專利名稱：用于保護(hù)多晶和襯底表面的集成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工藝，尤其涉及一種用于保護(hù)多晶和襯底表面的 LDD (輕摻雜漏極，lightly doped drain)集成方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，隨著關(guān)鍵器件的尺寸越來(lái)越小，在多晶膜沉積后通過(guò) 離子注入摻雜(也稱作預(yù)摻雜)的多晶柵極對(duì)于實(shí)現(xiàn)高速M(fèi)OS性能來(lái)說(shuō)是必要的。 但這樣會(huì)遇到一個(gè)問(wèn)題，即在通過(guò)離子注入摻雜了多晶柵極后多晶膜易于具有弱 點(diǎn)，如圖l所示。在后續(xù)過(guò)程中，即在包括IMP、 PR灰化、濕法剝離、附加熱處理 的LDD循環(huán)中柵極膜和襯底總是直接與強(qiáng)等離子體接觸。隨著多晶厚度的尺度趨于 變小，強(qiáng)等離子體破壞會(huì)存在風(fēng)險(xiǎn)，它可能會(huì)穿過(guò)晶粒邊界擊穿多晶膜并引起晶體 管泄漏。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種保護(hù)多晶膜表面免受LDD損害并降低擊穿多晶膜 的概率的集成工藝。
為此，本發(fā)明提供了一種用于保護(hù)多晶和襯底表面的集成方法，該集成方法 依次包括以下步驟
步驟一多晶光照； 步驟二多晶蝕刻； 步驟三多晶再氧化； 步驟四補(bǔ)償間隔物SIN沉積； 步驟五補(bǔ)償間隔物蝕刻； 步驟六補(bǔ)償間隔物聚合物去除； 步驟七NMOS 10/核心輕摻雜漏極； 步驟八PMOS IO輕摻雜漏極；
3步驟九氧化物剝離；以及 步驟十PMOS核心輕摻雜漏極。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，在上述用于保護(hù)多晶和襯底表面的集成方法中的步 驟九中，氧化物通過(guò)HF濕法剝離被去除。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，在上述用于保護(hù)多晶和襯底表面的集成方法中，在 所述步驟七的NMOS 10/核心輕摻雜漏極之前不執(zhí)行氧化物剝離的步驟。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于
1. 該方法可顯著地避免多晶膜損傷并降低由于注入的離子穿過(guò)多晶膜而引起 的高Ioff分布點(diǎn)，如圖1所示；
2. 不需要去除額外的氧化物膜，該方法僅改變?cè)瓉?lái)的氧化物浸鍍順序；
3. 該方法易于控制；
4. 可調(diào)節(jié)NM0S能量和用量，且對(duì)PM0S器件的性能沒(méi)有影響。
應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明以上的一般性描述和以下的詳細(xì)描述都是示例性和說(shuō)明性 的，并且旨在為如權(quán)利要求所述的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


包括附圖是為提供對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步的理解，它們被收錄并構(gòu)成本申請(qǐng)的一部 分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并與本說(shuō)明書(shū)一起起到解釋本發(fā)明原理的作用。 附圖中
圖1是間隔物膜沉積的Ioff對(duì)IDSAT的曲線圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)的工藝步驟；
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的工藝的步驟。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。
以下對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)詳細(xì)描述本發(fā)明的工藝步驟。
圖2示出了當(dāng)前工藝的具體步驟。其中依次包括以下步驟
步驟201:多晶光照；
步驟2 02:多晶蝕刻；步驟203:多晶再氧化；
步驟2 04:補(bǔ)償間隔物SIN沉積；
步驟205:補(bǔ)償間隔物蝕刻；
步驟206:補(bǔ)償間隔物聚合物去除；
步驟207:氧化物剝離；
步驟208: NMOS IO/核心輕摻雜漏極；
步驟209: PMOS 10輕摻雜漏極；以及
步驟210: PMOS核心輕摻雜漏極。
與之相對(duì)應(yīng)地，圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的工藝的具體步驟，其中依次包括:
步驟301:多晶光照；
步驟302:多晶蝕刻；
步驟303:多晶再氧化；
步驟304:補(bǔ)償間隔物SIN沉積；
步驟305:補(bǔ)償間隔物蝕刻；
步驟306:補(bǔ)償間隔物聚合物去除；
步驟307:麗OS IO/核心輕摻雜漏極;
步驟308:PMOS IO輕摻雜漏極；
步驟309:氧化物剝離；以及
步驟310:PMOS核心輕摻雜漏極。
根據(jù)上述步驟本發(fā)明的主要特點(diǎn)在于跳過(guò)了在補(bǔ)償隔離物蝕刻之后的氧
化物(OX)剝離的步驟，并保留了多晶和襯底上的多晶的再氧化。在PMOS核 心器件LDD IMP前，剩余的氧化物(OX)通過(guò)HF濕法剝離被去除。修補(bǔ)多晶 側(cè)壁的該多晶再氧化薄膜可防止多晶和表面在后續(xù)LDD循環(huán)過(guò)程中(例如，PR 涂布、PR灰化、濕法剝離)的直接接觸，并可防止多晶膜的滲透。該方法僅簡(jiǎn) 單地改變流程順序且不會(huì)累積副作用。通過(guò)調(diào)節(jié)RTO或爐管工藝控制隔絕層厚 度。需要優(yōu)化麗SLDD的能量和用量以滿足器件性能的要求。PMOS性能不受影 響。剩余的氧化物(OX)的控制是本發(fā)明的方法中的關(guān)鍵。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可顯見(jiàn)，可對(duì)本發(fā)明的上述示例性實(shí)施例進(jìn)行各種修改和變型而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。因此，旨在使本發(fā)明覆蓋落在所附權(quán)利要 求書(shū)及其等效技術(shù)方案范圍內(nèi)的對(duì)本發(fā)明的修改和變型。
權(quán)利要求
1. 一種用于保護(hù)多晶和襯底表面的集成方法，其特征在于，依次包括以下步驟步驟一多晶光照；步驟二多晶蝕刻；步驟三多晶再氧化；步驟四補(bǔ)償間隔物SIN沉積；步驟五補(bǔ)償間隔物蝕刻；步驟六補(bǔ)償間隔物聚合物去除；步驟七NMOS IO/核心輕摻雜漏極；步驟八PMOS IO輕摻雜漏極；步驟九氧化物剝離；以及步驟十PMOS核心輕摻雜漏極。
2. 如權(quán)利要求1所述的用于保護(hù)多晶和襯底表面的集成方法，其特征在于， 所述步驟九中，氧化物通過(guò)HF濕法剝離被去除。
3. 如權(quán)利要求1所述的用于保護(hù)多晶和襯底表面的集成方法，其特征在于， 在所述步驟七的NMOS 10/核心輕摻雜漏極之前不執(zhí)行氧化物剝離的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于保護(hù)多晶和襯底表面的集成方法，該集成方法依次包括以下步驟步驟一多晶光照；步驟二多晶蝕刻；步驟三多晶再氧化；步驟四補(bǔ)償間隔物SIN沉積；步驟五補(bǔ)償間隔物蝕刻；步驟六補(bǔ)償間隔物聚合物去除；步驟七NMOS IO/核心輕摻雜漏極；步驟八PMOS IO輕摻雜漏極；步驟九氧化物剝離；以及步驟十PMOS核心輕摻雜漏極。該集成方法可保護(hù)多晶膜表面免受LDD損害并降低擊穿多晶膜的概率。
文檔編號(hào)H01L21/8238GK101488477SQ20081003269
公開(kāi)日2009年7月22日 申請(qǐng)日期2008年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月16日
發(fā)明者何學(xué)緬, 居建華, 魏瑩璐 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司