專利名稱：電子產(chǎn)品的元件保護(hù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子產(chǎn)品的元件保護(hù)方法，特別是涉及一種電子產(chǎn)品在二次加工過程中的元件保護(hù)方法。
背景技術(shù)：
電子產(chǎn)品在制造過程中，往往有些元件(如電線的塑膠包皮等)
無法承受后續(xù)二次加工過程的特定環(huán)境條件，例如15(TC以上高溫。當(dāng)前解決這類問題的方法一般是進(jìn)行后續(xù)二次加工前先用隔離元件把相關(guān)元件隔離或者將后續(xù)二次加工過程分多次進(jìn)行。
然而，上述現(xiàn)有元件保護(hù)方法中，增加隔離元件工序較復(fù)雜，而且要占用較大空間；而將相關(guān)加工過程分多次進(jìn)行，不僅工藝復(fù)雜，而且很多情況下不適用，如注射成型過程一般難以分多次進(jìn)行加工。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種工序較簡單且占用空間較小的電子產(chǎn)品的元件保護(hù)方法。
為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明所提供電子產(chǎn)品的元件保護(hù)方法，用于電子產(chǎn)品二次加工過程中對需防護(hù)的元件進(jìn)行保護(hù)，其包括如下步驟
(1) 在需防護(hù)的元件的表面上涂布納米無機(jī)氧化物溶液；
(2) 在常溫環(huán)境或低于5(TC的加熱環(huán)境下使所涂布納米無機(jī)氧化物溶液干燥并形成一納米保護(hù)層；
(3) 進(jìn)行特定環(huán)境下的加工過程。
如上所述，本發(fā)明電子產(chǎn)品的元件保護(hù)方法在需防護(hù)的元件的表面上增加一納米保護(hù)層，而該納米保護(hù)層隔熱性好、絕緣性好并容易做得較薄，所以不僅可在后續(xù)二次加工過程中有效保護(hù)電子產(chǎn)品需防護(hù)的元件，而且工序簡單并可使所制得的電子產(chǎn)品占用空間較小。


圖1為在制造過程中采用了本發(fā)明方法的一種電子產(chǎn)品的剖視圖。
圖中各附圖標(biāo)記說明如下
基材 1 元件 2
納米保護(hù)層 3 披覆層 具體實(shí)施例方式
為詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說明。
本發(fā)明電子產(chǎn)品的元件保護(hù)方法包括如下步驟
(1) 用溶膠-凝膠法配制納米無機(jī)氧化物溶液，其中納米無機(jī)氧化物溶液可為納米二氧化硅溶液、納米二氧化鈦溶液和納米二氧化鋯溶液中的任一種或兩種或多種混合而成。納米無機(jī)氧化物溶液的配制方法以納米二氧化硅溶液為例說明如下
在室溫下，將1000克乙醇、120克去離子水和80克濃度為25%的鹽酸混合在一起，然后加入800克四乙氧基硅烷，利用磁石攪拌器輔以磁石攪拌反應(yīng)液3小時(shí)；再將得到的溶液靜置15小時(shí)，使其得到充分的水解并聚合形成二氧化硅膠體溶液；然后將二氧化硅膠體溶液與乙醇按不同質(zhì)量比混合，得到不同濃度的納米二氧化硅溶液。
(2) 在電子產(chǎn)品需防護(hù)的元件的表面上涂布上述配制而成的納米無機(jī)氧化物溶液。
(3) 在常溫環(huán)境或低于5(TC的加熱環(huán)境下，使所涂布的納米無機(jī)氧化物溶液干燥并形成一層約10微米厚的納米保護(hù)層，其中納米保護(hù)層的厚度也可以為1微米、5微米或15微米等，納米保護(hù)層厚度可通過調(diào)整納米無機(jī)氧化物溶液的濃度進(jìn)行控制；一般情況下，納米無機(jī)氧化物溶液的濃度越大，所獲得納米保護(hù)層的厚度越大。
(4)進(jìn)行特定環(huán)境下的加工過程，如金屬蒸鍍、金屬濺鍍、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積和射出成型等加工。
以下例舉兩種電子產(chǎn)品，以進(jìn)一步說明上述電子產(chǎn)品的元件保護(hù)方法的效果。
請參閱圖1， 一種在制造過程中采用了上述電子產(chǎn)品的元件保護(hù)方法的電子產(chǎn)品包括一基材1，基材1上設(shè)置有多個(gè)需防護(hù)的元件2，需防護(hù)的元件2上覆蓋有一由納米無機(jī)氧化物溶液干燥形成的連續(xù)且致密的納米保護(hù)層3，基材1和納米保護(hù)層3上覆蓋有一層以金屬蒸鍍方法形成的披覆層4。本電子產(chǎn)品制造過程中，在以金屬蒸鍍方法形成披覆層4時(shí)，由于納米保護(hù)層3的保護(hù)，蒸鍍作業(yè)的工作環(huán)境對需防護(hù)的元件2的影響可保持在需防護(hù)的元件2可承受的范圍內(nèi)。
另一種電子產(chǎn)品包括兩并行的電線，兩電線外分別套設(shè)有一絕緣膠皮，兩絕緣膠皮粘連在一起，該電子產(chǎn)品還包括一以注射成型方式固定連接于絕緣膠皮上的殼體部。本電子產(chǎn)品若采用現(xiàn)有方法制造，則注射成型殼體部時(shí)的高溫環(huán)境可使絕緣膠皮熔化從而導(dǎo)致兩電線短路，據(jù)實(shí)驗(yàn)統(tǒng)計(jì)，兩電線發(fā)生短路比例為55%。如果采用上述本發(fā)明方法制造這種產(chǎn)品，即于殼體部注射成型時(shí)，先在絕緣膠皮(此處絕緣膠皮為需防護(hù)的元件)上涂布納米無機(jī)氧化物溶液，并使納米無機(jī)氧化物溶液干燥形成一納米保護(hù)層，則納米保護(hù)層能有效將絕緣膠皮與射出成型時(shí)的高溫環(huán)境隔離，從而可有效避免絕緣膠皮熔化而兩電線短路。據(jù)實(shí)驗(yàn)統(tǒng)計(jì)，在納米保護(hù)層厚度為l微米時(shí)，兩電線發(fā)生短路的比例降低為12%;在納米保護(hù)層厚度為10微米時(shí)，兩電線發(fā)生短路的比例降低為0%。
如上所述，本發(fā)明電子產(chǎn)品的元件保護(hù)方法在需防護(hù)的元件的表面上增加一納米保護(hù)層，而該納米保護(hù)層隔熱性好、絕緣性好并容易做得較薄，所以不僅可在后續(xù)加工過程中有效保護(hù)電子產(chǎn)品需防護(hù)的元件，而且工序簡單并可使所制得的電子產(chǎn)品占用空間較小。
權(quán)利要求
1.一種電子產(chǎn)品的元件保護(hù)方法，用于電子產(chǎn)品二次加工過程中對需防護(hù)的元件進(jìn)行保護(hù)，其特征在于包括如下步驟(1)在電子產(chǎn)品需防護(hù)的元件的表面上涂布納米無機(jī)氧化物溶液；(2)在常溫環(huán)境或低于50℃的加熱環(huán)境下，使所涂布納米無機(jī)氧化物溶液干燥并形成一納米保護(hù)層；(3)進(jìn)行特定環(huán)境下的加工過程。
2. 如權(quán)利要求1所述的電子產(chǎn)品的元件保護(hù)方法，其特征在于所述納米無機(jī)氧化物溶液為納米二氧化硅溶液、納米二氧化鈦溶液和納米二氧化鋯溶液中的任一種。
3. 如權(quán)利要求1所述的電子產(chǎn)品的元件保護(hù)方法，其特征在于所述納米無機(jī)氧化物溶液為納米二氧化硅溶液、納米二氧化鈦溶液和納米二氧化鋯溶液中的任兩種或兩種以上的混合物。
4. 如權(quán)利要求1所述的電子產(chǎn)品的元件保護(hù)方法，其特征在于所述納米保護(hù)層厚度為1~15微米。
5. 如權(quán)利要求4所述的電子產(chǎn)品的元件保護(hù)方法，其特征在于-所述納米保護(hù)層的厚度為5~10微米。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電子產(chǎn)品的元件保護(hù)方法，用于電子產(chǎn)品二次加工過程中對需防護(hù)的元件進(jìn)行保護(hù)。該保護(hù)方法包括(1)在電子產(chǎn)品的需防護(hù)的元件的表面上涂布納米無機(jī)氧化物溶液；(2)在常溫環(huán)境或低于50℃的加熱環(huán)境下，使所涂布納米無機(jī)氧化物溶液干燥并形成一納米保護(hù)層；(3)進(jìn)行特定環(huán)境下的加工過程。本發(fā)明在需防護(hù)的元件的表面上增加一納米保護(hù)層，不僅可在后續(xù)二次加工過程中有效保護(hù)需防護(hù)的元件，而且工序簡單并可使所制得的電子產(chǎn)品占用空間較小。
文檔編號H01B13/22GK101578023SQ20081002809
公開日2009年11月11日 申請日期2008年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月10日
發(fā)明者黃志豪 申請人:富港電子(東莞)有限公司;正崴精密工業(yè)股份有限公司