專利名稱：用于對集成電路內(nèi)層電介質(zhì)進(jìn)行可靠性分析的測試用結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體制造業(yè)中的可靠性(Reliability)分析過程， 具體涉及升壓測試方法，特別是一種針對對內(nèi)層電介質(zhì)升壓測試而改 進(jìn)的電路結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在集成電路器件結(jié)構(gòu)中，內(nèi)層電介質(zhì)(ILD， Inter Layer Dielectric) 是指金屬間的絕緣層， 一般由Si02等非導(dǎo)電性材料組成，其作用是使 不同的電路結(jié)構(gòu)之間相互隔離。內(nèi)層電介質(zhì)的性質(zhì)對于半導(dǎo)體器件的 性能是至關(guān)重要的，通常要求其具有良好的抗擊穿性能。
升壓法(Vramp methodology)可用于測試內(nèi)層電介質(zhì)的性能，這種 方法主要的手段是對內(nèi)層電介質(zhì)兩端施加以恒定步驟升高的電壓，當(dāng) 電壓升高到一定程度，內(nèi)層電介質(zhì)被擊穿，然后根據(jù)此過程中記錄的 相應(yīng)數(shù)據(jù)，對受測試的內(nèi)層電介質(zhì)性能進(jìn)行評(píng)估。這種檢測結(jié)果通常 可以反映出材料中的缺陷數(shù)量。因此，升壓法測試主要可以用于偵測 集成電路中電介質(zhì)層中的缺陷，制程異常情況(如金屬、光阻殘余物 等物質(zhì)殘留在金屬線之間等等)，以及銅擴(kuò)散制程中用于監(jiān)測銅擴(kuò)散 的狀況。
基于時(shí)間的介電質(zhì)擊穿電壓(TDDB: Time Dependent Dielectric Breakdown)為另一種測試方式，通常是在測試結(jié)構(gòu)上加一個(gè)恒定的 高電壓，在經(jīng)過一段時(shí)間之后，如果偵測到的介質(zhì)層漏電超過某個(gè)既 定值，則認(rèn)為該介質(zhì)層已經(jīng)失效，記錄下該時(shí)間點(diǎn)，它既為此個(gè)測試 樣品的失效時(shí)間(TTF: Time to Failure),基于大量樣品的失效時(shí)間TTF 值，可以通過模型計(jì)算得到受測試結(jié)構(gòu)對應(yīng)的介質(zhì)層在 一 般工作條件下的實(shí)際使用壽命(lifetime)。
圖1為目前用于進(jìn)行上述升壓法和基于時(shí)間的介電質(zhì)擊穿電壓測 試的測試結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該測試結(jié)構(gòu)l包括，梳子形狀的金
屬線ioi以及ior,所述的梳子形狀的金屬線ioi以及ior相互交錯(cuò)，
構(gòu)成互不接觸的指叉式結(jié)構(gòu)；該金屬線101和101，之間為電介質(zhì)材料
102,其作用是隔離金屬線ioi和ior。所述金屬線ioi的一端連接到
墊片103，金屬線101'的一端連接到墊片103，。
上述的測試結(jié)構(gòu)1中，電介質(zhì)材料102相當(dāng)于集成電路器件中用于
隔離金屬線(用于構(gòu)成集成電路中的電路結(jié)構(gòu))的內(nèi)層電介質(zhì)，在需 要對集成電路結(jié)構(gòu)中兩個(gè)電路結(jié)構(gòu)間的內(nèi)層電介質(zhì)進(jìn)行性能測試時(shí)，
可以將測試電壓的兩極分別連接到墊片103以及墊片103，上進(jìn)行測試。
在實(shí)際使用中，圖l所示的測試結(jié)構(gòu)l容易出現(xiàn)問題，由于半導(dǎo)體 器件中的電路結(jié)構(gòu)圖案尺寸較小，并且出于集成電路設(shè)計(jì)的考慮，用 于構(gòu)成電路結(jié)構(gòu)的金屬線一般為曲折形的結(jié)構(gòu)，具有多處轉(zhuǎn)角，測試
結(jié)構(gòu)中同樣也不可避免地出現(xiàn)轉(zhuǎn)角結(jié)構(gòu)(見圖l所示的金屬線101、 101，)。當(dāng)測試電壓施加于電^各末端所連接的墊片103和103，時(shí)，容易
出現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)的金屬線ioi或者ior因?yàn)檫^于細(xì)小而先被燒毀的情
況，特別是金屬線的轉(zhuǎn)角處最容易發(fā)生。圖4a為集成電路器件的實(shí)物 圖片，顯示了真實(shí)的作失效分析(FA， Failure Analysis)時(shí)出現(xiàn)的測試結(jié) 構(gòu)被燒毀的情況，圖4b為圖2a的局部放大示意圖。上述問題容易對基 于時(shí)間的介電質(zhì)擊穿電壓或者升壓測試有不良影響。例如，在對0.13 微米的TQV產(chǎn)品進(jìn)行測試時(shí)，這種電路被燒毀的情況非常普遍(TQV: Technology Qualification Vehicle通常是作為晶片制造廠內(nèi)部的測試結(jié) 構(gòu)，包括可靠性測試結(jié)構(gòu)，SPICE model測試結(jié)構(gòu)等等)。
須'J試中 一 旦出現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)先被燒毀的情況，測試就不能再繼續(xù)進(jìn) 行，甚至得到錯(cuò)誤的測試結(jié)果，因?yàn)樯鲜鰷y試過程沒有記錄到內(nèi)層電 介質(zhì)被擊穿的數(shù)據(jù)。

發(fā)明內(nèi)容
針對目前用于可靠性分析的電路結(jié)構(gòu)在實(shí)際使用中因測試結(jié)構(gòu) 中的金屬線圖案過于細(xì)小，并且所述金屬線有曲折形轉(zhuǎn)角的形狀存 在，導(dǎo)致實(shí)際測試中所述金屬線容易燒毀，使測試不能正常進(jìn)行的問 題，提出本發(fā)明。
本發(fā)明提供一種用于對集成電路內(nèi)層電介質(zhì)進(jìn)行可靠性分析的 觀'J試結(jié)構(gòu)，使用該測試結(jié)構(gòu)可以避免在進(jìn)行集成電路器件可靠'性觀'j試
時(shí)金屬線燒毀的問題。所述的測試結(jié)構(gòu)包括金屬線結(jié)構(gòu)，電介質(zhì)層， 和墊片。所述金屬線結(jié)構(gòu)電介質(zhì)層分為隔離的兩部分，其中一部分金 屬線的一端和一個(gè)墊片相連，另一部分的金屬線結(jié)構(gòu)和另一個(gè)墊片相 連，電介質(zhì)在其中起到隔離作用。在本發(fā)明中，所述金屬線結(jié)構(gòu)采用 為直線狀的條形結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選地，所述金屬線結(jié)構(gòu)由一條以上金屬線構(gòu)成。并且，所述金 屬線結(jié)構(gòu)包括的一條以上金屬線還可以各自以其一端和相應(yīng)的墊片3 連接。這些金屬線結(jié)構(gòu)包括的一條以上金屬線通?？梢院蜏y試結(jié)構(gòu)中 另 一金屬線結(jié)構(gòu)中包括的 一條以上金屬線交錯(cuò)地構(gòu)成指叉式形狀。此 外，在本發(fā)明中，所述墊片的寬度可以加大，其在橫向上的寬度大于 金屬線結(jié)構(gòu)所包括的一條以上金屬線在所述電介質(zhì)層中橫向排列的 寬度。
本發(fā)明所提供的用于對集成電路內(nèi)層電介質(zhì)進(jìn)行可靠性分析的 測試結(jié)構(gòu)和目前采用的測試結(jié)構(gòu)的不同之處在于，所有測試結(jié)構(gòu)中采 用的金屬線均為直線條形結(jié)構(gòu)，換言之，這些金屬線的形狀中是不含 轉(zhuǎn)角的，這可以完全避免測試過程中隨著電壓增大，因金屬線的轉(zhuǎn)角 處容易出現(xiàn)燒毀而導(dǎo)致測試不能正常進(jìn)行的情況。在優(yōu)選方式下，且 每一條金屬線結(jié)構(gòu)中包括的一條以上金屬線均有一端連接至一個(gè)增 加寬度的墊片，這也可以在一定程度上避免電路因連接過于細(xì)小而在 測試過程中燒毀的情況。
由于內(nèi)層電介質(zhì)的可靠性測試主要是為了反映和保證介質(zhì)層的 工藝和特性能夠符合真實(shí)半導(dǎo)體工作所需要的條件，雖然本發(fā)明提供
5的這種觀'J試結(jié)構(gòu)在形狀和結(jié)構(gòu)上作了改動(dòng)，但是其仍然可以反映真實(shí) 的集成電路制造工藝的工藝特性，例如，在通常情況下，這種墊片結(jié) 構(gòu)是按照工廠中統(tǒng)一的規(guī)格而設(shè)計(jì)，對于每個(gè)制程大小或設(shè)計(jì)都是相 同的，在設(shè)計(jì)時(shí)已經(jīng)考慮到制程工藝，所以不會(huì)在實(shí)際制程上造成困 難。對其他集成電路中圖案特征的分布也已經(jīng)考慮在內(nèi)。所以這種改 動(dòng)對測試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性沒有影響。
使用本發(fā)明的測試結(jié)構(gòu)用于對集成電路的內(nèi)層電介質(zhì)進(jìn)行可靠 性分析時(shí)的方法步驟和現(xiàn)有的可靠性分析步驟沒有區(qū)別，例如，可以 分別施加測試電壓于本發(fā)明測試結(jié)構(gòu)的兩個(gè)墊片上，以恒定步驟逐步 升高電壓，直至內(nèi)層電介質(zhì)被擊穿，測試過程結(jié)束。記錄整個(gè)測試過 程中的數(shù)據(jù)，用以評(píng)估內(nèi)層電介質(zhì)的性能。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，因?yàn)樗鼋Y(jié)構(gòu)在設(shè)計(jì)上有效降低了電路在施 加電壓的測試過程先被燒毀的可能性，所以測試可以順利進(jìn)行，不至
于得到錯(cuò)誤的測試數(shù)據(jù)。另外這種結(jié)構(gòu)并不影響對內(nèi)層電介質(zhì)性能作 測試的有效性。
為了更容易理解本發(fā)明的目的、特征以及其優(yōu)點(diǎn)，下面將配合附 圖和實(shí)施例對本發(fā)明加以詳細(xì)i兌明。


本申請書中包括的多個(gè)附圖顯示出本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例，本申請 中包括的附圖是說明書的一個(gè)構(gòu)成部分，附圖與說明書和權(quán)利要求書 一起用于說明本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，用于更好地理解本發(fā)明。 附圖中相同或相似的構(gòu)成部分用相同的參考數(shù)字指示。 圖l為目前用于進(jìn)行升壓法和基于時(shí)間的介電質(zhì)擊穿電壓測試的
測試結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施方式
的用于對集成電路內(nèi)層電介質(zhì)進(jìn) 行可靠性分析的測試用結(jié)構(gòu)示意圖3為基于本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的具體實(shí)施方式
的用于對集成電路內(nèi) 層電介質(zhì)進(jìn)行可靠性分析的測試用結(jié)構(gòu)示意圖；圖4a為集成電路器件的實(shí)物圖片，顯示了真實(shí)的作失效分析(FA, Failure Analysis)時(shí)出現(xiàn)的測試結(jié)構(gòu)被燒毀的情況；
圖4 b為圖4 a所示的集成電路器件被燒毀之處的的局部放大示意圖。
具體實(shí)施例方式
為了更好地理解本發(fā)明所提供的技術(shù)方案，下面結(jié)合本發(fā)明的具 體實(shí)施例作進(jìn)一步說明，但其不限制本發(fā)明。
本發(fā)明其中 一個(gè)較佳實(shí)施例詳述于下，以敘述本發(fā)明概念且顯示 本發(fā)明的較重要的發(fā)明特征。
圖2為本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施方式
的用于對集成電路內(nèi)層電介質(zhì)進(jìn) 行可靠性分析的測試用結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，該測試結(jié)構(gòu)2包括
金屬線結(jié)構(gòu)201和201',作為可靠性測試結(jié)構(gòu)的組成部分，該金屬 線結(jié)構(gòu)相當(dāng)于集成電路器件中用于形成電路的金屬線。因此，所述金 屬結(jié)構(gòu)201和201，的設(shè)計(jì)規(guī)格，形成的工藝條件等均和受測試的集成 電路器件一致。
電介質(zhì)層202,該電介質(zhì)層202位于所述金屬線結(jié)構(gòu)201和201，之 間，使其相互隔離；同樣地，作為可靠性測試結(jié)構(gòu)的組成部分，該電 介質(zhì)層相當(dāng)于集成電路器件中的層間電介質(zhì)材料，其材料，形成的工 藝條件等均和受測試的集成電路器件 一 致。
墊片203和203',其中，金屬線結(jié)構(gòu)201的一端和墊片203相連接， 金屬線201，的一端和墊片203，相連接。同樣地，作為可靠性測試結(jié)構(gòu) 的組成部分，該墊片203和203 ，相當(dāng)于集成電路器件中的用于連接的 各種墊片，其材料，形成的工藝條件等均和受測試的集成電路器件一 致。
在本發(fā)明中，上述金屬線結(jié)構(gòu)201和201，采用如圖2所示的直線狀 條形結(jié)構(gòu)。完全避免了測試結(jié)構(gòu)的金屬線出現(xiàn)轉(zhuǎn)角形狀。因此，相應(yīng) 地在使用本發(fā)明提供的測試結(jié)構(gòu)2用于對集成電路內(nèi)層電介質(zhì)進(jìn)行可 靠性分析時(shí)，可以從根本上避免金屬線結(jié)構(gòu)在轉(zhuǎn)角處易于燒毀的問
7題。例如，在進(jìn)行升壓測試時(shí)，本發(fā)明提供的測試結(jié)構(gòu)2可以在電壓
升高至電介質(zhì)層202的擊穿電壓時(shí)，仍然保證金屬線結(jié)構(gòu)201和201，不
被燒毀。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以作進(jìn)一步的改進(jìn)。雖然 圖2所示的測試結(jié)構(gòu)已經(jīng)可以避免測試過程中金屬線被燒毀的問題。 但是這種測試結(jié)構(gòu)并不足以完全反映集成電路制造工藝的設(shè)計(jì)規(guī)格， 制程條件等因素。為了使本發(fā)明的測試結(jié)構(gòu)用于內(nèi)層電介質(zhì)的可靠性 測試能夠符合真實(shí)的半導(dǎo)體器件工作所需要的條件，本發(fā)明還可以進(jìn) 行如下所述的改進(jìn)。
圖3為基于本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的具體實(shí)施方式
的用于對集成電路內(nèi) 層電介質(zhì)進(jìn)行可靠性分析的測試用結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，該測試 結(jié)構(gòu)3包括
金屬線結(jié)構(gòu)201和20r，所述金屬線結(jié)構(gòu)201和201，各自包括一條 以上金屬線，這些金屬線可以排列成由金屬線結(jié)構(gòu)201和202，相互交 錯(cuò)地形成指叉式的形狀(即金屬線結(jié)構(gòu)201所包括的金屬線和金屬線 結(jié)構(gòu)201，所包括的金屬線兩兩相鄰，互相交錯(cuò)，如手指交錯(cuò)叉攏的形 狀)。當(dāng)然，所述的一條以上金屬線也可以采用其它的排列方式，例 如，每兩條金屬線結(jié)構(gòu)201所包括的金屬線間隔一條金屬線結(jié)構(gòu)201' 所包括的金屬線，等等。作為可靠性測試結(jié)構(gòu)的組成部分，這些金屬 線結(jié)構(gòu)所包括的金屬線相當(dāng)于集成電路器件中用于形成電路的金屬 線。因此，所述金屬結(jié)構(gòu)201和201，所包括的金屬線的設(shè)計(jì)規(guī)格，形
成的工藝條件等均和受測試的集成電路器件 一 致。
電介質(zhì)層202,該電介質(zhì)層202位于所述金屬線結(jié)構(gòu)201和201，所包 括的金屬線之間，不管這些金屬線之間為指叉式的排列，還是其它排 列方式，由于電介質(zhì)層202的存在，所述所述金屬線結(jié)構(gòu)201和201，所 包括的金屬線之間是被電介質(zhì)層202相互隔離的。同樣地，作為可靠 性測試結(jié)構(gòu)的組成部分，該電介質(zhì)層相當(dāng)于集成電路器件中的層間電 介質(zhì)材料，其材料，形成的工藝條件等均和受測試的集成電路器件一致。
墊片203和203'，其中，上述金屬線結(jié)構(gòu)201包括的一條以上金屬 線各自以其一端和所述墊片203連接，所述金屬線結(jié)構(gòu)201，包括的一 條以上金屬線各自以其一端和所述墊片203，連接。為了保證所述金屬 線和墊片的連接需要，所述墊片203在橫向上的寬度大于金屬線結(jié)構(gòu) 201所包括的一條以上金屬線在所述電介質(zhì)層202中橫向排列的寬度； 所述墊片203，在橫向上的寬度大于金屬線結(jié)構(gòu)201，所包括的一條以上 金屬線在所述電介質(zhì)層202中橫向排列的寬度。當(dāng)然，墊片203或者 203，的寬度也可以進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整，在保證各金屬線和墊片的連接需要 的前提下，也可以采用通常規(guī)格的墊片，例如，將所有金屬線結(jié)構(gòu)201 包括的一條以上金屬線或者金屬線結(jié)構(gòu)201，包括的一條以上金屬線 合并于一條較寬的金屬線后，再分別連接于墊片203或者墊片203，上。
同樣地，作為可靠性測試結(jié)構(gòu)的組成部分，該墊片203和203，相當(dāng) 于集成電路器件中的用于連接的各種墊片，其材料，形成的工藝條件 等均和受測試的集成電路器件 一 致。
如前所述，在本發(fā)明中，金屬線結(jié)構(gòu)201和201，所包括的一條以上 金屬線采用直線狀條形結(jié)構(gòu)。完全避免了測試結(jié)構(gòu)的金屬線出現(xiàn)轉(zhuǎn)角 形狀。因此，相應(yīng)地在使用本發(fā)明提供的測試結(jié)構(gòu)3用于對集成電路 內(nèi)層電介質(zhì)進(jìn)行可靠性分析時(shí)，也可以從根本上避免金屬線結(jié)構(gòu)在轉(zhuǎn) 角處易于燒毀的問題。例如，在進(jìn)行升壓測試時(shí)，本發(fā)明提供的測試 結(jié)構(gòu)3可以在電壓升高至電介質(zhì)層202的擊穿電壓時(shí)，仍然保證金屬線 結(jié)構(gòu)201和201'不被燒毀。
此外，由于內(nèi)層電介質(zhì)的可靠性測試主要是為了反映和保證介質(zhì) 層的工藝和特性能夠符合真實(shí)的半導(dǎo)體器件在工作時(shí)所需要的條件 對半導(dǎo)體器件的影響，本實(shí)施方式所提供的測試結(jié)構(gòu)3可以反映真實(shí) 的集成電路制造工藝的工藝特性，例如，圖3所示的本發(fā)明的測試結(jié) 構(gòu)3中用金屬線結(jié)構(gòu)201和201，各自包括的多條金屬線構(gòu)成的指叉式 結(jié)構(gòu)，在本質(zhì)上類似于圖l所示的現(xiàn)有技術(shù)中采用梳子形狀的金屬線
結(jié)構(gòu)ioi和ior所構(gòu)成的指叉式結(jié)構(gòu)，只是這兩種測試結(jié)構(gòu)中釆用的
9墊片寬度不同。在通常情況下，墊片結(jié)構(gòu)是按照工廠中統(tǒng)一的規(guī)格而 設(shè)計(jì)，對于每個(gè)制程大小或設(shè)計(jì)都是相同的，本發(fā)明在設(shè)計(jì)時(shí)已經(jīng)考 慮到制程工藝，所以不會(huì)在實(shí)際制程上造成困難。對其他集成電路中 圖案特征的分布也已經(jīng)考慮在內(nèi)。所以這種改動(dòng)對測試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性 沒有影響。
本發(fā)明提供的測試結(jié)構(gòu)在用于對集成電路內(nèi)層電介質(zhì)進(jìn)行可靠 性分析的測試用結(jié)構(gòu)時(shí)，方法步驟和現(xiàn)有的可靠性分析步驟沒有區(qū) 別，以使用本發(fā)明具體實(shí)施方式
提供的測試結(jié)構(gòu)2或者測試結(jié)構(gòu)3進(jìn)行
升壓測試的情況舉例，可以分別施加測試電壓于本發(fā)明測試結(jié)構(gòu)2或 者測試結(jié)構(gòu)3的兩個(gè)墊片203以及203，上，以恒定步驟逐步升高電壓， 直至電壓升高至內(nèi)層電介質(zhì)層的擊穿電壓，使內(nèi)層電介質(zhì)被擊穿，則 完成整個(gè)測試過程。記錄整個(gè)測試過程中的數(shù)據(jù)，可以用以評(píng)估內(nèi)層 電介質(zhì)的性能。
以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu) 點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上 述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明 精神和范圍的前提下本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn) 都落入要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)的范圍由所附的 權(quán)利要求書及其等效物界定。
權(quán)利要求
1.一種用于對集成電路內(nèi)層電介質(zhì)進(jìn)行可靠性分析的測試用結(jié)構(gòu)，該測試結(jié)構(gòu)包括金屬線結(jié)構(gòu)(201)和(201’)，電介質(zhì)層(202)，該電介質(zhì)層(202)位于所述金屬線結(jié)構(gòu)(201)和(201’)之間，使其相互隔離；墊片(203)和(203’)，其中，金屬線結(jié)構(gòu)(201)的一端和墊片(203)相連接，金屬線結(jié)構(gòu)(201’)的一端和墊片(203’)相連接，其特征在于，所述金屬線結(jié)構(gòu)(201)和(201’)為直線狀的條形結(jié)構(gòu)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬線結(jié) 構(gòu)(201)和(202，)各自包括一條以上金屬線。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬線結(jié) 構(gòu)(201)包括的一條以上金屬線各自以其一端和所述墊片(203 ) 連接，所述金屬線結(jié)構(gòu)(201，)包括的一條以上金屬線各自以其一端 和所述墊片(203，)連接。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬 線結(jié)構(gòu)(201)包括的一條以上金屬線與所述金屬線結(jié)構(gòu)(201，)包 括的 一 條以上金屬線交錯(cuò)地構(gòu)成指叉式形狀。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述墊片(203 )在橫向上的寬度大于金屬線結(jié)構(gòu)(201 )所包括的一條以上金屬線在所述電介質(zhì)層(202 )中橫向排列的寬度；所述墊片(203，)在橫向上的寬度大于金屬線結(jié)構(gòu)(201，)所包 括的一條以上金屬線在所述電介質(zhì)層(202)中橫向排列的寬度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于對集成電路內(nèi)層電介質(zhì)進(jìn)行可靠性分析的測試用結(jié)構(gòu)，這種測試結(jié)構(gòu)中采用的金屬線均為直線條形結(jié)構(gòu)，并且所述金屬線可以是多條直線條形結(jié)構(gòu)的金屬線，其各自與加寬的墊片相連接。這種結(jié)構(gòu)可以完全避免測試過程中隨著電壓增大，因金屬線的轉(zhuǎn)角處容易出現(xiàn)燒毀而導(dǎo)致測試不能正常進(jìn)行的情況。由于本發(fā)明的測試結(jié)構(gòu)在測試中金屬線先被燒毀的可能性大為降低。有利于測試的順利進(jìn)行，并且可以保證測試的準(zhǔn)確性。
文檔編號(hào)H01L23/544GK101494216SQ20081003313
公開日2009年7月29日 申請日期2008年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月25日
發(fā)明者阮瑋瑋, 陸黎明, 斌 龔 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司