專利名稱：晶體硅太陽能電池的選擇性一次擴(kuò)散方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池的生產(chǎn)方法，特別是一種晶體硅太陽能電池 的選擇性一次擴(kuò)散方法。
背景技術(shù)：
晶體硅太陽能電池占據(jù)了光伏市場的卯％以上的份額，如何進(jìn)一步提高效 率，降低成本是國內(nèi)外晶體硅太陽能電池研究領(lǐng)域的基本目標(biāo)。
在硅片上實(shí)現(xiàn)選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)是p-n結(jié)晶體硅太陽能電池實(shí)現(xiàn)高效的方 法之一。所謂選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)有兩個特征1)在電極柵線下及其附近形成高 摻雜深擴(kuò)散區(qū)；2)在其他區(qū)域形成低摻雜淺擴(kuò)散區(qū)。實(shí)現(xiàn)選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)的 關(guān)鍵便是如何形成上面所說的兩個區(qū)域。實(shí)現(xiàn)選擇性發(fā)射區(qū)的方法有很多種， 最常見的有光刻、激光開槽。但這些方法對太陽能電池制造而言過于復(fù)雜，只 能應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室或小規(guī)模的生產(chǎn)中，難于在常規(guī)電池的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中推廣。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是要提供一種實(shí)現(xiàn)晶體硅太陽能電池選擇性擴(kuò)散的方法，該 方法可提高晶體硅太陽能電池的效率，適用于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案是 一種晶體硅太陽能電池的選擇性一次擴(kuò)散方法， 將磷不可滲透槳料或膜按照一定間隔選擇性地覆蓋在晶體硅片表面，然后擴(kuò)散， 去除磷不可滲透漿料或膜，再擴(kuò)散。
磷不可滲透漿料在擴(kuò)散前需要進(jìn)行烘干。 本發(fā)明的有益效果是按照上述方法可以方便地得到太陽能電池選擇
性擴(kuò)散結(jié)構(gòu)，方法簡單，易實(shí)現(xiàn)，污染小，適于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明。 圖1是本發(fā)明的選擇性擴(kuò)散結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中l(wèi).硅片，2.高摻雜區(qū)，3.低摻雜區(qū)，4.磷不可滲透漿料或膜。
具體實(shí)施例方式
一種晶體硅太陽能電池的選擇性一次擴(kuò)散方法，硅片1表面首先進(jìn)行清洗
制絨處理，將磷不可滲透漿料或膜4按照一定間隔選擇性地覆蓋在硅片1表面。 磷不可滲透漿料在擴(kuò)散前需要烘干，然后將此硅片1放入擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散，在 磷不可滲透漿料或膜4沒有覆蓋的區(qū)域形成高摻雜區(qū)2。然后去除硅片1上的磷 不可滲透漿料或膜4，再將硅片l放入擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散，用于在磷不可滲透漿 料或膜4覆蓋的區(qū)域形成低摻雜區(qū)3。正面電極印刷在高摻雜區(qū)2上。
硅片1完成選擇性擴(kuò)散后進(jìn)行去硅磷玻璃，然后進(jìn)行刻邊，鍍氮化硅、減 反射膜，印刷背面電極、印刷鋁背場，印刷正面電極，燒結(jié)制成電池成品。
權(quán)利要求
1、一種晶體硅太陽能電池的選擇性一次擴(kuò)散方法，其特征在于將磷不可滲透漿料或膜(4)按照一定間隔選擇性地覆蓋在晶體硅片(1)表面，然后擴(kuò)散，去除磷不可滲透漿料或膜(4)，再擴(kuò)散。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的晶體硅太陽能電池的選擇性一次擴(kuò)散方法，其特征在于磷不可滲透漿料在擴(kuò)散前需要進(jìn)行烘干。
全文摘要
本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池的生產(chǎn)方法，特別是一種晶體硅太陽能電池的選擇性一次擴(kuò)散方法，這種方法是將磷不可滲透漿料或膜按照一定間隔選擇性地覆蓋在晶體硅片表面，然后擴(kuò)散，去除磷不可滲透漿料或膜，再擴(kuò)散。按照上述方法可以方便地得到太陽能電池選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)，方法簡單，易實(shí)現(xiàn)，污染小，適于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
文檔編號H01L31/18GK101339963SQ20081002146
公開日2009年1月7日 申請日期2008年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月4日
發(fā)明者汪釘崇, 鄧偉偉 申請人:常州天合光能有限公司