專利名稱：發(fā)光二極管、具有其的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管、具有該發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)及該發(fā)光二 極管的制造方法，尤其涉及一種采用環(huán)形陰極的發(fā)光二極管，具有該發(fā)光二 極管的封裝結(jié)構(gòu)及該發(fā)光二極管的制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光；極管(LED)是用半導(dǎo)體材料制作的正向偏置的PN結(jié)二極管。 其發(fā)光機(jī)理是當(dāng)在PN結(jié)兩端注入正向電流時(shí)，注入的非平衡載流子(電子 -空穴對(duì))在擴(kuò)散過(guò)程中復(fù)合發(fā)光，這種發(fā)射過(guò)程主要對(duì)應(yīng)光的自發(fā)發(fā)射過(guò) 程。制作半導(dǎo)體發(fā)光二極管的材料是重?fù)诫s的，熱平衡狀態(tài)下的N區(qū)有很多 遷移率很高的電子，P區(qū)有較多的遷移率較低的空穴。由于PN結(jié)阻擋層的 限制，在常態(tài)下，二者不能發(fā)生自然復(fù)合。而當(dāng)給PN結(jié)加以正向電壓時(shí)， 溝道區(qū)導(dǎo)帶中的電子則可逃過(guò)PN結(jié)的勢(shì)壘進(jìn)入到P區(qū)一側(cè)。于是在PN結(jié) 附近稍偏于P區(qū)一邊的地方，處于高能態(tài)的電子與空穴相遇時(shí)，便產(chǎn)生發(fā)光 復(fù)合。這種發(fā)光復(fù)合所發(fā)出的光屬于自發(fā)輻射。一般而言，傳統(tǒng)的發(fā)光二極管(LED)的制造方法是在襯底上外延生長(zhǎng) 包括n型半導(dǎo)體材料層、發(fā)光層和p型半導(dǎo)體材料層的層疊結(jié)構(gòu)。隨著發(fā)光 二極管發(fā)射的光的波長(zhǎng)不同，發(fā)光二極管所采用的材料和結(jié)構(gòu)也不同。例如， 對(duì)于發(fā)射藍(lán)光和綠光二極管，通常采用藍(lán)寶石作為襯底，而采用氮化鎵錮外 延結(jié)構(gòu)作為層疊結(jié)構(gòu)。由于藍(lán)寶石襯底為絕緣襯底，所以發(fā)光二極管的陰極 和陽(yáng)極均設(shè)置在正面。因此電極占據(jù)了發(fā)光二極管芯片中相當(dāng)大的面積，容 易《1起發(fā)光二極管中擴(kuò)散電流的分布不均勻。并且由于電極的對(duì)于發(fā)光二極 管發(fā)射的光的吸收作用而導(dǎo)致發(fā)光二極管的亮度降低。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種改善發(fā)光二極管的擴(kuò)散電流的發(fā)光 二極管。本發(fā)明的另一方面是提供一種具有增加的亮度的發(fā)光二極管。 本發(fā)明還提供了具有上述發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)和上述發(fā)光二極管的 制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種發(fā)光二極管。該發(fā)光二極管包括襯 底；形成于襯底的正面上的n型半導(dǎo)體材料層；形成于n型半導(dǎo)體材料層上 的發(fā)光層；形成于發(fā)光層上的p型半導(dǎo)體材料層；形成于p型半導(dǎo)體材料層 上的陽(yáng)極；以及沿n型半導(dǎo)體材料層邊緣形成并與n型半導(dǎo)體材料層電接觸 的陰極。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管還包括形成于p型半導(dǎo)體材料層上的 保護(hù)層，所述陽(yáng)極穿透所述保護(hù)層與p型半導(dǎo)體層材料層接觸。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管還包括形成于p型半導(dǎo)體材料層和陽(yáng) 極之間覆蓋P型半導(dǎo)體材料層的透明電極層，保護(hù)層覆蓋透明電極層。優(yōu)選地，透明電極層的厚度為發(fā)光二極管發(fā)射的光的波長(zhǎng)的四分之一。 透明電極層的材料例如選自ITO、 Ru02、 Ni02、 ZnO或其組合。優(yōu)選地，陰極由不吸收光的反射性金屬或金屬氧化物制成。陰極的材料 例如選自Cr、 Al、 Ag、 Au、 Ti、 ITO、 ZnO、 Ru02或其組合。優(yōu)選地，陰極形成于n型半導(dǎo)體材料層的周邊部分上。陰極形成于其上 的n型半導(dǎo)體材料層的周邊部分的可以厚度小于n型半導(dǎo)體材料層的其他部 分，從而增加電極的厚度。或者，陰極可以形成于襯底上且接觸n型半導(dǎo)體 層的側(cè)面。陰極和陽(yáng)極的厚度優(yōu)選為2微米以上。襯底的材料例如選自硅、藍(lán)寶石、SiC、 ZnO、 GaN。根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供了 一種包括發(fā)光二極管的發(fā)光二極管封裝 結(jié)構(gòu)。該發(fā)光二極管包括襯底；形成于襯底的正面上的n型半導(dǎo)體材料層； 形成于n型半導(dǎo)體材料層上的發(fā)光層；形成于發(fā)光層上的p型半導(dǎo)體材料層； 形成于p型半導(dǎo)體材料層上的陽(yáng)極；以及沿n型半導(dǎo)體材料層邊緣形成并與 n型半導(dǎo)體材料層電接觸的陰極。該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括形成于陽(yáng)極 上的焊線；以及形成于襯底的背面上的背鍍金屬層或?qū)щ娔z，所述背鍍金屬 層或?qū)щ娔z接觸n型半導(dǎo)體層和陰極。焊線和背鍍金屬層和導(dǎo)電膠分別電連 接至導(dǎo)電支架，導(dǎo)電支架用于與外部電路連接。優(yōu)選地，背鍍金屬層或?qū)щ娔z與陰極形成為一體。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種發(fā)光二極管的制造方法。所述方法包括制備襯底；在襯底的正面上依次生長(zhǎng)n型半導(dǎo)體層，發(fā)光層和p型半 導(dǎo)體層的疊層結(jié)構(gòu)；使用刻蝕方法，移除上述疊層結(jié)構(gòu)的周邊部分，直至暴 露n型半導(dǎo)體層的周邊部分；形成保護(hù)層以覆蓋上述的疊層結(jié)構(gòu)并暴露n型 半導(dǎo)體材料層的周邊部分；在n型半導(dǎo)體材料層的周邊部分上形成呈環(huán)狀的 陰極；和在p型半導(dǎo)體層上形成穿透保護(hù)層的陽(yáng)極。根據(jù)本發(fā)明，由于發(fā)光二極管的陰極圍沿n型半導(dǎo)體層形成，因此使得 電流更均勻地分布在發(fā)光表面。而且由于陰極由不吸收光的反射性金屬制 成，減小了光吸收。因?yàn)榘l(fā)光二極管陰極和陽(yáng)極的厚度增加，可以增加發(fā)光 二極管的電流以增加亮度并使得電流的分布更加均勻。


圖1為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖面示意圖； 圖2為根據(jù)本發(fā)明的另 一 實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖面示意圖； 圖3為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖面示意圖； 圖4A至4E為顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法的步 驟的剖面示意圖；圖5為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖 圖6為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖 圖7為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；以及 圖8為根據(jù)本發(fā)明發(fā)光二極管的正面示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。如圖1和2所示，根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光二極管包括襯底8、形 成于襯底8上的n型半導(dǎo)體材料層7、形成于n型半導(dǎo)體材料層7上的發(fā)光 層6和形成于發(fā)光層6上的p型半導(dǎo)體材料層5。由p型半導(dǎo)體材料層5、 發(fā)光層6和n型半導(dǎo)體層7構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)可以由例如氮化鎵材料的半導(dǎo)體 材料形成。該發(fā)光二極管還可以包括形成于p型半導(dǎo)體材料層5上覆蓋p型 半導(dǎo)體材料層5的透明電極層3。透明電極層3優(yōu)選由選自ITO、Ru02、Ni02、 ZnO或其組合的金屬氧化物制成。透明電極層3的厚度優(yōu)選為發(fā)光二極管發(fā) 射的光的波長(zhǎng)的四分之一。陽(yáng)極1形成于透明電極層3的中心部分上，例如呈柱狀。值得注意的是，透明電極層3可以增加發(fā)光二極管的電流分布的均 勻性，然而對(duì)于發(fā)光二極管而言透明電極層3并不是必須的。陽(yáng)極l也可以 直接形成于p型半導(dǎo)體層5上。陰極4沿n型半導(dǎo)體材料層邊緣形成并與n型半導(dǎo)體材料層電接觸。陰 極4可以形成于n型半導(dǎo)體層7的周邊部分上，如圖1所示。本發(fā)明陰極4 的端面形狀如圖8所示，其可為圓環(huán)、橢圓環(huán)、多邊形環(huán)或由直線和曲線組 合成的封閉形環(huán)狀;陰極4的任意橫截面形狀與其端面形狀一致。n型半導(dǎo)體 層7的周邊部分的厚度可以小于其他部分的厚度，從而形成臺(tái)階狀。而陰極 4則形成于較低的n型半導(dǎo)體層7上，從而增加陰極4的厚度，如圖2所示。 或者，陰極4可以形成于襯底8上而接觸n型半導(dǎo)體層7的側(cè)面，如圖3所 示。陰極4優(yōu)選由不吸收光的反射性金屬或金屬氧化物制成以減小陰極的光 吸收。例如，陰極4的材料選自Cr、 Al、 Ag、 Au、 Ti、 ITO、 ZnO、 Ru02 及其組合。陰極4和陽(yáng)極1的厚度優(yōu)選為2微米以上。在n型半導(dǎo)體層7和 陰極4之間以及在p型半導(dǎo)體層5和陽(yáng)極1之間形成有歐姆接觸層。保護(hù)層2覆蓋透明電極層3并將陰極4與透明電極層3隔開，以防止陰 極4與透明電極層3接觸而導(dǎo)致漏電失效。保護(hù)層2由絕緣材料形成，例如 Si02、 Si3N4、 SiNO、 Ti02、 SOG等。由于發(fā)光二極管的陰極4為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，使得電流更均勾地分布在發(fā)光表 面。而且通過(guò)蝕刻層疊結(jié)構(gòu)的周邊部分而使得陰極4形成于厚度減小的n型 半導(dǎo)體層7上，增加了電極的厚度，從而增加了電流并改善了電流分布的均 勻性。而且陰極4由不吸收光的反射性材料制成，減小了光吸收和使得發(fā)光 亮度增加?，F(xiàn)將參考圖4A至4E描述根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造 方法。首先，制備襯底8。襯底的材料選自硅、藍(lán)寶石、SiC、 ZnO、 GaN等， 其厚度不大于100微米并不小于5微米。然后在襯底8的正面上依次生長(zhǎng)n 型半導(dǎo)體層7，發(fā)光層6和p型半導(dǎo)體層5的疊層結(jié)構(gòu)，如圖4A所示。該 疊層結(jié)構(gòu)可以由例如氮化鎵材料的半導(dǎo)體材料通過(guò)外延生長(zhǎng)方法形成。接 著，如圖4B1所示，使用刻蝕方法，移除上述疊層結(jié)構(gòu)的周邊部分，直至n 型半導(dǎo)體層7的周邊部分被暴露。n型半導(dǎo)體層7可以被進(jìn)一步蝕刻使得n 型半導(dǎo)體材料層7的周邊部分的厚度小于中心部分的厚度,例如形成臺(tái)階狀， 如圖4B2所示。然后例如利用掩模和鍍膜的方法在p型半導(dǎo)體材料層5上形成透明電極層3,如圖4C所示。形成保護(hù)層2以覆蓋透明電極層3和上述 的層疊結(jié)構(gòu)，僅暴露n性半導(dǎo)體層7的周邊部分，如圖4D所示。然后利用 鍍覆方法，在n型半導(dǎo)體材料層的周圍形成陰極4并在透明電極3的中心部 分上形成穿透保護(hù)層2并與之接觸的陽(yáng)極1，如圖4E所示。陽(yáng)極1和陰極4 可以同時(shí)或先后形成。而且如上所述，也可以省略透明電極層3。陰極4和 陽(yáng)極1的厚度優(yōu)選為2纟鼓米以上。將上述形成的發(fā)光二極管的襯底8減薄后，進(jìn)行切割撿晶后，利用背鍍 金屬或固晶導(dǎo)電膠9接觸n型半導(dǎo)體層7和陰極4，并在陽(yáng)極1上形成焊線 10，從而形成如圖4所示的封裝結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，可以將背鍍金屬或固晶導(dǎo)電 膠9與陰極4一體形成，從而進(jìn)一步簡(jiǎn)化工藝步驟。然后，將焊線10和背 鍍金屬或固晶導(dǎo)電膠9分別電連接至導(dǎo)線支架12，并在套帽11中灌入環(huán)氧 樹脂，從而形成發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，如圖5所示。由于本發(fā)明的發(fā)光二極管的陰極圍繞n型半導(dǎo)體層形成，因此使得電流 更均勻地分布在發(fā)光表面。而且由于陰極由不吸收光的反射性金屬制成，減 小了光吸收。另外，因?yàn)榘l(fā)光二極管陰極和陽(yáng)極的厚度增加，可以增加發(fā)光 二極管的電流以增加亮度并使得電流的分布更加均勻。與傳統(tǒng)相同尺寸的發(fā) 光二極管相比，本發(fā)明的二極管的發(fā)光效率增加了 50%以上。本發(fā)明可以應(yīng)用于高亮度發(fā)光二極管。
權(quán)利要求
1、一種發(fā)光二極管，包括襯底；形成于襯底的正面上的n型半導(dǎo)體材料層；形成于n型半導(dǎo)體材料層上的發(fā)光層；形成于發(fā)光層上的p型半導(dǎo)體材料層；形成于p型半導(dǎo)體材料層上的陽(yáng)極；以及沿n型半導(dǎo)體材料層邊緣形成并與n型半導(dǎo)體材料層電接觸的陰極。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，還包括形成于p型半導(dǎo)體材料 層上的保護(hù)層，所述陽(yáng)極穿透所述保護(hù)層與p型半導(dǎo)體層材料層接觸。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，還包括形成于p型半導(dǎo)體材料 層和陽(yáng)極之間覆蓋P型半導(dǎo)體材料層的透明電極層，保護(hù)層覆蓋透明電極 層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其中透明電極層的厚度為發(fā)光 二極管發(fā)射的光的波長(zhǎng)的四分之一。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的發(fā)光二極管，其中透明電極層的材料選 自ITO、 Ru02、 Ni02、 ZnO或其組合。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中陰極橫截面的形狀為圓環(huán)、 橢圓環(huán)、多邊形環(huán)或由直線和曲線組合成的封閉形環(huán)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中陰極由不吸收光的反射性 金屬或金屬氧化物制成。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1、 2、 3、 4、 6或7所述的發(fā)光二極管，其中陰極的 材料選自Cr、 Al、 Ag、 Au、 Ti、 ITO、 ZnO、 Ru02或其組合。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中陰極形成于n型半導(dǎo)體材 料層的周邊部分上。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管，其中陰極形成于其上的n型半 導(dǎo)體材料層的周邊部分的厚度小于n型半導(dǎo)體材料層的其他部分的厚度。
11、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其中陰極形成于襯底上且接觸 n型半導(dǎo)體層的側(cè)面。
12、 根據(jù)權(quán)利要求l、 2、 3、 9、 10或11所述的發(fā)光二極管，其中陰極和陽(yáng)極的厚度為2孩t米以上。
13、 根據(jù)權(quán)利要求l、 2、 3、 9、 10或11所述的發(fā)光二極管，其中在n 型半導(dǎo)體層和陰極之間以及在p型半導(dǎo)體層和陽(yáng)極之間形成有歐姆接觸層。
14、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其中襯底的材料選自硅、藍(lán)寶 石、SiC、 ZnO、 GaN。
15、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中該發(fā)光二極管為高亮度發(fā) 光二極管。
16、 一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括 發(fā)光二極管，包括襯底；形成于襯底的正面上的n型半導(dǎo)體材料層； 形成于n型半導(dǎo)體材料層上的發(fā)光層； 形成于發(fā)光層上的p型半導(dǎo)體材料層； 形成于p型半導(dǎo)體材料層上的陽(yáng)極；以及沿n型半導(dǎo)體材料層邊緣形成并與n型半導(dǎo)體材料層電接觸的陰極；形成于陽(yáng)極上的焊線；以及形成于襯底的背面上的背鍍金屬層或?qū)щ娔z，所述背鍍金屬層或?qū)щ娔z 接觸n型半導(dǎo)體層和陰極，其中坪線和背鍍金屬層和導(dǎo)電膠分別電連接至導(dǎo)電支架，導(dǎo)電支架用于 與外部電路連接。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，還包括形成于p型 半導(dǎo)體材料層上的保護(hù)層，所述陽(yáng)極穿透所述保護(hù)層與p型半導(dǎo)體層材料層接觸。
18、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，還包括形成于p型 半導(dǎo)體材料層和陽(yáng)極之間的覆蓋p型半導(dǎo)體材料層的透明電極層，保護(hù)層覆蓋透明電極層。
19、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中透明電極層的 厚度為發(fā)光二極管發(fā)射的光的波長(zhǎng)的四分之一。
20、 根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中透明電極 層的材料選自ITO、 Ru02、 Ni02、 ZnO或其組合。
21、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中陰極橫截面的 形狀為圓環(huán)、橢圓環(huán)，多邊形環(huán)或由直線和曲線組合成的封閉形環(huán)狀。
22、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中陰極由不吸收 光的反射性金屬或金屬氧化物制成。
23、 根據(jù)權(quán)利要求16、 17、 18、 21或22所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)， 其中陰極的材料選自Cr、 Al、 Ag、 Au、 Ti、 ITO、 ZnO、 Ru02及其組合。
24、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中陰極形成于n 型半導(dǎo)體材料層的周邊部分上。
25、 根據(jù)權(quán)利要求24所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中陰極形成于其 上的n型半導(dǎo)體材料層的周邊部分的厚度小于n型半導(dǎo)體材料層的其他部分 的厚度。
26、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中陰極形成于襯 底上且接觸n型半導(dǎo)體層的側(cè)面。
27、 根據(jù)權(quán)利要求26所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中背鍍金屬層或 導(dǎo)電膠與陰極形成為一體。
28、 根據(jù)權(quán)利要求16、 17、 18、 24、 25或26所述的發(fā)光二極管封裝結(jié) 構(gòu)，其中陰極和陽(yáng)極的厚度為2微米以上。
29、 根據(jù)權(quán)利要求16、 17、 18、 24、 25或26所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)^姆接觸層。'" — 、、 ' — 、 、
30、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中襯底的材料選 自硅、藍(lán)寶石、SiC、 ZnO、 GaN。
31、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光二極管 為高亮度發(fā)光二極管。
32、 一種發(fā)光二極管的制造方法，包括 制備村底；在襯底的正面上依次生長(zhǎng)n型半導(dǎo)體層，發(fā)光層和p型半導(dǎo)體層的疊層結(jié)構(gòu)；使用刻蝕方法，移除上述疊層結(jié)構(gòu)的周邊部分，直至暴露n型半導(dǎo)體層 的周邊部分；在n型半導(dǎo)體材料層的周邊部分上形成陰極；和在p型半導(dǎo)體層上形成陽(yáng)極。
33、 根據(jù)權(quán)利要求32所述的發(fā)光二極管的制造方法，還包括在形成陰 極和陽(yáng)極之前，形成保護(hù)層以覆蓋疊層結(jié)構(gòu)并暴露n型半導(dǎo)體材料層的周邊部分。
34、 根據(jù)權(quán)利要求32所述的發(fā)光二極管的制造方法，還包括在p型半 導(dǎo)體材料層和陽(yáng)極之間形成覆蓋p型半導(dǎo)體材料層的透明電極層。
35、 根據(jù)權(quán)利要求32所述的發(fā)光二極管的制造方法，其中n型半導(dǎo)體 材料層的周邊部分的厚度小于其他部分的厚度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管。該發(fā)光二極管包括襯底；形成于襯底的正面上的n型半導(dǎo)體材料層；形成于n型半導(dǎo)體材料層上的發(fā)光層；形成于發(fā)光層上的p型半導(dǎo)體材料層；保護(hù)層，覆蓋p型半導(dǎo)體材料層；穿透保護(hù)層形成于p型半導(dǎo)體材料層上的陽(yáng)極；以及圍繞n型半導(dǎo)體材料層形成并與之電接觸的陰極。本發(fā)明還提供了具有該發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)及該發(fā)光二極管的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管的發(fā)光效率增加了50％以上。
文檔編號(hào)H01L33/38GK101222015SQ200810025948
公開日2008年7月16日 申請(qǐng)日期2008年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月19日
發(fā)明者樊邦弘, 翁新川 申請(qǐng)人:鶴山麗得電子實(shí)業(yè)有限公司