欧美在线观看视频网站,亚洲熟妇色自偷自拍另类,啪啪伊人网,中文字幕第13亚洲另类,中文成人久久久久影院免费观看 ,精品人妻人人做人人爽,亚洲a视频

具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法

文檔序號:6891533閱讀:153來源:國知局
專利名稱:具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法,特別涉及一種 具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法。
背景技術(shù)
請參閱圖l所示,其為公知發(fā)光二極管的第一種封裝方法的流程圖。由 流程圖中可知,公知發(fā)光二極管的第一種封裝方法,其步驟包括首先,提
供多個封裝完成的發(fā)光二極管(packagedLED)(S800);接著,提供條狀基板本 體(stripped substrate body),其上具有正極導電軌跡(positive electrode trace)與 負極導電軌跡(negative electrode trace)(S802);最后,依序?qū)⒚恳粋€封裝完成 的發(fā)光二極管(packaged LED)設置在該條狀基板本體上,并將每一個封裝完 成的發(fā)光二極管(packaged LED)的正、負極端分別電性連接于該條狀基板本 體的正、負極導電軌跡(S804)。
請參閱圖2所示,其為公知發(fā)光二極管的第二種封裝方法的流程圖。由 流程圖中可知,公知發(fā)光二極管的第二種封裝方法,其步驟包括首先,提 供條狀基板本體(stripped substrate body),其上具有正極導電軌跡(positive electrode trace)與負極導電軌跡(negative electrode trace)(S900);接著,依序?qū)?多個發(fā)光二極管芯片(LED chip)設置于該條狀基板本體上,并且將每一個發(fā) 光二極管芯片的正、負極端分別電性連接于該條狀基板本體的正、負極導電 軌跡(S902);最后,將條狀封裝膠體(stripped package colloid)覆蓋于該條狀基 板本體及所述多個發(fā)光二極管芯片上,以形成帶有條狀發(fā)光區(qū)域(stripped light-emitting area)的光棒(light bar)(S904)。
然而,關(guān)于上述公知發(fā)光二極管的第一種封裝方法,由于每一顆封裝完 成的發(fā)光二極管(packaged LED)必須先從整塊發(fā)光二極管封裝切割下來,然 后再以表面粘著技術(shù)(SMT)工藝,將每一顆封裝完成的發(fā)光二極管(packaged LED)設置于該條狀基板本體上,因此無法有效縮短其工藝時間,再者,發(fā)光時,所述多個封裝完成的發(fā)光二極管(packaged LED)之間會有暗帶(darkband)現(xiàn)象存在,對于使用者視線仍然產(chǎn)生不佳效果。
另外,關(guān)于上述公知發(fā)光二極管的第二種封裝方法,由于所完成的光棒帶有條狀發(fā)光區(qū)域,因此第二種封裝方法將不會產(chǎn)生暗帶(darkband)的問題。然而,因為該條狀封裝膠體(stripped package colloid)被激發(fā)的區(qū)域不均,因而使得光棒的光效率不佳(也就是,靠近發(fā)光二極管芯片的封裝膠體區(qū)域會產(chǎn)生較強的激發(fā)光源,而遠離發(fā)光二極管芯片的封裝膠體區(qū)域則產(chǎn)生較弱的激發(fā)光源)。
請參閱圖3所示,其為公知發(fā)光二極管應用于側(cè)向發(fā)光的示意圖。由圖中可知,當公知的發(fā)光二極管芯片D應用于側(cè)向發(fā)光時(例如使用于筆記本電腦屏幕的導光板M的側(cè)向光源),由于筆記本電腦屏幕的導光板M非常薄的關(guān)系,該發(fā)光二極管芯片D的基座Sl的長度La則必須相對的縮短。換言之,由于該基座S1的長度La太短的關(guān)系,公知的發(fā)光二極管芯片D將無法得到有效的散熱效果,進而產(chǎn)生發(fā)光二極管芯片D因過熱而燒壞的情形。
因此,由上可知,目前公知的發(fā)光二極管的封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)顯然具有不便與缺陷存在而待加以改善的。

發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明的目的在于提供一種具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法,以克服上述暗帶及光衰減等缺陷。
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題,在于提供一種具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法。本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)于發(fā)光時,形成連續(xù)的發(fā)光區(qū)域,而無暗帶(dark band)及光衰減(decay)的情況發(fā)生,并且本發(fā)明通過芯片直接封裝(Chip On Board, COB)工藝并利用壓模(die mold)的方式,以使得本發(fā)明可有效地縮短其工藝時間,而能進行大量生產(chǎn)。再者,本發(fā)明的結(jié)構(gòu)設計更適用于各種光源,諸如背光模塊、裝飾燈條、照明用燈、或是掃描器光源等應用,均為本發(fā)明所應用的范圍與產(chǎn)品。
另外,本發(fā)明的封裝膠體通過特殊模具的壓模過程,以使得本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)于直立的情況下,即可產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的效果,因此本發(fā)明不會有散熱不足的情況發(fā)生。換言之,本發(fā)明不僅可產(chǎn)生側(cè)向投光的功能,更能顧到應用于薄型殼體內(nèi)的散熱效果。
為了解決上述技術(shù)問題,根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案,提供一種具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其包括下列步驟首先,
提供基板單元(substrate unit),其具有基板本體(substrate body)、及分別形成于該基板本體上的正極導電軌跡(positive electrode trace)與負極導電軌跡(negative electrode trace)。
接著,通過矩陣(matrix)的方式,分別設置多個發(fā)光二極管芯片(LED chip)于該基板本體上,以形成多排縱向發(fā)光二極管芯片排(longitudinal LED chiprow),其中每一個發(fā)光二極管芯片具有分別電性連接于該基板單元的正、負極導電軌跡的正極端(positive electrode side)與負極端(negative electrodesids)o
然后,通過第一模具單元(first mold unit),將多個條狀封裝膠體(strippedpackage colloid)縱向地(longitudinally)分別覆蓋在每一排縱向發(fā)光二極管芯片排(longitudinal LED chip row)上,其中每一個條狀封裝膠體的上表面具有多個相對應所述多個發(fā)光二極管芯片的膠體弧面(colloid cambered surface)。
最后,本發(fā)明具有二種后續(xù)的實施態(tài)樣-
第一種態(tài)樣首先,沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間,橫向地(transversely)切割所述多個條狀封裝膠體(stripped package colloid),以形成多個彼此分開地覆蓋于每一個發(fā)光二極管芯片上的封裝膠體(package colloid),其中每一個封裝膠體的上表面為該膠體弧面(colloid cambered surface);接著,通過第二模具單元(second mold unit),將框架單元(frame unit)覆蓋于該基板本體及所述多個封裝膠體上并且填充于所述多個封裝膠體之間;最后,沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間,橫向地(tmnsversely)切割該框架單元、所述多個封裝膠體、及該基板本體,以形成多條光棒(lightbar),并且每一個封裝膠體被對切成兩個半封裝膠體(half package colloid),每一個半封裝膠體具有半膠體弧面(half colloid cambered surface)及形成于該半膠體弧面前端的粗糙膠體出光面(rough colloid light-exiting surface),該框架單元被切割成多個只讓每一條光棒上的所有半封裝膠體的所述多個粗糙膠體出光面(rough colloidlight-exiting surface)露出的框架層。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其
10特征在于該基板單元為印刷電路板、軟基板、鋁基板、陶瓷基板、或銅基板。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該基板本體包括金屬層及形成在該金屬層上的電木層,并且該正、負極導電軌跡為鋁線路或銀線路。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極端通過兩相對應的導線并以打線的方式,以與該基板單元的正、負極導電軌跡產(chǎn)生電性連接。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極端通過多個相對應的錫球并以倒裝芯片的方式,以與該基板單元的正、負極導電軌跡產(chǎn)生電性連接。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于每一排縱向發(fā)光二極管芯片排以直線的排列方式設置于該基板單元的基板本體上。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該第一模具單元由第一上模具及用于承載該基板本體的第一下模具所組成,并且該第一上模具具有多條相對應所述多個縱向發(fā)光二極管芯片排的第一通道,其中每一個第一通道具有多個凹槽,而每一個凹槽的上表面及前表面分別具有一個相對應該膠體弧面的模具弧面,此外所述多個第一通道的尺寸與所述多個條狀封裝膠體)的尺寸相同。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該第一模具單元由第一上模具及用于承載該基板本體的第一下模具所組成,并且該第一上模具具有多條相對應所述多個縱向發(fā)光二極管芯片排的第一通道,其中每一個第一通道的上表面具有模具弧面,此外所述多個第一通道的高度及寬度與所述多個條狀封裝膠體的高度及寬度相同。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于每一個條狀封裝膠體為由硅膠與熒光粉所混合形成的熒光膠體。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于每一個條狀封裝膠體為由環(huán)氧樹脂與熒光粉所混合形成的熒光膠體。
11如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該第二模具單元由第二上模具及用于承載該基板本體的第二下模具所組成,并且該第二上模具具有一條相對應該框架單元的第二通道,此外該第二通道的高度與所述多個封裝膠體的高度相同,而該第二通道的寬度與該框架層的寬度相同。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該框架層為不透光框架層。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該不透光框架層為白色框架層。
第二種態(tài)樣首先,沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間,橫向地
(transversely)切割所述多個條狀封裝膠體(stripped package colloid),以形成多個彼此分開地覆蓋于每一個發(fā)光二極管芯片上的封裝膠體(package colloid),其中每一個封裝膠體的上表面為該膠體弧面(colloid cambered surface);接著,通過第三模具單元(third mold unit),將多條條狀框架層(stripped frame layer)覆蓋于該基板本體及所述多個封裝膠體上并且縱向地(longitudinally)填充于每兩個封裝膠體之間;最后,沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間,橫向地(transversely)切割所述多個條狀框架層(stripped frame layer)、所述多個封裝膠體、及該基板本體,以形成多條光棒(lightbar),并且每一個封裝膠體被對切成兩個半封裝膠體(half package colloid),每一個半封裝膠體具有半膠體弧面(half colloid cambered surface)及形成于該半膠體弧面前端的粗糙膠體出光面(rough colloid light-exiting surface),所述多個條狀框架層(stripped frame layer)被切割成多個只讓每一個半封裝膠體的粗糙膠體出光面(rough colloidlight-exiting surface)露出的框體(frame body)。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其
特征在于該基板單元為印刷電路板、軟基板、鋁基板、陶瓷基板、或銅基板。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該基板本體包括金屬層及形成在該金屬層上的電木層,并且該正、負極導電軌跡為鋁線路或銀線路。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極端通過兩相對應的導線并以打 線的方式,以與該基板單元的正、負極導電軌跡產(chǎn)生電性連接。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其 特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極端通過多個相對應的錫球并以 倒裝芯片的方式,以與該基板單元的正、負極導電軌跡產(chǎn)生電性連接。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其 特征在于每一排縱向發(fā)光二極管芯片排以直線的排列方式設置于該基板單 元的基板本體上。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其 特征在于該第一模具單元由第一上模具及用于承載該基板本體的第一下模 具所組成,并且該第一上模具具有多條相對應所述多個縱向發(fā)光二極管芯片 排的第一通道,其中每一個第一通道具有多個凹槽,而每一個凹槽的上表面 及前表面分別具有一個相對應該膠體弧面的模具弧面,此外所述多個第一通 道的尺寸與所述多個條狀封裝膠體的尺寸相同。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其 特征在于該第一模具單元由第一上模具及用于承載該基板本體的第一下模 具所組成,并且該第一上模具具有多條相對應所述多個縱向發(fā)光二極管芯片 排的第一通道,其中每一個第一通道的上表面具有模具弧面,此外所述多個 第一通道的高度及寬度與所述多個條狀封裝膠體的高度及寬度相同。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其 特征在于每一個條狀封裝膠體為由硅膠與熒光粉所混合形成的熒光膠體。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其 特征在于每一個條狀封裝膠體為由環(huán)氧樹脂與熒光粉所混合形成的熒光膠 體。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其 特征在于:該第三模具單元由第三上模具及用于承載該基板本體的第三下模 具所組成,并且該第三上模具具有多條相對應所述多個縱向發(fā)光二極管芯片 排的第三通道,并且該第三通道的高度與所述多個封裝膠體的高度相同,而 該第三通道的寬度大于每一個封裝膠體的寬度。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其
13特征在于所述多個框體為不透光框體。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其 特征在于所述多個不透光框體為白色框體。
為了解決上述技術(shù)問題,根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案,提供一種具有粗 糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其包括基板單元(substrate unit)、發(fā) 光單元(light-emitting unit)、及封裝膠體單元(package colloid unit)。
其中,該基板單元具有基板本體(substmte body)、及分別形成于該基板 本體上的正極導電軌跡(positive electrode trace)與負極導電軌跡(negative electrode trace)。該發(fā)光單元具有多個設置于該基板本體上的發(fā)光二極管芯片 (LED chip),其中每一個發(fā)光二極管芯片具有分別電性連接于該基板單元的 正、負極導電軌跡的正極端(positive electrode side)與負極端(negative electrode side)。該封裝膠體單元具有多個分別覆蓋于所述多個發(fā)光二極管芯片上的封 裝膠體(package colloid),其中每一個封裝膠體的上表面及前表面分別具有膠 體弧面(colloid cambered surface)及粗茅造膠體出光面(rough colloid light-exiting surfac6》
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于 該基板單元為印刷電路板、軟基板、鋁基板、陶瓷基板、或銅基板。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于 該基板本體包括金屬層及形成在該金屬層上的電木層,并且該正、負極導電 軌跡為鋁線路或銀線路。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于 每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極端通過兩相對應的導線并以打線的方式, 以與該正、負極導電軌跡產(chǎn)生電性連接。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于 每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極端通過多個相對應的錫球并以倒裝芯片的 方式,以與該正、負極導電軌跡產(chǎn)生電性連接。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于 所述多個發(fā)光二極管芯片以直線的排列方式設置于該基板單元的基板本體 上。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述多個發(fā)光二極管芯片以多條直線的排列方式設置于該基板單元的基板 本體上。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于 每一個封裝膠體為由硅膠與熒光粉所混合形成的熒光膠體。
如上所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于 每一個封裝膠體為由環(huán)氧樹脂與熒光粉所混合形成的熒光膠體。
另外,本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),可進一步包括下列兩種結(jié)構(gòu):
第一種框架單元(frame unit),其為一層覆蓋于該基板本體上并包覆每 一個封裝膠體而只露出所述多個粗糙膠體出光面(rough colloid light-exiting surface)的框架層(frame layer)。
該框架層為不透光框架層。該不透光框架層為白色框架層。 第二種框架單元(frame unit),其具有多個分別覆蓋所述多個封裝膠體 而只露出每一個封裝膠體的粗糙膠體出光面(rough colloid light-exiting surface)的框體(frame body),其中所述多個框體彼此分離地(separately)設置于 該基板本體上。
所述多個框體為不透光框體。所述多個不透光框體為白色框體。 因此,本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)于發(fā)光時,形成連續(xù)的發(fā)光區(qū)域,而無 暗帶(dark band)及光衰減(decay)的情況發(fā)生。并且,本發(fā)明通過芯片直接封 裝(Chip On Board, COB)工藝并利用壓模(die mold)的方式,以使得本發(fā)明可 有效地縮短其工藝時間,而能進行大量生產(chǎn)。再者,由于本發(fā)明的發(fā)光二極 管芯片封裝結(jié)構(gòu)于直立的情況下,即可產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的效果。因此,本發(fā)明 不僅可產(chǎn)生側(cè)向投光的功能,更能顧到應用于薄型殼體內(nèi)的散熱效果。
為了能更進一步了解本發(fā)明為達成預定目的所采取的技術(shù)、手段及功 效,請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖,相信本發(fā)明的目的、特征與 特點可由此得到深入且具體的了解,然而附圖僅提供參考與說明用,并非用 來對本發(fā)明加以限制。


圖1為公知發(fā)光二極管的第一種封裝方法的流程圖; 圖2為公知發(fā)光二極管的第二種封裝方法的流程15圖3為公知發(fā)光二極管應用于側(cè)向發(fā)光的示意圖; 圖4為本發(fā)明封裝方法的第一實施例的流程圖4a至第圖4f分別為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第一實施例的封裝流程立體示 意圖4A至圖4F分別為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第一實施例的封裝流程剖面示意
圖5為本發(fā)明發(fā)光二極管芯片通過倒裝芯片(flip-chip)的方式達成電性連 接的示意圖6為本發(fā)明圖4C未灌入封裝膠體前的示意圖; 圖7為本發(fā)明封裝方法的第二實施例的流程圖7a至圖7b分別為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第二實施例的部分封裝流程立體 示意圖7A至圖7B分別為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第二實施例的部分封裝流程剖面 示意圖8a為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第三實施例的部分封裝流程立體示意圖; 圖8A為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第三實施例的部分封裝流程剖面示意圖;以及 圖9為本發(fā)明發(fā)光二極管芯片的封裝結(jié)構(gòu)應用于側(cè)向發(fā)光的示意圖。 并且,上述附圖中的各附圖標記說明如下
D發(fā)光二極管芯片
M導光板
Sl基座
La長度
1基板單元
10基板本體
10A金屬層
10B電木層
11正極導電軌跡
12負極導電軌跡1,基板單元
11,正極導電軌跡
12,負極導電軌跡
2縱向發(fā)光二極管芯片排
20發(fā)光二極管芯片
201正極端
202負極端
20,發(fā)光二極管芯片
201'正極端
202'負極端
3條狀封裝膠體
30封裝膠體
300半封裝膠體
30S膠體弧面
300S半膠體弧面
301S粗糙膠體出光面
3,條狀封裝膠體
30S'模具弧面
4框架單元
40框架層
4,條狀框架層
40,框體
W導線
B錫球
Ml第一模具單元
Mil第一上模具
M110第一通道
M12第一下模具
G凹槽
G10模具弧面
17第二模具單元
M21第二上模具
M210第二通道
M22第二下模具
M3第三模具單元
M31第三上模具
M310第三通道
M32第三下模具
M4第四模具單元
M41第四上模具
M410第四通道
M42第四下模具
Ll光棒
L2光棒
D發(fā)光二極管芯片
M導光板
S2基座
Lb長度
說明書第11/16頁
具體實施例方式
請參閱圖4、圖4a至圖4f、及圖4A至圖4F所示。圖4為本發(fā)明封裝 方法的第一實施例的流程圖,圖4a至圖4d分別為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第一實 施例的封裝流程示意圖,圖4A至圖4D分別為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第一實施 例的封裝流程剖面示意圖。由圖4的流程圖可知,本發(fā)明的第一實施例提供 一種具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其包括下列步 驟
首先,請結(jié)合圖4、圖4a及圖4A所示,提供基板單元(substrateunit)l, 其具有基板本體(substratebody)10、及分別形成于該基板本體IO上的多個正 極導電軌跡(positive electrode trace)ll與多個負極導電軌跡(negative electrode trace)12(S100)。其中,該基板本體10包括金屬層(metal layer)10A及形成在該金屬層10A上的電木層(bakelite layer)10B(如圖4a及圖4A所示)。再者, 依不同的設計需求,該基板本體10可為印刷電路板(PCB)、軟基板(flexible substrate)、鋁基板(aluminum substrate)、陶瓷基板(ceramic substrate)、或銅基 板(copper substrate)。此夕卜,該正、負極導電軌跡11 、 12可采用鋁線路(aluminum circuit)或銀線路(silver circuit),并且該正、負極導電軌跡11、12的布局(layout) 可隨著不同的需要而有所改變。
接著,請結(jié)合圖4、圖4b及圖4B所示,通過矩陣(matrix)的方式,分別 設置多個發(fā)光二極管芯片(LEDchip)20于該基板本體10上,以形成多排縱向 發(fā)光二極管芯片排(longitudinal LED chip row)2,其中每一個發(fā)光二極管芯片 20具有分別電性連接于該基板單元的正、負極導電軌跡11、 12的正極端 (positive electrode side)201與負極端(negative electrode side)202(S102)。
此外,以本發(fā)明的第一實施例而言,每一個發(fā)光二極管芯片20的正、 負極端201、 202通過兩相對應的導線W并以打線(wire-bounding)的方式, 以與該基板單元1的正、負極導電軌跡11、 12產(chǎn)生電性連接。再者,每一 排縱向發(fā)光二極管芯片排(longitudinal LED chip row)2以直線的排列方式設 置于該基板單元1的基板本體10上,并且每一個發(fā)光二極管芯片20可為藍 色發(fā)光二極管芯片(blue LED)。
當然,上述所述多個發(fā)光二極管芯片20的電性連接方式非用以限定本 發(fā)明,例如,請參閱圖5所示(本發(fā)明發(fā)光二極管芯片通過倒裝芯片的方式達 成電性連接的示意圖),每一個發(fā)光二極管芯片20'的正、負極端201'、 202' 通過多個相對應的錫球B并以倒裝芯片(flip-chip)的方式,以與該基板單元l' 的正、負極導電軌跡11'、 12'產(chǎn)生電性連接。另外,依據(jù)不同的設計需求, 所述多個發(fā)光二極管芯片(圖未示)的正、負極端可以串聯(lián)(pamlld)、并聯(lián) (serial)、或串聯(lián)加并聯(lián)(parallel/serial)的方式,以與該基板單元(圖未示)的正、 負極導電軌跡產(chǎn)生電性連接。
然后,請結(jié)合圖4、圖4c及圖4C所示,通過第一模具單元(first mold unit)Ml ,將多個條狀封裝膠體(stripped package colloid)3縱向地(longitudinally) 分別覆蓋在每一排縱向發(fā)光二極管芯片排(longitudinal LED chip row)2上,其 中每一個條狀封裝膠體3的上表面具有多個相對應所述多個發(fā)光二極管芯片 20的膠體弧面(colloid cambered surface)30S(S104)。請參閱圖6所示,該第一模具單元Ml由第一上模具(first upper mold)Ml 1及用于承載該基板本體10的第一下模具(first lower mold)M12所組 成,并且該第一上模具M11具有多條相對應所述多個縱向發(fā)光二極管芯片排 (longitudinal LED chip row)2的第一通道(first channel)Ml 10。其中每一個第一 通道Ml 10具有多個凹槽(concave groove)G,而每一個凹槽G的上表面具有 一個相對應該膠體弧面(colloid cambered surface)30S的模具弧面(mold cambered surface)GlO。
此外,所述多個第一通道Ml 10的尺寸與所述多個條狀封裝膠體(stripped package colloid)3的尺寸相同。再者,每一個條狀封裝膠體(stripped package colloid)3可依據(jù)不同的使用需求,而選擇為由硅膠(silicon)與熒光粉 (fluorescent powder)所混合形成的熒光膠體(fluorescent resin)、或由環(huán)氧樹脂 (epoxy)與熒光粉(fluorescent powder)所混合形成的熒光膠體(fluorescent resin) o
緊接著,請結(jié)合圖4、圖4d及圖4D所示,沿著每兩個縱向發(fā)光二極管 芯片20之間,橫向地(transversely)切割所述多個條狀封裝膠體(stripped package colloid)3,以形成多個彼此分開地覆蓋于每一個發(fā)光二極管芯片20 上的封裝膠體(package colloid)30,其中每一個封裝膠體30的上表面為該膠 體弓瓜面(colloid cambered surface)30S(S106)。
然后,請結(jié)合圖4、圖4e及圖4E所示,通過第二模具單元(secondmold unit)M2,將框架單元(frame unit)4覆蓋于該基板本體10及所述多個封裝膠體 30上并且填充于所述多個封裝膠體30之間(S108)。其中,該第二模具單元 M2由第二上模具(second upper mold)M21及用于承載該基板本體10的第二 下模具(second lower mold)M22所組成,并且該第二上模具M21具有一條相 對應該框架單元4的第二通道(second channel)M210,此外該第二通道M210 的高度與所述多個封裝膠體(package colloid)30的高度相同,而該第二通道 M210的寬度與該框架單元4的寬度相同。
最后,請再參閱圖4e,并結(jié)合圖4、圖4f及圖4F所示,沿著每兩個縱 向發(fā)光二極管芯片20之間,橫向地(transversely)切割該框架單元4、所述多 個封裝膠體30、及該基板本體10,以形成多條光棒(light bar)Ll,并且每一 個封裝膠體30被對切成兩個半封裝膠體(half package colloid)300,每一個半封裝膠體300具有半膠體弧面(half colloid cambered surface)300S及形成于該 半膠體弧面300S前端的粗糙膠體出光面(rough colloid light-exiting surface)301S,該框架單元4被切割成多個只讓每一條光棒LI上的所有半封 裝膠體300的所述多個粗糙膠體出光面(rough colloid light-exiting surface)301S露出的框架層40(S110)。其中,所述多個框架層40可為不透光 框架層(opaque frame layer),例如白色框架層(white frame layer)。
請參閱圖7、圖7a至圖7b、及圖7A至圖7B所示。圖7為本發(fā)明封裝 方法的第二實施例的流程圖,圖7a至圖7b分別為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第二實 施例的部分封裝流程示意圖,圖7A至圖7B分別為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第二實 施例的部分封裝流程剖面示意圖。由圖7的流程圖可知,第二實施例的步驟 S200至S206分別與第一實施例的步驟S100至S106相同。也就是,步驟S200 等同于第一實施例的圖4a及圖4A的示意圖說明;步驟S202等同于第一實 施例的圖4b及圖4B的示意圖說明;步驟S204等同于第一實施例的圖4c及 圖4C的示意圖說明;步驟S206等同于第一實施例的圖4d及圖4D的示意圖 說明。
再者,于步驟S206之后,本發(fā)明的第二實施例還進一步包括首先, 請參閱圖7、圖7a及圖7A所示,通過第三模具單元(thirdmoldunit)M3,將 多條條狀框架層(stripped frame layer)4'覆蓋于該基板本體10及所述多個封裝 膠體30上并且縱向地(longitudinally)填充于每兩個封裝膠體30之間(S208)。
其中,該第三模具單元M3由第三上模具(third upper mold)M31及用于 承載該基板本體10的第三下模具(third lower mold)M32所組成,并且該第三 上模具M31具有多條相對應所述多個縱向發(fā)光二極管芯片排(longitudinal LED chip row)2的第三通道(third channel)M310,并且該第三通道M310的高 度與所述多個封裝膠體(packagecolloid)30的高度相同,而該第三通道M310 的寬度大于每一個封裝膠體30的寬度。
最后,請再參閱圖7a,并結(jié)合圖7、圖7b及圖7B所示,沿著每兩個縱 向發(fā)光二極管芯片20之間,橫向地(tmnsversely)切割所述多個條狀框架層 (stripped frame layer)4'、所述多個封裝膠體30、及該基板本體10,以形成多 條光棒(light bar)L2,并且每一個封裝膠體30被對切成兩個半封裝膠體(half package colloid)300,每一個半封裝膠體300具有半膠體弧面(half colloid
21cambered surface)300S及形成于該半膠體弧面300S前端的粗糙膠體出光面 (rough colloid light-exiting surface)301S,所述多個條狀框架層(stripped frame layer)4'被切割成多個只讓每一個半封裝膠體300的粗糙膠體出光面(rough colloid light-exiting surface)301S露出的框體(frame body)40'(S210)。其中,所 述多個框體40'可為不透光框體(opaque frame body),例如白色框體(white frame body)。
請參閱圖8a及圖8A所示。圖8a為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第三實施例的部 分封裝流程示意圖,圖8A為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第三實施例的部分封裝流程 剖面示意圖。由圖8的流程圖可知,第三實施例與第一、第二實施例的差異 在于第一實施例的步驟S104與第二實施例的步驟S204于第三實施例中均 更改為"沿著每兩個橫向(transverse)發(fā)光二極管芯片20之間,縱向地 (longitudinally)切割所述多個條狀封裝膠體(stripped package colloid)3'"。
再者,第四模具單元M4由第四上模具(fourth uppermold)M41及用于承 載該基板本體10的第四下模具(fourth lower mold)M42所組成。此外,該第 四模具單元M4與該第一模具單元Ml最大的不同在于每一個第四通道 M410的上表面及前表面分別具有模具弧面(mold cambered surface)30S'。所 以,多個條狀封裝膠體(stripped package colloid)3'橫向地(transversely)分別覆 蓋在縱向的(longitudinal)發(fā)光二極管芯片2上。
請參閱圖9所示,其為本發(fā)明發(fā)光二極管芯片的封裝結(jié)構(gòu)應用于側(cè)向發(fā) 光的示意圖。由圖中可知,當本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片D應用于側(cè)向發(fā)光時 (例如,使用于筆記本電腦屏幕的導光板M的側(cè)向光源),該發(fā)光二極管芯片 D的基座S2的長度Lb可依散熱的需要而加長(不像公知一樣受導光板M厚 度的限制)。換言之,由于該基座S2的長度Lb可依散熱的需要而加長,因 此本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片D將可得到有效的散熱效果,進而可避免發(fā)光二 極管芯片D因過熱而燒壞的情形。
綜上所述,本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)于發(fā)光時,形成連續(xù)的發(fā)光區(qū)域, 而無暗帶(dark band)及光衰減(decay)的情況發(fā)生,并且本發(fā)明通過芯片直接 封裝(Chip On Board, COB)工藝并利用壓模(die mold)的方式,以使得本發(fā)明 可有效地縮短其工藝時間,而能進行大量生產(chǎn)。再者,由于本發(fā)明的發(fā)光二 極管芯片封裝結(jié)構(gòu)于直立的情況下,即可產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的效果。因此,本發(fā)
22明不僅可產(chǎn)生側(cè)向投光的功能,更能顧到應用于薄型殼體內(nèi)的散熱效果。
但是以上所述僅為本發(fā)明最佳之一的具體實施例的詳細說明與附圖,本 發(fā)明的特征并不局限于此,并非用以限制本發(fā)明,本發(fā)明的所有范圍應以下 述的權(quán)利要求為準,凡合于本發(fā)明權(quán)利要求的精神與其類似變化的實施例均 應包含于本發(fā)明的范疇中,任何本領域技術(shù)人員在本發(fā)明的領域內(nèi),可輕易 思及的變化或修飾均可涵蓋在以下本發(fā)明的權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1、一種具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于,包括下列步驟提供基板單元,其具有基板本體、及分別形成于該基板本體上的正極導電軌跡與負極導電軌跡;通過矩陣的方式,分別設置多個發(fā)光二極管芯片于該基板本體上,以形成多排縱向發(fā)光二極管芯片排,其中每一個發(fā)光二極管芯片具有分別電性連接于該基板單元的正、負極導電軌跡的正極端與負極端;通過第一模具單元,將多個條狀封裝膠體縱向地分別覆蓋在每一排縱向發(fā)光二極管芯片排上,其中每一個條狀封裝膠體的上表面具有多個相對應所述多個發(fā)光二極管芯片的膠體弧面;沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間,橫向地切割所述多個條狀封裝膠體,以形成多個彼此分開地覆蓋于每一個發(fā)光二極管芯片上的封裝膠體,其中每一個封裝膠體的上表面為該膠體弧面;通過第二模具單元,將框架單元覆蓋于該基板本體及所述多個封裝膠體上并且填充于所述多個封裝膠體之間;以及沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間,橫向地切割該框架單元、所述多個封裝膠體、及該基板本體,以形成多條光棒,并且每一個封裝膠體被對切成兩個半封裝膠體,每一個半封裝膠體具有半膠體弧面及形成于該半膠體弧面前端的粗糙膠體出光面,該框架單元被切割成多個只讓每一條光棒上的所有半封裝膠體的所述多個粗糙膠體出光面露出的框架層。
2、 如權(quán)利要求1所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該基板單元為印刷電路板、軟基板、鋁基板、陶瓷基板、或銅基板。
3、 如權(quán)利要求1所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該基板本體包括金屬層及形成在該金屬層上的電木層,并且該正、.負極導電軌跡為鋁線路或銀線路。
4、 如權(quán)利要求1所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極端通過兩相對應的導線并以打線的方式,以與該基板單元的正、負極導電軌跡產(chǎn)生電性連接。
5、 如權(quán)利要求1所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極端通過多個相對應的錫球并以倒裝芯片的方式,以與該基板單元的正、負極導電軌跡產(chǎn)生電性連接。
6、 如權(quán)利要求1所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于每一排縱向發(fā)光二極管芯片排以直線的排列方式設置于該基板單元的基板本體上。
7、 如權(quán)利要求1所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該第一模具單元由第一上模具及用于承載該基板本體的第一下模具所組成,并且該第一上模具具有多條相對應所述多個縱向發(fā)光二極管芯片排的第一通道,其中每一個第一通道具有多個凹槽,而每一個凹槽的上表面及前表面分別具有一個相對應該膠體弧面的模具弧面,此外所述多個第一通道的尺寸與所述多個條狀封裝膠體)的尺寸相同。
8、 如權(quán)利要求1所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該第一模具單元由第一上模具及用于承載該基板本體的第一下模具所組成,并且該第一上模具具有多條相對應所述多個縱向發(fā)光二極管芯片排的第一通道,其中每一個第一通道的上表面具有模具弧面,此外所述多個第一通道的高度及寬度與所述多個條狀封裝膠體的高度及寬度相同。
9、 如權(quán)利要求1所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于每一個條狀封裝膠體為由硅膠與熒光粉所混合形成的熒光膠體。
10、 如權(quán)利要求1所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于每一個條狀封裝膠體為由環(huán)氧樹脂與熒光粉所混合形成的熒光膠體。
11、 如權(quán)利要求1所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該第二模具單元由第二上模具及用于承載該基板本體的第二下模具所組成,并且該第二上模具具有一條相對應該框架單元的第二通道,此外該第二通道的高度與所述多個封裝膠體的高度相同,而該第二通道的寬度與該框架層的寬度相同。
12、 如權(quán)利要求1所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該框架層為不透光框架層。
13、 如權(quán)利要求12所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該不透光框架層為白色框架層。
14、 一種具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于,包括下列步驟提供基板單元,其具有基板本體、及分別形成于該基板本體上的正極導電軌跡與負極導電軌跡;通過矩陣的方式,分別設置多個發(fā)光二極管芯片于該基板本體上,以形成多排縱向發(fā)光二極管芯片排,其中每一個發(fā)光二極管芯片具有分別電性連接于該基板單元的正、負極導電軌跡的正極端與負極端;通過第一模具單元,將多個條狀封裝膠體縱向地分別覆蓋在每一排縱向發(fā)光二極管芯片排上,其中每一個條狀封裝膠體的上表面具有多個相對應所述多個發(fā)光二極管芯片的膠體弧面;沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間,橫向地切割所述多個條狀封裝膠體,以形成多個彼此分開地覆蓋于每一個發(fā)光二極管芯片上的封裝膠體,其中每一個封裝膠體的上表面為該膠體弧面;通過第三模具單元,將多條條狀框架層覆蓋于該基板本體及所述多個封裝膠體上并且縱向地填充于每兩個封裝膠體之間;以及沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間,橫向地切割所述多個條狀框架層、所述多個封裝膠體、及該基板本體,以形成多條光棒,并且每一個封裝膠體被對切成兩個半封裝膠體,每一個半封裝膠體具有半膠體弧面及形成于該半膠體弧面前端的粗糙膠體出光面,所述多個條狀框架層被切割成多個只讓每一個半封裝膠體的粗糙膠體出光面露出的框體。
15、 如權(quán)利要求14所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該基板單元為印刷電路板、軟基板、鋁基板、陶瓷基板、或銅基板。
16、 如權(quán)利要求14所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該基板本體包括金屬層及形成在該金屬層上的電木層,并且該正、負極導電軌跡為鋁線路或銀線路。
17、 如權(quán)利要求14所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極端通過兩相對應的導線并以打線的方式,以與該基板單元的正、負極導電軌跡產(chǎn)生電性連接。
18、 如權(quán)利要求14所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極端通過多個相對應的錫球并以倒裝芯片的方式,以與該基板單元的正、負極導電軌跡產(chǎn)生電性連接。
19、 如權(quán)利要求14所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于每一排縱向發(fā)光二極管芯片排以直線的排列方式設置于該基板單元的基板本體上。
20、 如權(quán)利要求14所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該第一模具單元由第一上模具及用于承載該基板本體的第一下模具所組成,并且該第一上模具具有多條相對應所述多個縱向發(fā)光二極管芯片排的第一通道,其中每一個第一通道具有多個凹槽,而每一個凹槽的上表面及前表面分別具有一個相對應該膠體弧面的模具弧面,此外所述多個第一通道的尺寸與所述多個條狀封裝膠體的尺寸相同。
21、 如權(quán)利要求14所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于該第一模具單元由第一上模具及用于承載該基板本體的第一下模具所組成,并且該第一上模具具有多條相對應所述多個縱向發(fā)光二極管芯片排的第一通道,其中每一個第一通道的上表面具有模具弧面,此外所述多個第一通道的高度及寬度與所述多個條狀封裝膠體的高度及寬度相同。
22、 如權(quán)利要求14所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于每一個條狀封裝膠體為由硅膠與熒光粉所混合形成的熒光膠體。
23、 如權(quán)利要求14所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于每一個條狀封裝膠體為由環(huán)氧樹脂與熒光粉所混合形成的熒光膠體。
24、 如權(quán)利要求14所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于:該第三模具單元由第三上模具及用于承載該基板本 體的第三下模具所組成,并且該第三上模具具有多條相對應所述多個縱向發(fā) 光二極管芯片排的第三通道,并且該第三通道的高度與所述多個封裝膠體的 高度相同,而該第三通道的寬度大于每一個封裝膠體的寬度。
25、 如權(quán)利要求14所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu) 的封裝方法,其特征在于所述多個框體為不透光框體。
26、 如權(quán)利要求25所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu) 的封裝方法,其特征在于所述多個不透光框體為白色框體。
27、 一種具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括基板單元,其具有基板本體、及分別形成于該基板本體上的正極導電軌跡與負極導電軌跡;發(fā)光單元,其具有多個設置于該基板本體上的發(fā)光二極管芯片,其中每一個發(fā)光二極管芯片具有分別電性連接于該基板單元的正、負極導電軌跡的 正極端與負極端;以及封裝膠體單元,其具有多個分別覆蓋于所述多個發(fā)光二極管芯片上的半 封裝膠體,其中每一個半封裝膠體的上表面及前表面分別具有半膠體弧面及 粗糙膠體出光面。
28、 如權(quán)利要求27所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu), 其特征在于該基板單元為印刷電路板、軟基板、鋁基板、陶瓷基板、或銅 基板。
29、 如權(quán)利要求27所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu), 其特征在于該基板本體包括金屬層及形成在該金屬層上的電木層,并且該 正、負極導電軌跡為鋁線路或銀線路。
30、 如權(quán)利要求27所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu), 其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極端通過兩相對應的導線并以 打線的方式,以與該正、負極導電軌跡產(chǎn)生電性連接。
31 、如權(quán)利要求27所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu), 其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極端通過多個相對應的錫球并以倒裝芯片的方式,以與該正、負極導電軌跡產(chǎn)生電性連接。
32、 如權(quán)利要求27所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述多個發(fā)光二極管芯片以直線的排列方式設置于該基板單元的基板本體上。
33、 如權(quán)利要求27所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述多個發(fā)光二極管芯片以多條直線的排列方式設置于該基板單元的基板本體上。
34、 如權(quán)利要求27所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于每一個封裝膠體為由硅膠與熒光粉所混合形成的熒光膠體。
35、 如權(quán)利要求27所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于每一個封裝膠體為由環(huán)氧樹脂與熒光粉所混合形成的熒光膠體。
36、 如權(quán)利要求27所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,還進一步包括框架單元,其為一層覆蓋于該基板本體上并包覆每一個封裝膠體而只露出所述多個粗糙膠體出光面的框架層。
37、 如權(quán)利要求36所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu), 其特征在于該框架層為不透光框架層。
38、 如權(quán)利要求37所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于該不透光框架層為白色框架層。
39、 如權(quán)利要求27所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,還進一步包括框架單元,其具有多個分別覆蓋所述多個封裝膠體而只露出每一個封裝膠體的粗糙膠體出光面的框體,其中所述多個框體 彼此分離地設置于該基板本體上。
40、 如權(quán)利要求39所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述多個框體為不透光框體。
41、 如權(quán)利要求40所述的具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述多個不透光框體為白色框體。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有粗糙發(fā)光面的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法,其包括基板單元、發(fā)光單元、及封裝膠體單元。該基板單元具有基板本體、及分別形成于該基板本體上的正極導電軌跡與負極導電軌跡。該發(fā)光單元具有多個設置于該基板本體上的發(fā)光二極管芯片,其中每一個發(fā)光二極管芯片具有分別電性連接于該基板單元的正、負極導電軌跡的正極端與負極端。該封裝膠體單元具有多個分別覆蓋于所述多個發(fā)光二極管芯片上的封裝膠體,其中每一個封裝膠體的上表面及前表面分別具有膠體弧面(colloidcambered surface)及粗糙膠體出光面(rough colloid light-exiting surface)。
文檔編號H01L21/02GK101494173SQ200810008759
公開日2009年7月29日 申請日期2008年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月23日
發(fā)明者吳文逵, 巫世裕, 汪秉龍 申請人:宏齊科技股份有限公司
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1
美姑县| 东阿县| 河曲县| 济宁市| 贺州市| 绥化市| 公主岭市| 无棣县| 筠连县| 叶城县| 喀什市| 洞口县| 盐山县| 阿合奇县| 辽源市| 宣恩县| 万载县| 铜鼓县| 康平县| 乐山市| 确山县| 栾城县| 松江区| 镇宁| 福海县| 蒙阴县| 伊金霍洛旗| 孟津县| 博客| 宜州市| 金阳县| 林州市| 苏尼特左旗| 台东市| 潢川县| 金湖县| 湟中县| 柘城县| 宜黄县| 玉环县| 九龙县|