裝以后晶體管的穩(wěn)定性大大提高，在500h后載流子遷移率和開關(guān)電流比幾乎都不發(fā)生變化。盡管結(jié)合優(yōu)選實施例對本發(fā)明進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不局限于上述實施例和附圖，尤其是本發(fā)明的封裝層可以制備在晶體管的正面，也可以制備在整個器件的表面。應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明構(gòu)思的引導(dǎo)下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可進(jìn)行各種修改和改進(jìn)，所附權(quán)利要求概括了本發(fā)明的范圍。權(quán)利要求1.一種有機薄膜場效應(yīng)晶體管，包括用作為場效應(yīng)溝道層的有機半導(dǎo)體層和用于密封至少所述有機半導(dǎo)體層的封裝層，其特征在于所述封裝層由一層聚合物材料厚膜層組成，所述厚膜層的厚度為100～1000微米。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機薄膜場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述聚合物材料厚膜層采用聚甲基丙烯酸甲酯、聚曱基丙烯酸乙酯、UV固化膠中的一種聚合物。3.—種有機薄膜場效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括用作為場效應(yīng)溝道層的有機半導(dǎo)體層和用于密封至少所述有機半導(dǎo)體層的封裝層，所述封裝層包括聚合物材料薄膜層，其膜層厚度為50~1000納米；和形成在所述聚合物材料薄膜層上的陶瓷材料薄膜層，所述聚合物材料薄膜層.和所述陶瓷材料薄膜層以一定周期數(shù)n交替重疊組成，n為1~10的整數(shù)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機薄膜場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述聚合物材料薄膜層采用聚曱基丙烯酸甲酯、聚曱基丙烯酸乙酯、UV固化膠中的一種聚合物。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機薄膜場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述陶瓷材料薄膜層采用氮化物、氧化物或氮氧化物中的一種材料。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機薄膜場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述陶瓷材料薄膜層采用氮化硅、氮化鋁、氮化鈦、氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氮氧化硅、氮氧化鋁、氮氧化鈦中的一種材料。7.—種用于權(quán)利要求1或2所述的有機薄膜場效應(yīng)晶體管的封裝方法，其特征在于，所述由一層聚合物材料厚膜層組成的封裝層的制備方法為在有機薄膜場效應(yīng)晶體管的正面采用刮膜法或涂覆法制備一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)膜。8.—種用于權(quán)利要求3~6任何一項所述的有機薄膜場效應(yīng)晶體管的封裝方法，其特征在于，所述由聚合物材料薄膜層和陶瓷材料薄膜層以一定周期數(shù)n交替重疊組成的封裝層的制備方法包括以下步驟①在有機薄膜場效應(yīng)晶體管的正面蒸鍍一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)薄膜；②在上述聚合物材料層上淀積一層陶瓷材料薄膜層；③重復(fù)上述步驟①②，在上述陶瓷材料層上再制備(n-l)周期的聚合物材料薄膜層和陶瓷材料薄膜層。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝方法，其特征在于，所述的淀積陶乾材料薄膜層采用直流磁控濺射或射頻磁控濺射的方法。全文摘要本發(fā)明涉及一種有機薄膜場效應(yīng)晶體管的封裝方法。該方法是向器件一側(cè)或者兩側(cè)淀積封裝層，其特征在于該封裝層由一層聚合物材料厚膜層組成或由聚合物材料薄膜層和陶瓷材料薄膜層以一定周期數(shù)n交替重疊組成。由這種封裝方法制備的封裝層可以有效阻隔水氧，從而大大提高了有機薄膜場效應(yīng)晶體管的性能，還大大提高了器件的穩(wěn)定性，延長器件的使用壽命。文檔編號H01L51/30GK101241970SQ20081000662公開日2008年8月13日申請日期2003年3月21日優(yōu)先權(quán)日2003年3月21日發(fā)明者王立鐸,胡遠(yuǎn)川,董桂芳,勇邱申請人:清華大學(xué)