專利名稱：發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例性實施例涉及一種半導(dǎo)體裝置以及制造該半導(dǎo)體裝置的方法。其它
示例性實施例涉及一種使用納米線(nanowire)作為發(fā)光層的發(fā)光裝置以及制 造該發(fā)光裝置的方法。
— 背景技術(shù) 通過使發(fā)光裝置的半導(dǎo)體層中的電子和空穴相結(jié)合，產(chǎn)生從發(fā)光裝置(例 如，發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD))發(fā)射的光。從發(fā)光裝置產(chǎn)生的光的 波長根據(jù)半導(dǎo)體層(即，發(fā)光層)的能量帶隙的大小變化。
發(fā)光裝置的發(fā)光層通常由in-v族半導(dǎo)體化合物或n-vi族半導(dǎo)體化合物
形成。所述半導(dǎo)體化合物可以是具有直接帶隙的直接躍遷型半導(dǎo)體。在直接 躍遷型半導(dǎo)體中，受激發(fā)的電子發(fā)出主要為光子能的能量。
因為半導(dǎo)體化合物的加工技術(shù)比硅(Si)的加工技術(shù)發(fā)展得慢，所以使用傳
統(tǒng)的ni-v族半導(dǎo)體化合物或n-vi族半導(dǎo)體化合物的發(fā)光裝置的制造會變得
困難。更具體地講，難以實現(xiàn)半導(dǎo)體化合物和電極之間的歐姆接觸。難以將 導(dǎo)電摻雜劑注入半導(dǎo)體化合物內(nèi)。例如，GaN半導(dǎo)體化合物層與電極的歐姆 接觸會變得困難。也難以實現(xiàn)將p型摻雜劑注入到ZnO層中。

發(fā)明內(nèi)容
示例性實施例涉及一種半導(dǎo)體裝置以及制造該半導(dǎo)體裝置的方法。其它 示例性實施例涉及一種使用納米線作為發(fā)光層的發(fā)光裝置以及制造該發(fā)光裝 置的方法。
示例性實施例提供一種可使用用于加工硅的技術(shù)制造的發(fā)光裝置。示例 性實施例提供一種可具有較高的發(fā)光效率的發(fā)光裝置。
根據(jù)示例性實施例，提供一種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括發(fā)光層以及連 接到發(fā)光層第一電極和第二電極，其中，發(fā)光層是應(yīng)變后的納米線。
與無應(yīng)變的納米線相比，所述納米線可具有在其長度方向上增加的晶格
常數(shù)。所述納米線可以是硅(Si)層。
發(fā)光裝置可包括介于第一電極和納米線之間的p型半導(dǎo)體層和介于第二
電極和納米線之間的n型半導(dǎo)體層。
p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層在基底上可彼此分開。所述納米線可形成 在p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層之間。所述納米線可與基底平行。
所述納米線可包括p型摻雜區(qū)和n型摻雜區(qū)。所述納米線的整個區(qū)域可 以是非摻雜區(qū)。所述納米線可與基底分開(不接觸)。
基底的上部可具有比p型半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)、n型半導(dǎo)體層的晶格常 數(shù)和/或所述納米線的晶格常數(shù)大的晶格常數(shù)。
p型半導(dǎo)體層、n型半導(dǎo)體層和所述納米線可以是硅(Si)層?；椎纳喜?可由鍺(Ge)或鍺化硅(SiGe)形成。
發(fā)光裝置可包括填充所述納米線和基底之間的空間的絕緣層。發(fā)光裝置 可包括介于絕緣層與p型半導(dǎo)體層、n型半導(dǎo)體層和/或基底之間的應(yīng)力控制 層。
應(yīng)力控制層可具有比p型半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)、n型半導(dǎo)體層的晶格常 數(shù)和/或所述納米線的晶格常數(shù)大的晶格常數(shù)。
層可以是氮化硅層。
第一電極、所述納米線和/或第二電極可依次豎直地層疊。所述納米線可 被分為上部和下部，其中，下部是第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)，上部是第二導(dǎo)電型摻 雜區(qū)。
所述納米線可被分為下部、中部和上部，其中，下部是第一導(dǎo)電型摻雜 區(qū)，中部是非摻雜區(qū)，上部是第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)。
發(fā)光裝置可包括介于第一電極和第二電極之間的絕緣層，所述納米線的 至少 一部分可埋在絕緣層中。
根據(jù)示例性實施例，提供一種制造發(fā)光裝置的方法，該方法包括在基 底上形成應(yīng)變半導(dǎo)體層；將所述半導(dǎo)體層圖案化為彼此分開的兩個區(qū)域(第二 區(qū)域和第三區(qū)域)以及連接所述兩個區(qū)域的納米線制作區(qū)域(第 一區(qū)域)；將基 底與納米線制作區(qū)域分開；通過各向同性地蝕刻納米線制作區(qū)域形成納米線； 將第一導(dǎo)電型摻雜劑摻入第二區(qū)域中；將第二導(dǎo)電型摻雜劑摻入第三區(qū)域中； 形成分別接觸第二區(qū)域和第三區(qū)域的第一電極和第二電極。
通過各向同性地蝕刻通過圖案化所述半導(dǎo)體層而暴露的基底的上部，所 述納米線可與基底分開。基底的上部可具有比所述半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)大的 晶格常數(shù)。
所述半導(dǎo)體層可以是硅(Si)層?；椎纳喜靠梢允擎N(Ge)或者鍺化硅 (SiGe)材料。
納米線可被分為與第二區(qū)域相鄰的第 一部分和與第三區(qū)域相鄰的第二部 分，其中，如果第一導(dǎo)電型摻雜劑被摻入第二區(qū)域中，則第一部分被摻入第 一導(dǎo)電型摻雜劑。
如果第二導(dǎo)電型摻雜劑可被摻入第三區(qū)域中，則第二部分可被摻入第二 導(dǎo)電型摻雜劑。
在形成納米線之后，所述方法可包括用絕緣層填充基底和納米線之間的 空間。
根據(jù)示例性實施例，提供一種制造發(fā)光裝置的方法，該方法包括在基 底上形成半導(dǎo)體層；將所述半導(dǎo)體層圖案化為彼此分開的兩個區(qū)域(第二區(qū)域 和第三區(qū)域)以及連接所述兩個區(qū)域的納米線制作區(qū)域；將基底與納米線制作 區(qū)域分開；通過各向同性地蝕刻納米線制作區(qū)域形成納米線。第一導(dǎo)電型摻 雜劑可被摻入第二區(qū)域。第二導(dǎo)電型摻雜劑可被摻入第三區(qū)域。所述方法可 包括在第二區(qū)域和第三區(qū)域的互相面對的側(cè)部上以及在第二區(qū)域和第三區(qū)域 之間的基底上形成應(yīng)力控制層，以使得沿長度方向?qū)⒗瓚?yīng)力施加到納米線； 形成分別接觸第二區(qū)域和第三區(qū)域的第一電極和第二電極。
通過各向同性地蝕刻通過圖案化半導(dǎo)體層而暴露的基底的上部，所述納 米線可與基底分開。
應(yīng)力控制層可具有比半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)大的晶格常數(shù)。半導(dǎo)體層可以 是硅(Si)層。應(yīng)力控制層可以是氮化硅層。
納米線可被分為與第二區(qū)域相鄰的第 一部分和與第三區(qū)域相鄰的第二部 分，其中，如果第一導(dǎo)電型摻雜劑被摻入第二區(qū)域中，則第一部分被摻入第 一導(dǎo)電型摻雜劑。
第二導(dǎo)電型摻雜劑可被摻入第三區(qū)域中，第二部分可被摻入第二導(dǎo)電型 摻雜劑。
在形成應(yīng)力控制層之后，所述方法可包括在應(yīng)力控制層上形成絕緣層。 根據(jù)示例性實施例，提供一種制造發(fā)光裝置的方法，該方法包括在第
一電極上形成豎直的半導(dǎo)體納米線；通過氧化納米線的側(cè)表面形成氧化物層， 從而沿著納米線的長度方向?qū)⒗瓚?yīng)力施加到納米線上；形成接觸納米線的第 二電極。
通過使用催化劑執(zhí)行生長方法可形成所述納米線。所述納米線可被分為 下部和上部，其中，下部是第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)，上部是第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)。
所述納米線可被分為下部、中部和上部，其中，下部是第一導(dǎo)電型摻雜 區(qū)，中部是非摻雜區(qū)，上部是第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)。
如果在所述納米線的上表面上形成氧化物層，則所述方法可包括在第 一電極上形成覆蓋氧化物層的絕緣層；在形成氧化物層之后并且在形成第二 電極之前，蝕刻絕緣層，直到露出納米線為止。
如果在所述納米線的上表面上形成氧化物層，則所述方法可包括去除 氧化物層；在第一電極上形成覆蓋納米線的絕緣層；在形成氧化物層之后并 且在形成第二電極之前，蝕刻絕緣層，直到露出納米線為止。


通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，示例性實施例將會被更加清楚地理 解。圖1A至圖IOD表示以下描述的非限制性的示例性實施例 圖1A是示出根據(jù)示例性實施例的發(fā)光裝置的剖視圖的圖； 圖1B是示出根據(jù)示例性實施例的發(fā)光裝置的俯視圖的圖； 圖2是示出根據(jù)示例性實施例的發(fā)光裝置的剖視圖的圖； 圖3和圖4是示出根據(jù)示例性實施例的發(fā)光裝置的剖視圖的圖； 圖5至圖7是顯示根據(jù)納米線的應(yīng)變方向和應(yīng)變程度的納米線的帶隙變 化的曲線圖8A至圖8F是示出根據(jù)示例性實施例的制造發(fā)光裝置的方法的透視圖
的
圖9A至圖9F是示出根據(jù)示例性實施例的制造發(fā)光裝置的方法的透視圖
的圖IOA至圖IOD是示出根據(jù)示例性實施例的制造發(fā)光裝置的方法的剖視 圖的圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照顯示一些示例性實施例的附圖來更加全面地說明各示例性實 施例。在附圖中，為了清楚起見，層和區(qū)域的厚度可被夸大。
詳細(xì)的示例性實施例/〉開于此，然而，為了描述示例性實施例，在此公 開的特定的結(jié)構(gòu)性和功能性的細(xì)節(jié)僅僅是代表性的。然而，本發(fā)明可以以許
因此，雖然示例性實施例可以有各種修改和可選形式，但是其實施例通 過附圖中的示例的形式顯示，并且在此詳細(xì)描述。然而，應(yīng)當(dāng)理解，并非意 圖將示例性實施例限制為公開的特定形式，相反，示例性實施例將覆蓋所有 落入本發(fā)明的范圍內(nèi)的修改、等同物和可選物。在對附圖的所有描述中，相 同的標(biāo)號指示相同的元件。
應(yīng)當(dāng)理解，雖然可在此使用第一、第二等術(shù)語來描述各種元件，但是這 些元件不應(yīng)當(dāng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件與另 一個元件區(qū) 分開。例如，在不脫離示例性實施例的范圍的情況下，第一元件可被稱為第 二元件，類似地，第二元件也可被稱為第一元件。如在此使用的術(shù)語"和/或" 包括相關(guān)的列出項的 一個或多個的任一項及所有的組合。
應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)元件被稱為"連接"或"結(jié)合"到另一元件上時，該元件可直 接地連接或結(jié)合到所述另一元件上，或者可存在插入元件。相比之下，當(dāng)一 個元件被稱為"直接連接"或"直接結(jié)合"到另一元件上時，則不存在插入元件。 用于描述元件之間的關(guān)系的其它詞應(yīng)當(dāng)按照相同的形式解釋(例如"在...之 間"與"直接在…之間"，"與...相鄰"與"與...直接相鄰"等)。
在此使用的專門術(shù)語僅為了描述具體的實施例的目的，并不是對示例性 實施例進(jìn)行限制。如在此使用的單數(shù)形式也力圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文 另外清楚地說明。還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)在此使用"包括"和/或"包含"這樣的術(shù)語時， 確定了所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除存在 或附加一個或多個其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或其組合。
應(yīng)當(dāng)理解，雖然可在此使用第一、第二、第三等這樣的術(shù)語來描述各種 元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分 部不應(yīng)當(dāng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或 部分與另一區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離示例性實施例的范圍的 情況下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可被稱為第二元件、 部件、區(qū)域、層或部分。
為了方便描述附圖中所示的一個元件或特征與另 一元件或特征之間的關(guān) 系，在此可使用空間關(guān)系術(shù)語，例如，"在…之下"、"在...下方"、"下部"、"在… 上方"、"上部，，等。應(yīng)當(dāng)理解，除了附圖中繪出的方位外，空間關(guān)系術(shù)語還力 圖包含使用的裝置或操作的不同方位。例如，如果圖中的裝置被翻過來，那 么被描述為在其它元件或特征"下方"或"之下"的元件將被定位為在所述其它 元件或特征的"上方"或"之上"。因此，例如，術(shù)語"在…下方"可包括在"在… 之下，，以及"在...上方"兩種方位。裝置可被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或從其它方位 觀看或以其它方位為參考)，并且應(yīng)當(dāng)據(jù)此解釋在此使用的空間關(guān)系術(shù)語描 述。
下面參照作為理想化實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意性實施例的橫截面說明 來描述示例性實施例。這樣，可預(yù)料到作為從示例的形狀的變化的結(jié)果。因 此，示例性實施例不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為是限制在此示出的區(qū)域的特定形狀，而是可 包括，例如，由制造導(dǎo)致的形狀的變形。例如，被示出為矩形的注入?yún)^(qū)域在 其邊界處可具有倒角或曲線的特征和或梯度(例如，注入濃度)，而不是從注入 區(qū)域突然變化為非注入?yún)^(qū)域。類似地，由注入形成的埋區(qū)可導(dǎo)致在該埋區(qū)和 通過其實現(xiàn)注入的表面之間的區(qū)域有一些注入。因此，圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H 上是示意性的，其形狀沒必要示出裝置的區(qū)域的實際形狀，并且不限制本發(fā) 明的范圍。
還應(yīng)當(dāng)注意到，在一些可選實施方式中，提到的功能性/行為可按照與圖 中提到次序的不同的次序出現(xiàn)。例如，根據(jù)涉及的功能性/行為，連續(xù)表示的 兩張圖實際上可基本同時執(zhí)行，或者有時可按照相反的次序執(zhí)行。
為了更加詳細(xì)地描述示例性實施例，將參照附圖詳細(xì)地描述各個方面。 然而，本發(fā)明不限于描述的示例性實施例。
示例性實施例涉及一種半導(dǎo)體裝置以及制造該半導(dǎo)體裝置的方法。其它 示例性實施例涉及一種使用納米線作為發(fā)光層的發(fā)光裝置以及制造該發(fā)光裝 置的方法。
圖1A和圖1B分別是根據(jù)示例性實施例的發(fā)光裝置的剖視圖和俯視圖。 參照圖1A和圖1B,彼此分開(或不接觸)的p型半導(dǎo)體層200a和n型半 導(dǎo)體層200b可形成在基底100上。p型半導(dǎo)體層200a和n型半導(dǎo)體層200b 可以是硅(Si)層。p型半導(dǎo)體層200a和n型半導(dǎo)體層200b可連接到作為發(fā)光 層的納米線200c。納米線200c可以是由半導(dǎo)體材料(例如，硅(Si))形成的層。
納米線200c可以平行于基底100。納米線200c可與基底100的上表面分開期 望的距離。納米線200c可通過沿長度方向受到拉應(yīng)力而應(yīng)變。
納米線200c可不包括導(dǎo)電摻雜劑。納米線200c的一部分可以是p型摻 雜區(qū)，納米線200c的其余部分可以是n型摻雜區(qū)。例如，納米線200c的與p 型半導(dǎo)體層200a相鄰的部分可以是p型摻雜區(qū)，而納米線200c的其余部分 可以是n型摻雜區(qū)?；?00的上部可由具有比硅(Si)的晶格常數(shù)大的晶格常數(shù)的材料(例如 鍺化硅(SiGe)或者鍺(Ge))形成。基底100可以是單層或多層結(jié)構(gòu)。例如，基 底100可以是硅(Si)層和鍺化硅(SiGe)層依次層疊的多層。納米線200c的拉伸 應(yīng)變可由基底100的上部的晶格常數(shù)與納米線200c的晶格常數(shù)、p型半導(dǎo)體 層200a的晶格常數(shù)和/或n型半導(dǎo)體層200b的晶格常數(shù)的差引起。分別接觸p型半導(dǎo)體層200a和n型半導(dǎo)體層200b的第 一電極El和第二 電極E2可形成在p型半導(dǎo)體層200a和n型半導(dǎo)體層200b上。透明絕緣層300可形成在p型半導(dǎo)體層200a和n型半導(dǎo)體層200b之間 的基底100上。透明絕緣層300可以是氧化硅層或樹脂層。透明絕緣層300 可形成與p型半導(dǎo)體層200a的高度相同的高度。用于形成透明絕緣層300的 材料及透明絕緣層300的高度可改變。納米線200c可設(shè)置(或形成)在透明絕 緣層300上。雖然未顯示，但是具有期望深度的凹槽可形成在p型半導(dǎo)體層200a和n 型半導(dǎo)體層200b之間的基底100的上部上。所述凹槽可延伸到p型半導(dǎo)體層 200a和n型半導(dǎo)體層200b之下的某個程度。如果形成凹槽，則透明絕緣層 300可形成在凹槽上。圖1A中示出的發(fā)光裝置可按照各種形式修改，例如，如圖2所示。在 圖1A和圖2中，相同的標(biāo)號指示相同的元件，因此，為了簡潔起見，將省 略對相同元件的描述。參照圖2,應(yīng)力控制層250可形成在透明絕緣層300與p型半導(dǎo)體層200a、 n型半導(dǎo)體層200b和基底IOO'之間(或接觸)。應(yīng)力控制層250可具有比p型 半導(dǎo)體層200a、 n型半導(dǎo)體層200b和/或納米線200c的晶格常數(shù)大的晶格常 數(shù)。p型半導(dǎo)體層200a、 n型半導(dǎo)體層200b和/或納米線200c可以是硅(Si) 層。應(yīng)力控制層250可以是氮化硅層。納米線200c的拉伸應(yīng)變可由應(yīng)力控制 層250的晶格常數(shù)與納米線200c的晶格常數(shù)、p型半導(dǎo)體層200a的晶格常數(shù)
和n型半導(dǎo)體層200b的晶格常數(shù)的差引起?；譏O(T可以是硅(Si)基底。 基底100'可與圖1A的基底100相同。
在圖1A、圖1B和圖2中，在p型半導(dǎo)體層200a和n型半導(dǎo)體層200b 之間可包括多條納米線200c。在基底100或100'和納米線200c之間的期望區(qū) 域上可包括反射層(未顯示)。
圖3和圖4是示出根據(jù)示例性實施例的發(fā)光裝置的剖視圖的圖。
參照圖3和圖4，第一電極E1可形成在基底100〃上。納米線200可形 成在第一電極E1上。納米線200可垂直于基底100〃形成。納米線200可在 其長度方向上產(chǎn)生拉伸應(yīng)變。納米線200可以是硅(Si)層。透明絕緣層300可 圍繞納米線200形成在第一電極E1上。透明絕緣層300可具有與納米線200 的高度相同的高度。納米線200的全部(或一部分)可埋在透明絕緣層300中。 接觸納米線200的第二電4及E2可形成在透明絕緣層300上。透明絕緣層300 的形成是可選擇的。
參照圖3，納米線200可被分為下部10和上部20。下部10可以是第一 導(dǎo)電型摻雜區(qū)，上部20可以是第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)。例如，下部10可以是p 型摻雜區(qū)，而上部20可以是n型摻雜區(qū)。
參照圖4,納米線200可被分為下部15、中部25和上部35。下部15可 以是第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)，中部25可以是非摻雜區(qū)，上部35可以是第二導(dǎo)電 型摻雜區(qū)。例如，下部15可以是p型摻雜區(qū)，而上部35可以是n型摻雜區(qū)。
雖然在圖3和圖4中未顯示，但是薄的氧化物層可圍繞納米線200的側(cè) 表面。多條納米線200可形成在第一電極E1和第二電極E2之間。
如上所述，根據(jù)示例性實施例的發(fā)光裝置可包括作為發(fā)光層的納米線 200或200c。
如果期望的材料層的尺寸被減小到納米級，則會出現(xiàn)量子效應(yīng)。如果發(fā) 光層為大的結(jié)構(gòu)和如果發(fā)光層為納米結(jié)構(gòu)，則發(fā)光層可具有不同的特性。例 如，大的Si塊體可具有間接帶隙，而硅(Si)納米線可具有直接帶隙。
具有間接帶隙的間接躍遷型半導(dǎo)體是一種在價帶的最高點處的動量與在 導(dǎo)電帶的最低點處的動量不同的材料。在間接躍遷型半導(dǎo)體中，受激發(fā)的電 子以熱能和振動能(例如，聲子能)的形式發(fā)射其能量。使用具有間接帶隙的大
的硅(Si)塊體會難以實現(xiàn)發(fā)光裝置。
具有直接帶隙的直接躍遷型半導(dǎo)體可以是一種在價帶的最高點處的動量
與在導(dǎo)電帶的最低點處的動量相同的材料。在直接躍遷型半導(dǎo)體中，受激發(fā) 的電子主要以光子能的形式發(fā)射其能量。
因為Si納米線可具有直接帶隙，所以能夠使用硅(Si)納米線制造發(fā)光裝
置。因為帶隙根據(jù)納米線200和200c的直徑變化，所以通過改變納米線200 和200c的直徑可容易地控制由發(fā)光裝置產(chǎn)生的光的波長。納米線200或200c 的直徑可被控制為幾十納米(nm)。納米線200或200c的直徑可以是20nm或 更小。
用作發(fā)光層的納米線200或200c可以是施加了拉應(yīng)力的應(yīng)變后的納米 線，從而增加發(fā)光效率。
圖5至圖7是示出根據(jù)納米線的應(yīng)變方向和應(yīng)變程度的納米線的帶隙的 變化的曲線圖。圖5顯示相對于第一硅(Si)納米線的帶隙的變化，所述第一硅 (Si)納米線具有垂直于其長度方向的表面100。圖6顯示相對于第二硅(Si)納 米線的帶隙的變化，所述第二硅(Si)納米線具有垂直于其長度方向的表面111。 圖7顯示相對于第三硅(Si)納米線的帶隙的變化，所述第三硅(Si)納米線具有 垂直于其長度方向的表面110。
第一、第二和第三硅(Si)納米線的有效直徑可以是大約2.2nm。
在圖5至圖7中，由"(a)"標(biāo)注的曲線圖表示通過沿Si納米線的長度方向 施加壓應(yīng)力使晶格常數(shù)變形了 2%的樣本的結(jié)果。由"(b)"標(biāo)注的曲線圖表示 未發(fā)生變形的樣本的結(jié)果。由"(c)"標(biāo)注的曲線圖表示通過沿Si納米線的長度 方向施加拉應(yīng)力使晶格常數(shù)變形了 2 %的樣本的結(jié)果。
在圖5至圖7中，水平軸表示動量(K),垂直軸表示能量(eV)。 VB表示 價帶，CB表示導(dǎo)電帶。帶隙是價帶VB和導(dǎo)電帶CB之間的差。
參照圖5的曲線圖(b)，第一點Hl和第二點H2位于價帶VB中的高位置。 第一點H1和第二點H2之間的點基本具有相同的能量。導(dǎo)電帶CB中的最低 點Ll具有與在價帶VB中的最高點的動量不同的動量。這樣，對應(yīng)于圖5的 曲線圖(b)的納米線(即，未產(chǎn)生應(yīng)變的Si納米線)具有間接躍遷型半導(dǎo)體特性。
參照圖5的曲線圖(c),導(dǎo)電帶CB中的最低點L2具有與在價帶VB中的 最高點H3的動量相同的動量。這樣，對應(yīng)于圖5的曲線圖(c)的納米線(即， 由于受到拉應(yīng)力而產(chǎn)生應(yīng)變的Si納米線)具有直接躍遷型半導(dǎo)體特性。
參照圖5的曲線圖(a),第三點H4和第四點H5位于價帶VB中的高位置。 第三點H4和第四點H5之間的點基本具有相同的能量級。導(dǎo)電帶CB中的第 五點L3和第六點L4位于下部的位置，并具有^:此接近的能量。這樣，對應(yīng) 于圖5的曲線圖(a)的納米線(即，由于受到壓應(yīng)力而產(chǎn)生應(yīng)變的Si納米線)具 有間接躍遷型半導(dǎo)體特性。
如上所述，通過受到拉應(yīng)力而已經(jīng)產(chǎn)生應(yīng)變的納米線具有直接躍遷型半 導(dǎo)體特性。通過受到壓應(yīng)力而已經(jīng)產(chǎn)生應(yīng)變的納米線具有間接躍遷型半導(dǎo)體 特性。
在使用圖1A至圖4的通過拉應(yīng)力而產(chǎn)生應(yīng)變的納米線200或200c的發(fā) 光裝置中，聲子的產(chǎn)生可減少，光子的產(chǎn)生可增加，這表示根據(jù)示例性實施 例的發(fā)光裝置具有較高的發(fā)光效率。
在圖6和圖7中觀察到與圖5相似的趨勢。
參照圖6的曲線圖(b),導(dǎo)電帶CB中的最低點L5具有與在價帶VB中的 最高點H6的動量不同的動量。這樣，沒有產(chǎn)生應(yīng)變的第二Si納米線具有間 接躍遷型半導(dǎo)體特性。
參照圖6的曲線圖(c),在通過拉應(yīng)力而產(chǎn)生應(yīng)變的第二Si納米線中，導(dǎo) 電帶CB中的最低點L6具有與在價帶VB中的最高點H7的動量相同的動量。 由于受到拉應(yīng)力而產(chǎn)生應(yīng)變的第二 Si納米線具有直接躍遷型半導(dǎo)體特性。
參照圖6的曲線圖(a)，在通過壓應(yīng)力而產(chǎn)生應(yīng)變的第二 Si納米線的情況 下，導(dǎo)電帶CB中的最低點L7具有與在價帶VB中的最高點H8的動量不同 的動量。這樣，通過壓應(yīng)力而產(chǎn)生應(yīng)變的第二Si納米線具有間接躍遷型半導(dǎo) 體特性。
參照圖7的曲線圖(b),導(dǎo)電帶CB中的最低點L8具有與在價帶VB中的 最高點H9的動量相同的動量。這樣，沒有產(chǎn)生應(yīng)變的第三Si納米線具有直 接躍遷型半導(dǎo)體特性。
參照圖7的曲線圖(c)，在通過拉應(yīng)力而產(chǎn)生應(yīng)變的第三Si納米線中，導(dǎo) 電帶CB中的最低點L9具有與在價帶VB中的最高點H10的動量相同的動量。 由于受到拉應(yīng)力而產(chǎn)生應(yīng)變的第三Si納米線具有直接躍遷型半導(dǎo)體特性。
參照圖7的曲線圖(a)，在通過壓應(yīng)力而產(chǎn)生應(yīng)變的第三Si納米線的情況 下，第十點L10和第十一點L11位于導(dǎo)電帶CB中下部的位置。價帶VB中 的最高點Hll具有與導(dǎo)電帶CB中的最低點的動量不同的動量。這樣，對應(yīng) 于圖7的曲線圖(a)的納米線(即，由于受到壓應(yīng)力而產(chǎn)生應(yīng)變的Si納米線)可 具有間接躍遷型半導(dǎo)體特性。
圖8A至圖8F是示出制造根據(jù)示例性實施例的發(fā)光裝置的方法的透視圖的圖。
參照圖8A，應(yīng)變半導(dǎo)體層(例如，應(yīng)變Si層200')可形成在基底100上。 基底100可具有第一 Si層1和SiGe層2可依次層疊的結(jié)構(gòu)。在基底100的 結(jié)構(gòu)中，第一 Si層1和SiGe層2可具有不同結(jié)構(gòu)。例如，SiGe層2可被Ge 層代替?；?00可以是Ge層。因為SiGe的晶格常數(shù)高于Si的晶格常數(shù)， 所以，可在SiGe層2上形成應(yīng)變Si層200'。
H型掩模層Ml可形成在應(yīng)變Si層200'上。掩模層Ml包括第一部分PI、 第二部分P2以及連接第一部分P1和第二部分P2的第三部分P3。第三部分 P3建立用于形成納米線的區(qū)域。應(yīng)變S i層200'的至少兩個區(qū)域al和a2可 不被掩模層M1覆蓋。
可對應(yīng)變Si層200'的暴露區(qū)域al和a2進(jìn)行蝕刻，直到露出基底100為 止。這樣，如圖8B中所示，應(yīng)變Si層200'可具有與掩模層Ml的形狀相同 的形狀。
參照圖8B，第一區(qū)域11對應(yīng)于掩模層M1的第三部分P3。第二區(qū)域21 和第三區(qū)域31分別對應(yīng)于掩模層M1的第一部分P1和第二部分P2。
在去除掩模層Ml之后，基底100的被暴露的部分(即，暴露的SiGe層 2)可被各向同性地蝕刻。圖8C中示出了得到的產(chǎn)品。
參照圖8C,可通過各向同性地蝕刻在第二區(qū)域21和第三區(qū)域31之間的 SiGe層2中形成凹槽Gl。由于凹槽Gl，所以可在第一區(qū)域11之下形成空間。 第一區(qū)域11的下表面可被暴露。凹槽Gl可延伸到第二區(qū)域21和第三區(qū)域 31之下的某個程度，形成下切口。
第一區(qū)域11可被各向同性地蝕刻。這樣，可減小第一區(qū)域11的厚度和 寬度。從而第一區(qū)域11變成圖8D中所示的納米線200c。如果第一區(qū)域11 被各向同性地蝕刻，則第二區(qū)域21的一部分和第三區(qū)域31的一部分可被蝕 刻。這樣，在第二區(qū)域21和第三區(qū)域31之下的下切口消失。
p型摻雜劑可被摻入第二區(qū)域21內(nèi)。n型摻雜劑可被摻入第三區(qū)域31 內(nèi)。這樣，第二區(qū)域21和第三區(qū)域31可分別為p型半導(dǎo)體層200a和n型半 導(dǎo)體層200b。如果p型摻雜劑被摻入第二區(qū)域21內(nèi)，則納米線200c的與第 二區(qū)域21相鄰的 一部分可摻有p型摻雜劑。納米線200c的與第三區(qū)域31相 鄰的一部分可摻有n型摻雜劑。
參照圖8F，透明絕緣層300可形成在p型半導(dǎo)體層200a和n型半導(dǎo)體 層200b之間的基底100上。透明絕緣層300可形成在凹槽G1上。透明絕緣 層300可形成與納米線200c的高度相同的厚度，以填充納米線200c下面的 空間。透明絕緣層300可由氧化硅或樹脂形成。
第一電極El和第二電極E2可分別形成在p型半導(dǎo)體層200a和n型半 導(dǎo)體層200b上。雖然未顯示，但是第二透明絕緣層大約可形成到第一電極 E1和第二電極E2的高度。第二透明絕緣層可形成在透明絕緣層300、納米 線200c、 p型半導(dǎo)體層200a和n型半導(dǎo)體層200b的暴露的部分上。
圖9A至圖9F是示出制造根據(jù)示例性實施例的發(fā)光裝置的方法的透視圖的圖。
參照圖9A，半導(dǎo)體層200〃 (例如，Si層)可形成在基底100'上?；?00' 和半導(dǎo)體層200〃可以是絕緣體上硅結(jié)構(gòu)(SOI)的基底的一部分。半導(dǎo)體層200 〃可以是未產(chǎn)生應(yīng)變的Si層。
掩模層M1可形成在半導(dǎo)體層200〃上。掩模層M1與圖8A中的掩模層 Ml相同。可對半導(dǎo)體層200〃的兩個暴露區(qū)域al'和a2'進(jìn)行蝕刻，直到露出 基底100'為止。這樣，如圖9B中所示，半導(dǎo)體層200〃可具有與掩模層M1 相同(或相似)的形狀。
圖9B中的第一區(qū)域11'、第二區(qū)域21'和第三區(qū)域31'與圖8B中的第一 區(qū)域ll、第二區(qū)域21和第三區(qū)域31相同。
在去除掩模層M1之后，被暴露的基底100'可被各向同性地蝕刻。
參照圖9C，可在第二區(qū)域21'和第三區(qū)域31'之間的基底100'中形成凹槽 Gl'。由于凹槽G1',所以可在第一區(qū)域ll'之下形成空間。第一區(qū)域ll'的底 表面可被暴露。凹槽Gl'可延伸到第二區(qū)域21'和第三區(qū)域31'之下的某個程 度，形成下切口。
第一區(qū)域ir可被各向同性地蝕刻?？蓽p小第一區(qū)域ir的厚度和寬度。 如圖9D中所示，第一區(qū)域ir變成納米線200c'。如果第一區(qū)域ir被各向同
性地蝕刻，則第二區(qū)域21'的一部分和第三區(qū)域31'的一部分可被蝕刻。在第 二區(qū)域21'和第三區(qū)域31'之下的下切口消失。
p型摻雜劑可被摻入第二區(qū)域21'內(nèi)。n型摻雜劑可被摻入第三區(qū)域3i' 內(nèi)。這樣，第二區(qū)域21'和第三區(qū)域31'可為p型半導(dǎo)體層200a'和n型半導(dǎo)體 層200b'。如果p型摻雜劑被摻入第二區(qū)域21'內(nèi)，則納米線200c'的與第二區(qū)
域21湘鄰的一部分可摻有p型摻雜劑。納米線200c'的與第三區(qū)域3l'相鄰的 一部分可摻有n型摻雜劑。
參照圖9E,應(yīng)力控制層250可形成在p型半導(dǎo)體層200a'和n型半導(dǎo)體 層200b'的彼此面對的側(cè)部以及凹槽Gl'的表面上。應(yīng)力控制材料層覆蓋p型 半導(dǎo)體層200a'和n型半導(dǎo)體層200b'的互相面對的內(nèi)壁上。凹槽Gl'的表面可 形成在p型半導(dǎo)體層200a'、 n型半導(dǎo)體層200b'和納米線200c'上。形成在p 型半導(dǎo)體層200a'、 n型半導(dǎo)體層200b'和納米線200c'上的應(yīng)力控制材料層可 4t去除。這樣，如圖9E所示，形成應(yīng)力控制層250。
如果形成應(yīng)力控制材料層，則應(yīng)力控制材料層可形成在納米線200c'的下 表面上。形成在納米線200c'之下的應(yīng)力控制材料層的厚度可比形成在其它區(qū) 域上的應(yīng)力控制材料層的厚度薄。使用濕蝕刻法可容易去除形成在納米線 200c'之下的應(yīng)力控制材料層。
應(yīng)力控制層250可由其晶格常數(shù)大于Si(例如，氮化硅)的晶格常數(shù)的材 料形成。由于應(yīng)力控制層250,所以納米線200c'可沿長度方向產(chǎn)生應(yīng)變。
參照圖9F,透明絕緣層300'可形成在p型半導(dǎo)體層200a'和n型半導(dǎo)體 層200b'之間的應(yīng)力控制層250上。透明絕緣層300'可形成為用于填充納米線 200c'下面的空間。透明絕緣層300'可由氧化硅或樹脂形成。透明絕緣層300' 可形成與納米線200c'的高度相同的厚度。
第一電極El和第二電極E2可分別形成在p型半導(dǎo)體層200a'和n型半 導(dǎo)體層200b'上。雖然未顯示，但是第二透明絕緣層可大約形成到透明絕緣層 300'、納米線200c'、 p型半導(dǎo)體層200a'和n型半導(dǎo)體層200b'上的第一電極 El和第二電極E2的高度。
圖IOA至圖IOD是示出制造根據(jù)示例性實施例的發(fā)光裝置的方法的剖視 圖的圖。
參照圖10A,第一電極E1可形成在基底100〃上。納米線200可形成在 第一電極E1上。納米線200可垂直于基底100〃 。
納米線200可4安照各種方式形成。例如，在在第一電極E1上形成點型 催化劑層(未顯示)之后，通過在催化劑層上供應(yīng)期望的反應(yīng)氣體和源氣體可生 長Si材料的納米線200。催化劑層可存在于納米線200和第一電極E1之間。 納米線200的下部10和上部20可使用不同的方法生長。例如，如果形成下 部10,則可使用含有n型(或p型)摻雜劑的第一反應(yīng)氣體。如果形成上部20,
則可使用含有p型(或n型)摻雜劑的第二反應(yīng)氣體。下部10和上部20可以是 摻入了不同的導(dǎo)電摻雜劑的區(qū)域。雖然未顯示，但是納米線200的中部可仍 為非摻雜區(qū)。
參照圖IOB，通過氧化納米線200的表面可形成氧化物層50。氧化物層 50可以是氧化硅層。如果形成氧化物層50，則壓應(yīng)力可施加到納米線200的 側(cè)表面上。通過沿著長度方向延伸納米線200，可〗吏納米線200變形。延伸 的程度根據(jù)氧化物層50的厚度變化。如果控制氧化物層50的厚度，則可控 制納米線200的直徑。
參照圖10C,在去除氧化物層50之后，可在第一電極E1上形成覆蓋納 米線200的透明絕緣層300。雖然未顯示，但是如果多個納米線200形成在 第一電極E1上且相互之間具有窄的間隙，則可不形成透明絕緣層300。在不 去除氧化物層50的情況下，也可形成透明絕緣層300。
層300進(jìn)行蝕刻，直到露出納米線200為止。接觸納米線200的第二電極E2 可形成在透明絕緣層300上。第一電極E1和第二電極E2可由導(dǎo)電硅、導(dǎo)電 氧化物或金屬形成。
如上所述，因為產(chǎn)生應(yīng)變的納米線被用作發(fā)光層，所以可容易地控制發(fā) 光裝置的波長并可提高發(fā)光效率。
此外，因為Si可用于形成應(yīng)變后的納米線，所以可使用基于Si的處理 技術(shù)以低成本制造發(fā)光裝置?？扇菀讓崿F(xiàn)發(fā)光層和電極之間的歐姆接觸。
上述是對示例性實施例的解釋。雖然已經(jīng)描述了一些示例性實施例，但 是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易認(rèn)識到，在本質(zhì)上不脫離新的教導(dǎo)和優(yōu)點的情況下， 能夠在示例性實施例中進(jìn)行許多修改。因此，所有這種修改都將被包括在權(quán) 利要求所限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)。在權(quán)利要求中，裝置加功能的句子意圖覆 蓋在此被描述為執(zhí)行所述功能的結(jié)構(gòu)，不僅覆蓋結(jié)構(gòu)上的等同物，而且還覆 蓋等同的結(jié)構(gòu)。因此，應(yīng)當(dāng)理解，上述是示例性實施例的解釋，不應(yīng)當(dāng)被理 解為限于公開的特定實施例，對公開的實施例的修改以及其它實施例都將落 入權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種發(fā)光裝置，包括發(fā)光層；第一電極和第二電極，分別連接到發(fā)光層，其中，發(fā)光層是應(yīng)變后的納米線。
2、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，與無應(yīng)變的納米線相比，應(yīng)變 后的納米線具有在其長度方向上增加的晶格常數(shù)。
3、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，應(yīng)變后的納米線是硅層。
4、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，應(yīng)變后的納米線包括p型摻雜 區(qū)和n型摻雜區(qū)。
5、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，應(yīng)變后的納米線未被摻雜。
6、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，還包括 p型半導(dǎo)體層，介于第一電極和應(yīng)變后的納米線之間； n型半導(dǎo)體層，介于第二電極和應(yīng)變后的納米線之間。
7、 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中，p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層 在基底上彼此分開，應(yīng)變后的納米線形成在p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層之 間，應(yīng)變后的納米線與基底平行。
8、 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其中，應(yīng)變后的納米線與基底分開。
9、 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，還包括填充在應(yīng)變后的納米線和基底 之間的空間中的絕緣層。
10、 如權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，還包括介于絕緣層、p型半導(dǎo)體層、 n型半導(dǎo)體層和基底之間的應(yīng)力控制層。
11、 如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光裝置，其中，應(yīng)力控制層具有比p型半導(dǎo) 體層的晶格常數(shù)、n型半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)和應(yīng)變后的納米線的晶格常數(shù)大 的晶格常數(shù)。
12、 如權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其中，p型半導(dǎo)體層、n型半導(dǎo)體 層和應(yīng)變后的納米線是硅層，并且應(yīng)力控制層是氮化硅層。
13、 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其中，基底的上部具有比p型半導(dǎo) 體層的晶格常數(shù)、n型半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)和應(yīng)變后的納米線的晶格常數(shù)大 的晶格常數(shù)。
14、 如權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置，其中，p型半導(dǎo)體層、n型半導(dǎo)體 層和應(yīng)變后的納米線是硅層，基底的上部由鍺或鍺化硅形成。
15、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，第一電極、應(yīng)變后的納米線 和第二電極依次豎直地層疊。
16、 如權(quán)利要求15所述的發(fā)光裝置，其中，應(yīng)變后的納米線被分為上部 和下部，其中，下部是第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)，上部是第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)。
17、 如權(quán)利要求15所述的發(fā)光裝置，其中，應(yīng)變后的納米線被分為下部、 中部和上部，其中，下部是第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)，中部是非摻雜區(qū)，上部是第 二導(dǎo)電型摻雜區(qū)。
18、 如權(quán)利要求15所述的發(fā)光裝置，還包括介于第一電極和第二電極之 間的絕緣層，其中，應(yīng)變后的納米線的一部分被絕緣層覆蓋。
19、 一種制造發(fā)光裝置的方法，包括 在基底上形成應(yīng)變半導(dǎo)體層；將所述半導(dǎo)體層圖案化為第 一 區(qū)域、第二區(qū)域以及連接第 一區(qū)域和第二 區(qū)域的納米線制作區(qū)域，其中，第一區(qū)域和第二區(qū)域互相分開； 將基底與納米線制作區(qū)域分開； 通過各向同性地蝕刻納米線制作區(qū)域形成納米線； 將第一導(dǎo)電型摻雜劑摻入第一區(qū)域中； 將第二導(dǎo)電型摻雜劑摻入第二區(qū)域中； 形成接觸第 一 區(qū)域的第 一 電極和接觸第二區(qū)域的第二電極。
20、 如權(quán)利要求19所述的方法，其中，分開基底的步驟包括各向同性地 蝕刻通過圖案化所述半導(dǎo)體層而暴露的基底的上部。
21、 如權(quán)利要求19所述的方法，其中，基底的上部具有比所述半導(dǎo)體層 的晶格常數(shù)大的晶格常數(shù)。
22、 如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體層是硅層。
23、 如權(quán)利要求22所述的方法，其中，基底的上部由鍺或者鍺化硅形成。
24、 如權(quán)利要求19所述的方法，其中，納米線被分為與第一區(qū)域相鄰的 第一部分和與第二區(qū)域相鄰的第二部分，其中，第一部分被摻入第一導(dǎo)電型 摻雜劑。
25、 如權(quán)利要求24所述的方法，其中，第二部分被摻入第二導(dǎo)電型摻雜 劑。
26、 如權(quán)利要求19所述的方法，還包括在形成納米線之后用絕緣層填充 基底和納米線之間的空間。
27、 一種制造發(fā)光裝置的方法，包括 在基底上形成半導(dǎo)體層；將半導(dǎo)體層圖案化為第一區(qū)域、第二區(qū)域以及連接第一區(qū)域和第二區(qū)域 的納米線制作區(qū)域，其中，第一區(qū)域和第二區(qū)域互相分開； 將基底與納米線制作區(qū)域分開； 通過各向同性地蝕刻納米線制作區(qū)域形成納米線； 將第一導(dǎo)電型摻雜劑摻入第一區(qū)域中； 將第二導(dǎo)電型摻雜劑摻入第二區(qū)域中；在第 一 區(qū)域和第二區(qū)域的互相面對的內(nèi)壁上以及第 一 區(qū)域和第二區(qū)域之 間的基底上形成應(yīng)力控制層，從而沿長度方向?qū)⒗瓚?yīng)力施加到納米線； 形成接觸第一區(qū)域的第一電極和接觸第二區(qū)域的第二電極。
28、 如權(quán)利要求27所述的方法，其中，分開基底的步驟包括各向同性地 蝕刻通過圖案化半導(dǎo)體層而暴露的基底的上部。
29、 如權(quán)利要求27所述的方法，其中，應(yīng)力控制層具有比半導(dǎo)體層的晶 格常數(shù)大的晶格常數(shù)。
30、 如權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體層是硅層。
31、 如權(quán)利要求30所述的方法，其中，應(yīng)力控制層是氮化硅層。
32、 如權(quán)利要求27所述的方法，其中，納米線被分為與第一區(qū)域相鄰的 第一部分和與第二區(qū)域相鄰的第二部分，其中，第一部分被摻入第一導(dǎo)電型摻雜劑。
33、 如權(quán)利要求32所述的方法，其中，第二部分被摻入第二導(dǎo)電型摻雜劑。
34、 如權(quán)利要求27所述的方法，還包括在形成應(yīng)力控制層之后在應(yīng)力控 制層上形成絕緣層。
35、 一種制造發(fā)光裝置的方法，包括 在第一電極上形成豎直的半導(dǎo)體納米線；通過氧化納米線的側(cè)表面形成氧化物層，從而沿著納米線的長度方向?qū)?形成接觸納米線的第二電極。
36、 如權(quán)利要求35所述的方法，其中，形成納米線的步驟包括使用催化 劑執(zhí)行生長方法。
37、 如權(quán)利要求35所述的方法，其中，納米線^皮分為下部和上部，其中， 下部是第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)，上部是第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)。
38、 如權(quán)利要求35所述的方法，其中，納米線一皮分為下部、中部和上部， 其中，下部是第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)，中部是非摻雜區(qū)，上部是第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)。
39、 如權(quán)利要求35所述的方法，還包括以下步驟 在第 一 電極上形成覆蓋氧化物層的絕緣層；在形成氧化物層之后并且在形成第二電極之前，蝕刻絕緣層，直到露出 納米線為止，其中，氧化物層形成在納米線的上表面上。
40、 如權(quán)利要求35所述的方法，還包括以下步驟 去除氧化物層；在第 一 電極上形成覆蓋納米線的絕緣層；在形成氧化物層之后并且在形成第二電極之前，蝕刻絕緣層，直到露出 納米線為止，其中，氧化物層形成在納米線的上表面上。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種發(fā)光裝置以及一種制造該發(fā)光裝置的方法。所述發(fā)光裝置包括發(fā)光層以及連接到發(fā)光層的第一電極和第二電極。所述發(fā)光層是應(yīng)變后的納米線。
文檔編號H01S5/30GK101339968SQ20081000893
公開日2009年1月7日 申請日期2008年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月3日
發(fā)明者李晟熏, 洪起夏, 申在光, 金鐘燮 申請人:三星電子株式會社