專利名稱：半導(dǎo)體元件的制造方法以及半導(dǎo)體元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件的制造方法以及半導(dǎo)體元件，尤其是關(guān)于 通過施加超聲波振動(dòng)而被倒裝片式安裝的半導(dǎo)體元件的制造方法以 及半導(dǎo)體元件。
背景技術(shù)：
作為將半導(dǎo)體元件倒裝片式安裝在布線基板或引線框上的方法， 已知有使用焊錫或?qū)щ娦哉辰Y(jié)劑的方法。并且，如下述專利文獻(xiàn)l所 記載，還已知有施加超聲波振動(dòng)的方法。這種半導(dǎo)體元件通過在半導(dǎo)體基板上形成電路元件，并使形成半 導(dǎo)體基板的硅內(nèi)通電，由此將電路元件之間電連接。另夕卜，硅與金屬 相比，電阻率較大。因此，在以功率晶體管為代表的、被要求低電阻的半導(dǎo)體元件中， 在半導(dǎo)體基板的一個(gè)主面上形成電路元件，在一個(gè)主面的背面?zhèn)燃戳?一個(gè)主面上形成電阻率比硅小的金屬層，從而降低在電路元件之間流 動(dòng)的電流的電阻。圖13是表示對(duì)形成有金屬層的半導(dǎo)體元件通過施加超聲波振動(dòng) 來進(jìn)行倒裝片式安裝的情況的主視圖。在半導(dǎo)體元件100的半導(dǎo)體基 板101的一個(gè)主面上形成有2個(gè)電路元件102，并在半導(dǎo)體基板101 的另一個(gè)主面上形成有金屬層103。并且，在半導(dǎo)體基板101的一個(gè) 主面上形成有將電路元件102與外部連接的用于外部連接的2個(gè)凸起 電極(bump electrode) 104。并使用鋁或銅作為金屬層103的材料。在通過施加超聲波振動(dòng)而將半導(dǎo)體元件100倒裝片式安裝在布 線基板105上的情況下，將布線基板105載放在工件支架(未圖示)上，使凸起電極104與布線基板105抵接，并使施加超聲波振動(dòng)的結(jié) 合工具(bonding tool) 106與金屬層103抵接。在從結(jié)合工具106向 半導(dǎo)體元件100施加超聲波振動(dòng)時(shí)，使結(jié)合工具106 —邊在箭頭A 方向上振動(dòng)， 一邊向半導(dǎo)體元件100按壓。專利文獻(xiàn)l:(日本)特開平8-45994號(hào)公報(bào)但是，如圖13所示，在通過施加超聲波振動(dòng)來倒裝片式安裝半 導(dǎo)體元件100時(shí)，會(huì)產(chǎn)生以下的問題。在結(jié)合工具106的與金屬層103抵接的抵接面上，形成有細(xì)微的 凹凸形狀的凹凸部107。并且，在施加超聲波振動(dòng)時(shí)，通過結(jié)合工具 106的凹凸部107切削金屬層103，并產(chǎn)生切屑108。產(chǎn)生的切屑108 附著在結(jié)合工具106上而填埋凹凸部107。當(dāng)切屑108附著在結(jié)合工具106上時(shí)，根據(jù)切屑108的附著程度， 從結(jié)合工具106向半導(dǎo)體元件IOO施加超聲波振動(dòng)的程度發(fā)生變動(dòng)。 由此，對(duì)于每個(gè)半導(dǎo)體元件100，其向布線基板105的半導(dǎo)體元件100 的安裝狀態(tài)都不同，通過將半導(dǎo)體元件100安裝在布線基板105上而 形成的半導(dǎo)體裝置的品質(zhì)產(chǎn)生偏差。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決這種問題而進(jìn)行的，其目的在于，對(duì)于為了減 小在半導(dǎo)體基板上所形成的電路元件間的電阻而在半導(dǎo)體基板的面 上形成有導(dǎo)電層的半導(dǎo)體元件，在通過施加超聲波振動(dòng)而倒裝片式安 裝該半導(dǎo)體元件時(shí)，防止由施加超聲波振動(dòng)的結(jié)合工具切削導(dǎo)電層， 并防止因所切削的切屑附著在結(jié)合工具上而引起的半導(dǎo)體元件的安 裝狀態(tài)的偏差。本發(fā)明的實(shí)施方式的第1特征為，在半導(dǎo)體元件的制造方法中， 具有以下工序在一個(gè)主面上形成有電路元件的半導(dǎo)體晶片的另一個(gè) 主面上形成導(dǎo)電層；在覆蓋上述導(dǎo)電層上的至少一部分的區(qū)域內(nèi)，形 成相比于該導(dǎo)電層具有難切削性的保護(hù)層；以及將上述半導(dǎo)體晶片按 照每個(gè)半導(dǎo)體元件切斷。本發(fā)明的實(shí)施方式的第2特征為，在半導(dǎo)體元件的制造方法中， 具有以下工序在一個(gè)主面上形成有電路元件的半導(dǎo)體晶片的另一個(gè) 主面上，在切斷該半導(dǎo)體晶片而形成了半導(dǎo)體元件的情況下，在每個(gè) 上述半導(dǎo)體元件的區(qū)域內(nèi)形成凹部；在上述凹部內(nèi)形成導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層具有比該凹部的深度尺寸小的厚度尺寸；以及將上述半導(dǎo)體晶片 按照每個(gè)上述半導(dǎo)體元件切斷。本發(fā)明的實(shí)施方式的第3特征為，在半導(dǎo)體元件中，具有半導(dǎo)體基板，在一個(gè)主面上形成有多個(gè)電路元件；導(dǎo)電層，形成在上述半 導(dǎo)體基板的另一個(gè)主面上；以及保護(hù)層，層積地形成在上述導(dǎo)電層上， 并相比于該導(dǎo)電層具有難切削性。本發(fā)明的實(shí)施方式的第4特征為，在半導(dǎo)體元件中，具有半導(dǎo) 體基板，在一個(gè)主面上形成有多個(gè)電路元件；凹部，形成在上述半導(dǎo) 體基板的另一個(gè)主面上；以及導(dǎo)電層，形成在上述凹部內(nèi)，具有比該 凹部的深度尺寸小的厚度尺寸。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可防止半導(dǎo)體元件的安裝狀態(tài)的偏差。


圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件的主視圖。圖2是表示通過施加超聲波振動(dòng)而將半導(dǎo)體元件倒裝片式安裝在布線基板上時(shí)的工序的主視圖。圖3是說明半導(dǎo)體元件的制造工序的流程圖。圖4是說明半導(dǎo)體元件的制造工序的工序圖。圖5是說明半導(dǎo)體元件的制造工序的工序圖。圖6是表示形成有導(dǎo)電層和保護(hù)層的半導(dǎo)體晶片的立體圖。圖7是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件的主視圖。圖8是表示通過施加超聲波振動(dòng)而將半導(dǎo)體元件倒裝片式安裝在布線基板上時(shí)的工序的主視圖。圖9是說明半導(dǎo)體元件的制造工序的流程圖。圖10是說明半導(dǎo)體元件的制造工序的工序圖。 圖11是說明半導(dǎo)體元件的制造工序的工序圖。圖12是表示形成有凹部和導(dǎo)電層的半導(dǎo)體晶片的立體圖。圖13是對(duì)在通過施加超聲波振動(dòng)而將現(xiàn)有例的半導(dǎo)體元件倒裝片式安裝在布線基板上的情況下、產(chǎn)生切屑的情況進(jìn)行說明的主視 圖。
具體實(shí)施方式
以下，利用

本發(fā)明的實(shí)施方式。 (第1實(shí)施方式)如圖1所示，本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件1，具有形成有2個(gè)FET等的電路元件2的半導(dǎo)體基板3，在半導(dǎo)體基板3的一個(gè) 面上形成有導(dǎo)電層4，并在導(dǎo)電層4上形成有保護(hù)層5。在半導(dǎo)體基 板3的另一個(gè)面上，形成有將電路元件2與外部連接的用于外部連接 的2個(gè)凸起電極6。使用硅作為半導(dǎo)體基板3的材料。另外，半導(dǎo)體元件1通過將半導(dǎo)體晶片10 (參照?qǐng)D6)切斷為需 要的尺寸來形成，該半導(dǎo)體晶片10在一個(gè)主面上形成有多個(gè)電路元 件2，在另一個(gè)主面上形成有用于提高電路元件2之間的導(dǎo)電性的導(dǎo) 電層4和保護(hù)該導(dǎo)電層4的保護(hù)層5。導(dǎo)電層4和保護(hù)層5是通過形 成同樣的膜、并對(duì)該膜進(jìn)行蝕刻處理等來形成的。作為導(dǎo)電層4的材料，使用金、銀、銅、鋁中的l種金屬，或者 這些金屬中的2種以上的合金。作為保護(hù)層5的材料，使用在如后所述的與施加用于倒裝片式安 裝的超聲波振動(dòng)的結(jié)合工具7抵接的情況下，具有比導(dǎo)電層4難以切 削的難切削性的材料。具體地說，使用比金、銀、銅、鋁硬度高的鎳、 鈦、鎢、科瓦鐵鎳鈷合金、鉑中的1種金屬，或者使用這些金屬中的 2種以上的合金?；蛘?，使用苯酚樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯樹脂、酰亞 胺樹脂、酰胺樹脂中的l種樹脂，或者使用其改性樹脂。或者使用以 二氧化硅為主成分的玻璃?；蛘呤褂靡缘X為主成分的燒結(jié)陶瓷。如圖2所示，在通過施加超聲波振動(dòng)而將半導(dǎo)體元件1倒裝片式安裝在布線基板8上時(shí)，將布線基板8載放在工件支架(未圖示)上， 使凸起電極6與布線基板8抵接，并使施加超聲波振動(dòng)的結(jié)合工具7 與保護(hù)層5抵接。在施加超聲波振動(dòng)時(shí)，使結(jié)合工具7 —邊在與布線 基板8的安裝面平行的箭頭A方向上振動(dòng)， 一邊向半導(dǎo)體元件l按 壓。參照?qǐng)D3至圖5說明半導(dǎo)體元件1的制造工序。首先，如圖4(a) 所示，在半導(dǎo)體晶片10上形成多個(gè)電路元件2和凸起電極6 (Sl)。 另外，當(dāng)在制造工序的最終階段切斷該半導(dǎo)體晶片10來制造多個(gè)半 導(dǎo)體元件1時(shí)，半導(dǎo)體晶片10是成為各個(gè)半導(dǎo)體元件1中的半導(dǎo)體 基板3的部分。并且，多個(gè)電路元件2和凸起電極6如下定位地形成: 在切斷半導(dǎo)體晶片10來制造多個(gè)半導(dǎo)體元件1時(shí)，電路元件2和凸 起電極6位于各個(gè)半導(dǎo)體元件1的相同位置上。然后，使形成了電路元件2和凸起電極6的半導(dǎo)體晶片10如圖 4 (b)所示地反轉(zhuǎn)，將形成有電路元件2和凸起電極6的面粘貼在保 護(hù)片11上(S2)。在將半導(dǎo)體晶片10粘貼在保護(hù)片11上之后，在半導(dǎo)體晶片10 的成為與保護(hù)片ll相對(duì)置的面的背面?zhèn)鹊囊粋€(gè)面上，如圖4 (c)所 示地形成導(dǎo)電層4 (S3)。作為形成導(dǎo)電層4的方法，例如可采用飛 濺、無電解鍍層的方法。另外，在該階段中，導(dǎo)電層4在半導(dǎo)體晶片 IO的整個(gè)面上形成。導(dǎo)電層4的厚度尺寸為0.1 50pm。在形成導(dǎo)電層4之后，如圖4 (d)所示，將掩模12置于導(dǎo)電層 4上，并從掩模12上涂覆保護(hù)抗蝕材料13 (S4)。涂覆的保護(hù)抗蝕材 料13進(jìn)入掩模12的孔部分。在涂覆了保護(hù)抗蝕材料13之后，等待保護(hù)抗蝕材料13干燥固化， 并如圖4 (e)所示地取下掩模12 (S5)。通過取下掩模12，固化了 的保護(hù)抗蝕材料13部分地殘留在導(dǎo)電層4上。將固化了的保護(hù)抗蝕材料13部分地殘留在導(dǎo)電層4上的半導(dǎo)體 晶片10浸漬在蝕刻液中，并如圖4(f)所示，留下導(dǎo)電層4的位于保護(hù)抗蝕材料13下側(cè)的需要部分，除去導(dǎo)電層4的其他不需要部分(S6)。在留下需要部分的導(dǎo)電層4的蝕刻結(jié)束之后，如圖4 (g)所示， 用藥液除去保護(hù)抗蝕材料13，并使需要部分的導(dǎo)電層4露出(S7)。 露出的導(dǎo)電層4如下定位地形成當(dāng)在制造工序的最終階段切斷該半 導(dǎo)體晶片10來制造多個(gè)半導(dǎo)體元件1時(shí)，1個(gè)導(dǎo)電層4位于各個(gè)半 導(dǎo)體元件l的相同位置上。在使需要部分的導(dǎo)電層4露出之后，在該導(dǎo)電層4上形成保護(hù)層 5 (S9、 Sll)。在形成該保護(hù)層5的情況下，根據(jù)保護(hù)層5的材料是 金屬還是金屬以外的材料，形成工序分為2個(gè)(S8)。在保護(hù)層5的材料是金屬時(shí)(S8中的是)，通過對(duì)圖4 (g)所示 的半導(dǎo)體晶片10進(jìn)行無電解鍍層處理來形成保護(hù)層5 (S9)。如圖4 (h)所示，在實(shí)施了無電解鍍層處理的情況下，僅在導(dǎo)電層4上形 成由金屬材料形成的保護(hù)層5。保護(hù)層5的厚度尺寸為1 20pm。在保護(hù)層5的材料不是金屬時(shí)(S8中的否)，如圖4 (i)所示， 在圖4 (g)所示的半導(dǎo)體晶片10上，將在與導(dǎo)電層4相對(duì)置的位置 上形成有孔的掩模14置于半導(dǎo)體晶片10上，并從掩模14上涂覆保 護(hù)層5的材料5a、例如液狀的樹脂或液狀的陶瓷等(SIO)。在涂覆了保護(hù)層5的材料5a之后，等待該材料5a干燥固化，并 如圖4 (j)所示地取下掩模14 (S5)。在導(dǎo)電層4上形成材料5a固 化后的保護(hù)層5。另外，在第1實(shí)施方式中，如圖5 (h)或圖5 (j)所示，以在 導(dǎo)電層4上的整個(gè)區(qū)域形成有保護(hù)層5的情況為例進(jìn)行說明，但是， 形成保護(hù)層5的區(qū)域也可以是導(dǎo)電層4的區(qū)域的一部分。保護(hù)層5在 倒裝片式安裝時(shí)結(jié)合工具7所抵接的范圍內(nèi)形成即可。圖6表示如圖5 (h)或圖5 (j)所示那樣層積形成有導(dǎo)電層4 和保護(hù)層5的半導(dǎo)體晶片10。通過將圖6所示的半導(dǎo)體晶片10在虛 線位置切斷，來形成多個(gè)半導(dǎo)體元件1 (S12)。在這種構(gòu)成中，在通過施加超聲波振動(dòng)而將形成有導(dǎo)電層4和保護(hù)層5的半導(dǎo)體元件1倒裝片式安裝在布線基板8上時(shí)，如圖2所示， 施加超聲波振動(dòng)的結(jié)合工具7與保護(hù)層5抵接。該保護(hù)層5由具有比 導(dǎo)電層4難以切削的難切削性的材料形成，因此，即使為倒裝片式安 裝而與保護(hù)層5抵接的結(jié)合工具7振動(dòng)，也很難切削保護(hù)層5，從而 很難產(chǎn)生圖13所示的切屑108。因此，在通過結(jié)合工具7施加超聲波振動(dòng)的倒裝片式安裝時(shí)，可 防止在結(jié)合工具7與保護(hù)層5的抵接部分產(chǎn)生切屑，并可防止產(chǎn)生的 切屑附著在結(jié)合工具7上而使從結(jié)合工具7向半導(dǎo)體元件1施加的超 聲波振動(dòng)的程度發(fā)生變動(dòng)。由此，可將從結(jié)合工具7向各個(gè)半導(dǎo)體元 件1施加超聲波振動(dòng)的施加狀態(tài)維持在一定狀態(tài)，而防止半導(dǎo)體元件 1向布線基板8安裝的安裝狀態(tài)的偏差，并可將通過將半導(dǎo)體元件1 安裝在布線基板8上而制造的半導(dǎo)體裝置的品質(zhì)維持為一定，而提供 品質(zhì)穩(wěn)定的半導(dǎo)體裝置。并且，在半導(dǎo)體晶片10上形成的導(dǎo)電層4，也可以不形成在半 導(dǎo)體晶片10的整個(gè)面上，而是如圖6所示，在每個(gè)半導(dǎo)體元件1的 區(qū)域中分離地形成。因此，即使半導(dǎo)體晶片10與導(dǎo)電層4的線膨脹 系數(shù)不同，也可以抑制由該線膨脹系數(shù)的差導(dǎo)致的半導(dǎo)體晶片10翹 曲。(第2實(shí)施方式)參照?qǐng)D7至圖12說明本發(fā)明第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件20。另 外，對(duì)與在第1實(shí)施方式中已經(jīng)說明的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素賦予 相同的符號(hào)，并省略重復(fù)說明。如圖7所示，第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件20具有形成有2個(gè)FET 等的電路元件2和2個(gè)凸起電極6的半導(dǎo)體基板21，在半導(dǎo)體基板 21的一個(gè)面上形成有凹部22，在該凹部22內(nèi)的底部形成有導(dǎo)電層 23。導(dǎo)電層23的厚度尺寸"a"形成為比凹部22的深度尺寸"b"小 的尺寸。與第l實(shí)施方式相同，作為導(dǎo)電層23的材料，使用金、銀、 銅、鋁中的l種金屬，或者這些金屬中的2種以上的合金。并使用硅 作為半導(dǎo)體基板21的材料。如圖8所示，在通過施加超聲波振動(dòng)而將半導(dǎo)體元件20倒裝片式安裝在布線基板8上時(shí)，將布線基板8載放在工件支架(未圖示) 上，使凸起電極6與布線基板8抵接，并使施加超聲波振動(dòng)的結(jié)合工 具7與保護(hù)層5抵接。在施加超聲波振動(dòng)時(shí)，使結(jié)合工具7 —邊在與 布線基板8的安裝面平行的箭頭A方向上振動(dòng)， 一邊向半導(dǎo)體元件 20按壓。參照?qǐng)D9至圖11說明半導(dǎo)體元件20的制造工序。首先，如圖 10(a)所示，在半導(dǎo)體晶片10上形成電路元件2和凸起電極6(S21)。 另外，當(dāng)在制造工序的最終階段切斷該半導(dǎo)體晶片10來制造半導(dǎo)體 元件20時(shí)，半導(dǎo)體晶片10是成為各個(gè)半導(dǎo)體元件20的半導(dǎo)體基板 21的部分。并且，多個(gè)電路元件2和凸起電極6如下定位地形成 在切斷半導(dǎo)體晶片10來制造多個(gè)半導(dǎo)體元件20時(shí)，電路元件2和凸 起電極6位于各個(gè)半導(dǎo)體元件20的相同位置上。然后，使形成有電路元件2和凸起電極6的半導(dǎo)體晶片10如圖 10 (b)所示地反轉(zhuǎn)，將形成有電路元件2和凸起電極6的面粘貼在 保護(hù)片ll上(S22)。在將半導(dǎo)體晶片IO粘貼在保護(hù)片11上之后，在半導(dǎo)體晶片10 的成為與保護(hù)片11相對(duì)置的面的背面?zhèn)鹊囊粋€(gè)面上，如圖10 (c)所 示使用惰性氣體或蝕刻液來形成多個(gè)凹部22 (S23)。凹部22形成為， 深度尺寸"b"為幾pm。另外，這些凹部22如下定位地形成當(dāng)在 制造工序的最終階段切斷半導(dǎo)體晶片10來制造多個(gè)半導(dǎo)體元件20 時(shí)，使1個(gè)凹部22位于各個(gè)半導(dǎo)體元件20的相同位置上。在形成凹部22之后，如圖10 (d)所示，在形成半導(dǎo)體晶片10 的形成有凹部22—側(cè)的一個(gè)面的整個(gè)面上形成導(dǎo)電層23 (S24)。作 為導(dǎo)電層23的形成方法，例如可采用無電解鍍層的方法。導(dǎo)電層23 的厚度尺寸"a"形成為比凹部22的深度尺寸"b"小的尺寸。在形成了導(dǎo)電層23之后，如圖10 (e)所示，將掩模24置于導(dǎo) 電層23上，并從掩模24上涂覆保護(hù)抗蝕材料25 (S25)。在掩模24 上，在與各個(gè)凹部22相對(duì)置的位置上形成孔，涂覆的保護(hù)抗蝕材料25進(jìn)入掩模24的孔部分。在涂覆了保護(hù)抗蝕材料25之后，等待保護(hù)抗蝕材料25干燥固化， 并如圖5 (f)所示那樣取下掩模24 (S26)。通過取下掩模24，在凹 部22內(nèi)的導(dǎo)電層23上殘留固化了的保護(hù)抗蝕材料25。將在凹部22內(nèi)的導(dǎo)電層23上殘留有固化了的保護(hù)抗蝕材料25 的半導(dǎo)體晶片IO浸漬在蝕刻液中，并如圖10 (g)所示，留下導(dǎo)電 層23的位于保護(hù)抗蝕材料25下側(cè)的需要部分，除去導(dǎo)電層23的其 他不需要部分(S27)。在留下需要部分的導(dǎo)電層23的蝕刻結(jié)束之后，如圖10 (h)所 示，用藥液除去保護(hù)抗蝕材料25，并使需要部分的導(dǎo)電層23露出 (S28)。圖12表示如圖11 (h)所示在各個(gè)凹部22內(nèi)形成有導(dǎo)電層23 的半導(dǎo)體晶片10。通過將圖12所示的半導(dǎo)體晶片10在虛線位置切 斷，來形成多個(gè)半導(dǎo)體元件20 (S29)。在這種構(gòu)成中，在通過施加超聲波振動(dòng)而將形成有凹部22和位 于凹部22內(nèi)的導(dǎo)電層23的半導(dǎo)體元件20倒裝片式安裝在布線基板 8上時(shí)，如圖8所示，施加超聲波振動(dòng)的結(jié)合工具7與半導(dǎo)體基板21 的凹部22 —側(cè)的表面抵接，結(jié)合工具7與導(dǎo)電層23不抵接。半導(dǎo)體 基板21是具有比由金、銀、銅、鋁形成的導(dǎo)電層23難以切削的難切 削性的材質(zhì)，即使為倒裝片式安裝而結(jié)合工具7振動(dòng)，也很難產(chǎn)生切 屑。因此，在通過結(jié)合工具7施加超聲波振動(dòng)的倒裝片式安裝時(shí)，可 防止結(jié)合工具7與導(dǎo)電層23抵接而產(chǎn)生切屑，并可防止產(chǎn)生的切屑 附著在結(jié)合工具7上而使從結(jié)合工具7向半導(dǎo)體元件20施加的超聲 波振動(dòng)的程度發(fā)生變動(dòng)。由此，可將從結(jié)合工具7向各個(gè)半導(dǎo)體元件 20施加超聲波振動(dòng)的施加狀態(tài)維持在一定狀態(tài)，并可將通過將半導(dǎo) 體元件20安裝在布線基板8上而制造的半導(dǎo)體裝置的品質(zhì)維持為一 定，從而可提供品質(zhì)穩(wěn)定的半導(dǎo)體裝置。并且，在半導(dǎo)體晶片10上形成的導(dǎo)電層23，也可以不形成在半導(dǎo)體晶片10的整個(gè)面上，而是如圖12所示，在各個(gè)半導(dǎo)體元件20 上形成的凹部22內(nèi)分離地形成。因此，即使半導(dǎo)體晶片IO與導(dǎo)電層 23的線膨脹系數(shù)不同，也可以抑制由該線膨脹系數(shù)的差導(dǎo)致的半導(dǎo) 體晶片10翹曲。
權(quán)利要求
1、一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，具有以下工序在一個(gè)主面上形成有電路元件的半導(dǎo)體晶片的另一個(gè)主面上形成導(dǎo)電層；在覆蓋上述導(dǎo)電層上的至少一部分的區(qū)域內(nèi)，形成相比于該導(dǎo)電層具有難切削性的保護(hù)層；以及將上述半導(dǎo)體晶片按照每個(gè)半導(dǎo)體元件切斷。
2、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于， 上述保護(hù)層形成在對(duì)上述半導(dǎo)體元件施加超聲波振動(dòng)的結(jié)合工具所抵接的區(qū)域內(nèi)。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，上述導(dǎo)電層由從金、銀、銅、鋁構(gòu)成的組中選擇的1種或2種以 上的材料形成；上述保護(hù)層由從鎳、鈦、鎢、科瓦鐵鎳鈷合金、鉑構(gòu)成的組中選 擇的1種或2種以上的材料形成；或者，由從苯酚樹脂、環(huán)氧樹脂、 丙烯樹脂、酰亞胺樹脂、酰胺樹脂構(gòu)成的組中選擇的1種或其改性樹 脂形成；或者，由以二氧化硅為主成分的玻璃形成；或者，由以氮化 鋁為主成分的燒結(jié)陶瓷形成。
4、 一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，具有以下工序 在一個(gè)主面上形成有電路元件的半導(dǎo)體晶片的另一個(gè)主面上，在切斷該半導(dǎo)體晶片而形成了半導(dǎo)體元件的情況下，在每個(gè)上述半導(dǎo)體 元件的區(qū)域內(nèi)形成凹部；在上述凹部內(nèi)形成導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層具有比該凹部的深度尺寸小 的厚度尺寸；以及將上述半導(dǎo)體晶片按照每個(gè)上述半導(dǎo)體元件切斷。
5、 一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，具有'半導(dǎo)體基板，在一個(gè)主面上形成有多個(gè)電路元件； 導(dǎo)電層，形成在上述半導(dǎo)體基板的另一個(gè)主面上；以及 保護(hù)層，層積地形成在上述導(dǎo)電層上，并相比于該導(dǎo)電層具有難 切削性。
6、 一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，具有 半導(dǎo)體基板，在一個(gè)主面上形成有多個(gè)電路元件； 凹部，形成在上述半導(dǎo)體基板的另一個(gè)主面上；以及 導(dǎo)電層，形成在上述凹部內(nèi)，具有比該凹部的深度尺寸小的厚度 尺寸。
全文摘要
對(duì)于為了減小在半導(dǎo)體基板上所形成的電路元件間的電阻而在半導(dǎo)體基板的面上形成有導(dǎo)電層的半導(dǎo)體元件，在通過施加超聲波振動(dòng)而倒裝片式安裝該半導(dǎo)體元件時(shí)，防止由施加超聲波振動(dòng)的結(jié)合工具切削導(dǎo)電層，并防止因所切削的切屑附著在結(jié)合工具上而引起的半導(dǎo)體元件的安裝狀態(tài)的偏差。在半導(dǎo)體元件的制造方法中，具有以下工序在一個(gè)主面上形成有電路元件的半導(dǎo)體晶片的另一個(gè)主面上形成導(dǎo)電層；在覆蓋上述導(dǎo)電層上的至少一部分的區(qū)域內(nèi)，形成相比于該導(dǎo)電層具有難切削性的保護(hù)層；以及將上述半導(dǎo)體晶片按照每個(gè)半導(dǎo)體元件切斷。
文檔編號(hào)H01L21/78GK101231946SQ20081000886
公開日2008年7月30日 申請(qǐng)日期2008年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月25日
發(fā)明者東條啟, 井口知洋, 富岡泰造, 平原昌子, 木谷智之, 西內(nèi)秀夫 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝